CSK試塊種類與區(qū)別

1、CSK-IA 和 CSK-IB 試塊的主要用途兩個試塊的主要區(qū)別在于：CSKIB試塊在原有CSK-IA的基礎(chǔ)上增加了測試斜探頭折射角的刻度面。使用要點如下：1）利用厚度 25mm 測定探傷儀的水平線性、垂直線性和動態(tài)范圍2）利用厚度25mm和高度100mm調(diào)整縱波探測范圍；3）利用 R50 和 R100 校定時基線或測定斜探頭的入射點；4）利用高度85、91、100ram 測定直探頭的分辨力；5）利用中40、中44、中 50ram 曲面測定斜探頭的分辨力；6）利用中 50 有機玻璃圓孔測定直探頭盲區(qū)和穿透能力；7）利用 xx50 曲面 xx15 橫孔測定斜探頭的 K 值；8）利用高度9lmm（

2、縱波聲程91mm相當于橫波50mm）調(diào)節(jié)橫波1： 1掃描速度，配合 R100 作零位校正；9）、利用試塊直角棱邊測定斜探頭的聲軸偏斜角。CSKIA 試塊超聲波 xx 的分類顯示方式：A 型 B 型 C 型發(fā)射波連續(xù)性分：脈沖波連續(xù)波。聲波通道：單通道多通道超聲波探頭的主要作用超聲波的發(fā)射和接收是通過探頭來實現(xiàn)的。發(fā)射和接收的原理超聲波探傷中的壓電晶片具有壓電效應(yīng)，當高頻電脈 沖激勵壓電晶片時，發(fā)生逆壓電效應(yīng)，將電能轉(zhuǎn)換為聲能（機械能），發(fā)射超 聲波；當探頭接收超聲波時，發(fā)生正壓電效應(yīng)，將聲能轉(zhuǎn)換為電能。不難看出 超聲波探頭在工作時實現(xiàn)了電能和聲能的相互轉(zhuǎn)換，因此常把探頭叫做換能器。正壓電效應(yīng)某

3、些晶體材料在交變應(yīng)力作用下，產(chǎn)生交變電場的效應(yīng)稱為 正壓電效應(yīng)。逆壓電效應(yīng)當晶體材料在交變應(yīng)力作用下，產(chǎn)生伸縮變形的效應(yīng)稱為逆 壓電效應(yīng)。壓電晶體具有壓電效應(yīng)的材料稱為壓電晶體材料。衡量壓電晶體材料的 材料性能的主要參數(shù)物理意義壓電應(yīng)變常數(shù)表示在壓電晶體上施加單位電壓 時所產(chǎn)生的應(yīng)變大小壓電材料的居里溫度超過一定溫度壓電效應(yīng)就會消失。 使壓電材料的壓電效應(yīng)消失的溫度。超聲波探頭的分類波型不同分：縱波 xx 表面波耦合方式分：接觸式探頭液（水）浸探頭波束分：聚焦非聚焦晶片數(shù)分：單晶雙晶縱波直探頭主要結(jié)構(gòu)各部分的主要作用壓電晶片發(fā)射和接收超聲波，實 現(xiàn)電聲轉(zhuǎn)換。保護膜保護壓電晶片不致磨損和損壞。吸

4、收塊對壓電晶片的振動起阻尼作用，吸收晶片背面的雜波提高信噪比，支承晶片，外殼將各部分組合在一起。 橫波斜探頭主要結(jié)構(gòu)各部分的主要作用直探頭和透聲斜楔實現(xiàn)波型轉(zhuǎn)換。試塊按一定用途設(shè)計制作的具有簡單幾何形狀人工反射體的試樣。作用：確定探傷靈敏度測試儀器和探頭的性能調(diào)整掃描速度評判缺陷 大小。試塊的分類按試塊來歷分： 標準試塊參考試塊按試塊上人工反射體分： 平底孔試塊橫孔試塊槽常用試塊一IIW、IIW2、 CSKIA、半圓試塊、CSK-IIA、CSK-IIIA 試塊。IIW2 試塊主要用途：測定斜探頭入射點：利用R25與R50圓弧反射面測；測定斜探頭的折射角：利用4 5橫孔測；測定儀器水平、垂直線性

5、和動態(tài)范圍：利用厚度12.5 測；調(diào)整探測范圍和掃描速度：縱波直探頭用12.5底面多次反射調(diào)，橫波斜探頭用R25和R50測儀器和探頭的組合靈 敏度：利用0 5或R50圓弧面測。IIW 試塊主要用途：調(diào)整縱波探測范圍和掃描速度（時基線比例）：利用試塊上25或100測。測儀器的水平線性、垂直線性和動態(tài)范圍：利用試塊上25或100測。測直探頭和儀器的分辨力：利用試塊上85、91 和 100 測。測直探頭和儀器組合后的穿透能力：利用0 50有機玻璃塊底面的多次反射波測。測直探頭和儀器的盲區(qū)范圍：利用試塊上0 50有機玻璃圓弧面和側(cè)面間距5和10測。測斜探頭的入射點：利用試塊上R100圓弧面測。測斜探頭

6、的折射角：在 35-76。用0 50 孔測，74-80用01.5xx.測斜探頭和儀器的靈敏度余量：利用試塊上R100或01.5 測9調(diào)整xx探測范圍和掃描速度：由于縱波聲程91 相當于橫波聲程50，因此可以利用試塊上 91 來調(diào)整橫波 的探測范圍和掃描速度。例如橫波 1： 1，先用直探頭對準91 底面，使底波B1、B2 分別對準50、100。然后換上橫波探頭并對準R100圓弧面，找到最高回波，并調(diào)至 100 即可。10.測斜探頭聲束軸線的偏離：利用試塊的直角棱邊測。IIW 試塊和 CSKIA 試塊三點改進-1。將直孔050、 044、 0 40 臺階孔，以便于測定橫孔斜探頭的分辨力.2.將R1

7、00改為R100R50階梯圓弧，以便于調(diào)整橫波掃描速度和探測范 圍。3將試塊上標定的折射角改為K值(K=tgBs)從而直接測出橫波斜探頭的K 值。 CSKIA 試塊其它功能同 IIW 試塊，材質(zhì)同工件。超聲波探傷儀和探頭的主要性能指標-垂直線性測試步驟：-1.0 衰減保留 30dB;2直探頭IIW試塊上對準25底面用壓塊恒定壓力。3.調(diào)節(jié)儀器使試塊上某次底波位于示波屏的中間，并達滿幅100%，但不飽 和，作為 0dB。4固定（增益）和其它按鈕，調(diào)（衰減器）每次衰減2dB記下相應(yīng)的波高H1直到 底波消失。計算垂直線性誤差D=（| d1| +| d2| ）%.A型脈沖反射式超聲波探傷 儀通用技術(shù)條

8、件ZBY230-84規(guī)定儀器垂直線性誤差D8%o水平線性測試步驟：直探頭置于IIW試塊上，對準25mm厚的大平底面。調(diào)（微調(diào)）（水平）（脈沖移 位），使示波屏上出現(xiàn)5次波B1-B5, B1前沿對準2.0，B510.0,水平線性誤差5=| amax| /0.8bx100%ZBY230-84規(guī)定水平線性誤差不小于3N）材質(zhì)衰減系數(shù)-可根椐第一、二次底波的高度來測試衰 減系數(shù)。介質(zhì)的衰減系數(shù)a=20lgB1/B2-6-6/2X;B1B2第一、二次底波的高度；6-擴散 衰減引起的分貝差；6-反射損失。超聲波介質(zhì)衰減系數(shù)有關(guān)的因素-衰減系數(shù)只考慮了介質(zhì)的散射和吸收衰 減，未涉及擴散衰減。對于金屬材料等固

9、體介質(zhì)而言，介質(zhì)衰減系數(shù)等于散射 衰減系數(shù)和吸收衰減系數(shù)之和。介質(zhì)的吸收衰減與頻率成正比。介質(zhì)的散射衰減與（聲波頻率f）（介質(zhì)的晶粒 直徑d）（各項異性系數(shù)F）有關(guān)，當d 56，即K1.5 時探傷靈敏度較低，容易引起漏檢。超聲波傾斜入射到界面的聲壓反射率和透射率（折射率）與哪些因素有關(guān)-第 一、二介質(zhì)中的縱、橫波波速；縱波入射角、反射角；縱波橫波折射角。橫波 反射角。第一臨界角-a I二arcsinCI1/CL2 ;當縱波入射角aL/縱波折射角BL;當CL2 CI1, PLaL,隨著aL增加，仇也增加，當aL增加到一定程度時，仇=90，這時所 對應(yīng)的縱波入射角稱為第一臨界角。第二臨界角-a口二

10、arcsinCL1/CS2；當縱波入射角aL/橫波折射角P s ;當 CS2CL1，P s aL,隨著aL增加，P s也增加，當aL增加到一定程度時，P s =90，這時所對應(yīng)的縱波入射角稱為第二臨界角。定義1由aLVa I時，第二介質(zhì)中即有折射縱波又有折射橫波。2當aL = aI-a口之間時，第二介質(zhì)中只有折射橫波，沒有折射縱波，這就 是常用橫波探頭的制做原理。3當aL a I時，第二介質(zhì)中既無折射縱波，又無折射橫波，這時在其介質(zhì) 的表面存在表面波，這就是常用表面波探頭的制做原理。波形轉(zhuǎn)換-當超聲波傾斜入射到界面時，除產(chǎn)生同種類型的反射波和折射波 外，還會產(chǎn)生不同類型的反射波和折射波，這種現(xiàn)象稱為波形轉(zhuǎn)換。聲壓往復(fù)透射率-超聲波傾斜入射，折射波全反射，探頭接收到的回波聲壓 Pa 與入射波聲壓 p0 之比稱為聲壓往復(fù)透射率。常用 T 表示聲壓反射率和透射率-入射波聲壓P0反射波為Pr透射波聲壓為Pt反射波為 Pr 與入射