硅單晶電阻率的測試

1、硅單晶電阻率的測試目錄：一、采樣及樣品處理二、檢測依據(jù)及設(shè)備三、檢測原理及作業(yè)指導(dǎo)書四、檢測環(huán)境及影響因素五、檢測數(shù)據(jù)分析六、檢測報(bào)告書一、采樣及樣品處理1、采樣:單晶片：取單晶棒頭部、中部、尾部各三片，要具有代表性。2、樣品處理：（1）、試樣待測面用320#（2842m）或W28(2028m)金剛砂研磨或噴砂。（2）、 對圓片試樣，用514m氧化鋁或金剛砂研磨上下表面。二、檢測依據(jù)及設(shè)備1、檢測依據(jù)：2、檢測設(shè)備：三、檢測原理及作業(yè)指導(dǎo)書1、工作原理：樣品內(nèi)部的電位分布為： 式中為距離點(diǎn)電流半徑為r的半球面上任何一點(diǎn)的電位，I是電流大小，是樣品的電阻率。電流流入，取正號；電流流出，取負(fù)號。

2、經(jīng)計(jì)算推導(dǎo)得：2、作業(yè)指導(dǎo)書：（一）方法原理：四探針法（二）儀器設(shè)備1.7075（7071）型數(shù)字電壓表2.四探針測試儀3.樣品檢測工作臺（二）操作步驟1.接通7075或7071數(shù)字電壓表2.測試電流選擇：根據(jù)樣品電阻率范圍選擇測量電流檔位：3.校樣用已知電阻率樣塊檢查測量系統(tǒng)并作好記錄。若測量數(shù)據(jù)落在樣塊標(biāo)稱數(shù)據(jù)范圍之內(nèi)，則該系統(tǒng)可以投入使用。如有出入，應(yīng)請有關(guān)人員檢查。4.電阻率的測試5.硅單晶電阻率測試的規(guī)定四、檢測環(huán)境及影響因素檢測環(huán)境：常溫即可影響因素： 1、測試樣品的探針到邊緣及厚度的距離大于三倍針距以上，樣品的幾何尺寸必須近似滿足半無限大。2、四探針與試樣應(yīng)有良好的歐姆接觸，針尖

3、比較尖，與樣品接觸點(diǎn)為半球形，四探針應(yīng)處于同一條直線上且間距相等。3、電流I在測量期間應(yīng)保持恒定，特別是壓力不夠時(shí)，接觸電阻很大并且不穩(wěn)定，造成測試電阻率值不斷波動(dòng)。（以不壓壞晶體為前提）。五、檢測數(shù)據(jù)分析六、檢測報(bào)告書檢驗(yàn)報(bào)告檢測項(xiàng)目直拉單晶片電阻率的檢測規(guī)格型號直徑：50mm 厚度：8.1mm單晶片委托單位及地址樂山職業(yè)技術(shù)學(xué)院產(chǎn)品等級優(yōu)等品樂山市市中區(qū)肖壩路108號抽樣基數(shù)單晶棒頭中尾各三片生產(chǎn)單位樂山嘉源有限公司樣品數(shù)量3片抽/送樣日期2013-9-14檢驗(yàn)狀態(tài)符合檢驗(yàn)要求檢驗(yàn)日期2013-9-16檢驗(yàn)類別委托檢驗(yàn)檢驗(yàn)依據(jù)國標(biāo)GB/T1552-1995檢驗(yàn)結(jié)果平均電阻率為0.615-cm 檢驗(yàn)結(jié)論 符合合同要求主檢人員：陳莉、