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文檔簡介
1、二極管的工作原理晶體二極管為一個由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體 形成的p-n結(jié),在其界面處兩側(cè)形成空間電荷 層,并建有自建電場。當(dāng)不存在外加電壓時, 由于p-n結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴(kuò)散電 流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電 平衡狀態(tài)。當(dāng)外界有正向電壓偏置時,外界電 場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴(kuò) 散電流增加引起了正向電流。當(dāng)外界有反向電 壓偏置時,外界電場和自建電場進(jìn)一步加強(qiáng), 形成在一定反向電壓范圍內(nèi)與反向偏置電壓 值無關(guān)的反向飽和電流I0。當(dāng)外加的反向電壓 高到一定程度時,p-n結(jié)空間電荷層中的電場 強(qiáng)度達(dá)到臨界值產(chǎn)生載流子的倍增過程,產(chǎn)生 大量電子空穴對,產(chǎn)生了數(shù)值很大的反向擊
2、穿 電流,稱為二極管的擊穿現(xiàn)象。p-n結(jié)的反向 擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿之分。二極管的類型二極管種類有很多,按照所用的半導(dǎo)體材 料,可分為鍺二極管(Ge管)和硅二極管(S i管)。根據(jù)其不同用途,可分為檢波二極管、 整流二極管、穩(wěn)壓二極管、開關(guān)二極管、隔離二極管、肖特基二極管、發(fā)光二極管、硅功率 開關(guān)二極管、旋轉(zhuǎn)二極管等。按照管芯結(jié)構(gòu), 又可分為點(diǎn)接觸型二極管、面接觸型二極管及 平面型二極管。點(diǎn)接觸型二極管是用一根很細(xì) 的金屬絲壓在光潔的半導(dǎo)體晶片表面,通以脈 沖電流,使觸絲一端與晶片牢固地?zé)Y(jié)在一 起,形成一個“PN結(jié)。由于是點(diǎn)接觸,只允許 通過較小的電流(不超過幾十毫安),適用于 高頻小電
3、流電路,如收音機(jī)的檢波等。面接觸 型二極管的“PN結(jié)”面積較大,允許通過較大的 電流(幾安到幾十安),主要用于把交流電變 換成直流電的“整流”電路中。平面型二極管是 一種特制的硅二極管,它不僅能通過較大的電 流,而且性能穩(wěn)定可靠,多用于開關(guān)、脈沖及 高頻電路中。一、根據(jù)構(gòu)造分類半導(dǎo)體二極管主要是依靠PN結(jié)而工作 的。與PN結(jié)不可分割的點(diǎn)接觸型和肖特基型, 也被列入一般的二極管的范圍內(nèi)。包括這兩種 型號在內(nèi),根據(jù)PN結(jié)構(gòu)造面的特點(diǎn),把晶體 二極管分類如下:1、點(diǎn)接觸型二極管點(diǎn)接觸型二極管是在鍺或硅材料的單晶 片上壓觸一根金屬針后,再通過電流法而形成 的。因此,其PN結(jié)的靜電容量小,適用于高 頻電
4、路。但是,與面結(jié)型相比較,點(diǎn)接觸型二 極管正向特性和反向特性都差,因此,不能使 用于大電流和整流。因?yàn)闃?gòu)造簡單,所以價格 便宜。對于小信號的檢波、整流、調(diào)制、混頻 和限幅等一般用途而言,它是應(yīng)用范圍較廣的 類型。2、鍵型二極管鍵型二極管是在鍺或硅的單晶片上熔接 或銀的細(xì)絲而形成的。其特性介于點(diǎn)接觸型二 極管和合金型二極管之間。與點(diǎn)接觸型相比 較,雖然鍵型二極管的PN結(jié)電容量稍有增加, 但正向特性特別優(yōu)良。多作開關(guān)用,有時也被 應(yīng)用于檢波和電源整流(不大于50mA)。在鍵 型二極管中,熔接金絲的二極管有時被稱金鍵 型,熔接銀絲的二極管有時被稱為銀鍵型。3、合金型二極管在N型鍺或硅的單晶片上,通過
5、合金銦、 鋁等金屬的方法制作PN結(jié)而形成的。正向電 壓降小,適于大電流整流。因其PN結(jié)反向時 靜電容量大,所以不適于高頻檢波和高頻整 流。4、擴(kuò)散型二極管在高溫的P型雜質(zhì)氣體中,加熱N型鍺或 硅的單晶片,使單晶片表面的一部變成P型, 以此法PN結(jié)。因PN結(jié)正向電壓降小,適用 于大電流整流。最近,使用大電流整流器的主 流已由硅合金型轉(zhuǎn)移到硅擴(kuò)散型。5、臺面型二極管PN結(jié)的制作方法雖然與擴(kuò)散型相同,但 是,只保留PN結(jié)及其必要的部分,把不必要 的部分用藥品腐蝕掉。其剩余的部分便呈現(xiàn)出 臺面形,因而得名。初期生產(chǎn)的臺面型,是對 半導(dǎo)體材料使用擴(kuò)散法而制成的。因此,又把 這種臺面型稱為擴(kuò)散臺面型。對于
6、這一類型來 說,似乎大電流整流用的產(chǎn)品型號很少,而小 電流開關(guān)用的產(chǎn)品型號卻很多。6、平面型二極管在半導(dǎo)體單晶片(主要地是N型硅單晶片) 上,擴(kuò)散P型雜質(zhì),利用硅片表面氧化膜的屏 蔽作用,在N型硅單晶片上僅選擇性地?cái)U(kuò)散一 部分而形成的PN結(jié)。因此,不需要為調(diào)整P N結(jié)面積的藥品腐蝕作用。由于半導(dǎo)體表面被 制作得平整,故而得名。并且,PN結(jié)合的表 面,因被氧化膜覆蓋,所以公認(rèn)為是穩(wěn)定性好 和壽命長的類型。最初,對于被使用的半導(dǎo)體 材料是采用外延法形成的,故又把平面型稱為 外延平面型。對平面型二極管而言,似乎使用 于大電流整流用的型號很少,而作小電流開關(guān) 用的型號則很多。7、合金擴(kuò)散型二極管它是合
7、金型的一種。合金材料是容易被擴(kuò) 散的材料。把難以制作的材料通過巧妙地?fù)脚?雜質(zhì),就能與合金一起過擴(kuò)散,以便在已經(jīng)形 成的PN結(jié)中獲得雜質(zhì)的恰當(dāng)?shù)臐舛确植?。?法適用于制造高靈敏度的變?nèi)荻O管。8、外延型二極管用外延面長的過程制造PN結(jié)而形成的二 極管。制造時需要非常高超的技術(shù)。因能隨意 地控制雜質(zhì)的不同濃度的分布,故適宜于制造 高靈敏度的變?nèi)荻O管。9、肖特基二極管基本原理是:在金屬(例如鉛)和半導(dǎo)體(N型硅片)的接觸面上,用已形成的肖特基 來阻擋反向電壓。肖特基與PN結(jié)的整流作用 原理有根本性的差異。其耐壓程度只有40V左 右。其特長是:開關(guān)速度非??欤悍聪蚧謴?fù)時 間trr特別地短。因此,能
8、制作開關(guān)二極和低壓 大電流整流二極管。二、根據(jù)用途分類1、檢波用二極管就原理而言,從輸入信號中取出調(diào)制信號 是檢波,以整流電流的大?。?00mA)作為界 線通常把輸出電流小于100mA的叫檢波。鍺 材料點(diǎn)接觸型、工作頻率可達(dá)400MHz,正向 壓降小,結(jié)電容小,檢波效率高,頻率特性好, 為2AP型。類似點(diǎn)觸型那樣檢波用的二極管, 除用于檢波外,還能夠用于限幅、削波、調(diào)制、 混頻、開關(guān)等電路。也有為調(diào)頻檢波專用的特 性一致性好的兩只二極管組合件。2、整流用二極管就原理而言,從輸入交流中得到輸出的直 流是整流。以整流電流的大?。?00mA)作為 界線通常把輸出電流大于100mA的叫整流。面結(jié)型,工
9、作頻率小于KHz,最高反向電壓從 25伏至3000伏分AX共22檔。分類如下: 硅半導(dǎo)體整流二極管2CZ型、硅橋式整流 器QL型、用于電視機(jī)高壓硅堆工作頻率近 100KHz 的 2CLG 型。內(nèi)3、限幅用二極管大多數(shù)二極管能作為限幅使用。也有象保 護(hù)儀表用和高頻齊納管那樣的專用限幅二極 管。為了使這些二極管具有特別強(qiáng)的限制尖銳 振幅的作用,通常使用硅材料制造的二極管。 也有這樣的組件出售:依據(jù)限制電壓需要,把 若干個必要的整流二極管串聯(lián)起來形成一個 整體。4、調(diào)制用二極管通常指的是環(huán)形調(diào)制專用的二極管。就是 正向特性一致性好的四個二極管的組合件。即 使其它變?nèi)荻O管也有調(diào)制用途,但它們通常 是
10、直接作為調(diào)頻用。5、混頻用二極管使用二極管混頻方式時,在50010,000 Hz的頻率范圍內(nèi),多采用肖特基型和點(diǎn)接觸型 二極管。6、放大用二極管用二極管放大,大致有依靠隧道二極管和 體效應(yīng)二極管那樣的負(fù)阻性器件的放大,以及 用變?nèi)荻O管的參量放大。因此,放大用二極 管通常是指隧道二極管、體效應(yīng)二極管和變?nèi)?二極管。7、開關(guān)用二極管有在小電流下(10mA程度)使用的邏輯 運(yùn)算和在數(shù)百毫安下使用的磁芯激勵用開關(guān) 二極管。小電流的開關(guān)二極管通常有點(diǎn)接觸型 和鍵型等二極管,也有在高溫下還可能工作的 硅擴(kuò)散型、臺面型和平面型二極管。開關(guān)二極 管的特長是開關(guān)速度快。而肖特基型二極管的 開關(guān)時間特短,因而是
11、理想的開關(guān)二極管。2A K型點(diǎn)接觸為中速開關(guān)電路用;2CK型平面接 觸為高速開關(guān)電路用;用于開關(guān)、限幅、鉗位 或檢波等電路;肖特基(SBD)硅大電流開關(guān), 正向壓降小,速度快、效率高。8、變?nèi)荻O管用于自動頻率控制(AFC)和調(diào)諧用的小 功率二極管稱變?nèi)荻O管。日本廠商方面也有 其它許多叫法。通過施加反向電壓,使其PN 結(jié)的靜電容量發(fā)生變化。因此,被使用于自動 頻率控制、掃描振蕩、調(diào)頻和調(diào)諧等用途。通 常,雖然是采用硅的擴(kuò)散型二極管,但是也可 采用合金擴(kuò)散型、外延結(jié)合型、雙重?cái)U(kuò)散型等 特殊制作的二極管,因?yàn)檫@些二極管對于電壓 而言,其靜電容量的變化率特別大。結(jié)電容隨 反向電壓VR變化,取代可變
12、電容,用作調(diào)諧 回路、振蕩電路、鎖相環(huán)路,常用于電視機(jī)高 頻頭的頻道轉(zhuǎn)換和調(diào)諧電路,多以硅材料制 作。9、頻率倍增用二極管對二極管的頻率倍增作用而言,有依靠變 容二極管的頻率倍增和依靠階躍(即急變)二 極管的頻率倍增。頻率倍增用的變?nèi)荻O管稱 為可變電抗器,可變電抗器雖然和自動頻率控 制用的變?nèi)荻O管的工作原理相同,但電抗器 的構(gòu)造卻能承受大功率。階躍二極管又被稱為 階躍恢復(fù)二極管,從導(dǎo)通切換到關(guān)閉時的反向 恢復(fù)時間trr短,因此,其特長是急速地變成關(guān) 閉的轉(zhuǎn)移時間顯著地短。如果對階躍二極管施 加正弦波,那么,因tt (轉(zhuǎn)移時間)短,所以 輸出波形急驟地被夾斷,故能產(chǎn)生很多高頻諧 波。10、穩(wěn)
13、壓二極管是代替穩(wěn)壓電子二極管的產(chǎn)品。被制作成 為硅的擴(kuò)散型或合金型。是反向擊穿特性曲線 急驟變化的二極管。作為控制電壓和標(biāo)準(zhǔn)電壓 使用而制作的。二極管工作時的端電壓(又稱 齊納電壓)從3V左右到150V,按每隔10%, 能劃分成許多等級。在功率方面,也有從200 mW至100W以上的產(chǎn)品。工作在反向擊穿狀 態(tài),硅材料制作,動態(tài)電阻RZ很小,一般為 2CW型;將兩個互補(bǔ)二極管反向串接以減少溫 度系數(shù)則為2DW型。11、PIN 型二極管(PIN Diode)這是在P區(qū)和N區(qū)之間夾一層本征半導(dǎo)體 (或低濃度雜質(zhì)的半導(dǎo)體)構(gòu)造的晶體二極 管。PIN中的I是”本征意義的英文略語。當(dāng)其 工作頻率超過100
14、MHz時,由于少數(shù)載流子的 存貯效應(yīng)和本征層中的渡越時間效應(yīng),其二 極管失去整流作用而變成阻抗元件,并且,其 阻抗值隨偏置電壓而改變。在零偏置或直流反 向偏置時,”本征”區(qū)的阻抗很高;在直流正向 偏置時,由于載流子注入本征區(qū),而使本征 區(qū)呈現(xiàn)出低阻抗?fàn)顟B(tài)。因此,可以把 PIN二 極管作為可變阻抗元件使用。它常被應(yīng)用于高 頻開關(guān)(即微波開關(guān))、移相、調(diào)制、限幅等 電路中。12、雪崩二極管(Avalanche Diode)它是在外加電壓作用下可以產(chǎn)生高頻振 蕩的晶體管。產(chǎn)生高頻振蕩的工作原理是欒 的:利用雪崩擊穿對晶體注入載流子,因載流 子渡越晶片需要一定的時間,所以其電流滯后 于電壓,出現(xiàn)延遲時
15、間,若適當(dāng)?shù)乜刂贫稍綍r 間,那么,在電流和電壓關(guān)系上就會出現(xiàn)負(fù)阻 效應(yīng),從而產(chǎn)生高頻振蕩。它常被應(yīng)用于微波 領(lǐng)域的振蕩電路中。13、江崎二極管 (Tunnel Diode)它是以隧道效應(yīng)電流為主要電流分量的 晶體二極管。其基底材料是砷化鎵和鍺。其P 型區(qū)的N型區(qū)是高摻雜的(即高濃度雜質(zhì)的)。 隧道電流由這些簡并態(tài)半導(dǎo)體的量子力學(xué)效 應(yīng)所產(chǎn)生。發(fā)生隧道效應(yīng)具備如下三個條件:費(fèi)米能級位于導(dǎo)帶和滿帶內(nèi);空間電荷層 寬度必須很窄(0.01微米以下);簡并半導(dǎo)體 P型區(qū)和N型區(qū)中的空穴和電子在同一能級上 有交疊的可能性。江崎二極管為雙端子有源器 件。其主要參數(shù)有峰谷電流比(IP / PV),其 中,下標(biāo)
16、P”代表”峰”;而下標(biāo)V代表谷”。江 崎二極管可以被應(yīng)用于低噪聲高頻放大器及 高頻振蕩器中(其工作頻率可達(dá)毫米波段), 也可以被應(yīng)用于高速開關(guān)電路中。14、快速關(guān)斷(階躍恢復(fù))二極管(StepRecovary Diode)它也是一種具有PN結(jié)的二極管。其結(jié)構(gòu) 上的特點(diǎn)是:在PN結(jié)邊界處具有陡峭的雜質(zhì) 分布區(qū),從而形成自助電場。由于PN結(jié)在 正向偏壓下,以少數(shù)載流子導(dǎo)電,并在PN結(jié) 附近具有電荷存貯效應(yīng),使其反向電流需要經(jīng) 歷一個存貯時間后才能降至最小值(反向飽 和電流值)。階躍恢復(fù)二極管的自助電場縮短 了存貯時間,使反向電流快速截止,并產(chǎn)生豐 富的諧波分量。利用這些諧波分量可設(shè)計(jì)出梳 狀頻譜發(fā)
17、生電路??焖訇P(guān)斷(階躍恢復(fù))二極 管用于脈沖和高次諧波電路中。15、肖特基二極管 (Schottky Barrier Diode)它是具有肖特基特性的金屬半導(dǎo)體結(jié)的 二極管。其正向起始電壓較低。其金屬層除材 料外,還可以采用金、鉬、鎳、鈦等材料。其 半導(dǎo)體材料采用硅或砷化鎵,多為N型半導(dǎo)體。 這種器件是由多數(shù)載流子導(dǎo)電的,所以,其反 向飽和電流較以少數(shù)載流子導(dǎo)電的PN結(jié)大得 多。由于肖特基二極管中少數(shù)載流子的存貯效 應(yīng)甚微,所以其頻率響僅為RC時間常數(shù)限制, 因而,它是高頻和快速開關(guān)的理想器件。其工 作頻率可達(dá)100GHz。并且,MIS (金屬一絕 緣體一半導(dǎo)體)肖特基二極管可以用來制作太 陽
18、能電池或發(fā)光二極管。16、阻尼二極管具有較高的反向工作電壓和峰值電流,正 向壓降小,高頻高壓整流二極管,用在電視機(jī) 行掃描電路作阻尼和升壓整流用。17、瞬變電壓抑制二極管TVP管,對電路進(jìn)行快速過壓保護(hù),分雙 極型和單極型兩種,按峰值功率(500W - 50 00W)和電壓(8.2V200V)分類。18、雙基極二極管(單結(jié)晶體管)兩個基極,一個發(fā)射極的三端負(fù)阻器件, 用于張馳振蕩電路,定時電壓讀出電路中,它 具有頻率易調(diào)、溫度穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)。19、發(fā)光二極管用磷化鎵、磷砷化鎵材料制成,體積小, 正向驅(qū)動發(fā)光。工作電壓低,工作電流小,發(fā) 光均勻、壽命長、可發(fā)紅、黃、綠單色光。20、硅功率開關(guān)二極
19、管硅功率開關(guān)二極管具有高速導(dǎo)通與截止 的能力。它主要用于大功率開關(guān)或穩(wěn)壓電路、 直流變換器、高速電機(jī)調(diào)速及在驅(qū)動電路中作 高頻整流及續(xù)流箝拉,具有恢復(fù)特性軟、過載能 力強(qiáng)的優(yōu)點(diǎn)、廣泛用于計(jì)算機(jī)、雷達(dá)電源、步 進(jìn)電機(jī)調(diào)速等方面。21、旋轉(zhuǎn)二極管主要用于無刷電機(jī)勵磁、也可作普通整流 用。三、根據(jù)特性分類點(diǎn)接觸型二極管,按正向和反向特性分 類如下。1、一般用點(diǎn)接觸型二極管這種二極管正如標(biāo)題所說的那樣,通常被 使用于檢波和整流電路中,是正向和反向特性 既不特別好,也不特別壞的中間產(chǎn)品。如:S D34、SD46、1N34A等等屬于這一類。2、高反向耐壓點(diǎn)接觸型二極管是最大峰值反向電壓和最大直流反向電 壓
20、很高的產(chǎn)品。使用于高壓電路的檢波和整 流。這種型號的二極管一般正向特性不太好或 一般。在點(diǎn)接觸型鍺二極管中,有SD38、1N 38A、OA81等等。這種鍺材料二極管,其耐 壓受到限制。要求更高時有硅合金和擴(kuò)散型。3、高反向電阻點(diǎn)接觸型二極管正向電壓特性和一般用二極管相同。雖然 其反方向耐壓也是特別地高,但反向電流小, 因此其特長是反向電阻高。使用于高輸入電阻 的電路和高阻負(fù)荷電阻的電路中,就鍺材料高 反向電阻型二極管而言,SD54、1N54A等等 屬于這類二極管。4、高傳導(dǎo)點(diǎn)接觸型二極管它與高反向電阻型相反。其反向特性盡管 很差,但使正向電阻變得足夠小。對高傳導(dǎo)點(diǎn) 接觸型二極管而言,有SD56
21、、1N56A等等。 對高傳導(dǎo)鍵型二極管而言,能夠得到更優(yōu)良的 特性。這類二極管,在負(fù)荷電阻特別低的情況 下,整流效率較高。二極管的導(dǎo)電特性二極管最重要的特性就是單方向?qū)щ娦浴?在電路中,電流只能從二極管的正極流入,負(fù) 極流出。下面通過簡單的實(shí)驗(yàn)說明二極管的正 向特性和反向特性。正向特性。在電子電路中,將二極管的正極接在高電 位端,負(fù)極接在低電位端,二極管就會導(dǎo)通, 這種連接方式,稱為正向偏置。必須說明,當(dāng) 加在二極管兩端的正向電壓很小時,二極管仍 然不能導(dǎo)通,流過二極管的正向電流十分微 弱。只有當(dāng)正向電壓達(dá)到某一數(shù)值(這一數(shù)值 稱為“門坎電壓”又稱“死區(qū)電壓”鍺管約為0. 1V,硅管約為0.5V)以后,二極管才能直正 導(dǎo)通。導(dǎo)通后二極管兩端的電壓基本上保持不 變(鍺管約為0.3V,硅管約為0.7V),稱為二 極管的“正向壓降。反向特性。在電子電路中,二極管的正極接在低電位 端,負(fù)極接在高電位端,此時二極管中幾乎沒 有電流流過,此時二極管處于截止?fàn)顟B(tài),這種 連接方式,稱為反向偏置。二極管處于反向偏 置時,仍然會有微弱的反向電流流過二極管, 稱為漏電流。當(dāng)二極管兩端的反向電壓增大到 某一數(shù)值,反向電流會急劇增大,二極管將失 去單方向?qū)щ娞?/p>
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