畢業(yè)設(shè)計(jì)開題報(bào)告范文工科

1、畢業(yè)設(shè)計(jì)開題報(bào)告范文工科開題報(bào)告是提高論文選題質(zhì)量和水平的重要環(huán)節(jié)，下面是人才收集整理的畢業(yè)設(shè)計(jì)開題報(bào)告范文工科，歡迎閱讀參考!論文題目：AMOLED 像素驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)項(xiàng)目研究的背景和意義有機(jī)發(fā)光顯示器(OLEDs)是當(dāng)今平板顯示器研究領(lǐng)域的熱點(diǎn)之一。與液晶顯示器(LCD,OLEDs20%30%)PDAOLEDsLCDOLED顯示器驅(qū)動(dòng)方式可分為兩種類型：無(wú)源矩陣OLED(PassiveMatrixOLEDPMOLED)和有源矩陣OLED(ActiveMatrixOLEDAMOLED)。PMOLEDTFT-LCDTFTPMOLEDAMOLEDAMOLED(TFTAMOLED工作任務(wù)分析目前，應(yīng)

2、用于AMOLED的薄膜晶體管主要有非晶硅薄膜晶體管(a-SiTFT)和低溫多晶硅薄膜晶體管二者實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的優(yōu)勢(shì)最大a-SiTFT與LTPSTFT相比具有工藝簡(jiǎn)單、價(jià)格低、制備成品率但a-SiTFT要比LTPSTFT大得多而且驅(qū)動(dòng)電壓和信號(hào)電壓都比較大這些不利因素會(huì)造成顯示屏像素開口率下降OLED的壽命縮短時(shí)a-SiTFT 技術(shù)存在著過高的光敏感性問題LTPSTFT具有較高的載流子遷移率相比于非晶硅工藝，其特征尺寸可以做到更小，增加OLED像素的開口率，還可以實(shí)現(xiàn)將顯示器的外圍驅(qū)動(dòng)電路集成于顯示器的周邊。OLED有源矩陣驅(qū)動(dòng)方式可分為電流編程模式和電壓編程模式。電流編程是在數(shù)據(jù)線上提供一恒定電流通

3、過電流鏡的作用控制OLED 上流過的電流，即根據(jù)通入電流的大小控制像素的明暗程度(灰階)。文獻(xiàn)49是采用電流編程模式。采用電流編程技術(shù)的AMOLED畫面具有自動(dòng)補(bǔ)償LTPSTFT器件差異的功能由此能提供高均勻度及高精細(xì)的畫質(zhì)表現(xiàn)但在低色階區(qū)電流寫入不足在電流編程之前還需要以電壓驅(qū)動(dòng)一小段時(shí)間使OLED本身的寄生電容預(yù)充電(precharge) 使OLED的兩端電壓達(dá)到導(dǎo)通電壓,導(dǎo)致建立時(shí)間長(zhǎng)掃描頻率不能太高，限制了電流編程模式只適用于中小尺寸顯示。另外,電流鏡設(shè)計(jì)LTPSTFTOLEDLTPSTFTOLEDLTPSTFTAMOLED2T1C(driving)TFT(scanlineTFT(Cs

4、) TFTOLEDCsTFTOLEDTFT-LCDTFTOLEDOLEDOLEDEDAHspiceAMOLEDTFT國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀2T1C2T1CAMOLEDPoly-SiTFT 2T1COLED2T1C2TFTTFT1998 R.DawsonTFT2T1CJ.H.Lee 等提出了一種基于氫化非晶硅薄膜晶體管(a-Si:HTFT)可補(bǔ)償閾值漂6T1C12中所設(shè)計(jì)的像素驅(qū)動(dòng)電OLED72T1C286T1CC.L.LinPoly-SiTFT5T1CPoly-SiTFTOLED13少了一個(gè)晶體管從1415TFTLTPSTFTTFT，導(dǎo)致控制線路復(fù)雜，降低了像素點(diǎn)的開口率，基16TFTTFT2T1C4

5、T1C27604T1COLED1.5%2T1COLED37%。畢業(yè)設(shè)計(jì)項(xiàng)目實(shí)施計(jì)劃及進(jìn)度第 1-2 周：閱讀相關(guān)文獻(xiàn)資料及撰寫畢業(yè)設(shè)計(jì)開題報(bào)告。3-42T1C2T1CHspiceAIM-spice5-613OLEDTFT7-8新的閾值補(bǔ)償電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。9-1213-1415參考文獻(xiàn)上海：復(fù)旦大學(xué)出版社.20XX.第一章.OLEDOLEDJ.液晶與顯示,20XX,(02)： 140-144.AM-OLEDJ,20XX,(06)：667-670陳金鑫，黃孝文.OLEDM.北京： 清華大學(xué)出版社，20XX.第九章.司玉娟,李春星,劉式墉.有源OLEDTFTJ.發(fā)光學(xué)報(bào),2002,23(05)：518

6、-522.AM-OLEDJ.電視技術(shù),20XX,(12)：49-518A.Nathan,G.R.Chaji,andS.J.Ashtiani, “Drivingschemesfora-SiandLTPSAMOLEDdisplays,” J.DisplayTechnol.,vol.1,no.2,pp.267277,Dec.20XX.9J.H.Lee,W.J.Nam,B.K.Kim,H.S.Choi,Y.M.HaandM.K.HanAnewpo ly-SiTFTcurrent-mirrorpixelforactivematrianiclightemittingd iode,IEEEElectronD

7、eviceLett.,vol.27,pp.83020XX. 10J.L.SanfordandF.R.Libsch, “VtpensationperformanceofvoltagedataAMOLEDpixelcircuits,” inProc.IDRC,2003,pp.3840.11R.Dawson,Z.Shen,D.A.Furst,S.Connor,J.Hsu,M.G.Kane,R.G.S tewart,A.Ipri,C.N.King,P.J.Green,R.T.Flegal,S.Pearson,W.A.B arrow,E.Dickey,K.Ping,S.Robinson,C.W.Tang

8、,S.VanSlyke,F.Chen,J.Shi,J.C.SturmandM.H.Lu, “DesignofanImprovedPixelforaPolysiliconActive-MatrixOrgani cLEDDisplay,” SID,InternationalSymposiumProceedings,1998,pg.11. 12J.H.Lee,J.H.Kim,andM.K.Han,“Anewa-Si:HTFTpixelcircuitpensatingthethresholdvoltageshif tofa-Si:HTFTandOLEDforactivematrixOLED,” IEE

9、EElectronDeviceLett.,vol.26,no.12,pp.897899,Dec.20XX.13C.L.LinandY.C.Chen,“AnovelLTPS-TFTpixelcircuitpensatingforTFTthreshold-voltag eshiftandOLEDdegradationforAMOLED，” IEEEElectronDeviceLett.,vol.28,no.2,pp.129131,Feb.20XX. 14H.Y.Lu,P.T.Liu,T.C.Chang,S.Chi.“Enhancementofbrightnessuniformitybyanewvo

10、ltage-modulatedp ixeldesignforAMOLEDdisplays.” IEEEElectronDeviceLetters.20XX,27(9):743-745. 15B.T.Chen,Y.H.Tai,Y.J.Kuo,C.C.TsaiandH.C.Cheng, “Newpixelcircuitsfordrivingactivematrianiclightemittingdio des,”Solid-StateElectron50(2)(20XX),pp.27227516Chih-LungLin,Tsung-TingTsai,“ANovelVoltageDrivingMet

11、hodUsing3-TFTPixelCircuitforAMOLED,”IEEEElectronDeviceLetters,vol.28,no.6,pp.489-491,June20XX. 論文題目(黑體小二加粗居中)(宋體小四空一行)學(xué)生：(楷體小四號(hào)居中)指導(dǎo)老師：(楷體小四號(hào)居中)(楷體小四號(hào)居) (宋體小四空一行)、課題來(lái)源(論文型課題的撰寫內(nèi)容)(黑體三號(hào)加粗*)邊坡是地殼表部一切具有臨空面的地質(zhì)體，具有一定的坡度和( 宋體小四空一行)*)(宋體小四)(宋體小四空一行)、國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀(黑體三號(hào)加粗*)(宋體小四)(宋體小四空一行)*)(宋體小四)(宋體小四空一行)、研究方法(含技術(shù)路線)(黑體三號(hào)加粗*)(宋體小四)(宋體小四空一行)、研究進(jìn)度與步驟(黑體三號(hào)加粗*)(宋體小四)(宋體小四空一行)、現(xiàn)有條件及需采取的措施(黑體三號(hào)加粗)(宋體小四)(宋體小四空一行)(宋體小四)*) 姓名梁津指導(dǎo)教師王勇智院、系(部)機(jī)械工程學(xué)院目的、意義，列出主要參考文獻(xiàn))1.國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀18811839安德森給四輪馬車裝上了電池和電動(dòng)機(jī)，將其成功改造為世界上第一輛靠電力驅(qū)動(dòng)的車輛12090美國(guó)的電動(dòng)汽車研發(fā)計(jì)劃美國(guó)是汽車工業(yè)最發(fā)達(dá)的國(guó)家，汽車產(chǎn)量和保有量均位居世界PNGV日本的電動(dòng)汽車開發(fā)