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文檔簡介
1、配合物的電子吸收光譜1分子光譜的產生 EM = E0 + Em + Ee + Ev + Er 分子的能量零點能 平移能 相對原子核運動的能量 分子間的振動能 分子內轉動能 與光譜有關的能量2電子-振動-轉動光譜3分子光譜分子光譜 電子光譜(紫外光譜):遠紫外、紫外及可見區(qū),Ec、Ev和Er都改變 振動光譜(近紅外光譜):近紅外區(qū),Ev和Er改變轉動光譜 (遠紅外光譜):在遠紅外區(qū),Er改變 (微波譜):微波區(qū),Er改變45過渡金屬配合物的電子光譜兩個顯著的特點為帶狀光譜。這是因為電子躍遷時伴隨有不同振動精細結構能級間的躍遷之故在可見光區(qū)有吸收, 但強度不大。但在紫外區(qū), 常有強度很大的配位體內
2、部吸收帶。稱為紫外-可見(UV-vis)光譜67過渡金屬配合物電子光譜的分類根據(jù)電子躍遷的機理分為三種d 軌道在配位場中的能級分裂即配位場光譜(電子光譜的基礎和來源)配位體至金屬離子或金屬離子至配位體之間的電荷遷移光譜(charge transfer, CT光譜)配體內部的電子轉移光譜8配位體內部的光譜包括以下三種類型n* 躍遷。水、醇、胺、鹵化物等n* 躍遷。含羰基的醛和酮類分子* 躍遷。含雙鍵、叁鍵的有機分子配體內部的電子光譜sp *s *RKE,BnpE出現(xiàn)在紫外區(qū), 吸收強度大9電荷遷移光譜電荷遷移光譜也常簡稱為荷移光譜, 特點是吸收強度大躍遷能量高, 常出現(xiàn)在紫外區(qū)10配體到金屬的荷
3、移(還原遷移)(LM)金屬對配體的荷移(氧化遷移) (ML)金屬到金屬的荷移(MM)電荷遷移光譜11LM 躍遷ML6n為例,1*(t2g) 2*(eg)3*(t2g) 4*(eg)每一個躍遷都表明電荷由一個主要具有配體性質的軌道遷移到一個主要具有金屬性質的軌道中去,相當于金屬被還原,配體被氧化12LM 躍遷金屬離子越容易被還原(或金屬的氧化性越強)和配體越容易被氧化(或配體的還原性越強), 則這種躍遷的能量越低, 躍遷越容易, 產生的荷移光譜的波長越長, 觀察到的顏色越深13F、Cl、Br、I所形成的配合物中, 配體還原性依次增強,碘化物顏色最深LM 躍遷NH3Co(NH3)5X2+離子的光譜
4、20000 30000 40000 cm1金屬含氧酸的顏色 VO43 CrO42 MnO4 顯示 無色 黃色 紫色 吸收 紫外 紫色 黃色金屬還原譜帶, 電荷 d的能量14ML 躍遷這類光譜發(fā)生在金屬很容易被氧化, 配體又容易被還原(低氧化態(tài)金屬離子和不飽和配體)的配合物中金屬離子具有充滿的或接近充滿t2g軌道, 而配體具有最低空軌道, 例如: py, phen, bipy, CN-, CO, NO等配體15MM 躍遷 這種光譜出現(xiàn)在一種金屬離子以不同價態(tài)同時存在于一個體系的時候, 這時在不同價態(tài)之間常發(fā)生電荷的遷移。 MmMn (nm) 如, 普魯氏藍KFe()Fe()(CN)6的Fe()F
5、e()的電荷遷移, 鉬藍中的Mo()Mo()的遷移。16配位場光譜配位場光譜是指配合物中心離子的電子光譜。由d電子在d電子組態(tài)衍生出來的能級間躍遷產生的, 所以又稱為dd躍遷光譜或電子光譜這種光譜有以下三個特點一般包含一個或多個吸收強度比較弱, 這是因為dd躍遷是光譜選律所禁阻躍遷能量較小, 一般出現(xiàn)在可見區(qū), 所以許多過渡金屬配合物都有顏色17自由離子的光譜項d-d躍遷能級分裂一個d電子的金屬離子的配合物,如Ti3+的水合離子多個d電子的金屬離子的配合物d電子間相互作用配位場強場處理弱場處理無電子相互作用有電子相互作用有自旋軌道偶合有配體存在組態(tài)光譜項光譜支項配位場譜項18自由離子的能態(tài)組態(tài)
6、:無磁場作用下的電子狀態(tài),用n, l, m表示微觀狀態(tài):原子在磁場作用下的運動狀態(tài),用n, l, m, s, ms描述價電子軌道上電子的排布方式原子的能態(tài)光譜項:各個電子所處的軌道和自旋狀態(tài)的總和 + 電子間的相互作用,軌道運動和自旋運動相互作用,由原子的量子數(shù)L, S, J描述19自由離子的能態(tài)20多電子原子的能態(tài)光譜項的推求L-S偶合:適用于電子之間的軌道角動量和自旋角動量相互作用強于每個電子自身軌道角動量與自旋角動量相互作用的情況。這種偶合方式一般適用于原子序數(shù)小于30的輕元素 S = si L = li J = L + Sj-j 偶合:適用于每個電子自身的軌道角動量和自旋角動量相互作用
7、強于電子之間軌道角動量和自旋角動量相互作用的情況。這種偶合方式一般用于原子序數(shù)大于30的較重的元素。這種情況下,應首先將每個電子的l和s偶合起來求出j,然后把每個電子的j偶合起來得J j = l + s,l + s -1, l - s,Jj 21一組N個電子的總自旋量子數(shù)S是由每一個電子的自旋量子數(shù)s的向量和得到的,即S = si (si向量值為1/2,S取值為n/2, n/2-1, n/2-2, , 0) S在Z軸上的分量為(令磁場方向與Z軸重合)MS S,即MS = S,S-1,S-2, -S (2S+1)個電子自旋偶合(s-s偶合)22軌道角動量的偶合(l-l偶合)單個電子的軌道運動的角
8、量子數(shù)l按向量加和起來,就可以得到一組電子的總軌道角量子數(shù)L。由于向量l相對的可能取向有幾個,故可得幾個向量和,即幾個L值。即 L = liL在Z軸上的分量為(令磁場方向與Z軸重合) ML L,即ML = L,L-1,L-2,-L23兩個p電子(l1 = l2 = 1) 的軌道角動量偶合若是兩個d電子,l1 = l2 = 2,L的可能值是4,3,2,1和0對于兩個電子,L的取值為l1+l2, l1+l2-1, , l1-l2 24一個d電子和一個p電子偶合(l1=2, l2=1)3個電子的體系,先將兩個合成,再將結果與第三個合成。如3個p電子,L可取值為3,2,1,025L-S偶合 總角動量J
9、單電子的L-S偶合一個電子的總角動量是它的自旋和軌道角動量的向量和,用來計算總角動量的總角量子數(shù)用j表示,其可能的值為 j = l+s。因s的向量只有兩個,為1/2,所以當l =0時,j的值為1/2,當l的值為1時,j的值有3/2和1/2,余此類推。 262p1組態(tài),s = , l = 1, J =3/2, 1/227多電子的LS偶合 多電子原子中一組N個電子的總角量子數(shù)J是來自電子的總軌道角量子數(shù)L和總自旋量子數(shù)S的向量和,即 當LS時,J有L+S、L+S-1、L+S-2L-S,共2S+1個數(shù)值 當LL時, J共有2L1個。如 3F, L3, S1;S L J31, , 31 即J:4, 3
10、, 2 3F 3F4 3F3 3F2 38自由離子基譜項同一電子組態(tài)中能量最低的光譜項稱為基譜項, 基譜項可根據(jù)洪特規(guī)則、鮑林不相容原理和能量最低原理來確定:具有最高的自旋多重態(tài), 即S最大的譜項當S相同時, L最大的譜項根據(jù)這種原則, 我們直接可以寫出基譜項, 方法是盡可能在每條軌道上都安置一個電子, 以確保S最大盡可能將電子安排在角量子數(shù)最大的那些軌道, 以確保L最大計算ML和MS, 寫出譜項符號4F 如 d3 ml = 2 1 0 1 2 ML2103 L3 譜項字母為 F MS31/23/2 2S143940對于同一光譜項包括的不同光譜支項的能級高低, 根據(jù)洪特規(guī)則確定能量最低的光譜支
11、項: 當組態(tài)的電子數(shù)少于殼層半充滿時以J值小的能級低; J =L-S 多于半滿時, 以J值大時的能級為低;J =L+S 半滿時, 由于L0, S必定L, J值有2L11個。如, 對于d2, 殼層電子數(shù)少于半充滿,故 3F4 3F3 3F2 41d2組態(tài)在不同條件下的能級分裂圖42配位場譜項 如果一個dn電子組態(tài)的離子處于一個配位場之中, 自由離子的光譜項在配位體電場作用下發(fā)生進一步分裂,分裂后產生的新能級稱為配位場譜項。dn組態(tài)的光譜項在不同配位場中的分裂(特征標)光譜項 OhTd D4hSPDFGHI A1gT1gEg, T2gA2g , T1g, T2gA1g , Eg, T1g , T2
12、gEg, 2T1g , T2g, A1g , A2g, Eg, T1g , 2T2g A1T1E, T2A2 , T1, T2A1 , E, T1 ,T2E, 2T1 , T2A1 , A2, E, T1 , 2T2 A1gA2g, Eg A1g , B1g , B2g , EgA2g, B1g, B2g , 2Eg 2A1g , A2g , B1g , B2g , 2EgA1g , 2A2g , B1g , B2g , 3Eg2A1g, A2g, 2B1g, 2B2g , 3Eg 43d2電子組態(tài)的能級分裂情況 弱場方案d2組態(tài)的電子相互作用下分裂為五個能級: 1S1G3P1D3F, 且這些
13、光譜項在八面體配位場(特征標表)中變?yōu)?1S1A1g1G1A1g, 1T1g, 1Eg, 1T2g3P3T1g1D1Eg, 1T2g3F3A1g, 3T2g, 3T1g44dn組態(tài)的金屬離子,其電子在t2g和eg軌道上有多種分布方式,分別稱為亞態(tài)。表中dn組態(tài)與d10-n組態(tài)的亞態(tài)數(shù)目相同,可由空穴理論解釋d2電子組態(tài)的能級分裂情況 強場方案45第二步再考慮由于電子的相互作用使得這些亞態(tài)進一步分裂為新的譜項。這些譜項的種類取決于單電子表示的直積。 下標g或u,按照以下規(guī)則確定:g x g = u x u = g; u x g = g x u = u由直積表可以確定在強場情況下不同的電子組態(tài)可以
14、分裂為哪些譜項。46強場方案 例如, d2組態(tài)的離子在八面體強場作用下有三種可能的組態(tài): d2第二激發(fā)態(tài)(eg2)第一激發(fā)態(tài)(t2g1eg1)基態(tài)(t2g2) 這三種組態(tài)中的電子間產生相互作用而引起分裂(如左圖): t2g2 1A1g 1Eg 1T2g 3T1g t2g1eg1 1T1g1T2g3T1g3T2g eg2 1A1g 1Eg 3A2g兩種方法應該得到相同的結果。47 光譜選律 譜帶寬度自旋選律, 也稱多重性選擇 多重性(2S1)相同譜項間的躍遷是允許的躍遷, 多重性不同譜項間的躍遷是禁止的躍遷。即S0是允許躍遷, S0為躍遷禁止。這是因為S0意味著電子躍遷不改變自旋狀態(tài);而S0,
15、則要改變電子的自旋狀態(tài), 必須供給更多的能量(交換能), 因而是不穩(wěn)定的狀態(tài)。軌道選律, 又稱Laporte選律, 對稱性選律或宇稱選擇 如果分子有對稱中心, 則允許的躍遷是gu或ug, 而禁阻的躍遷是gg或uu。由于角量子數(shù)l為偶數(shù)的軌道具有g對稱性, 而角量子數(shù)為奇數(shù)的軌道具有u對稱性, 故從對稱性的角度來說, l=1, 3的軌道之間的躍遷是允許的, 而l=0, 2, 4是禁阻的。強度:電子從一個能級躍遷到另一個能級必須遵守一定的規(guī)律, 這種規(guī)律稱為光譜選律。光譜選律有兩條:48光譜選律小結:自旋選律 (Spin selection rule), 自旋多重態(tài)(2S+1)相同的能級之間的躍遷
16、為允許躍遷 單重態(tài) 不能躍遷為三重態(tài) 2. 宇稱選律 (Laporte selection rule) g(偶) u(奇) 允許躍遷 d-f , d-p為宇稱允許躍遷 g u d-d 躍遷為宇稱禁阻躍遷 g g 49上述兩條光譜選律, 以自旋選律對光譜的強度影響最大, 其次是軌道選律。如果嚴格按照這兩條選律, 將看不到過渡金屬dd躍遷, 當然也就看不到過渡金屬離子的顏色, 因為dd躍遷是軌道選律所禁阻的。但事實卻相反, 過渡金屬離子有豐富多彩的顏色, 這是因為上述禁阻往往由于某種原因而使禁阻被部分解除之故。這種禁阻的部分解除稱為“松動”。自旋選律松動:自旋角動量和軌道角動量偶合。在多電子體系中
17、, 由于自旋軌道偶合而使自旋禁阻得到部分開放。宇稱選律松動:配位場畸變, 或配體結構的不對稱性;配合物發(fā)生不對稱振動。如由于某些振動使配合物的對稱中心遭到了破壞, d軌道和p軌道的部分混合使L不嚴格等于0等都可使軌道選律的禁阻狀態(tài)遭部分解除。然而, 雖然上述禁阻被部分解除, 但畢竟dd躍遷是屬于對稱性選律所禁阻的, 所以dd躍遷光譜的強度都不大。50dd躍遷吸收峰的半寬度由于振動將使得配體金屬之間的鍵長不停地變化, 從而分裂能將隨鍵長的增加而減小。而分裂能的變化將導致配位場譜項之間的能量間隔發(fā)生變化, 并維持在一定的范圍。JanhTaller效應導致軌道能級進一步分裂, 這種分裂常使吸收峰譜帶
18、加寬。旋軌偶合使譜項進一步分裂, 從而使譜帶加寬。所以 dd躍遷吸收峰的半寬度都較大, dd躍遷光譜都是帶狀光譜。51能級圖 弱場方法dd躍遷吸收譜d1構型金屬離子的簡單能級圖d1組態(tài)只產生2D譜項,在八面體場中分裂為2T2g和2Eg兩個能級。兩個能級間隔即配體場分裂能,其值大小決定于配位場強度。52d9構型金屬離子的簡單能級圖d9構型的離子,是在能量較高的eg軌道中有一個空穴,一個電子的躍遷可看作一個空穴(“正電子”)從Eg轉移到T2g軌道。 d9離子的能級圖是一個倒轉的d1離子能級圖示53Orgel能級圖(弱場方法)d1、d4、d6、d9組態(tài)在八面體弱場和四面體場中的Orgel譜項分裂能級
19、圖。為什么可以把d1、d4、d6、d9組態(tài)放到一張圖中?54d0、d5、d10 在八面體弱場和四面體場中都是球形對稱的, 其靜電行為相同, 穩(wěn)定化能均為0;而d6可認為是在d5上增加1個電子, 尤如從d0上增加1個電子成d1一樣, 因而d1和d6的靜電行為應該相同;d4和d9, 可認為是在d5和d10狀態(tài)上出現(xiàn)了一個空穴, 因而d4和d9的靜電行為也應相同。一個空穴相當于一個正電子, 其靜電行為正好與一個電子的靜電行為相反。因此可以預期d4與d6、d1與d9 、d1與d4、d6與d9的靜電行為都應該相反。而且, d1、d9、d4、d6都具有相同的基譜項D。55八面體場d軌道分裂為eg和t2g,
20、 同樣D譜項也能分裂為Eg和T2g對d1和d6, 其能量關系是EgT2gd4和d9與d1和d6的靜電行為相反, 其能量關系是EgT2g四面體場能級次序正好與八面體場相反:因而有et2 和 ET2可以參照d軌道的對稱性來理解D譜項:56 用圖形來表示, 以縱坐標代表譜項的能量, 橫坐標代表配位場分裂能,于是就得了d1、d9、d4、d6組態(tài)在配位場中的Orgel圖, 其中d1與d4、d6與d9互為倒反, 八面體場和四面體場互為倒反。相 同 同 相 相反 相反 相反 相反 Tdd1、d6 Tdd4、d9 Ohd1、d6 Ohd4、d9 0DqDqD6 Dq4 DqET2d1,d6 Td d1,d6
21、Oh d4,d9 Oh d4,d9 Td 57其他組態(tài)的能級圖要比d1組態(tài)要復雜, 這是因為除配位場影響外, 還有電子之間的排斥作用。由于d2、d8、d3、d7的基譜項均為F,與 F有相同自旋多重態(tài)的譜項為P, 二者的能量差為15B。相 同 同 相 相反 相反 相反 相反 Tdd2、d7 Tdd3、d8 Ohd3、d8 Ohd2、d7 按照d1、d9、d4、d6的思想, d2與d7, d3與d8的靜電行為相同, d3與d2、 d3與d7、d2與d8、d7與d8的靜電行為都相反;同樣地, 四面體場與八面體場的行為也相反。所以d2、d8、d3、d7也可用同一張Orgel圖來表示。58Orgel圖簡
22、單方便, 但是有局限:不能用于強場配合物, 它只適用于弱場、高自旋的情況, 而在強場情況下的譜項能量的變化在圖上未反映。缺乏定量準確性, 哪怕是同一電子組態(tài)的離子, 不同的配體就要用不同的Orgel圖, 因而特別不方便。這是因為它的譜項能量和分裂能都是以絕對單位表示的, 不同的中心離子和不同的配體有不同的譜項能量和分裂能。59TS(TanabeSugano)圖TS圖與Orgel圖的區(qū)別主要有3點:TS圖既有高自旋, 也有低自旋的譜項(d2、d3、d8 只有一種排布;d4、d5、d6、d7有高、低自旋的區(qū)別;d1、d9只有一個電子或一個空穴, 無電子或空穴之間的相互作用, 故無TS圖);有自旋多
23、重度相同的譜項, 也畫出了自旋多重度不相同的譜項。TS圖用基譜項作為橫坐標并取作能量的零點, 其余譜項的能級都是相對于它而畫出的。相同組態(tài)的離子可以應用同一張光譜項圖。因為TS圖是以譜項能同拉卡參數(shù)B(電子排斥)的比值作縱坐標, 以分裂能對拉卡參數(shù)B的比值作橫坐標而作出的。60T-S圖 中的光譜項能級和配位場強度的關系圖E/BO/BO/BE/BHSLSd2, d3, d8 自旋無變化d4, d5, d6 , d7, 自旋有變化 基態(tài)激發(fā)態(tài)61d2d462 d6電子組態(tài)有高、低自旋的差別, 所以它的TS圖由兩部分組成, 左邊為高自旋的能級次序, 右邊是低自旋的能級次序, 高低自旋的轉變出現(xiàn)在o/
24、B=20處。由于d8不存在高低自旋之分, 所以它的TS圖只由一個象限組成.d6 d863第一過渡系金屬配合物的dd光譜 根據(jù)Orgel圖及TS圖可以預計第一過渡系金屬配合物的dd光譜(或配位場光譜,或電子光譜): d9組態(tài)為單空穴離子。在八面體配合物中只有一個吸收帶,相應于2Eg到2T2g。躍遷的能量就是o值。然而,Cu2的配合物通?;?yōu)槔L了的八面體。由于畸變及自旋軌道偶合作用的結果,使得單一的吸收帶變得很寬。2Eg 2T2gCu(H2O)62d9d1 d1組態(tài)的八面體配合物只有一個吸收帶,相應于2T2g2Eg。有時因d1的不對稱排布將產生JahnTeller效應而使吸收帶上產生一個肩峰,
25、d1構型的四面體配合物很少。MnO42的綠色來源于OMn的電荷遷移。 64d2組態(tài)的八面體配合物的三個自旋允許的吸收光譜帶相應于3T1g到3T2g(F)、3T1g(P)、3A2g(圖中未示出)的躍遷。d7組態(tài)的低自旋很少見,其八面體配合物Orgel圖及F、P譜項的TS圖都與d2組態(tài)相同,吸收光譜相應于4T1g(F)到4T2g、 4A2g和 4T1g(P)的躍遷。其四面體配合物的吸收帶通常比相應的八面體配合物吸收要強。從Orgel圖預言它應有三個躍遷,分別屬于4A2到4T2、4T1(F)和4T1(P)。4A2g4T1g(P)4T2g3T1g(P)3T2gM(H2O)62八面體配合物的光譜圖65d
26、8組態(tài)的八面體配合物應有三個吸收帶,相應于3A2g到3T2g(F)、3T1g(F) 和3T1g(P)的躍遷。亮綠色六水合鎳()離子中的水部分或全部被氨(或胺)取代之后成為藍色或紫色,這是由于水被光譜化學序中較強場一端的其它配體取代之后吸收帶要發(fā)生位移之故。 d8組態(tài)的大多數(shù)配位數(shù)為四的Ni()配合物選擇正方形構型,在正方形場中dx2y2軌道的能量特別高,八個電子占據(jù)其它四條d軌道,因而Ni()正方形配合物是反磁性的。由于在450600 nm范圍內有中等強度的吸收帶,故正方形配合物常顯紅、黃或棕色。鮮紅色沉淀二丁二酮肟合鎳()就是典型的例子。d3組態(tài)的八面體配合物的三個自旋允許的躍遷是由4A2g
27、到4T1g(F)、4T2g和4T1g(P)。但4A2g到4T1g(P)常在靠近紫外區(qū)出現(xiàn)而被配體的吸收所掩蓋。d3組態(tài)的四面體配合物很少。4T1g(F)4T2g3T1g(P)3T1g(F)3T2g(F)66 d4組態(tài)的八面體中既可有t2g3eg1的電子排布,又可有t2g4eg0的排布。磁性研究表明,除Cr(CN)64和Mn(CN)63外,其余配合物差不多都是高自旋的。高自旋的d4組態(tài)離子具有唯一的五重態(tài)譜項5D,所以其高自旋八面體配合物只可能產生一個自旋允許的吸收帶。但常因JahnTeller效應而造成分裂。低自旋的配合物的光譜相應于相應于3T1g到3Eg(H)、3T2g(H)、3A1g(F)
28、和3A2g(G)的躍遷。 5Eg 5T2gCr(H2O)62 d467 大多數(shù)M2的d6電子構型配合物都是高自旋的,除非配體的場特別強(如CN、phen)。與此相反,M3的配合物大多是低自旋的,除非配體的場特別弱(如F,H2O)。而Ni()甚至與最弱場的配體也形成低自旋配合物,例如,NiF62配離子中就不具有單電子。 高自旋d6組態(tài)八面體配合物與d4一樣只有一個五重態(tài)5D譜項,只有一個自旋允許的吸收帶(因JahnTeller效應會產生分裂)。低自旋的八面體配合物的自旋允許的躍遷是1A1g到1T1g和1T2g。其它單重態(tài)的躍遷能量太高,不易觀察到。 Fe(H2O)6225000 10000 15
29、000 cm15Egd668 對于高自旋的構型,d5組態(tài)只有一個六重譜項6A1g,無自旋允許的躍遷,F(xiàn)e3和Mn2離子的顏色都很淡。說明其中的躍遷為自旋禁阻躍遷,強度很小。在Mn(H2O)62的吸收光譜中,對應的躍遷是6A1g到4T1g(G)、4T2g(G)、4A1g(G)、4Eg(G)、4T2g(D)、4Eg(D)。4T1g(G)4T2g(G)4T2g(D)4A1g(G)4Eg(G)4Eg(D)d5d0和d10構型不產生dd躍遷光譜,其顏色均由荷移產生。69電子光譜對配合物結構研究的意義求算晶體場分裂能d1、d4、d6、d9構型的金屬離子配合物,光譜圖只有一個吸收峰,分裂能可由最大吸收波長計
30、算d2、d3、d7、d8 構型的金屬離子配合物,光譜圖上有三個吸收峰八面體中的d3、d8和四面體中的d2、d7構型的金屬離子配合物,分裂能相當于最大波長的吸收峰所對應的波數(shù)八面體中的d2、d7和四面體中的d3、d8構型的金屬離子配合物,分裂能由最小波長吸收峰和最大波長吸收峰的波數(shù)差計算判斷配合物的空間構型及順反異構體種類由于四面體配合物沒有對稱中心,發(fā)生d-d躍遷時,對光的吸收比八面體配合物強,這就為判斷配合物的空間構型體供了重要信息。 同時可區(qū)分配合物的順反異構體。因為順式配合物沒有對稱中心,發(fā)生d-d躍遷時對光的吸收大于反式配合物。 70dd躍遷產生的吸收的能量 例1, Cr(H2O)63在可見光區(qū)有三個吸收峰117400cm1 ( 13), 224600 cm1(15), 337800cm1(14,因被靠近紫外區(qū)出現(xiàn)的配體的吸收所掩蓋故圖中未示出), 指派各躍遷, 計算Dq、B 和彎曲系數(shù)C。 解:由于在配離子Cr(H2O)63中,Cr3,d3組態(tài),八面體,H2O為弱場配位體,可使用d3組態(tài)Oh場的Orgel圖, 其
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