從電源芯片的內(nèi)部設(shè)計(jì)看各個(gè)功能是怎么實(shí)現(xiàn)的

1、【W(wǎng)ord版本下載可任意編輯】 從電源芯片的內(nèi)部設(shè)計(jì)，看各個(gè)功能是怎么實(shí)現(xiàn)的 自然經(jīng)常與各種芯片打交道，可能有的工程師對(duì)芯片的內(nèi)部并不是很了解，不少同學(xué)在應(yīng)用新的芯片時(shí)直接翻到Datasheet的應(yīng)用頁(yè)面，按照推薦設(shè)計(jì)搭建外圍完事。如此一來(lái)即使應(yīng)用沒(méi)有問(wèn)題，卻也忽略了更多的技術(shù)細(xì)節(jié)，對(duì)于自身的技術(shù)成長(zhǎng)并沒(méi)有積累到更好的經(jīng)驗(yàn)。今天以一顆DC/DC降壓電源芯片LM2675為例，盡量詳細(xì)講解下一顆芯片的內(nèi)部設(shè)計(jì)原理和構(gòu)造，IC行業(yè)的同學(xué)隨便看看就好，歡迎指教! LM2675-5.0的典型應(yīng)用電路 打開(kāi)LM2675的DataSheet，首先看看框圖 這個(gè)圖包含了電源芯片的內(nèi)部全部單元模塊，BUCK構(gòu)造

2、我們已經(jīng)很理解了，這個(gè)芯片的主要功能是實(shí)現(xiàn)對(duì)MOS管的驅(qū)動(dòng)，并通過(guò)FB腳檢測(cè)輸出狀態(tài)來(lái)形成環(huán)路控制PWM驅(qū)動(dòng)功率MOS管，實(shí)現(xiàn)穩(wěn)壓或者恒流輸出。這是一個(gè)非同步模式電源，即續(xù)流器件為外部二極管，而不是內(nèi)部MOS管。 下面咱們一起來(lái)分析各個(gè)功能是怎么實(shí)現(xiàn)的 一、基準(zhǔn)電壓 類(lèi)似于板級(jí)電路設(shè)計(jì)的基準(zhǔn)電源，芯片內(nèi)部基準(zhǔn)電壓為芯片其他電路提供穩(wěn)定的參考電壓。這個(gè)基準(zhǔn)電壓要求高精度、穩(wěn)定性好、溫漂小。芯片內(nèi)部的參考電壓又被稱(chēng)為帶隙基準(zhǔn)電壓，因?yàn)檫@個(gè)電壓值和硅的帶隙電壓相近，因此被稱(chēng)為帶隙基準(zhǔn)。這個(gè)值為1.2V左右，如下列圖的一種構(gòu)造： 這里要回到課本講公式，PN結(jié)的電流和電壓公式： 可以看出是指數(shù)關(guān)系，Is

3、是反向飽和漏電流(即PN結(jié)因?yàn)樯僮悠圃斐傻穆╇娏?。這個(gè)電流和PN結(jié)的面積成正比!即Is-S。 如此就可以推導(dǎo)出Vbe=VT*ln(Ic/Is) ! 回到上圖，由運(yùn)放分析VX=VY，那么就是I1*R1+Vbe1=Vbe2，這樣可得：I1=Vbe/R1，而且因?yàn)镸3和M4的柵極電壓相同，因此電流I1=I2，所以推導(dǎo)出公式：I1=I2=VT*ln(N/R1) N是Q1 Q2的PN結(jié)面積之比! 回到上圖，由運(yùn)放分析VX=VY，那么就是I1*R1+Vbe1=Vbe2，這樣可得：I1=Vbe/R1，而且因?yàn)镸3和M4的柵極電壓相同，因此電流I1=I2，所以推導(dǎo)出公式：I1=I2=VT*ln(N/R1)

4、 N是Q1 Q2的PN結(jié)面積之比! 這樣我們得到基準(zhǔn)Vref=I2*R2+Vbe2，關(guān)鍵點(diǎn)：I1是正溫度系數(shù)的，而Vbe是負(fù)溫度系數(shù)的，再通過(guò)N值調(diào)節(jié)一下，可是實(shí)現(xiàn)很好的溫度補(bǔ)償!得到穩(wěn)定的基準(zhǔn)電壓。N一般業(yè)界按照8設(shè)計(jì)，要想實(shí)現(xiàn)零溫度系 數(shù)，根據(jù)公式推算出Vref=Vbe2+17.2*VT，所以大概在1.2V左右的，目前在低壓領(lǐng)域可以實(shí)現(xiàn)小于1V的基準(zhǔn)，而且除了溫度系數(shù)還有電源紋波抑制PSRR等問(wèn)題，限于水平?jīng)]法深入了。的簡(jiǎn)圖就是這樣，運(yùn)放的設(shè)計(jì)當(dāng)然也非常講究： 如圖溫度特性仿真： 二、振蕩器OSC和PWM 我們知道開(kāi)關(guān)電源的基本原理是利用PWM方波來(lái)驅(qū)動(dòng)功率MOS管，那么自然需要產(chǎn)生振蕩的

5、模塊，原理很簡(jiǎn)單，就是利用電容的充放電形成鋸齒波和比較器來(lái)生成占空比可調(diào)的方波。 詳細(xì)的電路設(shè)計(jì)圖是這樣的： 這里有個(gè)技術(shù)難點(diǎn)是在電流模式下的斜坡補(bǔ)償，針對(duì)的是占空比大于50%時(shí)為了穩(wěn)定斜坡，額外增加了補(bǔ)償斜坡，我也是粗淺了解，有興趣同學(xué)可詳細(xì)學(xué)習(xí)。 三、誤差放大器 誤差放大器的作用是為了保證輸出恒流或者恒壓，對(duì)反應(yīng)電壓開(kāi)展采樣處理。從而來(lái)調(diào)節(jié)驅(qū)動(dòng)MOS管的PWM，如簡(jiǎn)圖： 四、驅(qū)動(dòng)電路 的驅(qū)動(dòng)部分構(gòu)造很簡(jiǎn)單，就是很大面積的MOS管，電流能力強(qiáng)。 五、其他模塊電路 這里的其他模塊電路是為了保證芯片能夠正常和可靠的工作，雖然不是原理的，卻實(shí)實(shí)在在的在芯片的設(shè)計(jì)中占據(jù)重要位置。 具體說(shuō)來(lái)有幾種功能

6、： 1、啟動(dòng)模塊 啟動(dòng)模塊的作用自然是來(lái)啟動(dòng)芯片工作的，因?yàn)樯想娝查g有可能所有晶體管電流為0并維持不變，這樣沒(méi)法工作。啟動(dòng)電路的作用就是相當(dāng)于“點(diǎn)個(gè)火”，然后再關(guān)閉。如圖： 上電瞬間，S3自然是打開(kāi)的，然后S2打開(kāi)可以打開(kāi)M4 Q1等，就打開(kāi)了M1 M2，右邊恒流源電路正常工作，S1也打開(kāi)了，就把S2給關(guān)閉了，完成啟動(dòng)。如果沒(méi)有S1 S2 S3，瞬間所有晶體管電流為0。 2、過(guò)壓保護(hù)模塊OVP 很好理解，輸入電壓太高時(shí)，通過(guò)開(kāi)關(guān)管來(lái)關(guān)斷輸出，防止損壞，通過(guò)比較器可以設(shè)置一個(gè)保護(hù)點(diǎn)。 3、過(guò)溫保護(hù)模塊OTP 溫度保護(hù)是為了防止芯片異常高溫?fù)p壞，原理比較簡(jiǎn)單，利用晶體管的溫度特性然后通過(guò)比較器設(shè)置保護(hù)點(diǎn)來(lái)關(guān)斷輸出。 4、過(guò)流保護(hù)模塊OCP 在譬如輸出短路的情況下，通過(guò)檢測(cè)輸出電流來(lái)反應(yīng)控制輸出管的狀態(tài)，可以關(guān)斷或者限流。如圖的電流采樣，利用晶體管的電流和面積成正比來(lái)采樣，一般采樣管Q2的面積會(huì)是輸出管面積的千分之一，然后通過(guò)電壓比較器來(lái)控制MOS管的驅(qū)動(dòng)。 還有一些其他輔助模塊設(shè)計(jì)。 六、恒流源和電流鏡 在IC內(nèi)部，如何