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1、江南大學(xué)網(wǎng)絡(luò)教育第二階段練習(xí)題考試科目:計(jì)算機(jī)組成與結(jié)構(gòu)第 章至第章(總分100分)學(xué)習(xí)中心(教學(xué)點(diǎn))批次: 層次:專(zhuān)業(yè): 學(xué)號(hào): 身份證號(hào): 姓名:得分:一單選題(共10題,總分值20分,下列選項(xiàng)中有且僅有一個(gè)選項(xiàng)符合題目要 求,請(qǐng)?jiān)诖痤}卡上正確填涂。).指令系統(tǒng)中采用不同尋址方式的目的主要是()。(2分)A.可直接訪問(wèn)外存B.提供擴(kuò)展操作碼并降低指令譯碼難度C.實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)程序和程序控制D.縮短指令長(zhǎng)度,擴(kuò)大尋址空間,提高編程靈活性.在組合邏輯的硬布線控制器中,時(shí)序信號(hào)是()。(2分)A.時(shí)鐘源的輸入信號(hào)B.操作信號(hào)C.操作控制信號(hào)D.操作定時(shí)信號(hào).存儲(chǔ)器的隨機(jī)訪問(wèn)是指()。(2分)A.可隨意
2、訪問(wèn)存儲(chǔ)器B.按隨機(jī)文件訪問(wèn)存儲(chǔ)器C.可對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行讀出與寫(xiě)入D.可按地址訪問(wèn)存儲(chǔ)器的任一編址單元,其訪問(wèn)時(shí)間相同且與地址無(wú)關(guān). 一般說(shuō)來(lái),直接映象常用在()。(2分)A.小容量高速 Cache中B.大容量高速 Cache中C.小容量低速 Cache中D.大容量低速 Cache中.下列外存中,屬于順序存取存儲(chǔ)器的是()。(2分)A.軟盤(pán)B.磁帶C.硬盤(pán)D.光盤(pán).堆棧指針SP的內(nèi)容是()。(2分)第1頁(yè)/共8頁(yè)A.棧頂?shù)刂稡.棧底地址C.棧頂內(nèi)容D.棧底內(nèi)容.在微程序控制器中,一條機(jī)器指令的功能通常由()。(2分)A.一條微指令實(shí)現(xiàn)B.一段微程序?qū)崿F(xiàn)C.一個(gè)指令碼實(shí)現(xiàn)D.一個(gè)條件碼實(shí)現(xiàn).動(dòng)態(tài)半導(dǎo)
3、體存儲(chǔ)器的特點(diǎn)是()。(2分)A.在工作中存儲(chǔ)器內(nèi)容會(huì)產(chǎn)生變化B.每次讀出后,需要根據(jù)原存內(nèi)容重新寫(xiě)入一遍C.每隔一定時(shí)間,需要根據(jù)原存內(nèi)容重新寫(xiě)入一遍D.在工作中需要?jiǎng)討B(tài)地改變?cè)L存地址 TOC o 1-5 h z .假設(shè)寄存器R中的數(shù)為200,主存地址為200和300的存儲(chǔ)單元中存放的內(nèi)容分別是300和400,若訪問(wèn)到的操作數(shù)為200,則所采用的尋址方式為()。(2分)A.立即尋址#200B.寄存器間接尋址(R)C.存儲(chǔ)器間接尋址(200)D.直接尋址200.在虛擬存儲(chǔ)器中,當(dāng)程序正在執(zhí)行時(shí),由()完成地址映象。(2分)A.程序員B.編譯器C.裝入程序D.操作系統(tǒng)二名詞解釋題(共3題,總分值
4、15分).虛擬存儲(chǔ)器(5分).微程序控制器(5分). Cache (5 分)三填空題(共5題,總分值10分). 一個(gè)完整的指令系統(tǒng)應(yīng)滿足四個(gè)方面的要求,它們是完備性; ; 和兼容性。(2分).建立高速緩沖存儲(chǔ)器的理論依據(jù)是 。(2分).從一條指令的啟動(dòng)到下一條指令的啟動(dòng)的間隔時(shí)間稱(chēng)為 。 (2分). Cache是一種高速緩沖存儲(chǔ)器,是為了解決 和 之間速度不匹配而采用的一項(xiàng)重要技術(shù)。(2分)第2頁(yè)/共8頁(yè).常見(jiàn)的微指令地址生成技術(shù)有 和 兩種。(2分)四簡(jiǎn)答題(共5題,總分值35分).試說(shuō)明存儲(chǔ)系統(tǒng)是如何滿足計(jì)算機(jī)系統(tǒng)對(duì)存儲(chǔ)器高速度、大容量、低成本的要求的。(7分).寄存器間接尋址與直接尋址的
5、具體尋址過(guò)程如何進(jìn)行?(7分).請(qǐng)判斷下面的敘述中,哪些是正確的?(1)半導(dǎo)體ROM是一種非易失性存儲(chǔ)器。(2)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是非永久性存儲(chǔ)器,斷電時(shí)不能保存信息。(3)同SRAM相比,由于 DRAM需要刷新,所以功耗大。(4)由于DRAM靠電容存儲(chǔ)電荷,所以需要定期刷新。(5)雙極型RAM不僅存取速度快,而且集成度高。 TOC o 1-5 h z (6)目前常用的EPROM是用浮動(dòng)?xùn)叛┍雷⑷胄?MOS管構(gòu)成,稱(chēng)為FAMOS型EPROM,該 類(lèi)型的EPROM出廠時(shí)存儲(chǔ)的全是 “1:(7分).寫(xiě)出設(shè)計(jì)組合邏輯控制器的基本步驟。(7分).簡(jiǎn)述微指令的操作碼和微指令鏈接的各種設(shè)計(jì)方法。(7分)五綜合計(jì)
6、算題(共1題,總分值20分).若用漢字點(diǎn)陣為256*256的點(diǎn)陣式字形碼存入字庫(kù)中,欲存8192個(gè)漢字,(1)需要多個(gè)存儲(chǔ)容量?(2)需要多少片2M*8bit存儲(chǔ)芯片?(3)這個(gè)專(zhuān)用的漢字庫(kù)(專(zhuān)用存儲(chǔ)器)若按 16bit字長(zhǎng)來(lái)編址的話,其地址寄存器需 要多少位?(20分)第3頁(yè)/共8頁(yè)一單選題(共10題,總分值20分,下列選項(xiàng)中有且僅有一個(gè)選項(xiàng)符合題目要 求,請(qǐng)?jiān)诖痤}卡上正確填涂。).答案:D第4頁(yè)/共8頁(yè)解析過(guò)程:.答案:D解析過(guò)程:.答案:D解析過(guò)程:.答案:B解析過(guò)程:.答案:B解析過(guò)程:.答案:A解析過(guò)程:.答案:B解析過(guò)程:.答案:C解析過(guò)程:.答案:A解析過(guò)程:.答案:D解析過(guò)程:
7、二名詞解釋題(共3題,總分值15分).答案:虛擬存儲(chǔ)器一一為了給用戶提供更大的隨機(jī)存取空間而采用的一種存儲(chǔ)技術(shù)。它將 內(nèi)存與外存結(jié)合使用,好像有一個(gè)容量極大的內(nèi)存儲(chǔ)器,工作速度接近于主存,每位成本第5頁(yè)/共8頁(yè) 又與輔存相近,在整機(jī)形成多層次存儲(chǔ)系統(tǒng)。它不僅是解決存儲(chǔ)容量和存取速度矛盾的一 種有效措施,而且是管理存儲(chǔ)設(shè)備的有效方法。解析過(guò)程:.答案:微程序控制器一一將執(zhí)行指令所需要的微命令以代碼形式編成微指令序列(微程序),存入一個(gè)控制存儲(chǔ)器,需要時(shí)從該存儲(chǔ)器中讀取。按這種方式工作的控制器稱(chēng)為微程序控 制器。解析過(guò)程:.答案:Cache一一依據(jù)程序的訪問(wèn)局部性原理,在CPUf主存之間設(shè)置的一種比主存速度快、容量小的存儲(chǔ)設(shè)備,可以大大地解決CP叫主存之間的速度匹配問(wèn)題,從而較大地提高了CPUb理數(shù)據(jù)的存取速度,進(jìn)而能大幅提高計(jì)算性能。解析過(guò)程:三填空題(共
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