（IT產(chǎn)業(yè)分析）存儲器行業(yè)趨勢

1、IT產(chǎn)業(yè)分析報(bào)告IT產(chǎn)業(yè)分析報(bào)告存儲器行業(yè)趨勢 2021年全球存儲器市場估計(jì)同比增長26.4%，市場規(guī)模將達(dá)1567.9億美元。存儲器行業(yè)總是處于交替消失的漲跌循環(huán)之中，其產(chǎn)業(yè)周期強(qiáng)于電子元器件市場整體的周期性，暴漲暴跌的狀況可謂常態(tài)。以下對存儲器行業(yè)趨勢分析。 2021年1-9月中國存儲器出口數(shù)量為15867百萬個(gè)，同比下降2%;存儲器行業(yè)分析指出，2021年1-9月中國存儲器出口金額為38960974千美元，同比增長23.3%。 2021-2021年9月中國存儲器出口數(shù)量及出口金額統(tǒng)計(jì)表 存儲器廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、網(wǎng)絡(luò)存儲、物聯(lián)網(wǎng)、國家平安等重要領(lǐng)域，是一種重要的、根底性的產(chǎn)品。在

2、計(jì)算機(jī)的運(yùn)算過程中，輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都會保存在存儲器里，可以說存儲器是現(xiàn)代信息技術(shù)進(jìn)展的核心部件之一?，F(xiàn)從四大方一直分析存儲器行業(yè)趨勢。 多芯片封裝產(chǎn)品成市場主流 多芯片封裝(MCP)技術(shù)可以將FLASH、DRAM等不同規(guī)格的芯片利用系統(tǒng)封裝方式整合成單一芯片，生產(chǎn)時(shí)間短、制造本錢低，且具低功耗、高數(shù)據(jù)傳輸速率等優(yōu)勢，已經(jīng)是便攜式電子產(chǎn)品內(nèi)置內(nèi)存產(chǎn)品最主要的規(guī)格。另外，數(shù)字電視、機(jī)頂盒、網(wǎng)絡(luò)通信產(chǎn)品等也已經(jīng)開頭采納各式MCP產(chǎn)品。2021年，MCP的全球需求量由2021年的2.3億塊增長到3.4億塊，增長了47.8%。存儲器行業(yè)趨勢估計(jì)2021年全球需求量

3、將到達(dá)4.2億塊。包括Samsung、Hynix、Intel等重量級IC廠商都紛紛看好此市場前景，競相推出相關(guān)產(chǎn)品。目前Renesas的嵌入式存儲器出貨量中大約90%是MCP，Spansion公司無線市場上存儲器的出貨量80%也是MCP，而兩年前這一比例只有30%。 SRAM進(jìn)展面臨挑戰(zhàn) 針對不同的應(yīng)用市場，SRAM產(chǎn)品的技術(shù)進(jìn)展已經(jīng)呈現(xiàn)出了兩大趨勢：一是向高性能通信網(wǎng)絡(luò)所需的高速器件進(jìn)展;另一個(gè)是降低功耗，以適應(yīng)蓬勃進(jìn)展的便攜式應(yīng)用市場。存儲器行業(yè)趨勢分析，2021年， 等移動終端市場對SRAM的需求約占總需求的50%左右，另有30%左右的SRAM產(chǎn)品被通信市場消化。將來SRAM市場的增長將

4、是平穩(wěn)和漸進(jìn)的。這種特點(diǎn)一方面與其所效勞的應(yīng)用市場的進(jìn)展有關(guān)，更重要的一點(diǎn)是傳統(tǒng)的SRAM技術(shù)正在受到其他競爭性的DRAM技術(shù)的沖擊。例如，在高速網(wǎng)絡(luò)方面，F(xiàn)CRAM和RLDRAM技術(shù)正在相互競爭中快速成長;在便攜式應(yīng)用領(lǐng)域，諸如CellularRAM與MobileFCRAM等PSRAM產(chǎn)品也正在漸漸擠壓原先由SRAM獨(dú)占的低功耗應(yīng)用空間。 DDR2成主流尚需時(shí)日 在2021年其次季度舉辦的Intel信息技術(shù)峰會(IDF)上，很多DRAM廠商都推出了DDR2產(chǎn)品的樣片，但是，DDR2成為市場主流還需要時(shí)日。存儲器行業(yè)趨勢分析，目前，DDR2產(chǎn)品的價(jià)格還很高。而DDR2產(chǎn)品價(jià)格偏高主要因素有以下

5、幾個(gè)方面：首先，由于DDR2器件尺寸的增加，每個(gè)晶圓上生產(chǎn)出更少的器件;其次，DDR2采納了本錢較高的BGA封裝和速度更快的測試，也增加了本錢。通常，產(chǎn)品在進(jìn)入市場的前6個(gè)季度都會存在價(jià)格偏高的現(xiàn)象，隨著技術(shù)的進(jìn)展和產(chǎn)量的增加，DDR2產(chǎn)品的價(jià)格將會不斷下降。總之，DDR和DDR2產(chǎn)品還必定會在市場上并存很長一段時(shí)間。 成技術(shù)進(jìn)展推動力 正在取代PC成為高密度半導(dǎo)體存儲器的技術(shù)驅(qū)動器，而且很可能在將來幾年主導(dǎo)存儲器市場的進(jìn)展。隨著市場從簡潔的語音終端轉(zhuǎn)向功能 、智能 及移動媒體網(wǎng)關(guān)，這種小型的設(shè)備已經(jīng)具備操作系統(tǒng)及文件系統(tǒng)。存儲器行業(yè)趨勢分析，為了滿意這種市場需求，一場競爭已經(jīng)在四種產(chǎn)品中綻開

6、：目前用于保存易失數(shù)據(jù)的DRAM存儲器，用于代碼存儲的NORFLASH，試圖提高速度以超越附加卡應(yīng)用的NANDFLASH，以及已經(jīng)在一些功能 中消失的微型硬盤。在2021年Electronica展覽會上，Samsung發(fā)布了采納90納米工藝的1GbOneNAND。這種帶有一個(gè)NOR接口的NAND閃存具有高達(dá)5Kb的內(nèi)部緩存RAM，它能供給100 Mbps的恒定讀取速率，這比現(xiàn)有的NANDFLASH快4倍。M-Systems供給了基于NAND的固態(tài)磁盤仿真硬件。該產(chǎn)品可以將媒體數(shù)據(jù)直接寫入系統(tǒng)，而不必將其在DRAM中進(jìn)行緩存，可以削減系統(tǒng)中DRAM的數(shù)量。Spansion聲稱將把其NORMirrorBit FLASH進(jìn)展成與一般NAND FLASH具有相同密度和價(jià)位水平的產(chǎn)品，同時(shí)供給更快的速度和更高的牢靠性。 存儲器行業(yè)趨勢分析，如今的存儲器更小，集成度更高，芯片級存儲器層出不窮，隨著