5G時(shí)代半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展深度分析

1、5G時(shí)代半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展深度分析技術(shù)創(chuàng)新，變革未來半導(dǎo)體：新需求拉動(dòng)疊加進(jìn)口替代， 行業(yè)迎來黃金機(jī)遇106半導(dǎo)體：新需求拉動(dòng)疊加進(jìn)口替代，行業(yè)迎來黃金機(jī)遇行業(yè)變局：需求多元、龍頭集中、周期減弱供需格局：庫存主導(dǎo)行業(yè)短期景氣波動(dòng)大陸半導(dǎo)體行業(yè)：貿(mào)易戰(zhàn)和庫存短期擾動(dòng)不改加速發(fā)展大趨勢(shì)產(chǎn)業(yè)鏈分析：建廠潮拉動(dòng)設(shè)備材料、5G+AI帶來設(shè)計(jì)領(lǐng)域新機(jī)遇107數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)下的4000億新平臺(tái)：需求多元，龍頭集中，周期減弱3.1半導(dǎo)體周期正在從單一應(yīng)用驅(qū)動(dòng)轉(zhuǎn)向多元數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)，周期減弱，應(yīng)用多元，龍頭公司集中度進(jìn)一步提升。2018年半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模4779.36億美金，新一輪周期由數(shù)據(jù)（存儲(chǔ)）驅(qū)動(dòng)，CAGR接近2位數(shù)：（1

2、）19942004，市場(chǎng)規(guī)模達(dá)2130.27億美金：10年CAGR 7.31%，由 PC/laptop 市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)（2） 20042013，市場(chǎng)規(guī)模達(dá)3055.84億美金：9年CAGR 4.09%，由智能手機(jī)市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)（3） 20132017，市場(chǎng)規(guī)模達(dá)4122.21億美金：5年CAGE達(dá)9.36%，由數(shù)據(jù)（存儲(chǔ)器）市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)新一輪數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)下，半導(dǎo)體波動(dòng)周期減弱，與經(jīng)濟(jì)周期關(guān)聯(lián)度減弱。60010年9年5年50405003040020300100200-10100-200-301994 1995 1996 1997 1998 1999 2000 2001 2002 2003 2004 2005 200

3、6 2007 2008 2009 2010 2011 2012 2013 2014 2015 2016 2017 2018-30-20-10010203040500100200300400500600199419951996199719981999200020012002200320042005200620072008200920102011201220132014201520162017201810年9年5年CAGR=7.31%CAGR=4.09%CAGR=9.36%-4-3-2-1013456-30-20-100102030401995199619971998199920002001200

4、22003200420052006200720082009201020112012201320142015201620172018半導(dǎo)體增速（%,左軸）美國(guó)GDP增速（%,右軸）經(jīng)濟(jì)周期關(guān)聯(lián)度減弱經(jīng)濟(jì)波108數(shù)據(jù)來源： 日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展篇、國(guó)泰君安證券研究2 動(dòng)區(qū)間半 導(dǎo) 體 區(qū) 間行業(yè)變局：需求多元，龍頭集中，周期減弱數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)下半導(dǎo)體周期減弱，應(yīng)用多元化。2018年移動(dòng)設(shè)備、服務(wù)器、PC位元需求占比分別為41.7%、20.6%與16.6%，應(yīng)用的多元化導(dǎo)致存儲(chǔ)器周期減弱，20世紀(jì)以來四次周期 下滑幅度逐次減弱。從終端應(yīng)用角度，2018年全球總數(shù)據(jù)量2ZB，機(jī)器產(chǎn)生占比 達(dá)56%，首次超過人

5、類。3.1109數(shù)據(jù)來源： 日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展篇、國(guó)泰君安證券研究行業(yè)變局：需求多元，龍頭集中，周期減弱行業(yè)集中度從2008年期開始顯著提升。CR5從30%提升至43%，CR10從45%提升至59%，CR25從67%提升至79%。3.1110數(shù)據(jù)來源： 日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展篇、國(guó)泰君安證券研究行業(yè)變局：需求多元，龍頭集中，周期減弱行業(yè)集中度提升的主要因素是存儲(chǔ)器公司占比提升。PC時(shí)代龍頭 ：2008到2017，Intel維持14%市占率，最高達(dá)到16%。手機(jī)時(shí)代龍頭：高通從2%占比提升至4%，最高達(dá)到6%；聯(lián)發(fā)科從1.5%提升至2%，最高達(dá)到3%。存儲(chǔ)器龍頭：2008到2017，三星市占率從不到

6、6%提升至15%，鎂光與SK海力士從2%分別提升至3.8%與4.2%。3.1111數(shù)據(jù)來源： 日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展篇、國(guó)泰君安證券研究半導(dǎo)體：新需求拉動(dòng)疊加進(jìn)口替代，行業(yè)迎來黃金機(jī)遇行業(yè)變局：需求多元、龍頭集中、周期減弱供需格局：庫存主導(dǎo)行業(yè)短期景氣波動(dòng)大陸半導(dǎo)體行業(yè)：貿(mào)易戰(zhàn)和庫存短期擾動(dòng)不改加速發(fā)展大趨勢(shì)產(chǎn)業(yè)鏈分析：建廠潮拉動(dòng)設(shè)備材料、5G+AI帶來設(shè)計(jì)領(lǐng)域新機(jī)遇112需求：手機(jī)增速下滑但單機(jī)半導(dǎo)體用量提高，多元化應(yīng)用拉動(dòng)未來半導(dǎo)體成長(zhǎng)2018年全球智能手機(jī)銷售14.09億臺(tái)，銷量同比下降3.69%；手機(jī)攝像頭單攝到多攝演變，單機(jī)攝像頭數(shù)量增多，拉動(dòng)CIS芯片需求；智能手機(jī)DRAM位元需求逐漸

7、拉升；手機(jī)射頻前端模塊在中高端手機(jī)中價(jià)格和用量持續(xù)增長(zhǎng)。60%50%40%30%20%10%0% 手機(jī)出貨季度同比增速（%）雙攝各品牌滲透率0%10%30%20%50%40%0501001502014201520162017E2018E智能手機(jī)位元需求（十億Gb）其他設(shè)備位元需求（十億Gb）總體位元需求年增長(zhǎng)率（%）智能手機(jī)位元需求年增長(zhǎng)率（%）2014-2018年 DRAM 位元需求手機(jī)射頻前端芯片價(jià)格和出貨量走勢(shì)數(shù)據(jù)來源：IC Insights，國(guó)泰君安證券研究數(shù)據(jù)來源：IC Insights、國(guó)泰君安證券研究數(shù)據(jù)來源：Qorvo，國(guó)泰君安證券研究100.00 80.00 60.00 40

8、.0020.00 0.00-20.003.2供需格局：庫存主導(dǎo)行業(yè)短期景氣波動(dòng)113114供需格局：庫存主導(dǎo)行業(yè)短期景氣波動(dòng)數(shù)據(jù)來源：IC Insights，國(guó)泰君安證券研究需求：手機(jī)增速下滑但單機(jī)半導(dǎo)體用量提高，多元化應(yīng)用拉動(dòng)未來半導(dǎo)體成長(zhǎng)2018-2022關(guān)鍵細(xì)分市場(chǎng)的半導(dǎo)體收入（單位：USD）3.2供需格局：庫存主導(dǎo)行業(yè)短期景氣波動(dòng)403530252015供給：全球半導(dǎo)體庫存處于較高水平，以模擬芯片為例，全球庫存周轉(zhuǎn)率（3.5）位于中值以（3.65）以下。（1）2010年后【汽車+工控】占比顯著提升，帶來模擬芯片庫存周期周轉(zhuǎn)率中樞下移。（2）庫存周轉(zhuǎn)率與芯片毛利率高度相關(guān)：高庫存/低庫存

9、周轉(zhuǎn)率去庫存周期降價(jià)清貨毛利率下降（下滑1-3個(gè)點(diǎn)）模擬芯片毛利率和存貨周轉(zhuǎn)率模擬芯片下游結(jié)構(gòu)2010年變化較大20072008200920102011201220132014201520162017消費(fèi)類汽車、工控?cái)?shù)據(jù)來源： Wind、國(guó)泰君安證券研究數(shù)據(jù)來源： Wind、國(guó)泰君安證券研究3.2115供需格局：庫存主導(dǎo)行業(yè)短期景氣波動(dòng)下游需求旺盛分銷商訂 單旺盛模擬芯片 公司產(chǎn)能 偏緊芯片公司 擴(kuò)產(chǎn)/分 銷商囤貨產(chǎn)能釋放， 供不應(yīng)求產(chǎn)業(yè)鏈景 氣度下滑重復(fù)下單產(chǎn)品價(jià) 格提振渠道拋貨芯片庫存調(diào)整反應(yīng)滯后一個(gè)季度，且具有產(chǎn)業(yè)鏈放大效應(yīng)（模擬芯片標(biāo)準(zhǔn)差：0.2，分銷商標(biāo)準(zhǔn)差0.44）分銷商和模擬芯片

10、庫存周轉(zhuǎn)率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈庫存調(diào)整模式數(shù)據(jù)來源： 國(guó)泰君安證券研究數(shù)據(jù)來源： Wind、國(guó)泰君安證券研究3.2116117供需格局：庫存主導(dǎo)行業(yè)短期景氣波動(dòng)忽視短期的因素，以十年的庫存大周期角度來看我們認(rèn)為本輪調(diào)整是補(bǔ)庫存長(zhǎng)周期的回踩。我們可以看到09-14年即是一個(gè)去庫存的大周期，而16-17年是補(bǔ)庫存大周期。而18年該指標(biāo)出現(xiàn)回踩，到18Q3達(dá)到57%的水平，也是近10 年首次三季度該指標(biāo)環(huán)比二季度下滑。生產(chǎn)廠商已經(jīng)開始調(diào)節(jié)，按照歷史經(jīng)驗(yàn)兩個(gè)季度調(diào)整可以回歸。另一方面半導(dǎo)體需求已經(jīng)多元化，對(duì)于緩解庫存或者景氣度周期調(diào)節(jié)至關(guān)重要，這一點(diǎn)在存儲(chǔ)器周期可以得到充分驗(yàn)證。數(shù)據(jù)來源： Wind、國(guó)泰君安

11、證券研究50556065807570半成品存貨占比（%）20092016201720102011 20122013201420152018歷史少 有三季 度環(huán)比 二季度 下滑3.2全球頂尖咨詢機(jī)構(gòu)對(duì)2018年半導(dǎo)體增速預(yù)測(cè)年初平均值為7.3%，年中調(diào)高至15%。一方面是由于DRAM存儲(chǔ)器價(jià)格下滑較預(yù) 期弱，另一方面是多元需求拉動(dòng)編輯成長(zhǎng)，保持2018年兩位數(shù)增速。各咨詢機(jī)構(gòu)對(duì)2019年半導(dǎo)體增速預(yù)測(cè)較2018年有所下調(diào)，平均值在3.19%，主要是由于庫存壓力所致，考慮到2個(gè)季度去庫存 周期，預(yù)計(jì)2019H1保持低個(gè)位數(shù)增長(zhǎng)，2019H2保持兩位數(shù)增長(zhǎng)。咨詢機(jī)構(gòu)調(diào)高對(duì)半導(dǎo)體市場(chǎng)18年增速預(yù)測(cè)咨詢

12、機(jī)構(gòu)對(duì)2019年半導(dǎo)體增速預(yù)測(cè)較2018年進(jìn)一步保守?cái)?shù)據(jù)來源：WSTS等， 國(guó)泰君安證券研究數(shù)據(jù)來源：WSTS等， 國(guó)泰君安證券研究14.0014.0014.9014.9016.307.508.007.707.405.90GartnerWSTSHIS MarkitIC IsightsVLS-ICCowen LRA7.0015.70中期 初始單位：%-3.4%5.2%5%4%4%0.7%0-6-4-5-3-21-1234567HIS Markit（18年7月）Gartner（18年7月）IDC（18年9月）WSTS（18年8月）Cowan LRA（18年8月）IC Insights（18年3月）

13、VLSI-IC（18年6月）7%3.2供需格局：庫存主導(dǎo)行業(yè)短期景氣波動(dòng)118半導(dǎo)體：新需求拉動(dòng)疊加進(jìn)口替代，行業(yè)迎來黃金機(jī)遇行業(yè)變局：需求多元、龍頭集中、周期減弱供需格局：庫存主導(dǎo)行業(yè)短期景氣波動(dòng)大陸半導(dǎo)體行業(yè)：貿(mào)易戰(zhàn)和庫存短期擾動(dòng)不改加速發(fā)展大趨勢(shì)產(chǎn)業(yè)鏈分析：建廠潮拉動(dòng)設(shè)備材料、5G+AI帶來設(shè)計(jì)領(lǐng)域新機(jī)遇119120供給端需求端短期高水位庫存致盈利能力 下滑，指數(shù)估值處于歷 史低位。中美貿(mào)易戰(zhàn)下半導(dǎo)體行業(yè) “三重承壓”，需求下降。中長(zhǎng)期產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移、進(jìn)口替代主 旋律，千億設(shè)備需求， 代工成本下降拓寬設(shè)計(jì) 毛利。IoT/5G/AI，長(zhǎng)期拉動(dòng)行業(yè)新增長(zhǎng)短期庫存承壓，資本市場(chǎng)估值 下移中長(zhǎng)期產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)

14、移持續(xù)看好設(shè)計(jì)業(yè)制造業(yè)/設(shè)備業(yè)設(shè)計(jì)業(yè)發(fā)展拉動(dòng)制造業(yè)/設(shè)備業(yè)大陸建廠潮帶來千億設(shè)備需求下游需求刺激芯片設(shè)計(jì)發(fā)展代工制造國(guó)產(chǎn)化同時(shí)抬高設(shè)計(jì)毛利高水位庫存致使盈利能力下滑貿(mào)易戰(zhàn)進(jìn)出口受限影響器件/設(shè)備發(fā)展中長(zhǎng)期 短期高水位庫存致使盈利能力下滑 貿(mào)易戰(zhàn)進(jìn)出口受限制約設(shè)計(jì)發(fā)展數(shù)據(jù)來源：國(guó)泰君安證券研究3.3大陸半導(dǎo)體行業(yè)：貿(mào)易戰(zhàn)和庫存擾動(dòng)不改加速發(fā)展大趨勢(shì)大陸半導(dǎo)體行業(yè)：貿(mào)易戰(zhàn)和庫存擾動(dòng)不改加速發(fā)展大趨勢(shì)0%20%40%60%80%1975198019851990以史為鑒，日美貿(mào)易戰(zhàn)是日本半導(dǎo)體沒落的催化劑和轉(zhuǎn)折點(diǎn)，但并非決定因素貿(mào)易戰(zhàn)引入的價(jià)格監(jiān)督制度導(dǎo)致日產(chǎn)DRAM價(jià)格上升，出口競(jìng)爭(zhēng)力下降1985年

15、廣場(chǎng)協(xié)議簽訂后日元大幅貶值，其后三年間集成電路出口持續(xù)下降，而半導(dǎo)體協(xié)議開放日本市場(chǎng)的要求使集成電路進(jìn)口份額逐年提升日本集成電路出口額及日元兌美元匯率日本集成電路內(nèi)需及進(jìn)口份額變化1975-1990年DRAM全球份額變化情況100%45%40%35%30%25%20%15%10%5%0%0.00.51.01.52.02.53.0197519801985集成電路內(nèi)需（萬億日元）19901995進(jìn)口份額（%）0501001502002503003500.00.51.01.52.02.53.019751980198519901995集成電路出口額(萬億日元)日元兌美元匯率（日元）數(shù)據(jù)來源： 日本半導(dǎo)

16、體產(chǎn)業(yè)發(fā)展篇、國(guó)泰君安證券研究日本美國(guó)韓國(guó)歐洲數(shù)據(jù)來源： 日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展篇、國(guó)泰君安證券研究數(shù)據(jù)來源： 日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展篇、國(guó)泰君安證券研究3.3121大陸半導(dǎo)體行業(yè)：貿(mào)易戰(zhàn)和庫存擾動(dòng)不改加速發(fā)展大趨勢(shì)短期內(nèi)，貿(mào)易戰(zhàn)對(duì)需求端造成一定壓力，如有緩解將釋放需求壓力貿(mào)易關(guān)稅降低半導(dǎo)體終端產(chǎn)品出口需求，造成供應(yīng)鏈端的放大效應(yīng)“潛在”禁運(yùn)效應(yīng)下國(guó)外核心芯片、設(shè)備、原材料進(jìn)口受制，短期國(guó)內(nèi)供應(yīng)商與國(guó)外互補(bǔ)關(guān)系國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體 上游供應(yīng)商國(guó)外半導(dǎo)體 上游供應(yīng)商國(guó)內(nèi)芯片 供應(yīng)商國(guó)內(nèi)終端產(chǎn)品 制造商國(guó)外終端產(chǎn)品 需求商國(guó)內(nèi)終端產(chǎn)品 需求商短期非核心芯片 中長(zhǎng)期核心芯片器件/設(shè)備/材料終端產(chǎn)品終端產(chǎn)品關(guān)稅貿(mào)易戰(zhàn)器

17、件/設(shè)備/材料進(jìn)口限制貿(mào)易戰(zhàn)國(guó)外芯片 供應(yīng)商核心芯片進(jìn)口限制貿(mào)易戰(zhàn)短期 互補(bǔ)關(guān)系短期互補(bǔ)關(guān)系國(guó)產(chǎn)化率3.3122大陸半導(dǎo)體行業(yè)：貿(mào)易戰(zhàn)和庫存擾動(dòng)不改加速發(fā)展大趨勢(shì)供給端：大陸半導(dǎo)體18Q4庫存水位較高。大陸半導(dǎo)體存貨周轉(zhuǎn)天數(shù)2018Q3達(dá)92天，和18Q2基本持平，而歷史上 三季度是一年中庫存周轉(zhuǎn)天數(shù)的相對(duì)低點(diǎn)（下圖紅色圈標(biāo)出為歷年的三季度，均處于年度內(nèi)的較低點(diǎn)并相對(duì)二季度環(huán) 比下降），表明三季度大陸半導(dǎo)體也存在庫存壓力。大陸半導(dǎo)體存貨周轉(zhuǎn)天數(shù)數(shù)據(jù)來源： Wind、國(guó)泰君安證券研究3.3123中長(zhǎng)期來看產(chǎn)業(yè)產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移和進(jìn)口替代是主旋律半導(dǎo)體史上有三次產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移歷程，分別是從美到日，從日到韓臺(tái)，以及

18、當(dāng)前的向國(guó)內(nèi)轉(zhuǎn)移。第一次是二十世紀(jì)70年代， 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)從美國(guó)轉(zhuǎn)移到日本；到上世紀(jì)80年代末開始，韓國(guó)和中國(guó)臺(tái)灣逐漸成為全球又一半導(dǎo)體制造基地；最近十余 年正發(fā)生著全球半導(dǎo)體產(chǎn)能的第三次轉(zhuǎn)移，即向中國(guó)大陸、東南亞等新興市場(chǎng)的轉(zhuǎn)移。數(shù)據(jù)來源： Wind、國(guó)泰君安證券研究3.3大陸半導(dǎo)體行業(yè)：貿(mào)易戰(zhàn)和庫存擾動(dòng)不改加速發(fā)展大趨勢(shì)124大陸半導(dǎo)體行業(yè)：貿(mào)易戰(zhàn)和庫存擾動(dòng)不改加速發(fā)展大趨勢(shì)數(shù)據(jù)來源： Wind、國(guó)泰君安證券研究對(duì)標(biāo)日韓臺(tái)成功經(jīng)驗(yàn)，推出構(gòu)建中國(guó)式“官產(chǎn)學(xué)”一體化發(fā)展模式日本：通產(chǎn)省聯(lián)合五大企業(yè)、三大研究所，推出VLSI項(xiàng)目，重點(diǎn)突破DRAM領(lǐng)域。韓國(guó)：國(guó)家電子科學(xué)院牽頭，三星、LG、現(xiàn)代電子

19、和國(guó)內(nèi)六所大學(xué)成立韓國(guó)電子產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（EIAK）。臺(tái)灣：以工研院為首，聯(lián)合私人高技術(shù)公司、島內(nèi)大學(xué)形成三角生態(tài)圈。構(gòu)建中國(guó)式“官產(chǎn)學(xué)”一體化制度，就是加強(qiáng)政策扶持、加大資本投入、增強(qiáng)人才培養(yǎng)。地區(qū)發(fā)展重心發(fā)展經(jīng)驗(yàn)結(jié)果日本存儲(chǔ)DRAM啟動(dòng)VLSI研究項(xiàng)目，重點(diǎn)進(jìn)攻兆級(jí) 大容量DRAM，打造官產(chǎn)學(xué)一體化 體系。誕生出NEC為首的存儲(chǔ)巨無霸，至86年 占據(jù)了存儲(chǔ)器市場(chǎng)的80%份額。韓國(guó)存儲(chǔ)DRAM依托美國(guó)指導(dǎo)，打造韓式管產(chǎn)學(xué)一 體化制度（韓國(guó)電子聯(lián)盟EIAK）， 積極擴(kuò)展產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)。取代日本在存儲(chǔ)器市場(chǎng)的位置，涌現(xiàn)出 三星等半導(dǎo)體IDM巨頭，三星更是在17 年超越英特爾，成為最大半導(dǎo)體廠商。臺(tái)灣垂直分工

20、模式政策資金雙驅(qū)動(dòng)，成立工研院，專 注分工鏈中各環(huán)節(jié)形成垂直分工模式下各環(huán)節(jié)的巨頭，如 制造臺(tái)積電，封測(cè)日月光3.3125126大陸半導(dǎo)體行業(yè)：貿(mào)易戰(zhàn)和庫存擾動(dòng)不改加速發(fā)展大趨勢(shì)從產(chǎn)品端，大陸半導(dǎo)體銷售額達(dá)1600億美金，占比達(dá)35%，較2014年水平提高近10個(gè)點(diǎn)。從供給端，大陸晶圓投資額2018年預(yù)計(jì)達(dá)124.4億美金，占全球總投資20%，較2015年提高7個(gè)點(diǎn)。預(yù)計(jì)2020年總投資達(dá)186.5億美金，占25%。2527293133353702004006001,0008001,200全球半導(dǎo)體銷售額（億美金）大陸占比（%）3.3中國(guó)大陸半導(dǎo)體銷售額（億美金）數(shù)據(jù)來源： SEMI，國(guó)泰君安

21、證券研究大陸半導(dǎo)體行業(yè)：貿(mào)易戰(zhàn)和庫存擾動(dòng)不改加速發(fā)展大趨勢(shì)設(shè)計(jì)海外制造大陸梁孟松（研發(fā)部總經(jīng)理）袁帝文（手機(jī)芯片最高主管）合肥長(zhǎng)鑫湯強(qiáng)（高級(jí)工程 師）蔣尚義（共同運(yùn)營(yíng)長(zhǎng)）孫世偉（執(zhí)行 陳正坤長(zhǎng)（）副總裁）施能煌（副總經(jīng)理）高啟全（董事長(zhǎng)）存儲(chǔ)器（IDM)長(zhǎng)江存儲(chǔ)控股劉大維（副總 工程師集裁體）跳槽華亞科進(jìn)入貿(mào)易戰(zhàn)糾紛產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移的背后是人才的加速回流3.3127半導(dǎo)體：新需求拉動(dòng)疊加進(jìn)口替代，行業(yè)迎來黃金機(jī)遇行業(yè)變局：需求多元、龍頭集中、周期減弱供需格局：庫存主導(dǎo)行業(yè)短期景氣波動(dòng)大陸半導(dǎo)體行業(yè)：貿(mào)易戰(zhàn)和庫存短期擾動(dòng)不改加速發(fā)展大趨勢(shì)產(chǎn)業(yè)鏈分析：建廠潮拉動(dòng)設(shè)備材料、5G+AI帶來設(shè)計(jì)領(lǐng)域新機(jī)遇128

22、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈：建廠潮拉動(dòng)設(shè)備、材料需求3.4未來幾年，全球新建晶圓廠近一半在大陸，預(yù)計(jì)2020年大陸產(chǎn)能將達(dá)到全球總產(chǎn)能的20%以上。2019年大陸是晶圓資本支出增幅最大年度，較2018年提升25%。數(shù)據(jù)來源： SEMI ，國(guó)泰君安證券研究數(shù)據(jù)來源： SEMI，國(guó)泰君安證券研究129130半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈：建廠潮拉動(dòng)設(shè)備、材料需求性質(zhì)公司應(yīng)用制程月產(chǎn)能投產(chǎn)時(shí)間總投資額 2018-2020年設(shè)備 2018設(shè)備投 2019投資額 2020投資額（億元）投資額（億元） 資額（億元） （億元）（億元）華虹eNVM, RF, power90/65nm4萬片2019年下半年157.5119.759.8559.

23、850存儲(chǔ)management長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND20萬片2018年下半年151256756700合肥長(zhǎng)鑫DRAM12.5萬片2018年底453.6340.2100100100中芯國(guó)際Logic14nm3.5萬片約2020年645.12483.840241.92241.92中芯國(guó)際IoT65/55nm4萬片約2020年1068004040產(chǎn)代工華虹無錫Logic90-65 /55 nm4萬片2019年底一期達(dá)68917270100100華力微Logic28/20/14nm4萬片2018年試生產(chǎn)，387290585858外資（合資）格羅方德Logic，PMIC，二期22nm180nm/130n

24、m 二期8.5萬片 二期2019年投產(chǎn)其他士蘭微MEMS90nm8萬片2022年滿產(chǎn)2020年7052.5026.2526.25士蘭微90/65nm10075252525內(nèi)資合計(jì)3431.222008.241050.05451.02391.17存儲(chǔ)三星3D-NAND8萬片約2020年441330.75110.25110.25110.25英特爾3D NAND7萬片201912694.56300臺(tái)積電Logic16nm/14nm2萬片2018年下半年18969.369.300代工一期一期2萬片， 一期2018年投產(chǎn)，內(nèi)資630453.6226.8226.80其他150/110/90nm晶合（合資）

25、 萬國(guó)半導(dǎo)體面板驅(qū)動(dòng) 功率半導(dǎo)體4萬片5萬片制造、1250KK封測(cè)2017年9月量產(chǎn)2018年下半年128.16310028.355014.1753014.175200外資合計(jì)19111102.5546.525414.225110.25歷年設(shè)備投資額（億元）1597865501內(nèi)資建廠需求占比（%）78.0%65.8%52.1%數(shù)據(jù)來源：Gartner, 國(guó)泰君安證券研究3.4131半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈：建廠潮拉動(dòng)設(shè)備、材料需求數(shù)據(jù)來源：IC Insights、國(guó)泰君安證券研究8英寸12英寸互聯(lián)網(wǎng) 泡沫產(chǎn)業(yè)亞 太轉(zhuǎn)移經(jīng)濟(jì)危機(jī)02產(chǎn)業(yè)大陸轉(zhuǎn)移+存儲(chǔ)器投資制造環(huán)節(jié)對(duì)產(chǎn)業(yè)鏈拉動(dòng)作用明顯。日本半導(dǎo)體制造從80

26、年全球占比不到30%提升至1989年51%，材料設(shè)備占比從20%不到 迅速提升至40%和70%。從設(shè)備和材料40年歷史分析，一共經(jīng)歷4次快速成長(zhǎng)期，分別是20世紀(jì)8090年代產(chǎn)業(yè)鏈向亞太轉(zhuǎn)移疊加8英寸上量，世紀(jì) 交界互聯(lián)網(wǎng)泡沫，20042006 12英寸設(shè)備上量及2015今半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈向大陸轉(zhuǎn)移疊加存儲(chǔ)器投資熱潮。且由于設(shè)備lead time周期較材料長(zhǎng)半年以及IC設(shè)備價(jià)格持續(xù)提高，IC設(shè)備市場(chǎng)較材料波動(dòng)顯著。3.4132半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈：建廠潮拉動(dòng)設(shè)備、材料需求18Q3大陸躍升成為全球第一大設(shè)備市場(chǎng)2018Q3大陸首次超越韓國(guó)成為全球半導(dǎo)體設(shè)備第一大市場(chǎng)。2018年規(guī)模120億美金，預(yù)計(jì)2019

27、年達(dá)142億美金。資本開支中設(shè)備投資占75-80%，設(shè)備投資中晶圓制造設(shè)備約占80%，測(cè)試設(shè)備占比9%，封裝設(shè)備6% 光刻設(shè)備LITHOGRAPHY, 30%刻蝕設(shè)備ETCH, 20%物理氣象 沉積設(shè)備 PVD, 15%化學(xué)氣象沉 積設(shè)備CVD, 10%離子注入設(shè) 備IMPLANT, 5%量測(cè)設(shè)備 METROLOG Y, 10%5%18Q3大陸超過韓國(guó)成為全球第一大IC設(shè)備市場(chǎng)晶圓生產(chǎn)線各類設(shè)備投資占比拋光設(shè)備擴(kuò)散設(shè)備CMP, 5% DIFFUSION, 3.4數(shù)據(jù)來源： SEMI、國(guó)泰君安證券研究133大陸建廠潮帶來千億設(shè)備需求，內(nèi)資需求逐年升高國(guó)際集中國(guó)內(nèi)分散，國(guó)產(chǎn)設(shè)備繼續(xù)突破雖然中國(guó)設(shè)備

28、市場(chǎng)占比逐年增加，但目前主要生產(chǎn)企業(yè)主要集中于歐美、日本、韓國(guó)和臺(tái)灣等國(guó)家和地區(qū)。細(xì)分領(lǐng)域中，龍頭集中的現(xiàn)象依然明顯。全球IC裝備市場(chǎng)高度壟斷國(guó)產(chǎn)設(shè)備持續(xù)突破應(yīng)用材料96.5923.5%原子層沉積、物理氣相沉積、化學(xué)氣相沉積、電鍍、侵蝕、離子注入、快速熱處理、化學(xué)機(jī)械拋光、測(cè)量和硅片檢測(cè)等ASML80.1419.5%光刻機(jī)泛林63.7515.5%科磊29.847.2%薄膜設(shè)備、沉積設(shè)備、 等離子蝕刻、剝離、清洗 設(shè)備缺陷檢測(cè)設(shè)備、等離子刻蝕機(jī)、晶圓測(cè)量設(shè)備、掩膜板制造設(shè)備DNS18.124.4%晶圓清洗設(shè)備、退火設(shè)備等愛德萬13.963.4%測(cè)試設(shè)備等泰瑞達(dá)17.534.3%測(cè)試設(shè)備等日立高新

29、11.972.9%干法刻蝕設(shè)備等尼康8.342.0%光刻機(jī)合計(jì)(億美元)412.40市占率相關(guān)產(chǎn)品公司18年銷售額17年半導(dǎo)體設(shè) 占國(guó)產(chǎn)市(億美元)備收入(億)場(chǎng)份額主要產(chǎn)品中電科集團(tuán)(包含離子注入機(jī)、退火爐等IC裝備；擴(kuò)散爐、41/45/48所、北京中9.2819.8%刻蝕機(jī)、PECVD、高溫?zé)Y(jié)爐等光伏科信、北京中電科)晶盛機(jī)電6.7514.4%裝備單晶爐等晶體生長(zhǎng)設(shè)備東京電子71.5717.4%成膜設(shè)備、等離子刻蝕機(jī)等捷佳偉創(chuàng)新能源7.1115.1%晶硅電池設(shè)備、硅片清洗設(shè)備北方華創(chuàng)8.1317.3%中微半導(dǎo)體4.8510.3%設(shè)備高端刻蝕機(jī)、部分成膜設(shè)備上海微電子2.96.2%光刻機(jī)、

30、晶圓檢測(cè)設(shè)備北京京運(yùn)通2.685.7%多晶硅鑄錠爐、單晶爐等晶體生長(zhǎng)設(shè)備天通吉成2.144.6%粉末成形機(jī)盛美半導(dǎo)體1.643.5%晶圓清洗設(shè)備深圳格蘭達(dá)1.53.2%激光打標(biāo)機(jī)、光檢機(jī)等自動(dòng)化設(shè)備合計(jì)46.98刻蝕設(shè)備、CVD設(shè)備、晶片清洗、封裝3.4數(shù)據(jù)來源： SEMI、國(guó)泰君安證券研究134大陸建廠潮帶來千億設(shè)備需求，國(guó)產(chǎn)設(shè)備迎來機(jī)遇2010年開始國(guó)產(chǎn)設(shè)備逐步進(jìn)入大陸大線，經(jīng)歷了嚴(yán)格的四個(gè)階段的考核驗(yàn)證，部分設(shè)備歷經(jīng)8年持續(xù)提升，主要技術(shù)指標(biāo)與進(jìn)口 設(shè)備相當(dāng)。工藝覆蓋率較低，細(xì)分領(lǐng)域中，龍頭集中的現(xiàn)象依然明顯。國(guó)產(chǎn)機(jī)臺(tái)覆蓋率17%。國(guó)內(nèi)龍頭中微半導(dǎo)體CCP刻蝕機(jī)在大陸晶圓 廠市場(chǎng)占比為2

31、5%。國(guó)產(chǎn)設(shè)備不斷通過驗(yàn)證中微半導(dǎo)體CCP刻蝕機(jī)國(guó)產(chǎn)化率已達(dá)25%3.4數(shù)據(jù)來源：Qorvo，國(guó)泰君安證券研究數(shù)據(jù)來源：Qorvo，國(guó)泰君安證券研究大陸建廠潮帶來千億設(shè)備需求，國(guó)產(chǎn)設(shè)備迎來機(jī)遇從目前主流產(chǎn)線來看，目前典型產(chǎn)線設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率平均達(dá)到7%，存儲(chǔ)產(chǎn)線國(guó)產(chǎn)化率最高突破兩位數(shù)。其中長(zhǎng)江存儲(chǔ)國(guó)產(chǎn)化率最高，達(dá) 到12%；其次是華虹fab6，國(guó)產(chǎn)化率為8%。國(guó)產(chǎn)化率逐漸提高，在建的長(zhǎng)江存儲(chǔ)和華虹fab6的國(guó)產(chǎn)化率高于已量產(chǎn)的華虹fab5和fab1-3，其中fab5國(guó)產(chǎn)化率僅為4%，僅為fab6國(guó)產(chǎn)化率的一半。落后工藝產(chǎn)線國(guó)產(chǎn)化率較高?？傮w來看，日本設(shè)備占比最高（35%），美國(guó)次之（33%），而后

32、是中國(guó)（7%）和瑞士（6%）。3.4135大陸建廠潮帶來數(shù)千億設(shè)備需求，內(nèi)資需求升高刻蝕設(shè)備15.39.7中微半導(dǎo)體、北方華創(chuàng)CVD19.211.4中微半導(dǎo)體、北方華創(chuàng)量測(cè)設(shè)備12.87.6睿勵(lì)科學(xué)儀器離子注入設(shè)備12.87.6四十八所、中科信拋光設(shè)備6.43.8華海清科、盛美半導(dǎo)體擴(kuò)散設(shè)備6.43.8北方華創(chuàng)201820192020設(shè)備投資額（億元）1050.05451.02391.17內(nèi)資國(guó)產(chǎn)化率12%20%40%國(guó)產(chǎn)設(shè)備投資額（億元）126.090.2156.5設(shè)備投資額（億元）546.53414.23110.25外資國(guó)產(chǎn)化率6%7%12%國(guó)產(chǎn)設(shè)備投資額（億元）32.829.013119

33、.2169.7根據(jù)我們測(cè)算，以現(xiàn)有產(chǎn)線投資計(jì)劃來看，2018-2020年大陸設(shè)備投資額分別超過1597億，865 億和501 億，共計(jì)3110 億元，未來隨著產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移的進(jìn)行，相信將會(huì)有更大的銷售規(guī)模。半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率目標(biāo)：2020年之前，9032納米工藝設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率達(dá)到50%。在2025年之前，2014納米工藝設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率達(dá)到30%，實(shí)現(xiàn)浸沒式光刻機(jī)國(guó)產(chǎn)化。 前道設(shè)備需求市場(chǎng)規(guī)模 20182019國(guó)內(nèi)主要廠商PVD3.84.2北方華創(chuàng) 歷年國(guó)內(nèi)設(shè)備需求超百億1363.4國(guó)產(chǎn)設(shè)備設(shè)備總投資額（億元）158.8數(shù)據(jù)來源：中國(guó)產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)，國(guó)泰君安證券研究 光刻設(shè)備6.43.8上海微電子 合計(jì)83.

34、051.9數(shù)據(jù)來源：中國(guó)產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)，國(guó)泰君安證券研究大陸已經(jīng)成為全球第一大設(shè)備市場(chǎng)半導(dǎo)體材料貫穿制造，封裝全工藝半導(dǎo)體材料市場(chǎng)規(guī)模巨大（單位：億美元）光刻CVD拋光光刻電鍍PVD金屬化 測(cè)試封裝硅拋光片硅外延片區(qū)熔硅片SOI晶片化合物半導(dǎo)體晶片清洗氧化超凈高純化學(xué)品特種電子氣體MO源High-K前驅(qū)體ALD前驅(qū)體CMP拋光液CMP拋光墊CMP拋光盤CMP后清洗液特種電子氣體 及前驅(qū)體刻蝕清洗摻雜超凈高純化學(xué)品光掩模光刻膠光刻膠配套涂層材料光刻膠配套試劑光刻用特殊氣體銅電鍍液及添加液劑晶圓減薄晶圓切割表面貼裝 倒裝芯片貼裝 鍵合塑封焊球 封裝基板晶圓減薄切割膠膜芯片粘結(jié)膠膜芯片粘結(jié)膠引線框架鍵合

35、膠鍵合金絲鍵合合金絲環(huán)氧模塑料焊球晶圓制造封裝201620172018前端(晶圓制造材料)硅片94.68113.62124.98SOI硅片4.184.605.06光掩膜36.4140.0544.06光刻膠15.4016.9418.63光刻膠配套試劑19.5821.5423.69試劑12.3213.5514.91電子氣體39.1643.0847.38靶材7.047.748.52CMP材料18.4820.3322.36其他材料34.9838.4842.33合計(jì)282.23283.23284.23引線架38.2842.1146.32有機(jī)封裝90.2099.22109.14陶瓷封裝材料23.7626.

36、1428.75鍵合絲35.8639.4543.39包封材料32.1235.3338.87芯片粘結(jié)材料8.038.839.72其他材料4.955.455.99合計(jì)233.20256.52282.17半導(dǎo)體材料市場(chǎng)合計(jì)市場(chǎng)規(guī)模515.43576.44634.09半導(dǎo)體材料種類繁多，從晶圓制造到封測(cè)包括晶圓、光刻膠、電子氣體、高純化學(xué)試劑等。2018年市場(chǎng)規(guī)模超600億美金3.4數(shù)據(jù)來源： SEMI、國(guó)泰君安證券研究137半導(dǎo)體材料壁壘較高，市場(chǎng)格局“分散與集中”并存半導(dǎo)體材料種類主要廠商前四大公司市占率硅片日本信越、日本SUMCO、德國(guó)Siltronic、韓國(guó)SunEdision74%特種氣體美國(guó)

37、氣體化工、美國(guó)普萊克斯、日本昭和電工、英國(guó)BOC75%歐美BASF、霍尼韋爾、ATMI、杜邦37%超凈高純?cè)噭┤毡竟娟P(guān)東化學(xué)、三菱化學(xué)、京都化工、住友化學(xué)34%臺(tái)灣地區(qū)和韓國(guó)公司東應(yīng)化、臉仕電子、鑫林科技、東友17%光刻膠日本合成橡膠、東京日化、美國(guó)羅門哈斯、日本信越80%靶材JX/Nikko、Praxair、Honeywell、Tosoh80%拋光拋光墊美國(guó)陶氏化學(xué)、美國(guó)Cabot、InnoPad、Thomas West90%拋光液美國(guó)Cabot、美國(guó)陶氏化學(xué)、Hitachi Chemical、美國(guó)氣體化工90%信越化學(xué)SUMCO凸版印刷株式會(huì)社印刷株式會(huì)社JSR株式會(huì)社TOK株式會(huì)社三菱

38、瓦斯化學(xué)株式會(huì)社較高的壁壘與繁多的種類，造成了半導(dǎo)體材料市場(chǎng)“分散與集中”并存的市場(chǎng)格局，并主要由日本壟斷半導(dǎo)體材料貫穿工藝全環(huán)節(jié)，種類繁多，不同材料物理、化學(xué)性能差異巨大，造成無法一家獨(dú)大的格局。但又由于較高的技術(shù)壁壘，并且準(zhǔn)入周期較長(zhǎng)，每一種半導(dǎo)體材料又都有寡頭壟斷。日本供應(yīng)商占據(jù)產(chǎn)業(yè)鏈主導(dǎo)領(lǐng)先地位。日本半導(dǎo)體材料市場(chǎng)版圖：龍頭齊聚半導(dǎo)體材料競(jìng)爭(zhēng)格局獨(dú)特：分散與集中并存硅片掩膜版光刻膠半導(dǎo)體制造用化學(xué)藥品半導(dǎo)體封裝材料新光電氣工業(yè)株式會(huì)社住友金屬礦山株式會(huì)社全球市占率 第一全球市占率 第二半導(dǎo)體材料 綜合制造商昭和電工住友化學(xué)株式會(huì)社3.4數(shù)據(jù)來源： SEMI、國(guó)泰君安證券研究138半導(dǎo)體

39、材料國(guó)產(chǎn)化率逐步提升量產(chǎn)階段測(cè)試階段研發(fā)階段0.25m0.18m0.13m90nm65nm45nm28nm14nm10nm7nm硅材料掩膜版光刻膠工藝化學(xué)品特殊氣體拋光液&墊靶材現(xiàn)階段各材料工藝節(jié)點(diǎn)全球半導(dǎo)體制造業(yè)轉(zhuǎn)移的趨勢(shì)對(duì)于半導(dǎo)體材料市場(chǎng)同樣適用，推動(dòng)作用預(yù)計(jì)會(huì)相當(dāng)明顯。日本20世紀(jì)80年代半導(dǎo)體制造業(yè)增速和同期硅材料增速擬合度高。到2020年，除光刻膠等少數(shù)材料，半導(dǎo)體材料工藝將從現(xiàn)階段m級(jí)向14nm邁進(jìn)，半導(dǎo)體材料國(guó)產(chǎn)化將加速進(jìn)行，市場(chǎng)具有重 大投資機(jī)會(huì)。日本硅材料產(chǎn)量增速與制造業(yè)增速1982-1989完全擬合我國(guó)2020年半導(dǎo)體材料預(yù)計(jì)國(guó)產(chǎn)化情況300%250%200%150%100

40、%50%0%19821983198419851986198719881989日本制造業(yè)產(chǎn)值增速（%）3.4139日本Si材料生產(chǎn)量增速（%）數(shù)據(jù)來源： SEMI、國(guó)泰君安證券研究數(shù)據(jù)來源：中國(guó)產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)，國(guó)泰君安證券研究國(guó)產(chǎn)材料市場(chǎng)超百億美金國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體材料廠商通過利基市場(chǎng)滲透國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體材料高速增長(zhǎng)20082009201020112012201320142015硫酸銅電鍍液10 88%四氟化碳 CF478%銅連線蝕刻后清洗72%三氟甲烷 CHF356%氮?dú)?N286%100%300mm Al及合金靶60%76%過氧化氫100%100%100%300mm TI靶88%100%100%300mm N

41、i 合金靶通過利基市場(chǎng)68%71%95%六氟乙烷C2F6獲得突破66%76%87%Cu陽極68%94%96%97%200mm TI靶60%80%82%83%200mm Al及合金靶61%76%76%80%銅拋光液69%72%74%73%100%Ta組件67%80%88%87%68%200mm Ta靶78%65%70%83%77%76%六氟化鎢WF6100%100%100%100%100%100%阻擋層拋光液1三氟化氮 NF3100%64%100%70%100%79%100%82%88%88%100%100%100%100%100%0%10%20%30%40%50%60%020406080100

42、120201520162017201820192020大陸市場(chǎng)空間（十億元，左軸）國(guó)內(nèi)產(chǎn)能規(guī)模（十億元，左軸）國(guó)內(nèi)產(chǎn)能增長(zhǎng)率（%，右軸）高速成長(zhǎng)期3.4半導(dǎo)體材料不存在一家通吃，大者恒大的局面。而半導(dǎo)體材料的多元化市場(chǎng)結(jié)構(gòu)造成了利基市場(chǎng)空間，從而為國(guó)產(chǎn)材料公司通過 聚焦戰(zhàn)略突破某種或某幾種材料成為可能。根據(jù)CSIA，2015年大陸半導(dǎo)體材料市場(chǎng)空間590億元，2020年達(dá)到1120億元，復(fù)合增長(zhǎng)率13.68%；同期國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體材料產(chǎn)能 增長(zhǎng)更為迅猛，從2015年230億元增長(zhǎng)到2020年1000億元，復(fù)合增長(zhǎng)率高達(dá)34.16%。數(shù)據(jù)來源： SEMI、國(guó)泰君安證券研究數(shù)據(jù)來源： SEMI、國(guó)泰君安

43、證券研究140141建廠潮資本支出提升，抑制代工價(jià)格增長(zhǎng)，從而設(shè)計(jì)業(yè)毛利率有望提升根據(jù)臺(tái)積電數(shù)據(jù)，資本支出增長(zhǎng)率與ASP增長(zhǎng)率反向變動(dòng)，且這種影響具有滯后性，滯后期約為兩年。因此大陸建廠潮 下，隨著代工廠資本支出不斷增加，產(chǎn)能增多加劇芯片代工制造的競(jìng)爭(zhēng)，芯片代工價(jià)格將迎來下行期。2018年臺(tái)積電芯 片ASP價(jià)格微有下降；同時(shí)臺(tái)積電宣布19年一季度將采取價(jià)格優(yōu)惠策略吸引客戶。代工價(jià)格的下降將帶來Fabless芯片設(shè)計(jì)廠商毛利率的提升。未來上游設(shè)計(jì)業(yè)受益于成本的降低，盈利能力將大幅提高， 本土設(shè)計(jì)廠商將迎來蓬勃發(fā)展。資本支出提升，芯片ASP迎來下行期Fabless設(shè)計(jì)廠商毛利率與代工價(jià)格呈負(fù)相關(guān)建

44、廠潮驅(qū)使代工ASP下降，上游設(shè)計(jì)業(yè)盈利能力有望增強(qiáng)數(shù)據(jù)來源：Bloomberg、國(guó)泰君安證券研究3500300025002000150010005006260585654525048462008 2009 2010 2011 2012 2013 2014 2015 2016 2017部分Fabless設(shè)計(jì)廠商毛利率（%,左軸) 臺(tái)積電單價(jià)（美元/個(gè),右軸）-50050100150201020112012201320142015201620172018臺(tái)積電單價(jià)增長(zhǎng)率（%）臺(tái)積電資本支出增長(zhǎng)率（滯后2期）（%）數(shù)據(jù)來源：Bloomberg、國(guó)泰君安證券研究3.41425G終端射頻前端芯片復(fù)雜度提

45、升、ASP將持續(xù)攀升5G射頻芯片日趨復(fù)雜，量?jī)r(jià)齊升5G時(shí)代下，智能手機(jī)需要支持的頻段數(shù)越來越多，單片射頻芯片包含元器件 數(shù)越來越多，其結(jié)構(gòu)也越來越復(fù)雜。通常4G手機(jī)要支持2G/3G頻段，5G手機(jī) 同時(shí)要兼容2G/3G/4G頻段，從而增加射頻前端芯片的復(fù)雜性。5G射頻芯片相對(duì)于4G射頻芯片更加復(fù)雜射頻芯片包含元器件數(shù)增多數(shù)據(jù)來源：Qorvo，國(guó)泰君安證券研究類別功放雙工器濾波器開關(guān)2G10203G34104G437418501010050403020604G4.5G5G射頻芯片單價(jià)逐漸提升（美元）3.4143全球射頻前端芯片市場(chǎng)保持快速增長(zhǎng)。2017年，全球手機(jī)射頻芯片市場(chǎng)達(dá)到138美元，增速1

46、3%。根據(jù)Yole預(yù) 測(cè)，2022年，市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將突破250億美元。5G射頻前端芯片占比快速提高。預(yù)計(jì)2022年， 5G射頻前端芯片占比達(dá)到25%。10050015020030025020172018202120222G/3G/4G20192020LTE Advanced/Pro5G全球射頻前端芯片市場(chǎng)快速增長(zhǎng)5G射頻前端芯片占比逐漸提高151413121110983002502001501005002010 2011 2012 2013 2014 2015 2016 2017 2018E2019E2020E2021E2022E射頻前端芯片(億美元，左軸)增長(zhǎng)率（%，右軸）數(shù)據(jù)來源：中國(guó)產(chǎn)業(yè)

47、信息，國(guó)泰君安證券研究所全球射頻前端芯片電各子組行成業(yè)部2分0市19場(chǎng)年春季投資策略數(shù)據(jù)來源：Qorvo，國(guó)泰君安證券研究所數(shù)據(jù)來源：Yole，國(guó)泰君安證券研究所5G射頻前端芯片市場(chǎng)規(guī)模3.45G推動(dòng)下，全球射頻前端芯片市場(chǎng)快速增長(zhǎng)144數(shù)據(jù)來源：中國(guó)產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)半導(dǎo)體 材料Si、Ge第一代GaAs、InP第二代SiC、GaN第三代4000億美金50-100美金170億美金占比10%-15%化合物半導(dǎo)體光電器件功率器件太陽電池、半導(dǎo)體照 明、激光器、探測(cè)器微波 射頻功率放大器IGBT化合物半導(dǎo)體指兩種或兩種以上元素形成的半導(dǎo)體材料，包括第二代半導(dǎo)體材料（GaAs、InP等）和第三代半導(dǎo)體材料（S

48、iC、GaN 等）。市場(chǎng)整體規(guī)模仍較小但增長(zhǎng)迅猛：從銷售額來看，2018年半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模4779.36億美金，化合物半導(dǎo)體約200-300億美元（占比 5%），根據(jù)SEMI預(yù)測(cè)，未來五年將保持20%以上的復(fù)合增速（20172022）；從襯底來看，硅襯底銷售額約87億美元，GaAs、 GaN、SiC襯底銷售額約12億美元?；衔锇雽?dǎo)體年主要增長(zhǎng)點(diǎn)為5G、軍工、汽車?；衔锇雽?dǎo)體材料及應(yīng)用未來化合物半導(dǎo)體份額將逐步增加數(shù)據(jù)來源：中國(guó)產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)，國(guó)泰君安證券研究3.4射頻功率放大器是化合物半導(dǎo)體的新機(jī)遇145化合物半導(dǎo)體：寡頭競(jìng)爭(zhēng)格局，日美歐龍頭企業(yè)主導(dǎo)產(chǎn)業(yè)鏈數(shù)據(jù)來源：SEMI，國(guó)泰君安證券研究設(shè)計(jì)

49、外延襯底晶圓制備Sumitomo、Freiberg、 AXT、SciocsIQE、VPEC諸多領(lǐng)域均高度集中，且行業(yè)龍頭均為國(guó)外企業(yè)。襯底領(lǐng)域，前四大廠商占據(jù)市場(chǎng)90%份額；外延領(lǐng)域，IQE一家獨(dú)大，占 比60%；GaAs領(lǐng)域Skyworks、Qorvo兩家占據(jù)約60%份額。國(guó)內(nèi)布局來看，設(shè)計(jì)廠商包括RDA、漢天下等，目前已經(jīng)部 分占據(jù)了中低端的2G/3G/4G/WiFi領(lǐng)域；制造領(lǐng)域三安光電為首家規(guī)模量產(chǎn)GaAs、GaN的本土企業(yè)。化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈垂直分工IDMMicrosemi、RDA穩(wěn)懋、宏捷科技全智、日月光Skyworks、Qorvo、三安制造封測(cè)3.4146基帶芯片：5G時(shí)代迎來新

50、機(jī)遇基帶芯片是手機(jī)通信部分的核心部件，決定著通信數(shù)據(jù)的傳輸質(zhì)量。ARM架構(gòu)IP授權(quán)使用模式使移動(dòng)設(shè)備CPU的設(shè)計(jì)門檻降低，SoC上其余芯片的性能差異化便決定了SoC的競(jìng)爭(zhēng)力?；鶐酒淖饔檬呛铣杉磳l(fā)射的基帶信號(hào)，或?qū)邮盏降幕鶐盘?hào)進(jìn)行解碼；同時(shí)負(fù)責(zé)地址信息（手機(jī)號(hào)、網(wǎng)站地址）、文字信息（短訊文字、網(wǎng)站文字）、圖片信息的編譯?；鶐酒饕蒀PU處理器、信道編碼器、數(shù)字信號(hào)處理器、調(diào)制解調(diào)器和接口模塊組 成。一款高通SoC芯片含有多個(gè)子模塊手機(jī)芯片種類、復(fù)雜型日益提升數(shù)據(jù)來源：一種適合5G的新型多載波技術(shù)數(shù)據(jù)來源：高通官網(wǎng)3.4147基帶芯片：5G時(shí)代設(shè)計(jì)復(fù)雜度提升數(shù)據(jù)來源：高通，國(guó)泰君安證

51、券研究1443227.479.187.5148LTE Cat 417.7LTE Cat 648.5LTE Cat 981LTE Cat 12LTE Cat 16LTE Cat 18LTE Cat 205G mmWave4.14.13.73.51.92.11.90.9LTE Cat 4LTE Cat 6LTE Cat 9LTE Cat 12LTE Cat 16LTE Cat 18LTE Cat 205G mmWave隨著通信制式的提升，移動(dòng)終端設(shè)備無線性能不斷提高，對(duì)基帶芯片的要求日益提高從低端的LTE Cat4到高端的Cat20移動(dòng)終端無限性能不斷提升Data rate(Mbps）Downlo

52、ad Latency（ms）MIMO RankSpectral Efficiency（bps/Hz）53464589896150263LTE Cat 4LTE Cat 6LTE Cat 9LTE Cat 12LTE Cat 16LTE Cat 18LTE Cat 205G mmWave2221.91.21.11.21.1LTE Cat 4LTE Cat 6LTE Cat 9LTE Cat 12LTE Cat 16LTE Cat 18LTE Cat 205G mmWave3.4148基帶芯片：5G時(shí)代設(shè)計(jì)復(fù)雜度提升數(shù)據(jù)來源：傳感器技術(shù)5G時(shí)代，模式和頻段的增加帶來基帶芯片復(fù)雜度提升。目前， 3G

53、PP已指定的5G NR頻譜有約29個(gè)頻段；同時(shí)各國(guó)家和地 區(qū)的頻段也不同。多頻段兼容性，使得基帶芯片日益復(fù)雜。如高通于2018年12月最新發(fā)布的驍龍855移動(dòng)平臺(tái)，同時(shí)具有5G和4G模塊，向下兼容3G/2G。不同國(guó)家5G頻段不同5G Modem（ Snapdragon X50 5G Modem ）5G NR （sub-6 GHz and mm Wave）4G Modem （ Snapdragon X24 LTE modem ）4G/3G/2G數(shù)據(jù)來源：高通官網(wǎng)，國(guó)泰君安證券研究Qualcomm Snapdragon 855 Mobile Platform向下兼容是邁進(jìn)5G的關(guān)鍵3.4基帶芯片：

54、5G時(shí)代設(shè)計(jì)復(fù)雜度提升數(shù)據(jù)來源：高通官網(wǎng)，國(guó)泰君安證券研究0%10%20%30%40%50%60%0102030405060201620172018201920202021移動(dòng)端數(shù)據(jù)量（Exabytes per month，左軸）增速（%，右軸）數(shù)據(jù)來源：Cisco，國(guó)泰君安證券研究3.6 14.428.8 42 84100 150 150 150 300 300 300 450 60200010001200050000100020003000400050006000Gobi系列X5 X6 X7 X8 X9 X10X12X16X20X24X50X系列3G3G+4G LTE/4G LTE Adv

55、.4.5G5G/4G2016-2021年移動(dòng)端數(shù)據(jù)量不斷擴(kuò)大高通歷代基帶芯片數(shù)據(jù)傳輸速率不斷提升（Mb/s）5G時(shí)代移動(dòng)端數(shù)據(jù)量爆發(fā)式提升。根據(jù)Cisco預(yù)測(cè)，2021年移動(dòng)端數(shù)據(jù)量將達(dá)到49 Eb/月，為2016年的7倍。隨著通信制式的要求以及數(shù)據(jù)量的爆發(fā)式增長(zhǎng)，基帶芯片數(shù)據(jù)傳輸速度不斷提升。3.4149基帶芯片：ASP提升5G基帶芯片設(shè)計(jì)復(fù)雜度提升，推動(dòng)芯片單價(jià)上升從2G/3G/4G芯片的單價(jià)對(duì)比來看，芯片單價(jià)為上一代的2-5倍，預(yù)計(jì)5G芯片也不例外，同時(shí)5G的技術(shù)革命使得未來5G基帶 芯片的均價(jià)有望飆高，預(yù)計(jì)在40美元（取4G均價(jià)的2倍）；同時(shí)規(guī)模效應(yīng)使得芯片價(jià)格往往在試用期偏高，之后逐

56、年下降，因 此合理預(yù)計(jì)19年或20年試用期內(nèi)5G基帶芯片將迎來價(jià)格高峰。2010-2016年2G/3G/4G芯片平均價(jià)格2010-2016年芯片均價(jià)下降資料來源：Strategy Analytics，國(guó)泰君安證券研究資料來源：Strategy Analytics ，國(guó)泰君安證券研究25.0045.0020.0019.8240.0035.002.5倍30.0015.0025.0020.0010.004.5倍8.2315.0010.005.001.875.000.000.002G3G4G20102011201220132014201520162G基帶芯片均價(jià)3G基帶芯片均價(jià)4G基帶芯片均價(jià)3.41

57、50根據(jù)歷史周期，通信制式的變化帶來50億美金增量新市場(chǎng)。每次通信標(biāo)準(zhǔn)革新都將為全球基帶產(chǎn)業(yè)帶來50億美元的新增市場(chǎng)（百萬美元）高通業(yè)績(jī)受益于兩次通信技術(shù)轉(zhuǎn)換資料來源： Wind，國(guó)泰君安證券研究資料來源： IHS，國(guó)泰君安證券研究基帶芯片：50億美金增量市場(chǎng)爆發(fā)在即3.4151152汽車電子化加速進(jìn)行，ECU價(jià)值增長(zhǎng)帶來增量市場(chǎng)單車汽車電子需求增大，單車價(jià)值量穩(wěn)步增長(zhǎng)（1）汽車產(chǎn)業(yè)中電子器件應(yīng)用快速擴(kuò)大，市場(chǎng)整體呈上升趨勢(shì)。中國(guó)增速超過全球。（2）2000年一臺(tái)車需要10 顆芯片，目前需要100顆芯片，隨著機(jī)械 式向電子的轉(zhuǎn)變，2022年一臺(tái)汽車大約需要1000顆芯片。（3）自動(dòng)化，安全性等

58、需求對(duì)數(shù)據(jù)收集、處理能力要求不斷升級(jí)，拉 動(dòng)汽車高性能ECU價(jià)值增長(zhǎng)。單位汽車ECU穩(wěn)步提升（美元）汽車電子市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)快速增長(zhǎng)（億元）數(shù)據(jù)來源：聞泰科技官網(wǎng)數(shù)據(jù)來源：IC Insights，國(guó)泰君安證券研究汽車對(duì)芯片需求增加數(shù)據(jù)來源：IC Insights，國(guó)泰君安證券研究3.4153IoT：多樣化應(yīng)用驅(qū)動(dòng)百億級(jí)增量市場(chǎng)30%800025%600020%400015%10%20005%00%2010201120122013201420152016201745%40%35%120001000014000物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)逐步興起，涉及芯片種類繁多，帶來百億級(jí)藍(lán)海需求物聯(lián)網(wǎng)在智能家居、車聯(lián)網(wǎng)、智能交通、

59、智能建筑等場(chǎng)景已有爆發(fā)端倪；物聯(lián)網(wǎng)會(huì)給安全芯片、工業(yè)用物聯(lián)網(wǎng)芯片、通訊射頻芯片、身份識(shí)別芯片、傳感器等帶來巨大的發(fā)展空間。根據(jù)中國(guó)產(chǎn)業(yè)信息數(shù)據(jù)，2017年中國(guó)物聯(lián)網(wǎng)芯片市場(chǎng)達(dá)到259億元，增速實(shí)現(xiàn)70.39%。中國(guó)物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)空間廣闊中國(guó)物聯(lián)網(wǎng)芯片市場(chǎng)規(guī)模逐年增長(zhǎng)80.0070.0060.0050.0040.0030.0020.0010.000.004003503002502001501005002015201620172018(E)2019(E)2020(E)物聯(lián)網(wǎng)芯片（億元）增速（%）數(shù)據(jù)來源：中國(guó)產(chǎn)業(yè)信息，國(guó)泰君安證券研究數(shù)據(jù)來源：中國(guó)產(chǎn)業(yè)信息，國(guó)泰君安證券研究3.4154【0981.HK

60、】中芯國(guó)際：先進(jìn)制程潛在第二供應(yīng)商因行業(yè)景氣度公司業(yè)績(jī)進(jìn)入低谷期，靜待產(chǎn)業(yè)回轉(zhuǎn)和下一代FinFET制程布局短期公司業(yè)績(jī)壓力來源于行業(yè)去庫存影響，而18Q4公司庫存已經(jīng)調(diào)節(jié)預(yù)計(jì)19Q1景氣見底，逐季度提升。當(dāng)前臺(tái)積電一家獨(dú)大的產(chǎn)業(yè)格局存在被打破的可能性，中芯國(guó)際可能成長(zhǎng)為晶圓代工第二巨頭。公司14nm19Q3正式生產(chǎn)（19Q2設(shè)備move in），12nm pdk ready，N+1(FinFET下一代制程）穩(wěn)定推進(jìn)。中芯國(guó)際有望成為先進(jìn)制程潛在第二供應(yīng)商數(shù)據(jù)來源：wind,國(guó)泰君安證券研究中芯國(guó)際庫存19Q4已經(jīng)自發(fā)調(diào)節(jié)3.4北方華創(chuàng)：半導(dǎo)體設(shè)備龍頭平臺(tái)，順利進(jìn)入業(yè)績(jī)釋放期下游晶圓建廠周期向上