單晶生長(zhǎng)操作規(guī)程講解_第1頁
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1、單晶生長(zhǎng)操作規(guī)程講解第1頁,共14頁,2022年,5月20日,2點(diǎn)23分,星期二2.抽真空,檢漏: a.各處密封圈務(wù)必清理潔凈. b.真空泵正確的關(guān)閉與開啟. c.爐子漏氣率的關(guān)鍵性. Q=(P1-P2)XV/TR3.拉晶的實(shí)踐過程: 早先: 真空拉晶-常壓拉晶-減壓拉晶 對(duì)目前的爐內(nèi)拉晶壓力要求在8-15turo2700第2頁,共14頁,2022年,5月20日,2點(diǎn)23分,星期二4.熱量傳遞的三種方式: 傳導(dǎo) 對(duì)流 輻射5.熔料: 加熱與保溫 正確的使用加熱功率,不破壞石英坩堝與石墨坩堝的使用壽命,不破壞其結(jié)構(gòu)。 在化料過程中,坩堝的位置放置的重要性。 拉晶的時(shí)間越長(zhǎng),拉晶的困難就越大。第3

2、頁,共14頁,2022年,5月20日,2點(diǎn)23分,星期二6.熔體的對(duì)流: 自然對(duì)流. 強(qiáng)迫對(duì)流-旋流. 強(qiáng)迫對(duì)流-逆流. 表面張力對(duì)流.7.Dash縮頸(無位錯(cuò)單晶生長(zhǎng)技術(shù)) 位錯(cuò)的特性:位錯(cuò)是一種線性缺陷,是由幾個(gè)原子大小的線性管道,位錯(cuò)線附近原子發(fā)生嚴(yán)重錯(cuò)排和畸變。 位錯(cuò)分為:棱位錯(cuò) 螺行位錯(cuò) 混合位錯(cuò) 第4頁,共14頁,2022年,5月20日,2點(diǎn)23分,星期二8.縮頸的要點(diǎn): 下降過程中不要急于接觸到高溫(分段下降). 籽晶與熔體要在合適的溫度下充分良好的接觸. 細(xì)頸(4-5mm, L=150mm)9.能量守恒方程式: Qn+Ql=Qm+Qc Qn:加熱器提供的系統(tǒng)熱量 Ql:晶體結(jié)晶

3、時(shí)釋放的潛熱 Qm:熔體表面損失的熱量 Qc:晶棒表面通過熱輻射與對(duì)流將熱量損失到外圍第5頁,共14頁,2022年,5月20日,2點(diǎn)23分,星期二 LVd+AKL(dTL /dx)=AKS(dTS / dx) L 結(jié)晶潛熱 V 生長(zhǎng)速度 d 硅的密度 A 固液界面的截面積 KL 液體熱傳導(dǎo)系數(shù) dTL /dx 臨近界面 KS 固體熱傳導(dǎo)系數(shù) 10 .放肩 放到一定的拉速 . 恒定降溫方式 . 第6頁,共14頁,2022年,5月20日,2點(diǎn)23分,星期二11.轉(zhuǎn)肩與等徑: 轉(zhuǎn)肩時(shí)的大小與拉速(2-4mm/min). 降低拉速,跟進(jìn)堝跟比和隨動(dòng). 確認(rèn)等徑參數(shù),投入自動(dòng). 斷棱和回熔12.收尾與停

4、爐: 根據(jù)堝底料的多少判斷是否要收尾. 控制溫度和拉速. 降功率、停爐冷卻. 整個(gè)拉晶過程的記錄。第7頁,共14頁,2022年,5月20日,2點(diǎn)23分,星期二 拉晶過程中常見事故和處理 A 停水 a 發(fā)生停水時(shí),立即檢查(自動(dòng)打開的)或打開停水爐子的事故水進(jìn)水閥。 關(guān)閉加熱功率, 復(fù)位控制柜面板上單晶生長(zhǎng)控制器,使其處于手動(dòng)狀態(tài), 降低堝位到熔料堝位, 關(guān)閉堝轉(zhuǎn)。 第8頁,共14頁,2022年,5月20日,2點(diǎn)23分,星期二 b 停水后水壓恢復(fù) 冷卻水恢復(fù)供應(yīng)時(shí),立即檢查(自動(dòng)打開的)或關(guān)閉事故水閥門,監(jiān)控水壓,有異常及時(shí)報(bào)告。 水壓恢復(fù)時(shí),爐內(nèi)無嚴(yán)重氧化現(xiàn)象,熔體未結(jié)晶或已結(jié)晶但液面結(jié)晶小于

5、10分鐘且石英坩堝未破裂,按加熱功率開,調(diào)節(jié)功率到熔料功率。 啟動(dòng)堝轉(zhuǎn),設(shè)定為2轉(zhuǎn)/分,打開堝轉(zhuǎn)前,確保堝轉(zhuǎn)電位器處于零位。 熔化結(jié)晶面,在此期間應(yīng)密切爐內(nèi)有無嚴(yán)重第9頁,共14頁,2022年,5月20日,2點(diǎn)23分,星期二 氧化現(xiàn)象,注意硅料液面熔化情況,一旦發(fā)生嚴(yán)重氧化現(xiàn)象、硅液面下降,立即停爐并報(bào)告。 晶體處理同晶變單晶一致,待結(jié)晶全熔后,手動(dòng)調(diào)節(jié)功率為引晶功率,溫度穩(wěn)定后開始引晶。 c 停水后水壓無法恢復(fù),或恢復(fù)時(shí)結(jié)晶大于10分鐘 快速提升晶體或籽晶,距液面150mm。 待熔體結(jié)晶15分鐘時(shí),快速提升坩堝并頂起導(dǎo)流筒100mm。 停爐,充分冷卻后拆爐。第10頁,共14頁,2022年,5

6、月20日,2點(diǎn)23分,星期二B 停電 a 若爐子工作時(shí),加熱部分停電: 把復(fù)位控制柜面板上的單晶生長(zhǎng)控制器調(diào)到手動(dòng), 降低堝位到熔料堝位, 關(guān)閉堝轉(zhuǎn), 加熱部分恢復(fù)且時(shí)間較短(如停水)則升功率熔料, 啟動(dòng)堝轉(zhuǎn)為2轉(zhuǎn)/分并確保電位器處于零位, 熔化結(jié)晶面時(shí)應(yīng)密切注意液面情況,有問題及時(shí)上報(bào) 晶體處理同晶變單晶一樣,全熔后降溫引晶,第11頁,共14頁,2022年,5月20日,2點(diǎn)23分,星期二 加熱部分恢復(fù)時(shí),停電時(shí)間較長(zhǎng)且結(jié)晶大于10分鐘 或坩堝破裂,就快速提升晶體或籽晶距液面150mm。 在熔體結(jié)晶15分鐘時(shí),快速升坩堝并頂起導(dǎo)流筒100mm。 停爐,冷卻后拆爐。 b 若爐子工作時(shí),加熱電源、

7、控制電源同時(shí)斷電 立即關(guān)閉抽空閥門,關(guān)閉所有升降轉(zhuǎn)動(dòng)開關(guān), 手動(dòng)搖手柄降低堝位到熔料堝位, 同時(shí)將氬氣流量調(diào)大充至-0.05MPa左右關(guān)閉氬氣, 電源恢復(fù)時(shí)開真空泵使氬氣流量恢復(fù)正常,第12頁,共14頁,2022年,5月20日,2點(diǎn)23分,星期二 若恢復(fù)且時(shí)間較短(如停水)則升功率熔料, 啟動(dòng)堝轉(zhuǎn)為2轉(zhuǎn)/分并確保電位器處于零位,若晶體或籽晶與液面結(jié)晶在一起需等其結(jié)晶面熔化脫離, 熔化結(jié)晶面時(shí)應(yīng)密切注意液面情況,有問題及時(shí)上報(bào) 晶體處理同晶變單晶一樣,全熔后降溫引晶, 停電時(shí)間較長(zhǎng)且結(jié)晶大于10分鐘或坩堝破裂,就快速提升晶體或籽晶距液面150mm. 在熔體結(jié)晶15分鐘時(shí),快速升坩堝并頂起導(dǎo)流筒100mm并停爐,待冷卻后拆爐. 第13頁,共14頁

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