晶體管元件認(rèn)識及測量

1、晶體管元件認(rèn)識及測量第1頁，共13頁，2022年，5月20日，1點41分，星期四2、用數(shù)字萬用表鑒別晶體三極管（1）晶體管的管腳和類型的識別： 先判斷基級 判別類型 集電極和發(fā)射極的判斷（2）晶體管性能好壞的檢查eeecbcbbbecNPNcPNP90153DD01B3AX31B2763LM324CD4100第2頁，共13頁，2022年，5月20日，1點41分，星期四Ib（A）OVBE（V）0.220VCE=0V0.40.6VCE1V4080603、運用晶體管特性曲線求參數(shù) (1)晶體二極管正反向V-I特性A、正向特性B、反向特性C、反向擊穿特性vDovziDvBR(2)晶體三極管輸入特性曲線

2、硅管輸入特性曲線Ib（A）OVBE（V）0.0520VCE=0V0.100.15VCE1V4080600.20鍺管輸入特性曲線第3頁，共13頁，2022年，5月20日，1點41分，星期四QIC（mA）VCE (V)OUCE (V)IBIC(3)晶體三極管輸出特性曲線 A、工作區(qū)域飽和區(qū)：VCE小到一定程度， 而是放大區(qū)：截止區(qū)：IB=0而IC0 過損耗區(qū)：不大于 其中如何一項安全工作區(qū)：小于 其中如何一項飽和區(qū)截止區(qū)放大區(qū)IC（mA）VCEOOUCE (V)過 損 耗 區(qū)安全工作區(qū)第4頁，共13頁，2022年，5月20日，1點41分，星期四B、主要參數(shù)電流放大系數(shù)：集電極-基極反向飽和電流 （

3、發(fā)射極開路）集電極-發(fā)射極反向飽和電流 （基極開路）集電極最大允許電流集電極最大允許功率損耗反向擊穿電壓 （集電極開路） （發(fā)射極開路） （基極開路）uAICEOuAICBOIBICV（BR）EBOV （BR） CBOV（BR）CEOICEO=常數(shù)OVBE（V）102030 243561ICE（mA）7060508040VCEO=常數(shù)ICEO、 VCEO特性曲線第5頁，共13頁，2022年，5月20日，1點41分，星期四4、三極管輸出特性曲線及其逐點測量法示意圖AAvvRBECRCEBOICIB0IB1IB2IB3UCEO5、三極管特性圖示儀組成方框圖tIbY軸放大器RC功耗限制電阻RB集電極

4、掃描信號RF取樣電阻階梯波信號X軸放大器OtUS示波管UCEOIC第6頁，共13頁，2022年，5月20日，1點41分，星期四UCOIbteUR（Ic）bRLcUsaOtUSIb1Ib2Ib0Ib36、圖示法測三極管輸出特性基本原理OICIb0Ib1Ib2Ib3t3t2t1tIbt4第7頁，共13頁，2022年，5月20日，1點41分，星期四7、XJ4810型半導(dǎo)體管特性圖示儀 輔助聚焦X軸選擇Y軸選擇聚焦電源指示亮度電源開關(guān)顯示開關(guān)Y軸位移X軸選擇電容平衡輔助電容平衡功耗電阻選擇掃描電壓范圍保險絲掃描電壓%極性選擇極性調(diào)零級/簇單簇按開關(guān)串聯(lián)電阻開關(guān)階梯信號選擇測試選擇重復(fù)/關(guān)開關(guān)第8頁，共

5、13頁，2022年，5月20日，1點41分，星期四實驗內(nèi)容1、用萬用表鑒別晶體三極管的性能（1）先判斷晶體管的基極；（2）判斷晶體管的集電極；（3）判斷晶體管的類型；（4）利用數(shù)字萬用表測晶體管hfe值。將實驗結(jié)果記錄于下列表中.晶體管型號類型判斷管腳判斷晶體管hfe值90149015第9頁，共13頁，2022年，5月20日，1點41分，星期四2、用XJ4810型晶體管特性圖示儀測量晶體管的特性曲線與參數(shù) （1）測穩(wěn)壓管 2CW4正反向伏安特性，在方格紙上記下圖示儀所顯示的特性曲線，并記錄穩(wěn)定電壓VZ。 （2）晶體三極管輸出特性測量 測出9014共發(fā)射極連接的輸出特性曲線族，并用方格紙記下曲線

6、分別估算線性區(qū)的值。 分別求出當(dāng)VCE3V時，IC5mA情況下管子的值。 （3）晶體三極管輸入特性測量 測出3AX31和9014兩管共發(fā)射極連接的輸入特性曲線，在方格紙上記下圖示儀所顯示的特性曲線族。 從輸入特性曲線上求取IB=20uA時，9014、3AX31的VBE值。 （4）晶體三極管反向擊穿電壓V（BR）CEO的測量 測出3AX31和9014兩管（取 ICEO=2mA）的V （BR） CEO將擊穿曲線記錄于方格紙上，并求取V （BR） CEO的值。 （5）晶體管穿透電流的測量 （VCEO=10 V） 測出3AX31的ICEO曲線，用方格紙記錄圖示儀的ICEO曲線。第10頁，共13頁，20

7、22年，5月20日，1點41分，星期四9013(NPN)半導(dǎo)體管測試條件 輸出特性輸入特性ICEO（基極開路）BVCBO（基極開路）峰值電壓范圍010V0-100V極性正(+)功耗電阻250-2KX軸VCE：1V/度VBE0.1V/度VCE：10V/度Y軸IC：1mA/度基極電流IC：0.1mA/度階梯信號重復(fù)極性正(+)階梯選擇10A/級第11頁，共13頁，2022年，5月20日，1點41分，星期四3AX81(PNP)半導(dǎo)體管測試條件輸出特性輸入特性ICEO（基極開路）BVCBO（基極開路）峰值電壓范圍010V0-100V極性正(-)功耗電阻250-2KX軸VCE：1V/度VBE0.05V/

8、度VCE：10V/度Y軸IC：1mA/度基極電流IC：10A/度階梯信號重復(fù)極性正(-)階梯選擇10A/級第12頁，共13頁，2022年，5月20日，1點41分，星期四注意事項1、注意晶體管引腳。2、集電極掃描電壓不能加的太高，一般小功率管在幾十伏。以免擊穿晶體管。3、基極電流不能太大，一般小功率管在微安級。4、注意晶體三極管導(dǎo)電類型實驗報告要求1、整理實驗數(shù)據(jù)，畫出被測各類特性曲線（共7條曲線）。2、從實驗結(jié)果分析鍺、硅管的不同點。評分標(biāo)準(zhǔn)整齊度,規(guī)范化 5+10分用數(shù)字萬用表測判別管腳 ， 10分穩(wěn)壓管曲線及穩(wěn)壓值， 15分9013輸出特性曲線及 ， 15分3AX81、9013輸入特性曲線及VBEO， 15分9013 V （BR