華東交通大學本科畢業(yè)設計論文格式要求

1、華東交通大學本科畢業(yè)設計（論 文）格式要求liiJ本科畢業(yè)設計（論文）格式模板矗教I辱私知.East China Jiaotong Universityj題 目:學 院:專業(yè)班級:學生姓名:指導教師:本彩頁封而僅為電子稿樣本，文本裝訂時 請以班為單位到學院辦公室領取紙質(zhì)封面 及資料袋后再裝訂畢業(yè)設計（論文）誠信聲明本人鄭重聲明：所呈交的畢業(yè)設計（論文）是我個人在導師指導下進行的研究工作及取得的研究 成果。就我所知，除了文中特別加以標注和致謝的 地方外，論文中不包含其他人已經(jīng)發(fā)表和撰寫的研 究成果，也不包含為獲得華東交通大學或其他教育 機構(gòu)的學位或證書所使用過的材料。如在文中涉及抄襲或剽竊行為，

2、本人愿承擔由此而造成的一切后果及責任。本人簽名導師簽名華東交通大學畢業(yè)設計任務書姓名學號畢業(yè)屆別專業(yè)畢業(yè)設計（論文）題目指導教師學 歷職 稱具體要求：進度安排:指導教師簽字：年 月曰教研室意見：教研室主任簽字：年 月 日題目發(fā)出日期設計（論 文）起止時 間附注：課題名稱課題來源課題類型導師學生姓名學號專業(yè)開題報告內(nèi)容：方法及預期目的：指導教師簽名：日期：課題類型：（1） A工程設計；B技術(shù)開發(fā)；C軟件工程；D理論研究；(2) X真實課題；Y模擬課題；Z虛擬課題(1)、(2)均要填，如AY、BX等。華東交通大學畢業(yè)設計(論文)評閱書(1) %和T0的值樣品 類型實驗 方法帶隙溫度系數(shù)dEg/dT

3、(eV/K)T=300Eg0(e V)ac(eV/K)T 0(K)參考文獻華東交通大學畢業(yè)設計（論文）KGaN/Al2O3光致 發(fā)光5.32x10-43.5035.08X10-4-99 661GaN/Al2O3光致 發(fā)光3.4897.32X10-470059GaN/Al2O3光致發(fā)光4.0 x10-4-7.2x10-4600KAKA62GaN/Al2O3光吸 收4.5x10-43.471-9.3x10-477263偶數(shù)頁書寫“學生姓名：畢業(yè)（論文）論文的題目”，用宋體小五號書寫，居中加熱電阻氣流測溫元件測溫元件圖1-1熱風速計原理圖標題置于圖的下方，中文宋體，英文TimesNew Roman，

4、五號加粗居中，圖序與圖名文字之間空一個漢字符寬度；內(nèi)容：中文宋體，英文 Times New Roman，五號。偶數(shù)頁書寫“學生姓名：畢業(yè)（論文）論文的題目”，用宋體小五號書寫，居中華東交通大學畢業(yè)設計（論文）第二章 氮化物MOCVD生長系統(tǒng)和生長工藝2.1 MOCVD材料生長機理地 址 發(fā) 生 器頻 率 控制 器D / A 轉(zhuǎn) 換 器波形存E器控制頻 率 信 號 源華東交通大學畢業(yè)設計（論文）頻率設置波形數(shù)據(jù)設置圖2-1 DDS方式AWG的工作流程235Candy J C. A use of double-integretion in siggma-delta modulationJ . IE

5、EE參考文1 Well . Multiple-modulator fraction-n dividerP . US Patent , 5038117. 1986-02-02Brian Miller. A multiple modulator fractionldividerJ. IEEE Transaction on instrumentation and Measurement, 1991萬心平，張厥盛.集成鎖相環(huán)路參文獻原理用特號宋體羸英MT呷曝:Ro哭民林 電出版社，1990. 302-307.4 Miler. Frequency synthesizersP. US Patent, 46

6、09881. 1991-08-06.Trans Commun, 1985, 33（COM）： 249-258.6 丁孝永.調(diào)制式小數(shù)分頻鎖相研究D.北京：航天部第二研究院，1997.常見參考文獻格式：科技書籍和專著：編著者.譯者.書名M（文集用C）.版本.出版地：出版者， 出版年.頁碼.科技論文：作者.篇名J.刊名，出版年，卷號（期號）：頁碼.作者.篇名.xx單位博（碩）論文，年.參考文獻必須標明文獻類型標志：普通圖書M；會議錄C；匯編G；報紙N；期刊J； 學位論文D；報告日；標準，；專利P；數(shù)據(jù)庫DB；計算機程序CP；電子公告EB。 電子文獻載體類型標志：磁帶MT；磁盤DK；光盤CD；聯(lián)機網(wǎng)

7、絡OL。張三：III-V族氮化物及其高亮度藍光LED外延片的MOCVD生長和性質(zhì)研究標題：宋體，4號，居中。內(nèi)容：宋體，5號，兩邊對齊。致謝mpany in Japan first realized the e LED in 1994.its ternary were grown by a home-made atmosphere pressure metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) and Thomas Swan 6x2” MOCVD systems. High bright blue LED wafers were obtained

8、 by optimizing the nitrides growth technology and wafer structure. Some encouraging results are following as:1. We present the idea of using a buffer layer of deviation from stoichiometry for materials growth on large lattice mismatch substrates. This idea was realized in nitrides growth in this the

9、sis. The epilayer crystalline quality was improved and the dislocation density was decreased by using GaN low and high temperature buffer layers of deviation from stoichiometry. The RBS/channeling spectra exhibited that the minimum yield Xminof GaN layers was just only 1.5%. The leak electric current of GaN based LED was obviously decreased and lower than 1 nA at 5 volt reverse voltage by using this new buffer technology.This work was