集成電路制造工藝員（三級(jí)）考試真題及答案二

1、集成電路制造工藝員（三級(jí)）考試真題及答案二1、單項(xiàng)選擇（江南博哥）對(duì)于濃度覆蓋很寬的雜質(zhì)原子，可以采用（）方法引入到 硅片中。A.離子注入B.濺射C.淀積D.擴(kuò)散答案：D2、單項(xiàng)選擇離子源的作用是使所需要的雜質(zhì)原子電離成（）離子，并通過(guò)一個(gè)引出 系統(tǒng)形成離子束。A.正B.負(fù)C.中性D.以上答案都可以答案：A3、單項(xiàng)選擇在確定擴(kuò)散率的測(cè)結(jié)深實(shí)驗(yàn)中，結(jié)深的測(cè)量是采用HF和（）的混和液 對(duì)磨斜角進(jìn)行化學(xué)染色的。A.乙醇B.HCLC.H2SO4D.HN03答案：D4、單項(xiàng)選擇在生產(chǎn)過(guò)程中必須使用（）來(lái)完成淺溝槽隔離STI。A.單晶硅刻蝕B.多晶硅刻蝕C.二氧化硅刻蝕D.氮化硅刻蝕答案：A5、多項(xiàng)選擇電

2、氣測(cè)量?jī)x表假設(shè)按照電流的種類來(lái)分，有（）。A.低壓儀表B.高壓儀表C.直流儀表D.交流儀表E.交直流儀表答案：&DE6、多項(xiàng)選擇散工藝在現(xiàn)在集成電路工藝中仍然是是一項(xiàng)重要的集成電路工藝，現(xiàn) 在主要被用來(lái)制作（）。C.11001250D.12001350答案：A54、單項(xiàng)選擇刻蝕要求在整個(gè)晶圓上有一個(gè)均勻的刻蝕速率，()是在晶圓上由測(cè) 量刻蝕過(guò)程前后特定點(diǎn)的厚度，并計(jì)算這些點(diǎn)的刻蝕速率而得到的。A.選擇性B.均勻性C.輪廓D.刻蝕圖案答案：B55、單項(xiàng)選擇在刻蝕二氧化硅過(guò)程中假如我們?cè)贑F4的()內(nèi)加入適量的氫氣，能 夠降低刻蝕的速率。A.氣體B.等離子體C.固體D.液體答案：B56、單項(xiàng)選擇真

3、空鍍膜室內(nèi)，在蒸發(fā)源加熱器與襯底加熱器之間裝有活動(dòng)擋板，用 來(lái)()。A.隔擋氣體交換B.控制蒸發(fā)的過(guò)程C.輔助熱量交換D.溫度調(diào)節(jié)答案：B57、多項(xiàng)選擇以下擴(kuò)散雜質(zhì)源中，()不僅是硅常用的施主雜質(zhì)，也是楮常用的施 主雜質(zhì)。A.硼B(yǎng)錫C鋪D磷E.碑答案：&D58、單項(xiàng)選擇通常選熔斷器熔斷電流為電路額定電流的()oA.11.8倍B.1,31.8 倍C.1.32.1 倍2.3 倍答案：C59、多項(xiàng)選擇二氧化硅薄膜厚度的測(cè)量方法有（）oA.比色法B.雙光干涉法C.橢圓偏振光法D.腐蝕法E.電容-電壓法答案：AjB&DE60多/儲(chǔ)星導(dǎo)體工藝中，淀積的薄膜層應(yīng)滿足的參數(shù)包含有（）。A.均勻性B.外表平整度

4、C.自由應(yīng)力D.純潔度E.電容答案：AjBCDE61、多者吳光刻膠的顯影以下說(shuō)法錯(cuò)誤的選項(xiàng)是（）。A.負(fù)膠受顯影液的影響比擬小B.正膠受顯影液的影響比擬小C.正膠的曝光區(qū)將會(huì)膨脹變形D.使用負(fù)膠可以得到更高的分辨率E.負(fù)膠的曝光區(qū)將會(huì)膨脹變形答案：ACD62單或卡面那一種薄膜工藝中底材會(huì)被消耗O oA.薄膜沉積B.薄膜成長(zhǎng)C.蒸發(fā)D.濺射答案：B63、多項(xiàng)選擇超大規(guī)模集成電路需要光刻工藝具備的要求有（）。A.高分辨率B.高靈敏度C.精密的套刻對(duì)準(zhǔn)D.大尺寸E.低缺陷答案.A R C D F64、單相星與體硅常用的施主雜質(zhì)是（）oA錫B.硫C硼D.磷答案：D65、單項(xiàng)選擇將具有交換能力的陽(yáng)樹(shù)脂和

5、陰樹(shù)脂按一定比例混合后，裝在聚氯乙稀 或有機(jī)玻璃做的圓柱形交換柱內(nèi)，自來(lái)水()通過(guò)交換柱就能稱為高純度去離子 水。A.自上而下B.自下而上C.自左而右D.自右而左答案：A66、單項(xiàng)選擇()主要是以化學(xué)反響方式來(lái)進(jìn)行薄膜沉積的。A.PVDB.CVDC.濺射D.蒸發(fā)答案：B67、單項(xiàng)選擇用真空蒸發(fā)與濺射法在硅片或二氧化硅膜上涂敷金屬材料，是形成電 極的()oA.重要步驟B.次要步驟C.首要步驟D.不一定答案：C68、多項(xiàng)選擇以下物質(zhì)中是結(jié)晶形態(tài)二氧化硅的有()oA.硅土B.石英C.磷石英D.玻璃E.水晶答案：B,C,E69、單看薯IC芯片生長(zhǎng)中淺溝槽隔離技術(shù)STI逐漸取代了局部氧化LOCOS所制

6、成的()而成為相鄰電子元件的絕緣體A.柵氧化層B.溝槽C.勢(shì)壘D.場(chǎng)氧化層答案：D70、單項(xiàng)選擇固體中的擴(kuò)散模型主要有填隙機(jī)制和()oA,自擴(kuò)散機(jī)制B.雜質(zhì)擴(kuò)散機(jī)制C ,空位機(jī)制D.菲克擴(kuò)散方程機(jī)制答案：C71、多項(xiàng)選擇濺射的方法非常多其中包括()。A.直流濺射B.交流濺射C.反響濺射D.二級(jí)濺射E.三級(jí)濺射答案：A,B,C,D,E72、單項(xiàng)選擇損傷的分布與注入離子在在靶內(nèi)的()的分布密切相關(guān)。A.能量淀積B.動(dòng)量淀積C.能量振蕩D.動(dòng)量振蕩答案：A73、單項(xiàng)選擇()是與氣體輝光放電現(xiàn)象密切想關(guān)的一種薄膜淀積技術(shù)。A.蒸鍍B.離子注入C.濺射D.沉積答案：C74、單項(xiàng)選擇通常熱擴(kuò)散分為兩個(gè)大步

7、驟，其中第一個(gè)步驟是()oA.再分布B.等外表濃度擴(kuò)散C.預(yù)淀積D.等總摻雜劑量擴(kuò)散答案：C75、多項(xiàng)選擇光刻膠的光學(xué)穩(wěn)定通過(guò)()來(lái)完成的。A.紅外線輻射B.X射線照射C.加熱D.紫外光輻射E.電子束掃描答案：C,D76、單項(xiàng)選擇請(qǐng)?jiān)谝韵逻x項(xiàng)中選出硅化金屬的英文簡(jiǎn)稱：()oA-OxideB.NitrideC.SilicideD.Polycide 答案：C77、多項(xiàng)選擇離子注入的主要?dú)怏w源中，劇毒的有()oA.碑化氫B.二硼化氫C.四氟化硅D.三氟化磷E.五氟化磷答案：ABCD78單通至實(shí)際工作中，常常需要知道離子注入層內(nèi)損傷量按()的分布情況。A.長(zhǎng)度B.深度C.寬度D.外表平整度答案：B79

8、、單項(xiàng)選擇以下哪些元素在硅中是快擴(kuò)散元素：()oA.NaB.BC.PD.As答案：A80、單項(xiàng)選擇有機(jī)性氣體大多產(chǎn)生在以下哪道工藝()oA.離子注入B.刻蝕C.擴(kuò)散D.光刻答案：D81、單項(xiàng)選擇由靜電釋放產(chǎn)生的電流泄放最大電壓可以達(dá)()。A.幾伏B.幾十伏C.幾百伏D.幾萬(wàn)伏答案：D82、多項(xiàng)選擇通常情況下，我們改變工藝條件使刻蝕進(jìn)行中()的刻蝕速率盡量低。A.光刻膠B.襯底C.外表硅層D.擴(kuò)散區(qū)E.源漏區(qū)答案：A,B83、單項(xiàng)選擇()的氣體源中一般包含H+, C+, B+, C1+, 0+等離子。A.C12B.BC13C.C02D.H2答案：B84、單項(xiàng)選擇擴(kuò)散爐中的管道一般都是用()制作。

9、A.陶瓷B.玻璃C.石英D.金屬答案：C85、單項(xiàng)選擇當(dāng)注入劑量增加到某個(gè)值時(shí)，損傷量不再增加，趨于飽和。開(kāi)始飽和 的注入劑量稱為()oA.臨界劑量B.飽和劑量C.無(wú)損傷劑量D.零點(diǎn)劑量答案：A86、多項(xiàng)選擇去正膠常用的溶劑有()A.丙酮B.氫氧化鈉溶液C. 丁酮D.甲乙酮E.熱的氯化碳?xì)浠衔锎鸢福篈BCD87、單一禪電釋放的英文簡(jiǎn)述為()oA.ESCB.SEDC.ESDD.SEM答案：C88、單項(xiàng)選擇光刻工藝中，脫水烘焙的最初溫度是()。A.150-200B.200c左右C.250C左右D.3000c左右答案：A89、單項(xiàng)選擇分析器是一種()分選器。A.電子B.中子C.離子D.質(zhì)子答案：C

10、90、單項(xiàng)選擇在各種離子源常用的放電方式中，EOS是指有()oA.電子振蕩放電B.離子自動(dòng)放電C.低電壓弧光放電D,雙等離子電弧放電答案：A91、單項(xiàng)選擇pointdefect的意思是()。A.點(diǎn)缺陷B.線缺陷C.面缺陷D.缺失的點(diǎn)答案：A92、單項(xiàng)選擇檢驗(yàn)水中是否有鹽酸，可用()溶液滴入水中，如果出現(xiàn)白色沉淀， 就表示水中有鹽酸。A.氧化銅B.硝酸鎂C.硝酸銀D.氯化銅答案：C93、單項(xiàng)選擇為了防止()在經(jīng)過(guò)氯化物等離子體刻蝕之后的殘留物使其發(fā)生腐蝕, 必須在刻蝕完畢之后再增加一道工序來(lái)除去這些外表殘留物。A.多晶硅B.單晶硅C.鋁硅銅合金D.銅答案：C94、單項(xiàng)選擇()是指每個(gè)入射離子濺射

11、出的靶原子數(shù)。A.濺射率B.濺射系數(shù)C.濺射效率D.濺射比答案：A95、單項(xiàng)選擇決定吸附原子彼此間能否形成一個(gè)穩(wěn)定的核團(tuán)，以便于進(jìn)行凝結(jié)的主 要因素主宰于所形成的核團(tuán)是否（）而定。A.動(dòng)能最低B.穩(wěn)定C運(yùn)動(dòng)D.靜止答案：B96、單項(xiàng)選擇菲克一維擴(kuò)散定律公式中的J是代表單位面積溶質(zhì)（）。A.傳輸率B.載流子濃度C.擴(kuò)散梯度D.擴(kuò)散系數(shù)答案：A97、單項(xiàng)選擇（）由鐘罩、蒸氣源加熱器、襯底加熱器、活動(dòng)擋板和底盤(pán)構(gòu)成。A.真空鍍膜機(jī)B.真空鍍膜室C,真空鍍膜器D.真空鍍膜儀答案：B98、單項(xiàng)選擇（）是因?yàn)槲皆釉诰獗砩媳舜伺鲎膊⒔Y(jié)合所形成的。A.晶核B.晶粒C核心D.核團(tuán)答案：A99、多項(xiàng)選擇靜

12、電釋放帶來(lái)的問(wèn)題有哪些（）。A.金屬電遷移B.金屬尖刺現(xiàn)象C.芯片產(chǎn)生超過(guò)1A的峰值電流D.柵氧化層擊穿E.吸引帶電顆?；驑O化并吸引中性顆粒到硅片外表答案：C,D,E1001單以化合物半導(dǎo)體碑化線常用的施主雜質(zhì)是（）。A錫B硼C.磷D.錦答案：A集成電路制造工藝員(三級(jí))1、單項(xiàng)選擇銅與氯形成的化合物揮發(fā)能力不好，因而銅的刻蝕無(wú)法以化學(xué)反響來(lái)進(jìn) 行，而必須施以()OA.等離子體刻蝕B.反響離子刻蝕C.濕法刻蝕D.濺射刻蝕答案：D2、單項(xiàng)選擇如果固體中的原子排列情況是紊亂的，就稱之為()oA.單晶靶B.超晶靶C.多晶靶D.非晶靶答案：D3、多項(xiàng)選擇以()等兩層材料所組合而成的導(dǎo)電層便稱為Poly

13、cide。A.單晶硅B.多晶硅C.硅化金屬D.二氧化硅E.氮化硅答案：B,C4、多項(xiàng)選擇清潔處理主要使用的是()。A.水B.有機(jī)溶劑C.堿D.酸E.鹽酸答案：A,B,C,D,E5、單項(xiàng)選擇離子注入裝置的主要部件有()、分析器、加速聚焦系統(tǒng)等。A.中子源B.離子源C.電子源D.質(zhì)子源答案：B6、單項(xiàng)選擇離子束垂直進(jìn)入均勻的正交磁場(chǎng)后，將同時(shí)受到電場(chǎng)力和()的作用。A.洛侖茲力B.反向的電場(chǎng)力C.庫(kù)侖力D.重力答案：A7、單項(xiàng)選擇離子散射方向與入射方向的夾角，稱為()oA.漸近角B.偏折角C.散射角D.入射角答案：C8、單項(xiàng)選擇沾污引起的電學(xué)缺陷引起(),硅片上的管芯報(bào)廢以及很高的芯片制造 本錢(qián)。

14、A.不會(huì)影響成品率B.晶圓缺陷C,成品率損失D.晶圓損失答案：C9、單項(xiàng)選擇光刻的主要工藝流程按照操作順序是()oA.涂膠、前烘、曝光、堅(jiān)膜、顯影、去膠B.涂膠、前烘、堅(jiān)膜、曝光、顯影、去膠C.涂膠、前烘、曝光、顯影、堅(jiān)膜、去膠D.前烘、涂膠、曝光、堅(jiān)膜、顯影、去膠答案：C10、多項(xiàng)選擇以下物質(zhì)的等離子體適合用以刻蝕鋁合金中硅的有()oA.CF4B.BC13C.C12D.F2E.CHF3答案：B,C11、多項(xiàng)選擇一般來(lái)說(shuō)，濺射鍍膜的過(guò)程包括()這幾步。A.產(chǎn)生一個(gè)離子并導(dǎo)向靶B.被轟擊的原子向硅晶片運(yùn)動(dòng)C.離子把靶上的原子轟出來(lái)D.經(jīng)過(guò)加速電場(chǎng)加速E.原子在硅晶片外表凝結(jié)答案.A B C E1

15、2、多捻)正膠常用的溶劑有()A.丙酮A.埋層B.外延C.PN 結(jié)D.可整電阻E.隔離區(qū)答案：A,C,D7、單項(xiàng)選擇 thermalconductivitygauge 的意思是（）。A.離子計(jì)B.熱傳導(dǎo)真空計(jì)C.放電型真空計(jì)D.麥克勞式真空計(jì)答案：B8、多項(xiàng)選擇（）專指薄膜形成的過(guò)程中，并不消耗晶片或底材的材質(zhì)。A.薄膜成長(zhǎng)B.蒸發(fā)C.薄膜沉積D.濺射E.以上都正確答案：B,C,D9、單項(xiàng)選擇套們可以通過(guò)簡(jiǎn)單的結(jié)深測(cè)量和（）測(cè)量來(lái)獲得擴(kuò)散層的重要信息。A.橫向電阻B.平均電阻率C.薄層電阻D.擴(kuò)展電阻答案：C10、單項(xiàng)選擇奉獻(xiàn)社會(huì)的實(shí)質(zhì)是O oA.獲得社會(huì)的好評(píng)B.盡社會(huì)義務(wù)C.不要回報(bào)的付出

16、D.為人民服務(wù)答案：C11、單項(xiàng)選擇刻蝕是把進(jìn)行光刻前所沉積的薄膜厚度約在數(shù)千到數(shù)百A之間中沒(méi)有 被（）覆蓋及保護(hù)的局部，以化學(xué)作用或是物理作用的方式加以去除，以完成轉(zhuǎn) 移掩膜圖案到薄膜上面的目的。A.二氧化硅B.氮化硅C光刻膠D.去離子水B.氫氧化鈉溶液C. 丁酮D.甲乙酮E.熱的氯化碳?xì)浠衔锎鸢福篈,B,C,D13、多項(xiàng)選擇半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)中，離子注入主要是用來(lái)（）。AB：改變導(dǎo)電類型C涂層D.改變材料性質(zhì)E.鍍膜答案：B,D14、多項(xiàng)選擇二氧化硅層中的鈉離子可能來(lái)源于（）oA.玻璃器皿B.高溫器材C.人體沾污D.化學(xué)試劑E.去離子水答案：A,B,C,D,E15、單項(xiàng)選擇請(qǐng)?jiān)谝韵逻x項(xiàng)中選出

17、多晶硅化金屬的英文簡(jiǎn)稱：（）。A.OxideB.NitrideC.SilicideD.Polycide 答案：D16、多項(xiàng)選擇擴(kuò)散工藝使雜質(zhì)由半導(dǎo)體晶片外表向內(nèi)部擴(kuò)散，改變了晶片（）,所 以晶片才能被人們所使用。A.內(nèi)部的雜質(zhì)分布B.外表的雜質(zhì)分布C.整個(gè)晶體的雜質(zhì)分布D.內(nèi)部的導(dǎo)電類型E.外表的導(dǎo)電類型答案：aE17.多良從電極的結(jié)構(gòu)看，濺射的方法包括（）。A.直流濺射B.交流濺射C,二級(jí)濺射D.三級(jí)濺射E.四級(jí)濺射答案：C,D,E18、單項(xiàng)選擇()由鐘罩、蒸氣源加熱器、襯底加熱器、活動(dòng)擋板和底盤(pán)構(gòu)成。A.真空鍍膜機(jī)B.真空鍍膜室C.真空鍍膜器D.真空鍍膜儀答案：B19、多項(xiàng)選擇以下物質(zhì)中是

18、結(jié)晶形態(tài)二氧化硅的有()。A.硅土B.石英C.磷石英D.玻璃E.水晶答案：B,C,E20、單項(xiàng)選擇()是因?yàn)槲皆釉诰獗砩媳舜伺鲎膊⒔Y(jié)合所形成的。A.晶核B.晶粒C核心D.核團(tuán)答案：A21、單項(xiàng)選擇半導(dǎo)體硅常用的受主雜質(zhì)是()。A錫B.硫C.硼D.磷答案：C22、單項(xiàng)選擇涂膠以后的晶片，需要在一定的溫度下進(jìn)行烘烤，這一步驟稱為()。A.后烘B.去水烘烤C.軟烤D.烘烤答案：C23、單項(xiàng)選擇在IC芯片生長(zhǎng)中淺溝槽隔離技術(shù)STI逐漸取代了局部氧化LOCOS所制 成的()而成為相鄰電子元件的絕緣體A.柵氧化層B.溝槽C.勢(shì)壘D.場(chǎng)氧化層答案：D24、單項(xiàng)選擇危害半導(dǎo)體工藝的典型金屬雜質(zhì)是()o

19、A.2族金屬B.堿金屬C.合金金屬D.稀有金屬答案：B25、單項(xiàng)選擇奉獻(xiàn)社會(huì)的實(shí)質(zhì)是()。A.獲得社會(huì)的好評(píng)B.盡社會(huì)義務(wù)C.不要回報(bào)的付出D.為人民服務(wù)答案：C26、多項(xiàng)選擇按曝光的光源分類，曝光可以分為()oA.光學(xué)曝光B.離子束曝光C.接近式曝光D.電子束曝光E.投影式曝光答案：ARD27、單看1硅片上生長(zhǎng)的()的不均勻和各個(gè)部位刻蝕速率的不均勻會(huì)導(dǎo)致刻 蝕圖形轉(zhuǎn)移的不均勻性。A.薄膜厚度B.圖形寬度C.圖形長(zhǎng)度D.圖形間隔答案：A28、多項(xiàng)選擇光刻膠主要由()等不同材料混合而成的。A.樹(shù)脂B.感光劑C.HMDSD.溶劑E.PMMA答案：A,B,D29、單公篇域網(wǎng)中使用中繼器的作用是()

20、。A.可以實(shí)現(xiàn)兩個(gè)以上同類網(wǎng)絡(luò)的聯(lián)接B.可以實(shí)現(xiàn)異種網(wǎng)絡(luò)的互連C.實(shí)現(xiàn)信號(hào)的收集、緩沖及格式的變換D.實(shí)現(xiàn)傳遞信號(hào)的放大和整形答案：D30、多項(xiàng)選擇在半導(dǎo)體工藝中，如果淀積的薄膜不是連續(xù)的，存在一些空隙，那么()OA.使薄膜的介電常數(shù)變大B.可能引入雜質(zhì)C,可能使薄膜層間短路D.使薄膜介電常數(shù)變小E.可能使薄膜厚度增加答案：B,C31、多癥解決氧化層中的鈉離子沾污的方法有()。A.加強(qiáng)工藝操作B.加強(qiáng)人體和環(huán)境衛(wèi)生C.使用高純化學(xué)試劑、高純水和超凈設(shè)備D.采用HC1氧化工藝E.硅片清洗后，要充分烘干，外表無(wú)水跡答案：A,B,C,D,E32、多通專指薄膜形成的過(guò)程中，并不消耗晶片或底材的材質(zhì)。A

21、.薄膜成長(zhǎng)B.蒸發(fā)C.薄膜沉積D.濺射E.以上都正確答案：B,C,D33、單項(xiàng)選擇下面那一種薄膜工藝中底材會(huì)被消耗()oA.薄膜沉積B.薄膜成長(zhǎng)C.蒸發(fā)D.濺射答案：B34、單項(xiàng)選擇通常選熔斷器熔斷電流為電路額定電流的()。A.11.8倍B.1.31.8 倍C.1.3-2.1 倍D.L52.3 倍答案：C35、單項(xiàng)選擇離子源的作用是使所需要的雜質(zhì)原子電離成()離子，并通過(guò)一個(gè)引 出系統(tǒng)形成離子束。A.正B.負(fù)C中性D.以上答案都可以答案：A36、單項(xiàng)選擇靜電釋放的英文簡(jiǎn)述為()。A.ESCB.SEDC.ESDD.SEM答案：C37、單項(xiàng)選擇早期，研究離子注入技術(shù)是用()來(lái)進(jìn)行的。A.重離子加速

22、器B.熱擴(kuò)散爐C.質(zhì)子分析儀D.輕離子分析器答案：A38、單項(xiàng)選擇光刻工藝中，脫水烘焙的最初溫度是()oA.150-200B.200C左右C.250C左右D.300C左右答案：A39、單項(xiàng)選擇晶體中，每個(gè)原子在晶格中有一定的平衡位置，原子在此位置時(shí)其勢(shì) 能為()。A.極大值B.極小值C.既不極大也不極小D.小于動(dòng)能答案：B40、單項(xiàng)選擇真空蒸發(fā)又被人們稱為()。A.真空沉積B.真空鍍膜C.真空外延D.真空答案：B41、多項(xiàng)選擇關(guān)于正膠和負(fù)膠的特點(diǎn)，以下說(shuō)法正確的選項(xiàng)是()oA.正膠在顯影時(shí)不會(huì)發(fā)生膨脹，因此分辨率高于負(fù)膠B.正膠的感光區(qū)域在顯影時(shí)不溶解，負(fù)膠的感光區(qū)域在顯影時(shí)溶解C.負(fù)膠在顯影

23、時(shí)不會(huì)發(fā)生膨脹，因此分辨率不會(huì)降低D.正膠的感光區(qū)域在顯影時(shí)溶解，負(fù)膠的感光區(qū)域在顯影時(shí)不溶解E.負(fù)膠在顯影時(shí)會(huì)發(fā)生膨脹，導(dǎo)致了分辨率的降低答案：ACE42、單速速熱擴(kuò)散工藝中的預(yù)淀積步驟中，碑和錨的擴(kuò)散溫度為()oA.1050-1200B.9001050C.1100-1250D.1200 1350C答案：A43、單項(xiàng)選擇復(fù)合床和混合床可以串聯(lián)使用。復(fù)合床就是指將陽(yáng)樹(shù)脂和陰樹(shù)脂分別 裝在兩個(gè)()內(nèi)串接起來(lái)。A.交換柱B.混合床C.混合柱D.復(fù)合柱答案：A44、單項(xiàng)選擇不可以對(duì)SiO2進(jìn)行干法刻蝕所使用的氣體是()oA.CHF3B.C2F6C.C3F8D.HF答案：D45、單項(xiàng)選擇在熱擴(kuò)散工藝中

24、的預(yù)淀積步驟中，磷的擴(kuò)散溫度為()oA.600 750B.900 1050C.11001250D.950-1100答案：B46、多項(xiàng)選擇真空鍍膜室是由()幾局部組成。A.鐘罩B.蒸氣源加熱器C.襯底加熱器D.活動(dòng)擋板E底盤(pán)答案：A,B,C,D,E47、單項(xiàng)選擇硅烷的分子式是()oA.SiF4B.SiH4C.CH4D.SiC答案：B48、多項(xiàng)選擇濺射的方法非常多其中包括()。A.直流濺射B.交流濺射C.反響濺射D.二級(jí)濺射E.三級(jí)濺射答案：ABCDE49、單項(xiàng)選擇硅晶片上ZMG可以產(chǎn)生薄膜，出始于布滿在晶片外表的許多氣體分 子或其它粒子，它們主要是通過(guò)()到達(dá)晶片外表的。A.粒子的擴(kuò)散B.化學(xué)反

25、響C.從氣體源通過(guò)強(qiáng)迫性的對(duì)流傳送D.被外表吸附答案：A50、多項(xiàng)選擇以下組合中哪一種基本上用于刻蝕前者的干刻蝕法大都可以用來(lái)刻蝕 后者()。A.二氧化硅氮化硅B.多晶硅硅化金屬C.單晶硅多晶硅D.鋁銅E.鋁硅答案：aEA、單-用g線和i線進(jìn)行曝光時(shí)通常使用哪種光刻膠()oA.ARCB.HMDSC.正膠D.負(fù)膠答案：C52、多項(xiàng)選擇沾污是指半導(dǎo)體制造過(guò)程中引入半導(dǎo)體硅片的任何危害微芯片()的 不希望有的物質(zhì)。A.功能B.成品率C.物理性能D.電學(xué)性能E.外觀答案：B,D53、單項(xiàng)選擇()是通過(guò)把被蒸物體加熱，利用被蒸物在高溫時(shí)的飽和蒸汽壓來(lái)進(jìn) 行薄膜沉積的。A.蒸鍍B.濺射C.離子注入D.CV

26、D答案：A54、單項(xiàng)選擇硅-二氧化硅系統(tǒng)中含有的最主要而對(duì)器件穩(wěn)定性影響最大的離子是 ()OA.鈉B.鉀C.氫D硼答案：A55、單項(xiàng)選擇擴(kuò)散爐中的管道一般都是用()制作。A.陶瓷B.玻璃C.石英D.金屬答案：C56、單項(xiàng)選擇以下關(guān)于曝光后烘烤的說(shuō)法正確的選項(xiàng)是()。A.烘烤的目的是除去光刻膠中的水分B.烘烤可以減輕曝光中的駐波效應(yīng)C.烘烤的溫度一般在300左右D.烘烤的時(shí)間越長(zhǎng)越好答案：B57、單項(xiàng)選擇在深紫外曝光中，需要使用CA光刻膠，CA的含義是()oA.化學(xué)增強(qiáng)B.化學(xué)減弱C.厚度增加D.厚度減少答案：A58、多項(xiàng)選擇靜電釋放帶來(lái)的問(wèn)題有哪些()oA.金屬電遷移B.金屬尖刺現(xiàn)象C.芯片產(chǎn)

27、生超過(guò)1A的峰值電流D.柵氧化層擊穿E.吸引帶電顆?；驑O化并吸引中性顆粒到硅片外表答案:C,D,E59、單項(xiàng)選擇在半導(dǎo)體器件制造中，對(duì)清洗用水的純度有比擬高的要求，要用經(jīng)過(guò) 純化的()作為清潔用水。A.蒸播水B.自?shī)渌瓹.去離子水D.礦泉水答案：C60、單項(xiàng)選擇pointdefect的意思是()。A.點(diǎn)缺陷B.線缺陷C.面缺陷D.缺失的點(diǎn)答案：A61、單項(xiàng)選擇降低靶的溫度，有利于非晶層的形成，所以臨界注入量隨之()oA.增大B堿小C.不變D.變?yōu)?答案：B62、單項(xiàng)選擇干氧氧化中，氧化爐內(nèi)的氣體壓力應(yīng)()一個(gè)大氣壓。A.稍高于B.大大于C.等于D.沒(méi)有要求答案：A63、多項(xiàng)選擇超大規(guī)模集成電路

28、需要光刻工藝具備的要求有()。A.高分辨率B.高靈敏度C.精密的套刻對(duì)準(zhǔn)D.大尺寸E.低缺陷答案：ABCDE64、單一主要是以化學(xué)反響方式來(lái)進(jìn)行薄膜沉積的。A.PVDB.CVDC ,濺射D.蒸發(fā)答案：B65、單項(xiàng)選擇銅互連金屬多層布線中，磨料的粒徑一般為()oA.5 10nmB.20 30nmC.50 80nmD.100 200nm答案：B66、單項(xiàng)選擇刻蝕是把進(jìn)行光刻前所沉積的薄膜厚度約在數(shù)千到數(shù)百A之間中沒(méi)有 被()覆蓋及保護(hù)的局部，以化學(xué)作用或是物理作用的方式加以去除，以完成轉(zhuǎn) 移掩膜圖案到薄膜上面的目的。A.二氧化硅B.氮化硅C.光刻膠D.去離子水答案：C67、單項(xiàng)選擇TCP/IP協(xié)議

29、中的TCP相當(dāng)于OSI中的()。A.應(yīng)用層B.網(wǎng)絡(luò)層C.物理層D.傳輸層答案：D68、多項(xiàng)選擇光刻膠的光學(xué)穩(wěn)定通過(guò)()來(lái)完成的。A.紅外線輻射B.X射線照射C.加熱D.紫外光輻射E.電子束掃描答案：&D69、多京有關(guān)光刻膠的顯影以下說(shuō)法錯(cuò)誤的選項(xiàng)是()oA.負(fù)膠受顯影液的影響比擬小B.正膠受顯影液的影響比擬小C.正膠的曝光區(qū)將會(huì)膨脹變形D.使用負(fù)膠可以得到更高的分辨率E.負(fù)膠的曝光區(qū)將會(huì)膨脹變形答案：A,C,D70、單通向樹(shù)脂用鹽酸做再生液，濃度為()溶液可用原水配制。A.5%B.10%C.15%D.20%答案：c12、單項(xiàng)選擇晶硅柵極刻蝕最大的挑戰(zhàn)就是對(duì)二氧化硅的高選擇性。超薄的()使 得在

30、刻蝕多晶硅電極時(shí)對(duì)它的刻蝕要盡可能的小。A.n型摻雜區(qū)B.P型摻雜區(qū)C.柵氧化層D.場(chǎng)氧化層答案：C13 單項(xiàng)選擇 dryvacuumpump 的意思是 ()。A.擴(kuò)散泵B.誰(shuí)循環(huán)泵C.干式真空泵D.路茲泵答案：C14、單項(xiàng)選擇在酸性漿料中，最常使用的氧化劑為()oA.硝酸B.硝酸銅C硫酸D.磺酸答案：A15、單項(xiàng)選擇真空蒸發(fā)又被人們稱為()oA.真空沉積B.真空鍍膜C,真空外延D.真空答案：B16、單項(xiàng)選擇一般分析擴(kuò)散系數(shù)，考慮兩種條件，即恒定外表濃度條件和()。A.恒定總摻雜劑量B.不恒定總摻雜劑量C.恒定雜志濃度D.不恒定雜志濃度答案：A17、單項(xiàng)選擇為了保證保護(hù)裝置能可靠地動(dòng)作，27.

31、5A的接地電流只能保證斷開(kāi)動(dòng)作電流不超過(guò)多少的繼電保護(hù)裝置。()C.11A答案：A答案：B71、單項(xiàng)選擇二氧化硅生長(zhǎng)過(guò)程中，當(dāng)分凝系數(shù)小于1時(shí)，會(huì)使二氧化硅-硅界面處 硅一側(cè)的雜質(zhì)濃度()oA.降低B.增加C.不變D.先降低后增加答案：A72、單項(xiàng)選擇離子源產(chǎn)生的離子在()的加速電場(chǎng)作用下得到加速。A.分析器B.掃描器C.加速器D.偏轉(zhuǎn)器答案：C73、單項(xiàng)選擇我們可以通過(guò)簡(jiǎn)單的結(jié)深測(cè)量和()測(cè)量來(lái)獲得擴(kuò)散層的重要信息。A.橫向電阻B.平均電阻率C.薄層電阻D.擴(kuò)展電阻答案：C74、單項(xiàng)選擇當(dāng)熱氧化的最初階段，()為限制反響速率的主要原因。A,溫度B.硅-二氧化硅界面處的化學(xué)反響C.氧的擴(kuò)散速率

32、D壓力答案：B75、多項(xiàng)選擇在深紫外曝光中，需要使用CA光刻膠，它的優(yōu)點(diǎn)在于()oA.CA光刻膠對(duì)深紫外光吸收小B.CA光刻膠將吸收的光子能量發(fā)生化學(xué)轉(zhuǎn)化C.CA光刻膠在顯影液中的可溶性強(qiáng)D.有較高的光敏度E.有較高的比照度答案：A,B,C,D,E76、單項(xiàng)選擇以下幾種氧化方法相比，哪種方法制得的二氧化硅薄膜的電阻率會(huì)高 些()。A.干氧氧化B.濕氧氧化C.水汽氧化D ,與氧化方法無(wú)關(guān)答案：A77、單項(xiàng)選擇采用熱氧化方法制備的二氧化硅從結(jié)構(gòu)上看是()的。A .結(jié)晶形態(tài)B ,非結(jié)晶形態(tài)C.可能是結(jié)晶形態(tài)的，也可能是非結(jié)晶形態(tài)的D.以上都不對(duì)答案：B78、多項(xiàng)選擇在半導(dǎo)體工藝中，與氮化硅比擬，二氧

33、化硅更適合應(yīng)用在()oA.晶圓頂層的保護(hù)層B.多層金屬的介質(zhì)層C.多晶硅與金屬之間的絕緣層D.摻雜阻擋層E.晶圓片上器件之間的隔離答案：BCE79、單項(xiàng)選擇以下材料中電阻率最低的是()。A.鋁B.銅C.多晶硅D.金答案：D80、單項(xiàng)選擇Torr是指()的單位。A.真空度B.磁場(chǎng)強(qiáng)度C.體積D溫度答案：A81、單項(xiàng)選擇多晶硅柵極刻蝕最大的挑戰(zhàn)就是對(duì)()的高選擇性。超薄的柵氧化層 使得在刻蝕多晶硅電極時(shí)對(duì)柵氧化層的刻蝕要盡可能的小。A.二氧化硅B.氮化硅C.單晶硅D.多晶硅答案：A82、多項(xiàng)選擇在半導(dǎo)體制造中，熔斷絲可以應(yīng)用在()。A.MOS柵極B.保護(hù)性元件C.電容器極板D.制造只讀存儲(chǔ)器PRO

34、ME.晶圓反面電鍍答案：BD83、單蜃在確定擴(kuò)散率的實(shí)驗(yàn)中，擴(kuò)散層電阻的測(cè)量可以用()測(cè)量。A.SIMS技術(shù)B.擴(kuò)展電阻技術(shù)C微分電導(dǎo)率技術(shù)D.四探針技術(shù)答案：D84、單項(xiàng)選擇鈉、鉀等大離子在二氧化硅結(jié)構(gòu)中是()雜質(zhì)。A.替位式B.間隙式C.施主D.可能是替位式也可能是間隙式答案：B85、單項(xiàng)選擇單晶硅刻蝕一般采用()做掩蔽層，以氟化氫為主要的刻蝕劑，氧氣 為側(cè)壁鈍化作用的媒介物。A.氮化硅B.二氧化硅C.光刻膠D.多晶硅答案：B86、單項(xiàng)選擇當(dāng)二氧化硅膜很薄時(shí)，膜厚與時(shí)間()。A.t2成正比B.t2成反比Ct成正比D.t成反比答案：C87、單項(xiàng)選擇以下哪些元素在硅中是快擴(kuò)散元素：()oA.N

35、aB.BC.PD.As答案：A88、單項(xiàng)選擇在空位擴(kuò)散中，如果遷移到空位的原子是基質(zhì)原子，擴(kuò)散屬于O oA.推擠擴(kuò)散B.雜質(zhì)擴(kuò)散C.填隙擴(kuò)散D.自擴(kuò)散答案：D89、單項(xiàng)選擇懸浮在空氣中的顆粒稱為()oA.懸浮物B.塵埃C.污染顆粒D.浮質(zhì)答案：D90、單項(xiàng)選擇買(mǎi)來(lái)的新樹(shù)脂往往是Na型或Q型，新樹(shù)脂使用前必須分別用酸(陽(yáng) 樹(shù)脂)，堿(陰樹(shù)脂)浸泡約()個(gè)小時(shí)，把Na型或C1型轉(zhuǎn)換成H型或OH型。 A.3B.4C.5D.6答案：B91、多項(xiàng)選擇在半導(dǎo)體工藝中，淀積的薄膜層應(yīng)滿足的參數(shù)包含有()oA.均勻性B.外表平整度C.自由應(yīng)力D.純潔度E.電容答案：A,B,C,D,E92、單項(xiàng)選擇離子束的引出

36、系統(tǒng)的間接引出系統(tǒng)中，陽(yáng)極和插入電極之間形成一個(gè) 離子密度較()的等離子體。A低B.WjC.均勻D.不均勻答案：A93、單項(xiàng)選擇在熱擴(kuò)散工藝中的預(yù)淀積步驟中，硼在9001050C的條件下，擴(kuò)散 時(shí)間大約()為宜。A.46hB.50min2hCIO40minD.5lOmin答案：c94、單項(xiàng)選擇刻蝕要求在整個(gè)晶圓上有一個(gè)均勻的刻蝕速率，()是在晶圓上由測(cè) 量刻蝕過(guò)程前后特定點(diǎn)的厚度，并計(jì)算這些點(diǎn)的刻蝕速率而得到的。A.選擇性B.均勻性C.輪廓D.刻蝕圖案答案：B95、多項(xiàng)選擇()的方法有利于減少熱預(yù)算。A.高壓氧化B.濕氧氧化C摻氯氧化D.氫氧合成氧化E.等離子增強(qiáng)氧化答案：A,E96單良二氧化

37、硅薄膜的折射率是表征其()學(xué)性質(zhì)的重要參數(shù)。A.電B.磁C.光D.熱答案：C97、單項(xiàng)選擇分析器是一種()分選器。A.電子B.中子C.離子D.質(zhì)子答案：C98、多項(xiàng)選擇樹(shù)脂使用過(guò)程中需保持一定溫度，陽(yáng)樹(shù)脂和陰樹(shù)脂分別不能高于() 度，使用溫度不能過(guò)低，低于。度會(huì)使樹(shù)脂凍裂。A.80B.60C.40D.20E.10答案:A,C99、多項(xiàng)選擇哪種方法可以增加缺陷的積累率而降低臨界注入量：()oA.低溫注入B.常溫注入C.高溫注入D.分子注入E.雙注入答案：A,D,E100,單項(xiàng)選擇金相學(xué)的研磨之所以會(huì)在研磨面上造成如刮傷般的痕跡是由于在制 程中()。A.氧化鋁磨料溶水制成的研磨液B.使用羊毛研磨墊

38、C.采用旋轉(zhuǎn)研磨墊加壓的方法D.無(wú)法必免的機(jī)械損耗答案：B集成電路制造工藝員(三級(jí))測(cè)試題1、單項(xiàng)選擇在深紫外曝光中，需要使用CA光刻膠，CA的含義是()oA.化學(xué)增強(qiáng)B.化學(xué)減弱C.厚度增加D,厚度減少答案：A2、單項(xiàng)選擇干氧氧化法有一些優(yōu)點(diǎn)，但同時(shí)它的缺點(diǎn)有()oA.生長(zhǎng)出的二氧化硅中引入很多可動(dòng)離子B.氧化的速度慢C.生長(zhǎng)的二氧化硅缺陷多D.生長(zhǎng)的二氧化硅薄膜鈍化效果差答案：B3、單項(xiàng)選擇晶硅柵極刻蝕最大的挑戰(zhàn)就是對(duì)二氧化硅的高選擇性。超薄的()使得 在刻蝕多晶硅電極時(shí)對(duì)它的刻蝕要盡可能的小。A.n型摻雜區(qū)B.P型摻雜區(qū)C柵氧化層D.場(chǎng)氧化層答案：C4、多項(xiàng)選擇以下哪些因素會(huì)影響臨界注入

39、量的大小：()。A.注入離子的質(zhì)量B.靶的種類C.注入溫度D.注入速度E.注入劑量答案：AjBCD2單項(xiàng)選擇4亍保證保護(hù)裝置能可靠地動(dòng)作，27.5A的接地電流只能保證斷開(kāi)動(dòng)作 電流不超過(guò)多少的繼電保護(hù)裝置。()C.11A答案：A6、單項(xiàng)選擇用真空蒸發(fā)與濺射法在硅片或二氧化硅膜上涂敷金屬材料，是形成電極 的()。A.重要步驟B.次要步驟C.首要步驟D.不一定答案：C7、多項(xiàng)選擇在半導(dǎo)體工藝中，與氮化硅比擬，二氧化硅更適合應(yīng)用在()oA.晶圓頂層的保護(hù)層B.多層金屬的介質(zhì)層C.多晶硅與金屬之間的絕緣層D.摻雜阻擋層E.晶圓片上器件之間的隔離答案：B,C,E8、單項(xiàng)選擇篇域網(wǎng)中使用中繼器的作用是()

40、oA.可以實(shí)現(xiàn)兩個(gè)以上同類網(wǎng)絡(luò)的聯(lián)接B.可以實(shí)現(xiàn)異種網(wǎng)絡(luò)的互連C.實(shí)現(xiàn)信號(hào)的收集、緩沖及格式的變換D.實(shí)現(xiàn)傳遞信號(hào)的放大和整形答案：D9、單項(xiàng)選擇在熱擴(kuò)散工藝中的預(yù)淀積步驟中，磷的擴(kuò)散溫度為()。A.600 750B.9001050C.1100 1250D.950 1100答案：B10、單項(xiàng)選擇二氧化硅薄膜的折射率是表征其()學(xué)性質(zhì)的重要參數(shù)。A.電B.磁C.光D.熱答案：C11、單項(xiàng)選擇()是以物理的方法來(lái)進(jìn)行薄膜沉積的一種技術(shù)。A.LPCVDB.PECVDC.CVDD.PVD答案：D12、多項(xiàng)選擇半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)中，離子注入主要是用來(lái)()。A.氧化B.改變導(dǎo)電類型C滁層D.改變材料性質(zhì)E.鍍

41、膜答案：B,D13、單項(xiàng)選擇光刻工藝中，脫水烘焙的最初溫度是()oA.150-200B.200C左右C250C左右D.300C左右答案：A14、單項(xiàng)選擇硅-二氧化硅系統(tǒng)中含有的最主要而對(duì)器件穩(wěn)定性影響最大的離子是 ()OA鈉B.鉀C氫D硼答案：A15、單項(xiàng)選擇射程在垂直入射方向的平面內(nèi)的投影長(zhǎng)度稱之為()oA.投影射程B.射程縱向分量C.射程橫向分量D.有效射程答案：C16 單項(xiàng)選擇 thermalconductivitygauge 的意思是 ()。A.離子計(jì)B.熱傳導(dǎo)真空計(jì)C.放電型真空計(jì)D.麥克勞式真空計(jì)答案：B17、多項(xiàng)選擇以下擴(kuò)散雜質(zhì)源中，()不僅是硅常用的施主雜質(zhì)，也是楮常用的施 主

42、雜質(zhì)。A硼B(yǎng)錫C.錦D.磷E.碑答案：C,D18、單良()方法是大規(guī)模集成電路生產(chǎn)中用來(lái)沉積不同金屬的應(yīng)用最為廣泛 的技術(shù)。A.蒸鍍B.離子注入C.濺射D.沉積答案：C19、單項(xiàng)選擇當(dāng)熱氧化的最初階段，()為限制反響速率的主要原因。A.溫度B.硅-二氧化硅界面處的化學(xué)反響C.氧的擴(kuò)散速率D.壓力答案：B20、單項(xiàng)選擇采用熱氧化方法制備的二氧化硅從結(jié)構(gòu)上看是()的。A.結(jié)晶形態(tài)B.非結(jié)晶形態(tài)C.可能是結(jié)晶形態(tài)的，也可能是非結(jié)晶形態(tài)的D.以上都不對(duì)答案：B21、多項(xiàng)選擇()專指薄膜形成的過(guò)程中，并不消耗晶片或底材的材質(zhì)。A.薄膜成長(zhǎng)B.蒸發(fā)C.薄膜沉積D.濺射E.以上都正確答案：BCD22、單壺獷

43、散爐中的管道一般都是用()制作。A.陶瓷B.玻璃C.石英D.金屬答案：C23、單項(xiàng)選擇離子束的引出系統(tǒng)的間接引出系統(tǒng)中，陽(yáng)極和插入電極之間形成一個(gè) 離子密度較()的等離子體。A低B.rWjC.均勻D.不均勻答案：A24、單項(xiàng)選擇在熱擴(kuò)散工藝中的預(yù)淀積步驟中，硼在9501100C的條件下，擴(kuò)散 時(shí)間大約()為宜。A.4 6hB.50min2hC.1040minD.5 lOmin答案：C25、單項(xiàng)選擇沾污引起的電學(xué)缺陷引起()，硅片上的管芯報(bào)廢以及很高的芯片制 造本錢(qián)。A.不會(huì)影響成品率B.晶圓缺陷C.成品率損失D.晶圓損失答案：C26、單項(xiàng)選擇為了解決中性束對(duì)注入均勻性的影響，可在系統(tǒng)中設(shè)有()

44、，使離子 束偏轉(zhuǎn)后再到達(dá)靶室。A.磁分析器B.正交電磁場(chǎng)分析器C.靜電偏轉(zhuǎn)電極D.束流分析儀答案：C27、多項(xiàng)選擇真空鍍膜室是由()幾局部組成。A.鐘罩B.蒸氣源加熱器C.襯底加熱器D.活動(dòng)擋板E.底盤(pán)答案：A,B,C,D,E28、單/ 3向偏轉(zhuǎn)電極和靜電掃描器都是()電容器。A片狀B.針尖狀18、單項(xiàng)選擇買(mǎi)來(lái)的新樹(shù)脂往往是Na型或Q型，新樹(shù)脂使用前必須分別用酸（陽(yáng) 樹(shù)脂），堿（陰樹(shù)脂）浸泡約（）個(gè)小時(shí)，把Na型或C1型轉(zhuǎn)換成H型或0H型。 A.3B.4C.5D.6答案：B19、單項(xiàng)選擇在半導(dǎo)體器件制造中，對(duì)清洗用水的純度有比擬高的要求，要用經(jīng)過(guò) 純化的（）作為清潔用水。A.蒸儲(chǔ)水B.自來(lái)水C

45、.去離子水D.礦泉水答案：C20、單項(xiàng)選擇離子從進(jìn)入靶起到停止點(diǎn)所通過(guò)的總路程稱作（）oA.離子距離B.靶厚C射程D.注入深度答案：C21、單項(xiàng)選擇鈉、鉀等大離子在二氧化硅結(jié)構(gòu)中是（）雜質(zhì)。A.替位式B.間隙式C.施主D.可能是替位式也可能是間隙式答案：B22、單項(xiàng)選擇（）方法是大規(guī)模集成電路生產(chǎn)中用來(lái)沉積不同金屬的應(yīng)用最為廣泛 的技術(shù)。A.蒸鍍B.離子注入C.濺射D.沉積答案：C23、單項(xiàng)選擇電氣測(cè)量?jī)x表中，整流式對(duì)電流的種類與頻率的適用范圍是（）。A.直流B.工頻及較高頻率的交流C.直流及工頻交流D.直流及工頻與較高頻率的交流C.圓筒狀D.平行板答案：D29、單項(xiàng)選擇由靜電釋放產(chǎn)生的電流泄

46、放最大電壓可以達(dá)()oA.幾伏B.幾十伏C.幾百伏D.幾萬(wàn)伏答案：D30、多項(xiàng)選擇銅與鋁相比擬，其性質(zhì)有()oA.銅的電阻率比鋁小B.鋁的熔點(diǎn)較高C.鋁的抗電遷移能力較弱D.銅與硅的接觸電阻較小E.銅可以在低溫下淀積答案：A,C,E31、單以常選熔斷器熔斷電流為電路額定電流的()oA.11.8倍C.1.3-2.1 倍2.3 倍答案：C32、單項(xiàng)選擇在刻蝕()過(guò)程中假如我們?cè)贑F5的等離子體內(nèi)加入適量的氧氣，能 夠提高刻蝕的速率。A.銅B.鋁C.金D.二氧化硅答案：D33、多項(xiàng)選擇以下物質(zhì)中是結(jié)晶形態(tài)二氧化硅的有()oA.硅土B.石英C.磷石英D.玻璃E.水晶答案：B,C,E34、單速?gòu)?qiáng)害半導(dǎo)體

47、工藝的典型金屬雜質(zhì)是()oA.2族金屬B.堿金屬C.合金金屬D.稀有金屬答案：B35、單項(xiàng)選擇真空蒸發(fā)又被人們稱為（）。A.真空沉積B.真空鍍膜C.真空外延D.真空答案：B36、單項(xiàng)選擇金相學(xué)的研磨之所以會(huì)在研磨面上造成如刮傷般的痕跡是由于在制程 中（）。A.氧化倍磨料溶水制成的研磨液B.使用羊毛研磨墊C.采用旋轉(zhuǎn)研磨墊加壓的方法D.無(wú)法必免的機(jī)械損耗答案：B37、單項(xiàng)選擇在深紫外曝光中，需要使用（）光刻膠。A.DQNB.CAC.ARCD.PMMA答案：A38、單項(xiàng)選擇離子束垂直進(jìn)入均勻的正交磁場(chǎng)后，將同時(shí)受到電場(chǎng)力和（）的作用。A.洛侖茲力B.反向的電場(chǎng)力C.庫(kù)侖力D.重力答案：A39、單項(xiàng)

48、選擇薄膜沉積的機(jī)構(gòu)，依發(fā)生的順序，可以分為這幾個(gè)步驟。其中不包括 （）。A.形成晶核B.晶粒自旋C.晶粒凝結(jié)D.縫道填補(bǔ)答案：B40、單項(xiàng)選擇Torr是指（）的單位。A.真空度B.磁場(chǎng)強(qiáng)度C.體積D.溫度答案：A41、單項(xiàng)選擇為了防止()在經(jīng)過(guò)氯化物等離子體刻蝕之后的殘留物使其發(fā)生腐蝕, 必須在刻蝕完畢之后再增加一道工序來(lái)除去這些外表殘留物。A.多晶硅B.單晶硅C.鋁硅銅合金D.銅答案：C42、單項(xiàng)選擇靜電釋放的英文簡(jiǎn)述為()。A.ESCB.SEDC.ESDD.SEM答案：C43、多項(xiàng)選擇擴(kuò)散工藝使雜質(zhì)由半導(dǎo)體晶片外表向內(nèi)部擴(kuò)散，改變了晶片()，所 以晶片才能被人們所使用。A.內(nèi)部的雜質(zhì)分布B

49、.外表的雜質(zhì)分布C.整個(gè)晶體的雜質(zhì)分布D.內(nèi)部的導(dǎo)電類型E.外表的導(dǎo)電類型答案：A,E44、多項(xiàng)選擇按曝光的光源分類，曝光可以分為()。A.光學(xué)曝光B.離子束曝光C.接近式曝光D.電子束曝光E.投影式曝光答案：A,B,D45、單項(xiàng)選擇當(dāng)二氧化硅膜很薄時(shí)，膜厚與時(shí)間()oA.t2成正比B.t2成反比Ct成正比D.t成反比答案：C46、單項(xiàng)選擇目前，最廣泛使用的退火方式是()oA.熱退火B(yǎng).激光退火C.電子束退火D.離子束退火答案：A47、多項(xiàng)選擇涂膠之前，要保證晶片的質(zhì)量以及涂膠工序的順利進(jìn)行，以下操作正 確的是()OA.進(jìn)行去水烘烤以保證晶片干燥B.在晶片外表涂上增粘劑以保證晶片黏附性好C.剛

50、剛處理好的晶片應(yīng)立即涂膠D.貯存的晶片在涂膠前必須再次清洗及干燥E.也可以直接使用貯存的晶片答案：A,BCD48、單相向g線和i線進(jìn)行曝光時(shí)通常使用哪種光刻膠()。A.ARCB.HMDSC.正膠D.負(fù)膠答案：C49、單項(xiàng)選擇在磁分析器中常用()分析磁鐵。A.柱形B.扇形C.方形D.圓形答案：B50、多項(xiàng)選擇二氧化硅層中的鈉離子可能來(lái)源于()oA.玻璃器皿B.高溫器材C.人體沾污D.化學(xué)試劑E.去離子水答案：A,B,C,D,E答案：B24、單項(xiàng)選擇離子源產(chǎn)生的離子在()的加速電場(chǎng)作用下得到加速。A.分析器B.掃描器C.加速器D.偏轉(zhuǎn)器答案：C25、多項(xiàng)選擇關(guān)于正膠和負(fù)膠的特點(diǎn)，以下說(shuō)法正確的選項(xiàng)

51、是()oA.正膠在顯影時(shí)不會(huì)發(fā)生膨脹，因此分辨率高于負(fù)膠B.正膠的感光區(qū)域在顯影時(shí)不溶解，負(fù)膠的感光區(qū)域在顯影時(shí)溶解C.負(fù)膠在顯影時(shí)不會(huì)發(fā)生膨脹，因此分辨率不會(huì)降低D.正膠的感光區(qū)域在顯影時(shí)溶解，負(fù)膠的感光區(qū)域在顯影時(shí)不溶解E.負(fù)膠在顯影時(shí)會(huì)發(fā)生膨脹，導(dǎo)致了分辨率的降低答案：A,C,E26、單項(xiàng)選擇以下幾種氧化方法相比，哪種方法制得的二氧化硅薄膜的電阻率會(huì)高 些()。A.干氧氧化B.濕氧氧化C.水汽氧化D.與氧化方法無(wú)關(guān)答案：A27、多項(xiàng)選擇晶片外表上的粒子是通過(guò)()到達(dá)晶片的外表。A.粒子擴(kuò)散B.從氣體源通過(guò)強(qiáng)迫性的對(duì)流傳送C.化學(xué)反響D.被外表吸附E.靜電吸引答案：AjBCD28、單一列關(guān)于曝光后烘烤的說(shuō)法正確的選項(xiàng)是()oA.烘烤的目的是除去光刻膠中的水分B