芯片的制造過程

1、芯片集成電路技術(shù)知識(shí)交流-學(xué)習(xí)使人進(jìn)步芯片集成電路技術(shù)知識(shí)交流-學(xué)習(xí)使人進(jìn)步芯片集成電路技術(shù)知識(shí)交流-學(xué)習(xí)使人進(jìn)步芯片制造工藝流程芯片制作完整過程包括 芯片設(shè)計(jì)、晶片制作、封裝制作、成本測試等幾個(gè)環(huán)節(jié)，其中晶片片制作過程尤為的復(fù)雜。下面圖示讓我們共同來了解一下芯片制作的過程，尤其是晶片制作部分。 首先是芯片設(shè)計(jì)，根據(jù)設(shè)計(jì)的需求，生成的“圖樣” 1，芯片的原料晶圓 晶圓的成分是硅，硅是由石英沙所精練出來的，晶圓便是硅元素加以純化（99.999%），接著是將些純硅制成硅晶棒，成為制造集成電路的石英半導(dǎo)體的材料，將其切片就是 HYPERLINK http:/ t _blank 芯片制作具體需要的晶圓

2、。晶圓越薄，成產(chǎn)的成本越低，但對(duì)工藝就要求的越高。 2，晶圓涂膜晶圓涂膜能抵抗氧化以及耐溫能力，其材料為光阻的一種， 3，晶圓光刻顯影、蝕刻該過程使用了對(duì)紫外光敏感的化學(xué)物質(zhì)，即遇紫外光則變軟。通過控制遮光物的位置可以得到芯片的外形。在硅晶片涂上光致抗蝕劑，使得其遇紫外光就會(huì)溶解。這是可以用上第一份遮光物，使得紫外光直射的部分被溶解，這溶解部分接著可用溶劑將其沖走。這樣剩下的部分就與遮光物的形狀一樣了，而這效果正是我們所要的。這樣就得到我們所需要的二氧化硅層。 4、攙加雜質(zhì)將晶圓中植入離子，生成相應(yīng)的P、N類半導(dǎo)體。具體工藝是是從硅片上暴露的區(qū)域開始，放入化學(xué)離子混合液中。這一工藝將改變攙雜區(qū)

3、的導(dǎo)電方式，使每個(gè)晶體管可以通、斷、或攜帶數(shù)據(jù)。簡單的芯片可以只用一層，但復(fù)雜的芯片通常有很多層，這時(shí)候?qū)⑦@一流程不斷的重復(fù)，不同層可通過開啟窗口聯(lián)接起來。這一點(diǎn)類似所層PCB板的制作制作原理。 更為復(fù)雜的 HYPERLINK t _blank 芯片可能需要多個(gè)二氧化硅層，這時(shí)候通過重復(fù)光刻以及上面流程來實(shí)現(xiàn)，形成一個(gè)立體的結(jié)構(gòu)。 5、晶圓測試經(jīng)過上面的幾道工藝之后，晶圓上就形成了一個(gè)個(gè)格狀的晶粒。通過針測的方式對(duì)每個(gè)晶粒進(jìn)行電氣特性檢測。 一般每個(gè)芯片的擁有的晶粒數(shù)量是龐大的，組織一次針測試模式是非常復(fù)雜的過程，這要求了在生產(chǎn)的時(shí)候盡量是同等芯片規(guī)格構(gòu)造的型號(hào)的大批量的生產(chǎn)。數(shù)量越大相對(duì)成本

4、就會(huì)越低，這也是為什么主流 HYPERLINK t _blank 芯片器件造價(jià)低的一個(gè)因素。 6、封裝將制造完成晶圓固定，綁定引腳，按照需求去制作成各種不同的封裝形式，這就是同種芯片內(nèi)核可以有不同的封裝形式的原因。比如：DIP、QFP、PLCC、QFN 等等。這里主要是由用戶的應(yīng)用習(xí)慣、應(yīng)用環(huán)境、市場形式等外圍因素來決定的。 7、芯片制造的最后一道工序?yàn)闇y試，其又可分為一般測試和特殊測試，前者是將封裝后的芯片置于各種環(huán)境下測試其電氣特性，如消耗功率、運(yùn)行速度、耐壓度等。經(jīng)測試后的芯片，依其電氣特性劃分為不同等級(jí)。而特殊測試則是根據(jù)客戶特殊需求的技術(shù)參數(shù)，從相近參數(shù)規(guī)格、品種中拿出部分芯片，做有針對(duì)性的專門測試，看是否能滿足客戶的特殊需求，以決定是否須為客戶設(shè)計(jì)專用芯片。經(jīng)