2022年存儲芯片行業(yè)市場現(xiàn)狀及未來前景分析

1、2022年存儲芯片行業(yè)市場現(xiàn)狀及未來前景分析1. 國內(nèi)存儲芯片市場規(guī)模穩(wěn)定上升存儲器芯片，是指利用電能方式存儲信息的半導(dǎo)體介質(zhì)設(shè)備，其存儲與讀取過程體現(xiàn)為電子的存儲或釋放。其中 DRAM 及 NANDFlash 占據(jù)存儲器市場90%以上的市場。根據(jù)世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計協(xié)會（WSTS）統(tǒng)計，2020 年全球集成電路市場規(guī)模為4390億美元，同比增加6.5%，2020年全球存儲器芯片市場規(guī)模為1173億美元，同比上升10.2%。國產(chǎn)芯片替代和消費電子需求快速增長的背景下，國內(nèi)存儲器芯片市場規(guī)模保持穩(wěn)定上升，尤其是在智能手機行業(yè)，多攝像頭配置的趨勢和5G 興起帶來的智能手機更新?lián)Q代，打開了存儲器芯片市

2、場增長的空間，智能移動設(shè)備已經(jīng)成為推動中國存儲器芯片產(chǎn)業(yè)及市場發(fā)展的重要驅(qū)動力。隨著物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備等新興科技應(yīng)用的發(fā)展，存儲器芯片面臨日益增長的市場需求。在物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域，實時的數(shù)據(jù)交互需要更多容量進(jìn)行數(shù)據(jù)的存儲和處理，拉動存儲器芯片市場需求的同時，也對存儲器芯片的快速讀寫等功能提出了更高的要求。在可穿戴設(shè)備領(lǐng)域，隨著電子產(chǎn)品功能的多樣化和續(xù)航能力的提升，對存儲器芯片的功耗、性能等方面都提出了多樣化的要求，也將開拓出更為廣闊的存儲器芯片市場空間。根據(jù)賽迪顧問預(yù)測，2020-2023 年國內(nèi)存儲器芯片市場復(fù)合增長率達(dá)8.2%。2. NORFlash 下游新興領(lǐng)域帶來存儲芯片增量需求晶圓產(chǎn)能吃緊，

3、供給缺口刺激 NORFlash 價格上升。全球大廠持續(xù)減產(chǎn)或退出NOR市場，兩岸 NOR 新增產(chǎn)能十分有限，以及新冠疫情對行業(yè)的沖擊，將導(dǎo)致2021年NOR有 5%的供給缺口。受到整體庫存大幅下降，在 5G、汽車電子等需求的強烈推動下，NOR的價格在未來 2 個季度將上漲約 5%。三星在 2010 年完全退出NOR 市場，將所有存儲產(chǎn)能集中于市場空間更大的 NAND 和 DRAM 存儲器；美光在2016 年取消了8 英寸生產(chǎn)線，將全部 8 英寸和部份 12 英寸產(chǎn)能轉(zhuǎn)移給 NAND；賽普拉斯在2017 年出售在美國Bloomington 的 NOR 晶圓廠，同時 NOR 的協(xié)議價格到期，賽普拉

4、斯重新提高產(chǎn)品價格；旺宏和華邦實際均減產(chǎn) 5%-10%。華邦未達(dá)成 2017 年預(yù)定的在2019 年達(dá)產(chǎn)3萬片/月產(chǎn)能計劃；中國大陸在 2020 年受新冠病毒影響，春節(jié)后生產(chǎn)人員返崗受限，長江存儲和中芯國際節(jié)后開工推遲。同時，中芯國際受實體清單限制，加上近期晶圓代工廠產(chǎn)能吃緊，供給受限。新興領(lǐng)域需求發(fā)展為 NORFlash 帶來增長空間。2006 年之后的10 年間，NORFlash的市場空間隨著功能手機數(shù)量的減少而逐年降低。根據(jù)CINNOResearch，2018年的NORFlash 的總銷售額為 26 億美元，而這一規(guī)模在 2006 年已超過70 億美元。在通貨膨脹背景下的十余年，NORF

5、lash 的市場空間未增反降。當(dāng)前，NORFlash 的市場空間下行已成為歷史，新興領(lǐng)域的發(fā)展正為 NORFlash 帶來新的機遇。在物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備、屏幕以及車載電子等下游領(lǐng)域的推動下，NORFlash 將重拾增勢，進(jìn)入新的增長期。根據(jù)Gartner 統(tǒng)計，2022 年全球 NORFlash 市場規(guī)模將達(dá)到 37.2 億美元。圖：全球 NORFlash 市場規(guī)模重拾增勢（億美元）TWS 為公司 NOR Flash 主要應(yīng)用的終端產(chǎn)品。目前，主流TWS 芯片都配置有內(nèi)置或外接的 NOR，用以存儲耳機系統(tǒng)代碼。內(nèi)置 NOR，即嵌入式Flash，是將NOR與其他模塊一同集成在同一顆 SoC 上；

6、外置 NOR 作為單獨的存儲芯片，存在于IC電路中，與邏輯模塊不在同顆 SoC 上。根據(jù) CounterpointResearch 報告，2016-2020 年全球TWS出貨量復(fù)合增長率為 124%。未來隨著 TWS 功能的提升和拓展，對NOR Flash 的容量和性能將提出更多要求，促進(jìn) NOR Flash 的需求量穩(wěn)步提升。從品牌競爭格局看，2020年Q3，TWS 耳機出貨量前三名分別是蘋果，小米和華為，占比分別為33.1%、13.6%、11%。蘋果 TWS 芯片常外置高容量的 NOR（128Mb）。NOR 被用來減少信號延遲和支持語音“HeySiri”等功能，且隨著后續(xù)更多功能的增加，蘋

7、果Airpods Pro 有望采用更高容量的NOR 來存儲更加復(fù)雜龐大的系統(tǒng)代碼。安卓系列 TWS 搭配低容量的NOR（2-64Mb），如三星 GalaxyBuds 中采用了 64Mb 的 NOR。從需求端看，2016、2017 年購買第一代產(chǎn)品即將淘汰，消費者的更新?lián)Q代需求將飆升。根據(jù)測算，2022 年蘋果系列和安卓系列的TWS 對國內(nèi) NOR 市場規(guī)模分別為 19 億元和 11.1 億元，合計30.1 億元。物聯(lián)網(wǎng) loT 設(shè)備核心是連接速度。通常，小容量的NOR 在loT 中被廣泛地用于存儲啟動和運行系統(tǒng)的操作代碼。智能音箱在音樂播放基礎(chǔ)功能之外具有基于語音識別的多重功能，通常能夠作為智

8、能家居和物聯(lián)網(wǎng)入口，并能提供在第三方集成的OEM語音服務(wù)。NOR 的快速讀取有助于減小延遲并加快智能音箱的啟動。AmzonEchoShow的16MbNOR主要用于存儲引導(dǎo)程序和操作系統(tǒng)內(nèi)核文件。無線路由器作為連接2 個或多個網(wǎng)絡(luò)的硬件設(shè)備，在 loT 中居于核心地位。普聯(lián)路由器 N300Nano 的8MBNOR主要用于存儲引導(dǎo)程序，開啟運行代碼。隨著 loT 設(shè)備功能的復(fù)雜化，NOR 使用容量將有望進(jìn)一步提升。根據(jù) IDC 預(yù)測，2025 年全球智能家居出貨量將超過 14 億臺，2020-2025CAGR達(dá)12.2%。根據(jù) Statista 預(yù)測，2020 年全球 loT 支出預(yù)計達(dá) 7490

9、 億美元。2023 年，IoT支出將進(jìn)一步上升至 1.1 萬億美元，3 年復(fù)合增速 13%。預(yù)計 2025 年全球IoT 行業(yè)NOR市場規(guī)模將達(dá) 24.5 億元。AMOLED 面板生產(chǎn)一致性問題，導(dǎo)致 AMOLED 面板需要后期外部校準(zhǔn)，記錄這些問題像素的行列位置和亮度差異值，經(jīng)過后期計算得出需要補償?shù)碾妷?電流值，并將這些信息寫入面板模組中外置的 NOR。模組 IC 會根據(jù) NOR 中的補償信息，實現(xiàn)一致性的顯示效果。NOR 的需求隨顯示屏分辨率的上升而同步增長。AMOLED面板受中小尺寸智能移動終端市場快速增長而帶動。根據(jù) Omdia 預(yù)計,2020-2025 年年全球AMOLED面板市場

10、復(fù)合增速達(dá) 10%。根據(jù)測算，預(yù)計 2022 年 AMOLED 顯示屏對NOR的貢獻(xiàn)將達(dá)到6.7億元。TDDI 是觸控與顯示驅(qū)動集成的縮寫，它將原本分離的手機觸控IC和顯示IC整合成了一顆芯片。TDDI 的設(shè)計使其具備多種優(yōu)勢，比如：更好的觸控性能、厚度更小、增加透光率、降低背光亮度、降低耗電量、使顯示屏的邊框更窄、減少供應(yīng)鏈的復(fù)雜程度等。隨著技術(shù)的持續(xù)優(yōu)化，TDDI 芯片的成本不斷下降，但由于TDDI 觸控功能編碼所需容量較大，無法一并整合進(jìn) TDDI 芯片，需要外掛一個 416Mb 的NORFlash 進(jìn)行存儲，并輔助 TDDI 進(jìn)行參數(shù)調(diào)整，因此是 NORFlash 在屏顯領(lǐng)域中的一大重

11、要增長點。隨著TDDI滲透率的不斷提高，NORFlash 的市場需求相應(yīng)持續(xù)增長。根據(jù)測算，到2022年TDII對NOR 的貢獻(xiàn)將達(dá)到 7 億元。NOR Flash 行業(yè)需求的增長將為公司業(yè)務(wù)拓展帶來機遇。首先，先進(jìn)制程以及SONOS 工藝結(jié)構(gòu)為公司 NORFLASH 產(chǎn)品帶來競爭優(yōu)勢。芯片尺寸方面，公司采用NORFlash 產(chǎn)品采用 55nm 的工藝制程，有效的降低了存儲單元的單位面積；其次，由于公司采用電荷俘獲技術(shù)的 SONOS 工藝進(jìn)行生產(chǎn)，相較于同行業(yè)公司采用的浮柵ETOX工藝，芯片的控制電路更加簡單，因此控制電路的布局面積更小；產(chǎn)品性能方面，SONOS工藝結(jié)構(gòu)下生產(chǎn)的 NORFlas

12、h 產(chǎn)品操作電壓更低，并且可以對存儲單元進(jìn)行開關(guān)控制，避免了不必要的能量損耗使得公司的 NORFlash 具備較低的讀寫功耗；產(chǎn)品可靠性方面，擦寫次數(shù)超過 10 萬次，數(shù)據(jù)保持時間超過 20 年。公司采用SONOS 工藝結(jié)構(gòu)所需要的光罩少于 ETOX 工藝，使得晶圓的制造成本更低，同時公司的NORFlash 芯片面積較小，因此公司 NORFlash 產(chǎn)品的單位成本更低。公司 2020 年全球 NOR Flash 市場份額第六。在 NOR Flash 行業(yè)，公司在2020年實現(xiàn)營收占全球 NOR Flash 市場份額第六。根據(jù) CINNO Research 資料顯示，2020年全球NOR Fla

13、sh 市場中，華邦、旺宏電子、兆易創(chuàng)新、賽普拉斯、美光的市場份額占比分別為25.4%、22.5%、15.6%、10.9%、4.0%，共計占全部市場份額的78.4%。公司以2.9%的份額排名第六。海外廠商逐漸退出，公司市占率有望進(jìn)一步提升。從競爭態(tài)勢上看，目前全球NORFlash 行業(yè)中，華邦、旺宏、兆易創(chuàng)新、賽普拉斯，鎂光五家仍占據(jù)約四分之三的市場份額，但海外廠商計劃逐步退出 NOR Flash 市場。若普冉股份繼續(xù)保持高速增長，2021年其市場份額預(yù)計將超過鎂光在全球 NOR Flash 市場份額中排名第五，未來有望進(jìn)一步提升。公司與行業(yè)最高技術(shù)水平的差距主要體現(xiàn)在大容量NOR Flash

14、產(chǎn)品的開發(fā)。國內(nèi)外競爭對手的 NORFlash 產(chǎn)品覆蓋了 512Kbit-2Gbit，能夠滿足汽車電子、5G基站、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域的存儲需求，而公司主要產(chǎn)品為 512Kbit-128MbitNORFlash，主要應(yīng)用于AMOLED、TDDI、TWS 藍(lán)牙耳機等消費電子領(lǐng)域，尚無法覆蓋汽車及工業(yè)領(lǐng)域的下游客戶。公司的戰(zhàn)略規(guī)劃系通過中小容量的 NORFlash 產(chǎn)品切入利基存儲器芯片市場，實現(xiàn)了經(jīng)營業(yè)績和公司體量的穩(wěn)步增長。近年來，公司在保證中小容量 NORFlash 芯片的技術(shù)升級和迭代的同時，穩(wěn)步推進(jìn)大容量 NORFlash 的研發(fā)，現(xiàn)已具備大容量的NORFlash 開發(fā)的技術(shù)儲備，擬利用本次募

15、集資金實現(xiàn)大容量 NORFlash 芯片的產(chǎn)業(yè)化，以拓寬NORFlash產(chǎn)品的應(yīng)用領(lǐng)域，向智能穿戴、物聯(lián)網(wǎng)、5G 基站等更高附加值的市場拓展。另外，2017-2020 年，公司產(chǎn)品在藍(lán)牙、可穿戴設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)以及手機屏幕領(lǐng)域的收入不斷增長?？蛻敉卣鬼樌?，已和匯頂科技、恒玄科技、杰理科技、中科藍(lán)訊、深天馬、合力泰、華星光電等廠商建立穩(wěn)定合作關(guān)系。NORFlash 行業(yè)整體需求上行將有利于公司發(fā)展。隨著大容量 NOR Flash 產(chǎn)品逐漸起量，公司市占率有望繼續(xù)提升。3. 手機攝像頭模組升級+車規(guī)級存儲芯片需求拓寬EEPROM市場空間EEPROM 存儲器產(chǎn)品主要分為消費級、工業(yè)級和汽車級，不同級別的

16、EEPROM產(chǎn)品性能差異體現(xiàn)在溫度適應(yīng)能力和可靠性。其中，消費級EEPROM要求-40-85的溫度適應(yīng)能力，100 萬次的讀寫次數(shù)；工業(yè)級 EEPROM 要求-40-105的溫度適應(yīng)能力，400萬次的讀寫次數(shù)；汽車級 EEPROM 根據(jù)不同的溫度適應(yīng)能力，分為了：A3 等級（-40-85），A2 等級（-40-105），A1 等級（-40-125），A0 等級（-40-150）。在 5G 商用帶動智能手機存量替換、雙攝和多攝滲透率提升以及攝像頭模組升級等因素的驅(qū)動下，智能手機攝像頭模組也隨之升級。高分辨率傳感器、多攝像頭、自動對焦等技術(shù)開始廣泛應(yīng)用，攝像頭模組內(nèi)部數(shù)據(jù)的存儲容量需求比之前大幅增

17、加。根據(jù)賽迪顧問數(shù)據(jù)，預(yù)計 2023 年全球 EEPROM 市場規(guī)模將達(dá)到9.1 億美元。智能手機攝像頭細(xì)分領(lǐng)域中，2016-2018 年，全球智能手機攝像頭領(lǐng)域?qū)?EEPROM的需求量從9.1億顆增長到21.6 億顆，預(yù)計到 2023 年 EEPROM 需求量將達(dá)到 55.3 億顆。圖：2017-2021 全球智能手機總攝像頭個數(shù)預(yù)測（億個）憑借安全性、可靠性等產(chǎn)品特點，EEPROM 被廣泛的應(yīng)用于汽車電子等領(lǐng)域。其主要應(yīng)用領(lǐng)域有：汽車的娛樂系統(tǒng)、液晶顯示、ADAS、引擎控制單位（EngineControlUnit）、車身控制模組（BodyControlModule）、數(shù)字服務(wù)及導(dǎo)航（Inf

18、otainment/Navigation）等。作為 EEPROM 未來最具有潛力的市場之一，全球汽車電子市場近些年來保持著5%的增速。根據(jù)賽迪智庫數(shù)據(jù)預(yù)計，2020 年中國汽車電子市場規(guī)模達(dá)8085 億元，2022年達(dá)9783億元，未來市場開拓空間潛力巨大。公司的 EEPROM 在讀寫、待機等狀態(tài)的功耗表現(xiàn)優(yōu)于同行業(yè)競爭對手。公司的工業(yè)級 EEPROM 產(chǎn)品在可靠性（包括擦寫次數(shù)、保存時間）、工作電壓等關(guān)鍵性能指標(biāo)方面整體已達(dá)到國際競爭對手水平，靜態(tài)功耗方面已處于行業(yè)領(lǐng)先水平，公司與最高技術(shù)水平的差距主要體現(xiàn)在工藝制程和汽車級 EEPROM 產(chǎn)品。本此募投項目包括對EEPROM芯片進(jìn)行升級研發(fā)，擬達(dá)到 95nm 及以下的工藝制程，實現(xiàn)更低工作電壓和更低功耗。另外，公司擬開發(fā)車載 EEPROM 產(chǎn)品，通過運用糾錯校驗（ECC）和差分存儲技術(shù)，開發(fā)具備超高擦寫能力、超長數(shù)據(jù)保存時間等特點的 EEPROM 產(chǎn)品，并提升產(chǎn)品的溫