集成電路制造工藝員（三級(jí)）真題及答案一

1、集成電路制造工藝員（三級(jí)）真題及答案一1、單選（江南博哥）物理氣相沉積簡(jiǎn)稱（）。A.LVDB.PEDC.CVDD.PVD答案：D2、多選對(duì)于非晶靶，離子注入的射程分布取決于（）。A.入射離子的能量B.入射離子的質(zhì)量C.入射離子的原子序數(shù)D.靶原子的質(zhì)量、原子序數(shù)、原子密度E.注入離子的總劑量答案：A,B,C,D,E3、單選電氣測(cè)量?jī)x表中，整流式對(duì)電流的種類與頻率的適用范圍是（）。A.直流B.工頻及較高頻率的交流C.直流及工頻交流D.直流及工頻與較高頻率的交流答案：B4、單選為了防止抽氣設(shè)備對(duì)離子注入系統(tǒng)的油污染，可在靶室前增加一個(gè)（）或采用無油泵。A.液氮冷阱B.凈化阱C.抽氣阱D.無氣泵答案

2、：A5、多選樹脂使用過程中需保持一定溫度，陽(yáng)樹脂和陰樹脂分別不能高于（）度，使用溫度不能過低，低于0度會(huì)使樹脂凍裂。A.80B.60C.40D.20E.10答案：A,C6、單選（）是以物理的方法來進(jìn)行薄膜沉積的一種技術(shù)。A.LPCVDB.PECVDC.CVDD.PVD答案：D7、多選電氣測(cè)量?jī)x表若按照電流的種類來分，有（）。A.低壓儀表B.高壓儀表C.直流儀表D.交流儀表E.交直流儀表答案：C,D,E8、單選在各種離子源常用的放電方式中，EOS是指有（）。A.電子振蕩放電B.離子自動(dòng)放電C.低電壓弧光放電D.雙等離子電弧放電答案：A9、單選離子從進(jìn)入靶起到停止點(diǎn)所通過的總路程稱作（）。A.離子

3、距離B.靶厚C.射程D.注入深度答案：C10、單選局域網(wǎng)中使用中繼器的作用是（）。A.可以實(shí)現(xiàn)兩個(gè)以上同類網(wǎng)絡(luò)的聯(lián)接B.可以實(shí)現(xiàn)異種網(wǎng)絡(luò)的互連C.實(shí)現(xiàn)信號(hào)的收集、緩沖及格式的變換D.實(shí)現(xiàn)傳遞信號(hào)的放大和整形答案：D11、多選擴(kuò)散工藝在現(xiàn)在集成電路工藝中仍然是是一項(xiàng)重要的集成電路工藝，現(xiàn)在主要被用來制作（）。A.埋層B.外延C.PN結(jié)D.擴(kuò)散電阻E.隔離區(qū)答案：A,C,D12、單選由于離子交換樹脂反應(yīng)，它既可以去除水中雜質(zhì)離子，又可以將失效樹脂進(jìn)行處理，恢復(fù)交換能力，所以稱為（）反應(yīng)。A.置換B.化學(xué)C.不可逆D.可逆答案：D13、單選危害半導(dǎo)體工藝的典型金屬雜質(zhì)是（）。A.2族金屬B.堿金屬C

4、.合金金屬D.稀有金屬答案：B14、單選鈉、鉀等大離子在二氧化硅結(jié)構(gòu)中是（）雜質(zhì)。A.替位式B.間隙式C.施主D.可能是替位式也可能是間隙式答案：B15、單選下列關(guān)于曝光后烘烤的說法正確的是（）。A.烘烤的目的是除去光刻膠中的水分B.烘烤可以減輕曝光中的駐波效應(yīng)C.烘烤的溫度一般在300左右D.烘烤的時(shí)間越長(zhǎng)越好答案：B16、單選當(dāng)注入劑量增加到某個(gè)值時(shí)，損傷量不再增加，趨于飽和。開始飽和的注入劑量稱為（）。A.臨界劑量B.飽和劑量C.無損傷劑量D.零點(diǎn)劑量答案：A17、多選在半導(dǎo)體工藝中，如果淀積的薄膜不是連續(xù)的，存在一些空隙，則（）。A.使薄膜的介電常數(shù)變大B.可能引入雜質(zhì)C.可能使薄膜層

5、間短路D.使薄膜介電常數(shù)變小E.可能使薄膜厚度增加答案：B,C18、單選真空蒸發(fā)又被人們稱為（）。A.真空沉積B.真空鍍膜C.真空外延D.真空答案：B19、單選在熱擴(kuò)散工藝中的預(yù)淀積步驟中，砷和銻的擴(kuò)散溫度為（）。A.10501200B.9001050C.11001250D.12001350答案：A20、多選超大規(guī)模集成電路需要光刻工藝具備的要求有（）。A.高分辨率B.高靈敏度C.精密的套刻對(duì)準(zhǔn)D.大尺寸E.低缺陷答案：A,B,C,D,E21、單選真空鍍膜室內(nèi)，在蒸發(fā)源加熱器與襯底加熱器之間裝有活動(dòng)擋板，用來（）。A.隔擋氣體交換B.控制蒸發(fā)的過程C.輔助熱量交換D.溫度調(diào)節(jié)答案：B22、多選

6、凈化室里廢氣收集管系統(tǒng)分為兩類，分別是（）。A.一般排氣系統(tǒng)B.特殊排氣系統(tǒng)C.制程排氣系統(tǒng)D.專用排氣系統(tǒng)E.排氣排水系統(tǒng)答案：A,C23、多選關(guān)于正膠和負(fù)膠的特點(diǎn)，下列說法正確的是（）。A.正膠在顯影時(shí)不會(huì)發(fā)生膨脹，因此分辨率高于負(fù)膠B.正膠的感光區(qū)域在顯影時(shí)不溶解，負(fù)膠的感光區(qū)域在顯影時(shí)溶解C.負(fù)膠在顯影時(shí)不會(huì)發(fā)生膨脹，因此分辨率不會(huì)降低D.正膠的感光區(qū)域在顯影時(shí)溶解，負(fù)膠的感光區(qū)域在顯影時(shí)不溶解E.負(fù)膠在顯影時(shí)會(huì)發(fā)生膨脹，導(dǎo)致了分辨率的降低答案：A,C,E24、單選擴(kuò)散工藝現(xiàn)在廣泛應(yīng)用于制作（）。A.晶振B.電容C.電感D.PN結(jié)答案：D25、單選擴(kuò)散爐中的管道一般都是用（）制作。A.

7、陶瓷B.玻璃C.石英D.金屬答案：C26、單選單晶硅刻蝕一般采用（）做掩蔽層，以氟化氫為主要的刻蝕劑，氧氣為側(cè)壁鈍化作用的媒介物。A.氮化硅B.二氧化硅C.光刻膠D.多晶硅答案：B27、多選下列組合中哪一種基本上用于刻蝕前者的干刻蝕法大都可以用來刻蝕后者（）。A.二氧化硅氮化硅B.多晶硅硅化金屬C.單晶硅多晶硅D.鋁銅E.鋁硅答案：A,E28、單選在熱擴(kuò)散工藝中的預(yù)淀積步驟中，磷的擴(kuò)散溫度為（）。A.600750B.9001050C.11001250D.9501100答案：B29、單選（）是通過把被蒸物體加熱，利用被蒸物在高溫時(shí)的飽和蒸汽壓來進(jìn)行薄膜沉積的。A.蒸鍍B.濺射C.離子注入D.CV

8、D答案：A30、多選晶片經(jīng)過顯影后進(jìn)行堅(jiān)膜，堅(jiān)膜的主要作用有（）。A.除去光刻膠中剩余的溶劑B.增強(qiáng)光刻膠對(duì)晶片表面的附著力C.提高光刻膠的抗刻蝕能力D.有利于以后的去膠工序E.減少光刻膠的缺陷答案：A,B,C,E31、多選在半導(dǎo)體工藝中，與氮化硅比較，二氧化硅更適合應(yīng)用在（）。A.晶圓頂層的保護(hù)層B.多層金屬的介質(zhì)層C.多晶硅與金屬之間的絕緣層D.摻雜阻擋層E.晶圓片上器件之間的隔離答案：B,C,E32、單選薄膜沉積的機(jī)構(gòu)，依發(fā)生的順序，可以分為這幾個(gè)步驟。其中不包括（）。A.形成晶核B.晶粒自旋C.晶粒凝結(jié)D.縫道填補(bǔ)答案：B33、單選菲克一維擴(kuò)散定律公式中的J是代表單位面積溶質(zhì)（）。A.

9、傳輸率B.載流子濃度C.擴(kuò)散梯度D.擴(kuò)散系數(shù)答案：A34、單選如果固體中的原子排列情況是紊亂的，就稱之為（）。A.單晶靶B.超晶靶C.多晶靶D.非晶靶答案：D35、單選（）是測(cè)量在刻蝕過程中物質(zhì)被移除的速率有多快的一種參數(shù)。A.刻蝕速率B.刻蝕深度C.移除速率D.刻蝕時(shí)間答案：A36、多選下列可作為磷擴(kuò)散源的是（）。A.磷鈣玻璃B.三氯氧磷C.三氯化磷D.磷烷E.摻磷二氧化硅乳膠源答案：A,B,C,D,E37、單選以下屬于口腔醫(yī)務(wù)人員個(gè)人保護(hù)措施的是（）A.手套B.口罩C.防護(hù)鏡D.保護(hù)性工作服E.以上均是答案：E38、單選由靜電釋放產(chǎn)生的電流泄放最大電壓可以達(dá)（）。A.幾伏B.幾十伏C.幾百

10、伏D.幾萬伏答案：D39、單選在空位擴(kuò)散中，如果遷移的空位的原子是雜質(zhì)原子，擴(kuò)散稱為（）。A.填隙擴(kuò)散B.雜質(zhì)擴(kuò)散C.推擠擴(kuò)散D.自擴(kuò)散答案：B40、單選采用熱氧化方法制備的二氧化硅從結(jié)構(gòu)上看是（）的。A.結(jié)晶形態(tài)B.非結(jié)晶形態(tài)C.可能是結(jié)晶形態(tài)的，也可能是非結(jié)晶形態(tài)的D.以上都不對(duì)答案：B41、單選買來的新樹脂往往是Na型或Cl型，新樹脂使用前必須分別用酸（陽(yáng)樹脂），堿（陰樹脂）浸泡約（）個(gè)小時(shí)，把Na型或Cl型轉(zhuǎn)換成H型或OH型。A.3B.4C.5D.6答案：B42、多選去正膠常用的溶劑有（）A.丙酮B.氫氧化鈉溶液C.丁酮D.甲乙酮E.熱的氯化碳?xì)浠衔锎鸢福篈,B,C,D43、單選真空

11、鍍膜室中的鐘罩與底盤構(gòu)成（）。A.襯底加熱器B.抽氣系統(tǒng)C.真空室D.蒸氣源加熱器答案：C44、多選二氧化硅層中的鈉離子可能來源于（）。A.玻璃器皿B.高溫器材C.人體沾污D.化學(xué)試劑E.去離子水答案：A,B,C,D,E45、單選下列哪些因素不會(huì)影響到顯影效果的是（）。A.顯影液的溫度B.顯影液的濃度C.顯影液的溶解度D.顯影液的化學(xué)成分答案：C46、多選屬于鋁的性質(zhì)有（）。A.電阻低B.抗電遷移特性好C.對(duì)硅氧化物有很好的黏合性D.有很高的純度E.易于光刻答案：A,C,D,E47、單選通常熱擴(kuò)散分為兩個(gè)大步驟，其中第一個(gè)步驟是（）。A.再分布B.等表面濃度擴(kuò)散C.預(yù)淀積D.等總摻雜劑量擴(kuò)散答

12、案：C48、多選二氧化硅膜的質(zhì)量要求有（）。A.薄膜表面無斑點(diǎn)B.薄膜中的帶電離子含量符合要求C.薄膜表面無針孔D.薄膜的厚度達(dá)到規(guī)定指標(biāo)E.薄膜厚度均勻，結(jié)構(gòu)致密答案：A,B,C,D,E49、單選在空位擴(kuò)散中，如果遷移到空位的原子是基質(zhì)原子，擴(kuò)散屬于（）。A.推擠擴(kuò)散B.雜質(zhì)擴(kuò)散C.填隙擴(kuò)散D.自擴(kuò)散答案：D50、單選在靶片前方設(shè)一抑制柵，作用是將（）抑制回去，從而保證測(cè)量的準(zhǔn)確性。A.二次電子B.二次中子C.二次質(zhì)子D.無序離子答案：A51、單選一般分析擴(kuò)散系數(shù)，考慮兩種條件，即恒定表面濃度條件和（）。A.恒定總摻雜劑量B.不恒定總摻雜劑量C.恒定雜志濃度D.不恒定雜志濃度答案：A52、多

13、選濺射的方法非常多其中包括（）。A.直流濺射B.交流濺射C.反應(yīng)濺射D.二級(jí)濺射E.三級(jí)濺射答案：A,B,C,D,E53、單選二氧化硅薄膜的折射率是表征其（）學(xué)性質(zhì)的重要參數(shù)。A.電B.磁C.光D.熱答案：C54、單選（）由鐘罩、蒸氣源加熱器、襯底加熱器、活動(dòng)擋板和底盤構(gòu)成。A.真空鍍膜機(jī)B.真空鍍膜室C.真空鍍膜器D.真空鍍膜儀答案：B55、多選干氧氧化法具備以下一系列的優(yōu)點(diǎn)（）。A.生長(zhǎng)的二氧化硅薄膜均勻性好B.生長(zhǎng)的二氧化硅干燥C.生長(zhǎng)的二氧化硅結(jié)構(gòu)致密D.生長(zhǎng)的二氧化硅是很理想的鈍化膜E.生長(zhǎng)的二氧化硅掩蔽能力強(qiáng)答案：A,B,C,D,E56、單選pointdefect的意思是（）。A.

14、點(diǎn)缺陷B.線缺陷C.面缺陷D.缺失的點(diǎn)答案：A57、單選He，OH，Na等元素在900下，在二氧化硅中的擴(kuò)散率大于1013cm2/s，這些元素稱為（）。A.活躍雜質(zhì)B.快速擴(kuò)散雜質(zhì)C.有害雜質(zhì)D.擴(kuò)散雜質(zhì)答案：B58、單選在刻蝕二氧化硅過程中假如我們?cè)贑F4的（）內(nèi)加入適量的氫氣，能夠降低刻蝕的速率。A.氣體B.等離子體C.固體D.液體答案：B59、多選從電極的結(jié)構(gòu)看，濺射的方法包括（）。A.直流濺射B.交流濺射C.二級(jí)濺射D.三級(jí)濺射E.四級(jí)濺射答案：C,D,E60、單選企業(yè)的戰(zhàn)略一般由四個(gè)要素組成，即經(jīng)營(yíng)范圍、資源配置、競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)以及協(xié)同合作，其中協(xié)同合作是指企業(yè)通過共同的努力達(dá)到（）。A.

15、分力之和大于簡(jiǎn)單相加的結(jié)果B.分力之和等于簡(jiǎn)單相加C.共享開發(fā)工具、共享信息D.共同分擔(dān)著開發(fā)失敗的風(fēng)險(xiǎn)答案：A61、多選薄膜沉積的機(jī)構(gòu)包括那些步驟（）。A.形成晶核B.晶粒成長(zhǎng)C.晶粒凝結(jié)D.縫道填補(bǔ)E.沉積膜成長(zhǎng)答案：A,B,C,D,E62、單選（）就是用功率密度很高的激光束照射半導(dǎo)體表面，使其中離子注入層在極短的時(shí)間內(nèi)達(dá)到高溫，消除損傷。A.熱退火B(yǎng).激光退火C.連續(xù)激光退火D.脈沖激光退火答案：B63、多選有關(guān)光刻膠的顯影下列說法錯(cuò)誤的是（）。A.負(fù)膠受顯影液的影響比較小B.正膠受顯影液的影響比較小C.正膠的曝光區(qū)將會(huì)膨脹變形D.使用負(fù)膠可以得到更高的分辨率E.負(fù)膠的曝光區(qū)將會(huì)膨脹變形

16、答案：A,C,D64、單選早期，研究離子注入技術(shù)是用（）來進(jìn)行的。A.重離子加速器B.熱擴(kuò)散爐C.質(zhì)子分析儀D.輕離子分析器答案：A65、單選在實(shí)際工作中，常常需要知道離子注入層內(nèi)損傷量按（）的分布情況。A.長(zhǎng)度B.深度C.寬度D.表面平整度答案：B66、單選靜電釋放的英文簡(jiǎn)述為（）。A.ESCB.SEDC.ESDD.SEM答案：C67、單選請(qǐng)?jiān)谙铝羞x項(xiàng)中選出硅化金屬的英文簡(jiǎn)稱：（）。A.OxideB.NitrideC.SilicideD.Polycide答案：C68、單選將具有交換能力的陽(yáng)樹脂和陰樹脂按一定比例混合后，裝在聚氯乙稀或有機(jī)玻璃做的圓柱形交換柱內(nèi)，自來水（）通過交換柱就能稱為高純

17、度去離子水。A.自上而下B.自下而上C.自左而右D.自右而左答案：A69、單選在新一代的CMP中，有使用（）磨料在金屬表面上形成軟質(zhì)皮膜并加以去除的趨勢(shì)。A.二氧化錳B.鋁C.氧化鉻D.金剛石答案：A70、單選目前，最廣泛使用的退火方式是（）。A.熱退火B(yǎng).激光退火C.電子束退火D.離子束退火答案：A71、多選按加熱源的不同，可以分成（）幾種不同類型的蒸發(fā)。A.真空蒸發(fā)B.離子束蒸發(fā)C.電子束蒸發(fā)D.粒子束蒸發(fā)E.常壓蒸發(fā)答案：A,B,C72、單選硅-二氧化硅系統(tǒng)中含有的最主要而對(duì)器件穩(wěn)定性影響最大的離子是（）。A.鈉B.鉀C.氫D.硼答案：A73、單選陽(yáng)樹脂用鹽酸做再生液，濃度為（）溶液可用

18、原水配制。A.5B.10%C.15%D.20%答案：B74、單選當(dāng)注入劑量增加到某個(gè)值時(shí)，損傷量不再增加，趨于飽和。飽和正是對(duì)應(yīng)連續(xù)（）的形成。A.非晶層B.單晶層C.多晶層D.超晶層答案：A75、單選對(duì)于濃度覆蓋很寬的雜質(zhì)原子，可以采用（）方法引入到硅片中。A.離子注入B.濺射C.淀積D.擴(kuò)散答案：D76、單選硅晶片上之所以可以產(chǎn)生薄膜，出始于布滿在晶片表面的許多氣體分子或其它粒子，它們主要是通過（）到達(dá)晶片表面的。A.粒子的擴(kuò)散B.化學(xué)反應(yīng)C.從氣體源通過強(qiáng)迫性的對(duì)流傳送D.被表面吸附答案：A77、單選采用熱氧化方法制備的二氧化硅從結(jié)構(gòu)上看是（）的。A.結(jié)晶形態(tài)B.非結(jié)晶形態(tài)C.可能是結(jié)晶

19、形態(tài)的，也可能是非結(jié)晶形態(tài)的D.以上都不對(duì)答案：B78、單選在確定擴(kuò)散率的測(cè)結(jié)深實(shí)驗(yàn)中，結(jié)深的測(cè)量是采用HF和（）的混和液對(duì)磨斜角進(jìn)行化學(xué)染色的。A.乙醇B.HCLC.H2SO4D.HNO3答案：D79、單選在深紫外曝光中，需要使用CA光刻膠，CA的含義是（）。A.化學(xué)增強(qiáng)B.化學(xué)減弱C.厚度增加D.厚度減少答案：A80、單選在IC芯片生長(zhǎng)中淺溝槽隔離技術(shù)STI逐漸取代了局部氧化LOCOS所制成的（）而成為相鄰電子元件的絕緣體A.柵氧化層B.溝槽C.勢(shì)壘D.場(chǎng)氧化層答案：D81、單選光刻的主要工藝流程按照操作順序是（）。A.涂膠、前烘、曝光、堅(jiān)膜、顯影、去膠B.涂膠、前烘、堅(jiān)膜、曝光、顯影、去

20、膠C.涂膠、前烘、曝光、顯影、堅(jiān)膜、去膠D.前烘、涂膠、曝光、堅(jiān)膜、顯影、去膠答案：C82、多選在半導(dǎo)體工藝中，淀積的薄膜層應(yīng)滿足的參數(shù)包含有（）。A.均勻性B.表面平整度C.自由應(yīng)力D.純凈度E.電容答案：A,B,C,D,E83、單選沾污引起的電學(xué)缺陷引起（），硅片上的管芯報(bào)廢以及很高的芯片制造成本。A.不會(huì)影響成品率B.晶圓缺陷C.成品率損失D.晶圓損失答案：C84、多選銅與鋁相比較，其性質(zhì)有（）。A.銅的電阻率比鋁小B.鋁的熔點(diǎn)較高C.鋁的抗電遷移能力較弱D.銅與硅的接觸電阻較小E.銅可以在低溫下淀積答案：A,C,E85、多選半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)中，離子注入主要是用來（）。A.氧化B.改變導(dǎo)電

21、類型C.涂層D.改變材料性質(zhì)E.鍍膜答案：B,D86、單選在熱擴(kuò)散工藝中的預(yù)淀積步驟中，硼在9001050的條件下，擴(kuò)散時(shí)間大約（）為宜。A.46hB.50min2hC.1040minD.510min答案：C87、單選電離氣體與普通氣體的不同之處在于：后者是由電中性的分子或原子組成的，前者則是（）和中性粒子組成的集合體。A.離子B.原子團(tuán)C.電子D.帶電粒子答案：D88、多選通常情況下，我們改變工藝條件使刻蝕進(jìn)行中（）的刻蝕速率盡量低。A.光刻膠B.襯底C.表面硅層D.擴(kuò)散區(qū)E.源漏區(qū)答案：A,B89、單選半導(dǎo)體硅常用的受主雜質(zhì)是（）。A.錫B.硫C.硼D.磷答案：C90、單選下面那一種薄膜工

22、藝中底材會(huì)被消耗（）。A.薄膜沉積B.薄膜成長(zhǎng)C.蒸發(fā)D.濺射答案：B91、單選樹脂的外形為（）的球狀顆粒。A.淡黃色或褐色B.黑色或棕色C.淡紅色或褐色D.淡藍(lán)色或棕色答案：A92、單選（）是因?yàn)槲皆釉诰砻嫔媳舜伺鲎膊⒔Y(jié)合所形成的。A.晶核B.晶粒C.核心D.核團(tuán)答案：A93、單選（）主要是以化學(xué)反應(yīng)方式來進(jìn)行薄膜沉積的。A.PVDB.CVDC.濺射D.蒸發(fā)答案：B94、多選涂膠之前，要保證晶片的質(zhì)量以及涂膠工序的順利進(jìn)行，下列操作正確的是（）。A.進(jìn)行去水烘烤以保證晶片干燥B.在晶片表面涂上增粘劑以保證晶片黏附性好C.剛剛處理好的晶片應(yīng)立即涂膠D.貯存的晶片在涂膠前必須再次清洗及干

23、燥E.也可以直接使用貯存的晶片答案：A,B,C,D95、單選為了解決中性束對(duì)注入均勻性的影響，可在系統(tǒng)中設(shè)有（），使離子束偏轉(zhuǎn)后再達(dá)到靶室。A.磁分析器B.正交電磁場(chǎng)分析器C.靜電偏轉(zhuǎn)電極D.束流分析儀答案：C96、單選涂膠以后的晶片，需要在一定的溫度下進(jìn)行烘烤，這一步驟稱為（）。A.后烘B.去水烘烤C.軟烤D.烘烤答案：C97、多選按曝光的光源分類，曝光可以分為（）。A.光學(xué)曝光B.離子束曝光C.接近式曝光D.電子束曝光E.投影式曝光答案：A,B,D98、多選下列有關(guān)曝光系統(tǒng)的說法正確的是（）。A.投影式同接觸式相比，掩模版的利用率比較高B.接觸式的分辨率優(yōu)于接近式C.接近式的分辨率受到衍射

24、的影響D.投影式曝光系統(tǒng)中不會(huì)產(chǎn)生衍射現(xiàn)象E.投影式曝光是目前采用的主要曝光系統(tǒng)答案：A,B,C,E99、單選我們可以從測(cè)量去離子水的酸度來判別陰陽(yáng)樹脂誰先失效，陰樹脂先失效，水呈（）性。A.酸B.堿C.弱酸D.弱堿答案：A100、單選當(dāng)二氧化硅膜很薄時(shí)，膜厚與時(shí)間（）。A.t2成正比B.t2成反比C.t成正比D.t成反比答案：C101、單選用高能粒子從某種物質(zhì)的表面撞擊出原子的物理過程叫（）。A.蒸鍍B.離子注入C.濺射D.沉積答案：C102、單選一般來說，我們用一定量的（）使陽(yáng)樹脂再生。A.硝酸B.硫酸C.鹽酸D.磷酸答案：C103、單選晶硅柵極刻蝕最大的挑戰(zhàn)就是對(duì)二氧化硅的高選擇性。超薄

25、的（）使得在刻蝕多晶硅電極時(shí)對(duì)它的刻蝕要盡可能的小。A.n型摻雜區(qū)B.P型摻雜區(qū)C.柵氧化層D.場(chǎng)氧化層答案：C104、單選下列材料中電阻率最低的是（）。A.鋁B.銅C.多晶硅D.金答案：D105、單選激光退火目前有（）激光退火兩種。A.一般和特殊B.脈沖和連續(xù)C.高溫和低溫D.快速和慢速答案：B106、單選半導(dǎo)體硅常用的施主雜質(zhì)是（）。A.錫B.硫C.硼D.磷答案：D107、單選為了保證保護(hù)裝置能可靠地動(dòng)作，27.5A的接地電流只能保證斷開動(dòng)作電流不超過多少的繼電保護(hù)裝置。（）A.18.3AB.13.8AC.11AD.9.2A答案：A108、單選損傷的分布與注入離子在在靶內(nèi)的（）的分布密切相

26、關(guān)。A.能量淀積B.動(dòng)量淀積C.能量振蕩D.動(dòng)量振蕩答案：A109、單選離子源的作用是使所需要的雜質(zhì)原子電離成（）離子，并通過一個(gè)引出系統(tǒng)形成離子束。A.正B.負(fù)C.中性D.以上答案都可以答案：A110、單選請(qǐng)?jiān)谙铝羞x項(xiàng)中選出多晶硅化金屬的英文簡(jiǎn)稱：（）。A.OxideB.NitrideC.SilicideD.Polycide答案：D111、多選離子注入的主要?dú)怏w源中，劇毒的有（）。A.砷化氫B.二硼化氫C.四氟化硅D.三氟化磷E.五氟化磷答案：A,B,C,D112、多選晶片表面上的粒子是通過（）到達(dá)晶片的表面。A.粒子擴(kuò)散B.從氣體源通過強(qiáng)迫性的對(duì)流傳送C.化學(xué)反應(yīng)D.被表面吸附E.靜電吸引

27、答案：A,B,C,D113、單選dryvacuumpump的意思是（）。A.擴(kuò)散泵B.誰循環(huán)泵C.干式真空泵D.路茲泵答案：C114、單選離子束的引出系統(tǒng)的間接引出系統(tǒng)中，陽(yáng)極和插入電極之間形成一個(gè)離子密度較（）的等離子體。A.低B.高C.均勻D.不均勻答案：A115、多選凈化室將硅片制造設(shè)備與外部環(huán)境隔離，免受諸如（）的沾污。A.顆粒B.金屬C.有機(jī)分子D.靜電釋放（ESD）E.水答案：A,B,C,D116、多選在深紫外曝光中，需要使用CA光刻膠，它的優(yōu)點(diǎn)在于（）。A.CA光刻膠對(duì)深紫外光吸收小B.CA光刻膠將吸收的光子能量發(fā)生化學(xué)轉(zhuǎn)化C.CA光刻膠在顯影液中的可溶性強(qiáng)D.有較高的光敏度E.

28、有較高的對(duì)比度答案：A,B,C,D,E117、單選在確定擴(kuò)散率的實(shí)驗(yàn)中，擴(kuò)散層電阻的測(cè)量可以用（）測(cè)量。A.SIMS技術(shù)B.擴(kuò)展電阻技術(shù)C.微分電導(dǎo)率技術(shù)D.四探針技術(shù)答案：D118、單選有機(jī)性氣體大多產(chǎn)生在下列哪道工藝（）。A.離子注入B.刻蝕C.擴(kuò)散D.光刻答案：D119、多選在半導(dǎo)體制造中，熔斷絲可以應(yīng)用在（）。A.MOS柵極B.保護(hù)性元件C.電容器極板D.制造只讀存儲(chǔ)器PROME.晶圓背面電鍍答案：B,D120、多選下列物質(zhì)的等離子體適合用以刻蝕鋁合金中硅的有（）。A.CF4B.BCl3C.Cl2D.F2E.CHF3答案：B,C121、單選在刻蝕（）過程中假如我們?cè)贑F5的等離子體內(nèi)加

29、入適量的氧氣，能夠提高刻蝕的速率。A.銅B.鋁C.金D.二氧化硅答案：D122、單選在酸性漿料中，最常使用的氧化劑為（）。A.硝酸B.硝酸銅C.硫酸D.磺酸答案：A123、單選電子束蒸發(fā)的設(shè)備中產(chǎn)生電子束的裝置稱為（）。A.電子源B.電子泵C.電子管D.電子槍答案：D124、單選多晶硅柵極刻蝕最大的挑戰(zhàn)就是對(duì)（）的高選擇性。超薄的柵氧化層使得在刻蝕多晶硅電極時(shí)對(duì)柵氧化層的刻蝕要盡可能的小。A.二氧化硅B.氮化硅C.單晶硅D.多晶硅答案：A125、單選在將清洗完的硅片放進(jìn)擴(kuò)散爐擴(kuò)散時(shí)，需要將硅片先裝入（），然后再裝入擴(kuò)散爐。A.耐熱陶瓷器皿B.金屬器皿C.石英舟D.玻璃器皿答案：C126、單選引

30、出系統(tǒng)要求能引出分散性較好的強(qiáng)束流，還希望具有較（）的氣阻。A.無序B.穩(wěn)定C.小D.大答案：D127、單選二氧化硅生長(zhǎng)過程中，當(dāng)分凝系數(shù)小于1時(shí)，會(huì)使二氧化硅-硅界面處硅一側(cè)的雜質(zhì)濃度（）。A.降低B.增加C.不變D.先降低后增加答案：A128、單選光刻工藝中，脫水烘焙的最初溫度是（）。A.150200B.200左右C.250左右D.300左右答案：A129、單選不可以對(duì)SiO2進(jìn)行干法刻蝕所使用的氣體是（）。A.CHF3B.C2F6C.C3F8D.HF答案：D130、單選離子散射方向與入射方向的夾角，稱為（）。A.漸近角B.偏折角C.散射角D.入射角答案：C131、單選ESD產(chǎn)生（）種不同

31、的靜電總類。A.1B.4C.3D.2答案：D132、多選清潔處理主要使用的是（）。A.水B.有機(jī)溶劑C.堿D.酸E.鹽酸答案：A,B,C,D,E133、單選干氧氧化法有一些優(yōu)點(diǎn)，但同時(shí)它的缺點(diǎn)有（）。A.生長(zhǎng)出的二氧化硅中引入很多可動(dòng)離子B.氧化的速度慢C.生長(zhǎng)的二氧化硅缺陷多D.生長(zhǎng)的二氧化硅薄膜鈍化效果差答案：B134、單選在生產(chǎn)過程中必須使用（）來完成淺溝槽隔離STI。A.單晶硅刻蝕B.多晶硅刻蝕C.二氧化硅刻蝕D.氮化硅刻蝕答案：A135、單選通常選熔斷器熔斷電流為電路額定電流的（）。A.11.8倍B.1.31.8倍C.1.32.1倍D.1.52.3倍答案：C136、單選懸浮在空氣中的

32、顆粒稱為（）。A.懸浮物B.塵埃C.污染顆粒D.浮質(zhì)答案：D137、單選晶體中，每個(gè)原子在晶格中有一定的平衡位置，原子在此位置時(shí)其勢(shì)能為（）。A.極大值B.極小值C.既不極大也不極小D.小于動(dòng)能答案：B138、單選干氧氧化中，氧化爐內(nèi)的氣體壓力應(yīng)（）一個(gè)大氣壓。A.稍高于B.大大于C.等于D.沒有要求答案：A139、多選為了滿足半導(dǎo)體器件對(duì)金屬材料的低電阻連接以及可靠的要求，金屬材料應(yīng)該滿足（）。A.低電阻率B.易與p或n型硅形成歐姆接觸C.可與硅或二氧化硅反應(yīng)D.易于光刻E.便于進(jìn)行鍵合答案：A,B,D,E140、多選一般來說，濺射鍍膜的過程包括（）這幾步。A.產(chǎn)生一個(gè)離子并導(dǎo)向靶B.被轟擊

33、的原子向硅晶片運(yùn)動(dòng)C.離子把靶上的原子轟出來D.經(jīng)過加速電場(chǎng)加速E.原子在硅晶片表面凝結(jié)答案：A,B,C,E141、單選Torr是指（）的單位。A.真空度B.磁場(chǎng)強(qiáng)度C.體積D.溫度答案：A142、單選由于水中陰陽(yáng)離子都有導(dǎo)電能力，所以水的（）越高，水中離子數(shù)就越少。A.電阻率B.電導(dǎo)率C.電阻D.電導(dǎo)答案：A143、單選固體中的擴(kuò)散模型主要有填隙機(jī)制和（）。A.自擴(kuò)散機(jī)制B.雜質(zhì)擴(kuò)散機(jī)制C.空位機(jī)制D.菲克擴(kuò)散方程機(jī)制答案：C144、單選當(dāng)熱氧化的最初階段，（）為限制反應(yīng)速率的主要原因。A.溫度B.硅-二氧化硅界面處的化學(xué)反應(yīng)C.氧的擴(kuò)散速率D.壓力答案：B145、單選（）是與氣體輝光放電現(xiàn)

34、象密切想關(guān)的一種薄膜淀積技術(shù)。A.蒸鍍B.離子注入C.濺射D.沉積答案：C146、單選刻蝕是把進(jìn)行光刻前所沉積的薄膜厚度約在數(shù)千到數(shù)百A之間中沒有被（）覆蓋及保護(hù)的部分，以化學(xué)作用或是物理作用的方式加以去除，以完成轉(zhuǎn)移掩膜圖案到薄膜上面的目的。A.二氧化硅B.氮化硅C.光刻膠D.去離子水答案：C147、單選在集成電路工藝中，光復(fù)制圖形和材料刻蝕相結(jié)合的工藝技術(shù)是（）。A.刻蝕B.氧化C.淀積D.光刻答案：D148、單選（）是指每個(gè)入射離子濺射出的靶原子數(shù)。A.濺射率B.濺射系數(shù)C.濺射效率D.濺射比答案：A149、單選由于干法刻蝕中是同時(shí)對(duì)晶片上的光刻膠及裸露出來的薄膜進(jìn)行刻蝕的，所以其（）就

35、比以化學(xué)反應(yīng)的方式進(jìn)行刻蝕的濕法還來得差。A.刻蝕速率B.選擇性C.各向同性D.各向異性答案：B150、多選關(guān)于正膠和負(fù)膠在顯影時(shí)的特點(diǎn)，下列說法正確的是（）。A.負(fù)膠的感光區(qū)域溶解B.正膠的感光區(qū)域溶解C.負(fù)膠的感光區(qū)域不溶解D.正膠的感光區(qū)域不溶解E.負(fù)膠的非感光區(qū)域溶解答案：B,C,E151、多選光刻膠的光學(xué)穩(wěn)定通過（）來完成的。A.紅外線輻射B.X射線照射C.加熱D.紫外光輻射E.電子束掃描答案：C,D152、單選電流通過導(dǎo)線時(shí)，在導(dǎo)線里因電阻損耗而產(chǎn)生熱量，導(dǎo)線的溫度就會(huì)升高。導(dǎo)線的溫度與下列哪項(xiàng)因素?zé)o關(guān)（）。A.通過的電流值B.周圍環(huán)境的溫度C.散熱條件D.導(dǎo)線長(zhǎng)度答案：D153、

36、單選復(fù)合床和混合床可以串聯(lián)使用。復(fù)合床就是指將陽(yáng)樹脂和陰樹脂分別裝在兩個(gè)（）內(nèi)串接起來。A.交換柱B.混合床C.混合柱D.復(fù)合柱答案：A154、單選用電容電壓技術(shù)來測(cè)量擴(kuò)散剖面分布是用了（）的原理。A.pn結(jié)理論B.歐姆定律C.庫(kù)侖定律D.四探針技術(shù)答案：A155、多選擴(kuò)散工藝使雜質(zhì)由半導(dǎo)體晶片表面向內(nèi)部擴(kuò)散，改變了晶片（），所以晶片才能被人們所使用。A.內(nèi)部的雜質(zhì)分布B.表面的雜質(zhì)分布C.整個(gè)晶體的雜質(zhì)分布D.內(nèi)部的導(dǎo)電類型E.表面的導(dǎo)電類型答案：A,E156、多選以（）等兩層材料所組合而成的導(dǎo)電層便稱為Polycide。A.單晶硅B.多晶硅C.硅化金屬D.二氧化硅E.氮化硅答案：B,C15

37、7、單選在直流二極管輝光放電系統(tǒng)的玻璃管中，自由電子在碰撞氬原子之前可運(yùn)動(dòng)的平均距離又叫（）。A.平均運(yùn)動(dòng)范圍B.平均速度C.平均碰撞距離D.平均自由程答案：D158、單選檢驗(yàn)水中是否有鹽酸，可用（）溶液滴入水中，如果出現(xiàn)白色沉淀，就表示水中有鹽酸。A.氧化銅B.硝酸鎂C.硝酸銀D.氯化銅答案：C159、單選濺鍍法，因?yàn)槠潆A梯覆蓋的能力不良，很容易造成因填縫不完全所留下的（）。A.鳥嘴B.空洞C.裂痕D.位錯(cuò)答案：B160、單選射程在垂直入射方向的平面內(nèi)的投影長(zhǎng)度稱之為（）。A.投影射程B.射程縱向分量C.射程橫向分量D.有效射程答案：C161、多選解決氧化層中的鈉離子沾污的方法有（）。A.加

38、強(qiáng)工藝操作B.加強(qiáng)人體和環(huán)境衛(wèi)生C.使用高純化學(xué)試劑、高純水和超凈設(shè)備D.采用HCl氧化工藝E.硅片清洗后，要充分烘干，表面無水跡答案：A,B,C,D,E162、單選奉獻(xiàn)社會(huì)的實(shí)質(zhì)是（）。A.獲得社會(huì)的好評(píng)B.盡社會(huì)義務(wù)C.不要回報(bào)的付出D.為人民服務(wù)答案：C163、單選在深紫外曝光中，需要使用（）光刻膠。A.DQNB.CAC.ARCD.PMMA答案：A164、單選金相學(xué)的研磨之所以會(huì)在研磨面上造成如刮傷般的痕跡是由于在制程中（）。A.氧化鉻磨料溶水制成的研磨液B.使用羊毛研磨墊C.采用旋轉(zhuǎn)研磨墊加壓的方法D.無法必免的機(jī)械損耗答案：B165、多選空氣污染物按照處理性質(zhì)來分：有（）。A.酸堿性

39、氣體B.有機(jī)性氣體C.特殊毒性氣體D.水蒸汽E.中性氣體答案：A,B,C166、多選哪種方法可以增加缺陷的積累率而降低臨界注入量：（）。A.低溫注入B.常溫注入C.高溫注入D.分子注入E.雙注入答案：A,D,E167、單選離子源產(chǎn)生的離子在（）的加速電場(chǎng)作用下得到加速。A.分析器B.掃描器C.加速器D.偏轉(zhuǎn)器答案：C168、多選下列哪些因素會(huì)影響臨界注入量的大小：（）。A.注入離子的質(zhì)量B.靶的種類C.注入溫度D.注入速度E.注入劑量答案：A,B,C,D169、單選為了避免（）在經(jīng)過氯化物等離子體刻蝕之后的殘留物使其發(fā)生腐蝕，必須在刻蝕完畢之后再增加一道工序來除去這些表面殘留物。A.多晶硅B.

40、單晶硅C.鋁硅銅合金D.銅答案：C170、單選硅烷的分子式是（）。A.SiF4B.SiH4C.CH4D.SiC答案：B171、單選在熱擴(kuò)散工藝中的預(yù)淀積步驟中，硼在9501100的條件下，擴(kuò)散時(shí)間大約（）為宜。A.46hB.50min2hC.1040minD.510min答案：C172、單選銅與氯形成的化合物揮發(fā)能力不好，因而銅的刻蝕無法以化學(xué)反應(yīng)來進(jìn)行，而必須施以（）。A.等離子體刻蝕B.反應(yīng)離子刻蝕C.濕法刻蝕D.濺射刻蝕答案：D173、多選直流二極管輝光放電系統(tǒng)是由（）構(gòu)成。A.抽真空的玻璃管B.抽真空后再充入某種低壓氣體的玻璃管C.兩個(gè)電極D.加速器E.增益管答案：B,C174、單選用

41、g線和i線進(jìn)行曝光時(shí)通常使用哪種光刻膠（）。A.ARCB.HMDSC.正膠D.負(fù)膠答案：C175、單選化合物半導(dǎo)體砷化鎵常用的施主雜質(zhì)是（）。A.錫B.硼C.磷D.錳答案：A176、單選下列哪些元素在硅中是快擴(kuò)散元素：（）。A.NaB.BC.PD.As答案：A177、多選沾污是指半導(dǎo)體制造過程中引入半導(dǎo)體硅片的任何危害微芯片（）的不希望有的物質(zhì)。A.功能B.成品率C.物理性能D.電學(xué)性能E.外觀答案：B,D178、單選離子源腔體中的氣體放電形成（）而引出正離子的。A.等離子體B.不等離子體C.正離子體D.液電流答案：A179、多選離子注入的主要?dú)怏w源中，易燃、易爆的有（）。A.砷化氫B.二硼化氫C.三氟化硼D.硅烷E.氧氣答案：A,B,D180、多選光刻膠主要由（）等不同材料混合而成的。A.樹脂B.感光劑C.HMDS