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1、ELECTRONICMBR20100CTProductorCharacterPackageHalfBridgeRectified、CommonCathodeStructure.MultilayerMetal-SiliconPotentialStructure.LowPowerWaste，HighEfficiency.BeautifulHighTemperatureCharacter.HaveOverVoltageprotectloop，highreliability.RoHsProduct.PrimaryUseLowVoltageLowVoltageHighFrequencyHighFrequ

2、encySwitchingPowerSupply.InversCircuit.LowVoltageContinuedCircuitandProtectionCircuit.SummarizeMBR20100Schottkydiode,inthemanufactureusesthemainprocesstechnologyincluces:Siliconepitaxialsubstrate,P+looptechnology,Thepotentialmetalandthesiliconalloytechnology,thedeviceusesthetwochip,thecommoncathode,

3、theplastichalfpackagestructure.TypicalReferenceDataInternalEquivalentPrincipleVRRM=100VIF(AV)二20AAbsoluteMaximumRatingsItemMaximalInvertedRepetitivePeakVoltagemaximalDCinterdictionvoltageAverageRectifiedForwardCurrentTC=150CWholeDeviceunilateralForwardPeakSurgeCurrent(RatedLoad8.3HalfMssineWave-AccordingtoJEDECMethod)OperatingJunctionTemperatureStorageTemperatureSymbolDataUnitVRRM100VVDC100VIFAV20A10IFSM150ATJ-40-+170CTSTG-40-+170CElectricityCharacterItemTestConditionMinimumrepresentativeValueUnitIRTJ=25CVR=VRRM100uATJ=125C10mAVFTJ=25CIF=10A0.82vJIMCharacterCurveTheforward

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