omega處理系統(tǒng)學(xué)習(xí)手冊第九章第三節(jié)

1、正演模擬模型生成（譯、校對）摘要建立模型的測井或 SLIM 模型文件的產(chǎn)生或修改。1.0技術(shù)正演模擬模型產(chǎn)生模塊是產(chǎn)生或替換一測井文本文件和一SLIM 模型文本文件。正演模擬模型處理1.1同上一模塊所述1.2概要通過 SLIM 模塊產(chǎn)生或替換的文本文件可以顯示或編輯。只有從設(shè)置里讀入的數(shù)據(jù)產(chǎn)生的輸出文本文件內(nèi)容。修改已存在的文本文件， SLIM_M_CREATE 模塊操作所有數(shù)據(jù)通過參數(shù)設(shè)置沒有被改變。該模塊不能重采樣或內(nèi)插數(shù)據(jù)。它是假定層是很好的擬和兩個(gè)控制點(diǎn)間。輸入的文件要求控制點(diǎn)用X，Y 坐標(biāo)或順序號確定?？刂泣c(diǎn)可以通過刪除點(diǎn)參數(shù)設(shè)置從文本文件中刪除。1.3SLIM 模型SLIM 模型由

2、層介質(zhì)的特征部分決定。模型頂部不需要型頂部和地表面之間介質(zhì)是均勻的。表面。它假定在模根據(jù)實(shí)際測井，地質(zhì)，和數(shù)據(jù)推測二維模型地表結(jié)構(gòu)。因此推測地表結(jié)構(gòu)是不唯一的。由同一參數(shù)信息可能會產(chǎn)生許多不同的推測結(jié)構(gòu)。用幾個(gè)垂直一維模型給出的控制點(diǎn)來描述一個(gè)模型。在最近控制點(diǎn)之間用三角形內(nèi)插（FOR 3-D）或線形內(nèi)插（FOR 2-D）。每一個(gè)一維模型（Mi）通過方程（1）和幾個(gè)變量來計(jì)算。Mi=f(Ti ,Ri ,Hij , Vij , Dij ;j=1,.N)(1)其中i =控制點(diǎn)索引號 j =層索引號N =模型中層數(shù)T =模型頂部到表面雙程旅行時(shí)R =模型頂界反射系數(shù) Hij =所有層到頂界的深度 V

3、ij =層速度Dij =層密度注意：在所有一維模型中層數(shù)必須相同。每一層通過層序號識別。除了反轉(zhuǎn)外層序號隨深度的加深而加大。在模型中反轉(zhuǎn)尖滅層被確定。1.3.1尖滅類型尖滅是指在一個(gè)不整合中地層的。有兩種尖滅（底型和頂型）類型可以型，依靠Impd Option for Pinched-Out layers 參數(shù)值，及 SLIM 模型參數(shù)設(shè)置中被定義。在底型尖滅中，地層末端在不整合的底部。這里，通過最小邊界號設(shè)計(jì)邊界端（見例 1）。這種類型尖滅在 BASE 選項(xiàng)中，Impd Option for Pinched-Out layers參數(shù)及 SLIM 模型參數(shù)設(shè)置中被定義。例 1看一個(gè) 6 層的頂

4、型尖滅。尖滅層 5 尖滅于層 4，層 2，3，4，6 尖滅于第 1層。層 1 是一主要不整合。圖 1 是一假想的標(biāo)準(zhǔn)模型。圖 1低型尖滅在頂型尖滅里，尖滅層在不整合的頂部。這里，通過最小邊界號設(shè)計(jì)邊界端（見例 2）。這種類型尖滅在 TOP 選項(xiàng)中，Impd Option for Pinched-Out layers參數(shù)及 SLIM 模型參數(shù)設(shè)置中被定義。例 2看一個(gè) 5 層的頂型尖滅。層 1 尖滅于層 2，層 2，3，4 尖滅于第 5 層。圖 2是一假想的標(biāo)準(zhǔn)模型。圖 2頂型尖滅根據(jù)任何給定的地質(zhì)模型，任何類型尖滅都可以確定。在選定控制點(diǎn)的一維模型可以產(chǎn)生一類尖滅模型，用戶必須按照以下步驟：1

5、、在impd option for pinched-out layers 參數(shù)中，設(shè)定巖性正演模擬參數(shù)，確定尖滅類型是隱含或假定無論在給定的任何控制點(diǎn)處層深度是不隨深度加序號增加。典型的是，用戶選則隱含類型的尖滅大多數(shù)出現(xiàn)在地質(zhì)模型中。2、要產(chǎn)生其他類型的尖滅（也就是說，不是隱含型的），很明顯要求控制點(diǎn)在零厚度層處（見圖 3）。在此例中，控制點(diǎn)必須指定在界面末端。隨后的函數(shù)模塊是在理想情況下建立和應(yīng)用由一組一維模型產(chǎn)生的二維模型。整個(gè)CMP 界面深度通過最近兩個(gè)控制點(diǎn)的值進(jìn)行三角內(nèi)插或線性內(nèi)插來決定。深度倒轉(zhuǎn)后不在輸出的位置（見圖 3 和 4）。界面的交點(diǎn)（也就是層末端）主要決定于線性內(nèi)插。然

6、后界面恢復(fù)避免反轉(zhuǎn)。這關(guān)系到哪一界面將被控制恢復(fù)通過假定的尖滅類型。例如，在例 4 中頂型尖滅標(biāo)示為隱含的。其它類型的尖滅（在底型尖滅中）可以被設(shè)定為顯形的通過一些控制點(diǎn)上的壓力層厚度。隱含尖滅可以存在兩個(gè)控制點(diǎn)，而顯形尖滅只能存在一個(gè)控制點(diǎn)。（見圖 3 和 4）。1.3.2模型代號舉例例 3 通過在 4 個(gè)CMP 控制點(diǎn)，X1，X2，X3，X4 的一維模型可以描述一 6 層在不同位置的 4 個(gè)尖滅底型尖滅，底型尖滅是隱含型。深度，代序號見表 1。最終模型見圖 3。注意此例所有尖滅在X2、X3，CMP 控制點(diǎn)之間。層 2 尖滅于層 1。層 4 和 5 尖滅于層 3。層 6 尖滅于層 5（見圖

7、3）圖 3模型 1例 4 5 層模型，頂型隱含尖滅。在此例中，底型尖滅可以通過另加在 X2，X4， CMP 點(diǎn)處的一維模型產(chǎn)生。這個(gè)整個(gè)可以通過 5 個(gè)一維模型來描述。深度，代 序號見表 2。最終模型見圖 4。從圖中可以看出，在控制點(diǎn)X1、X2 處，分界面 3，4 具有相同深度。在X2位置，要求在X2 控制點(diǎn)處突然創(chuàng)建一底部尖滅。類似地，在控制點(diǎn) X4,X5 處分界面 3，5 具有相同分界面深度。這種情況直接導(dǎo)致了控制點(diǎn) X4 處明顯的底部尖滅。圖 4模型 21.4輸入層的細(xì)分SLIM 研究的運(yùn)算法則只對那些具有固定層號的模型起作用。為了計(jì)算出模塊中的薄層（這也是 SLIM 處理的最終目的），

8、起初模型的層數(shù)據(jù)應(yīng)根據(jù)的分辨率來標(biāo)定。資料另一方面，層模型通常設(shè)置為厚層。該模塊里的層模型通常由厚層組成，因?yàn)?，即使井資料是可靠的，要將井之間的所有薄層都匹配好是很的。因此，SLIM_M_CREAT 模塊有幾個(gè)專門對厚層進(jìn)行再細(xì)分并增加層數(shù)的小模塊。通過缺省值，每一個(gè)輸入層是在 Dominant Frequency 和一般參數(shù)值基礎(chǔ)上進(jìn)行層細(xì)分的。這樣做可使一些空間點(diǎn)處新層厚度不超過主波長的 0.1。缺省空間點(diǎn)是由Type of the Subdivi細(xì)化分方法是由 Type of theThickness 參數(shù)和一般的模塊參數(shù)決定的。層位精Thickness 參數(shù)和一般的模塊參數(shù)決定Subd

9、ivi的。無論研究層位是薄層、厚層還是平均厚度的層（依賴于參數(shù)值）這個(gè)點(diǎn)可以是一控制點(diǎn)。如果缺省的細(xì)分層沒有足夠的層，用戶可以選擇任何空間點(diǎn)（從輸入的有用控制點(diǎn)中）或選擇一個(gè)明顯的層數(shù)通過在 SLIM SPLIT LAYERS 參數(shù)設(shè)置中的表。這些空間點(diǎn)通過 CONTROL PO和 Y COORDINATE OF THE CONTROL PO參數(shù)及 SLIM 分層參數(shù)設(shè)置來確定。層數(shù)通過 NUMBER OF THE LAYERSUBDIVIS 參數(shù)及 SLIM 分層參數(shù)設(shè)置來確定。1.5井任何有用的井?dāng)?shù)據(jù)（波阻抗，速度和密度都是深度或時(shí)間的函數(shù)）可以用于 SLIM 模型查找處理的質(zhì)量控制中。在

10、每個(gè)垂向上至少有一個(gè)參數(shù)（波阻抗，速度和密度）必須給出值。井參數(shù)設(shè)置，任何（波阻抗，速度和密度）參數(shù)缺省值通過用另外兩個(gè)參數(shù)和下面公式 2 計(jì)算所得。（2）IMPEDENCE=VELOCITY*DENSITY如果只有一個(gè)（波阻抗，速度和密度）參數(shù)給出，則另外兩個(gè)參數(shù)為零。如果波阻抗，速度和密度參數(shù)為正值，井參數(shù)設(shè)置提供，則計(jì)算和設(shè)定得波阻抗差在設(shè)定值的 5%以內(nèi)。因?yàn)椴ㄗ杩故撬俣群兔芏鹊某朔e，波阻抗參數(shù)值單位如下式 3。UNITSIMPED=（UNITSVEL）*（GM/CM3）（3）其中UNITSIMPED =波阻抗 UNITSVEL=速度值井速度，密度或波阻抗函數(shù)在對應(yīng)的剖面屬性中通過（S

11、LIM_ATTRIBUTES）模塊輸出。在任何垂向刻度的輸出剖面中用同一井?dāng)?shù)據(jù)，頂界面深度或垂向雙程旅行時(shí)參數(shù)，井對數(shù)參數(shù)設(shè)置被應(yīng)用。對深度剖面當(dāng)井垂向坐標(biāo)是時(shí)間，則頂界面的深度在 TopERFACE Depth or Two-way Vertical Time 參數(shù)中應(yīng)給出。反之。1.6密度是速度的函數(shù)SLIM 模型查找算法通常用密度值，即使密度查找對用戶不要求。當(dāng)密度值在測井中不知道，可以用下面公式（4）計(jì)算出：（4）D=A+B*VP其中A，B，P 是常數(shù)D=層密度 V=層速度常用的常數(shù)值是A=11/6,B=1/6，P=1.0。隨著每個(gè)速度范圍指定的常數(shù)A，B，P 值，通過給的幾個(gè)速度范圍有時(shí)可 以更好地近似密度。有一例，過渡區(qū)速度和過渡區(qū)域?qū)挾葢?yīng)在每個(gè)速度范