華師大微電子復(fù)試真題

1、（請同學(xué)注意：部分年份的為各位學(xué)長考完之后的回憶版，其余的是電子檔完整原版，這些 真題在市面上都是很少見的，通過真題你可以發(fā)現(xiàn)，試題難度不大，但是范圍真的很廣很廣， 涉及到半導(dǎo)體物理，半導(dǎo)體器件，集成電路原理，版圖設(shè)計(jì)及語言，半導(dǎo)體工藝等等的，但 是不要灰心，抓住重點(diǎn)（器件，集成電路）看書的時(shí)候不要求深究，會(huì)一般的方法及典型， 加強(qiáng)記憶，所以請各位學(xué)弟學(xué)妹們好好利用，爭取在復(fù)試的筆試中取得好成績!）年1半導(dǎo)體兩側(cè)的區(qū)域叫什么？2非門有型負(fù)載管和型驅(qū)動(dòng)管組成。MOS與非門有組成。ECL電路為什么比TTL電路快？SOC全稱6二極管的電容和7 MOS管的四種類型。8常用的兩種硬件描述語言？9雙極型的

2、工作模式？四種。10集成電路的兩種設(shè)計(jì)途徑？11三種擊穿機(jī)制？12pn結(jié)工作原理？13 MOS管子的工作原理和特性曲線？14摩爾定律？15對集成電路設(shè)計(jì)的看法？16畫出非門的原理圖。latch up效應(yīng)是？17功耗大的原因及解決方案。年SOC，SOI是什么？摩爾定律？HEC相關(guān)問題4工藝發(fā)展對氧化層介質(zhì)的要求，高k，低k問題。5晶體管用什么符號表示6電流平方率器件7功耗如何降低？8三極管種類，mos管種類問題9對集成電路發(fā)展的認(rèn)識10按比例縮小理論11硬件描述語言有哪幾種？12閉鎖效應(yīng)年題目比較簡單，都是基本概念，大概是以下：MOSFET基本類型，影響閾值電壓的因素 下拉電流，厄利電壓，MOS

3、FET的小信號模型，噪聲容限，BJT飽和狀態(tài)的特點(diǎn)，怎樣提 高BJT開關(guān)的速度，什么是大注入，為何在半導(dǎo)體工藝中要使用Low K材料代替SiO2,用 銅代替鋁？說說你知道的納米材料方面的新進(jìn)展，使用High K材料的好處，EDA，VLSI， MOSFET本征寄生電容的來源是什么，靜態(tài)CMOS的重要特性，閂鎖效應(yīng)及其防止方法， 畫出與非門和或非門原理圖，扇入扇出數(shù)的計(jì)算。口語的話就是先自我介紹下，然后就是翻 譯一篇關(guān)于微電子前言概述消息方面的文章，當(dāng)場口譯，我的那篇文章是關(guān)于wafer尺寸和芯片尺寸發(fā)展的趨勢。2011年復(fù)試真題一、填空題1、 擊穿除隧道擊穿外，還有 和，且隧道擊穿是屬于 （正/

4、 負(fù)）溫度系數(shù)2、SOC 是3、 影響MOSFET的主要結(jié)構(gòu)參數(shù)是，且該值越小速度越（快/慢）4、 影響硅基材料的外界因素有 和，遷移率的單位是。5、有一 n型半導(dǎo)體和金屬，且金屬的功函數(shù)大于n型半導(dǎo)體，則電子流動(dòng)方向 為。二、簡答題1、雙極型晶體管使用放大區(qū)的三個(gè)基本條件是什么？影響雙極型晶體管的主要 結(jié)構(gòu)參數(shù)是什么？2、畫出MOSFET的I-V工作曲線，并且虛線標(biāo)出線性區(qū)，非線性區(qū)，飽和區(qū)。3、熱生長SiO2有什么應(yīng)用，并用器件舉例。4、說明研究高K介電常數(shù)材料的前提和意義，并說明要突破什么問題。5、畫出（AB+CD）E的晶體管級電路MOS 口為四端原件。6、CMOS電路功耗由什么組成，并

5、降低功耗措施。7、標(biāo)準(zhǔn)單元CMOS數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)流程。2012年復(fù)試真題1、MOS或非門由組成？2、wire型變量后未指定（）3、cmos反相器一般輸入為vdd/2，pmos工作在飽和區(qū)，nmos工作在（）4、硬件描述語言有哪些？5、verilog的初始化語句可以綜合嗎？6、nmos的溝道電阻是否是線性的？簡答題：1、晶面指數(shù)？ cmos晶圓用什么指數(shù)的晶片？2、遷移率的單位？如何提高本征硅材料的遷移率？請說明理由3、什么是厄爾利效應(yīng)？提高厄爾利電壓Va的方法。4、cmos的功耗包括幾個(gè)方面及原因。5、標(biāo)準(zhǔn)單元電路設(shè)計(jì),畫出電路圖。AB+（C+D）E2013年復(fù)試真題單晶硅的結(jié)構(gòu)是遷移率的單

6、位是一一，電子和空穴的遷移率哪個(gè)大？pn結(jié)正偏時(shí)在P端加一一（填正或者負(fù)）壓，低摻雜的pn結(jié)易發(fā)生-擊穿SiO2中的可動(dòng)電荷來自一一，降低其電荷密度會(huì)使閾值電壓Vt（填減小或者增大）按比例縮小理論中，使MOS得溝道長度縮短，則要求溝道摻雜一一（填減小或者增大）每代工藝的發(fā)展一一（填需要或者不需要）重新設(shè)計(jì)工藝庫。DRC是指在做LVS檢查時(shí)，需要版圖GDS文件，文件和文件短溝道器件的Ids與Vgs的是一一（填線性或者平方）關(guān)系initial過程塊是否可以被綜合（填是或者否）夾斷點(diǎn)電壓隨著Vds的變化硬件描述語言有和CMOS反相器輸入為VDD/2，NMOS工作在狀態(tài)n型半導(dǎo)體與金屬接觸，且WsWm，則電子的流動(dòng)方向是給了一個(gè)MOS器件和傳輸管結(jié)合的電路圖，要求寫出輸出Y的表達(dá)式（很簡單，只要寫 出真值表即可得出表達(dá)式）二.簡答題分別畫出平衡時(shí)和反偏下的pn結(jié)的能帶圖，標(biāo)出相關(guān)線段的含義雙極型晶體管中有哪些寄生電容，它們對晶體管