第1章常用半導(dǎo)體器件第一章作業(yè)評講_第1頁
第1章常用半導(dǎo)體器件第一章作業(yè)評講_第2頁
第1章常用半導(dǎo)體器件第一章作業(yè)評講_第3頁
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第1章常用半導(dǎo)體器件第一章作業(yè)評講_第5頁
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文檔簡介

1、模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)第一章 常用半導(dǎo)體器件作業(yè)評講 ,二極管導(dǎo)通電壓UD=0.7V。試畫出ui與uO的波形,并標(biāo)出幅度。1.3 電路如圖P1.3所示,已知 解題思路與分析:D1、D2導(dǎo)通電壓D1:3.7V;D2:-3.7V解題過程:ui3.7V,D1導(dǎo)通,D2截止, uo鉗位在3.7V;ui-3.7V,D1截止,D2導(dǎo)通, uo鉗位在-3.7V;-3.7VuiIZM=25mA穩(wěn)壓管將因功耗過大而損耗。(1)開關(guān)S在什么位置時發(fā)光二極管才能發(fā)光?(2)R的取值范圍是多少?1.7 在圖1.7所示電路中,發(fā)光二極管導(dǎo)通電壓UD=1.5V,正向電流在515mA時才能正常工作。試問:分析及解題過程:(1)S

2、閉合時發(fā)光二極管才有正向電流,也才有可能發(fā)光;(2)發(fā)光二極管的正向電流過小將不發(fā)光,過大將可能損壞。Rmin=(V-UD)/IDmax233Rmax=(V-UD)/IDmin=700 1.9 測得放大電路中六只晶體管的直流電位如圖P1.9所示。在圓圈中畫出管子,并分別說明它們是硅管還是鍺管。解題思路與分析:(1)硅管和鍺管主要區(qū)別:處于放大狀態(tài)時,硅管發(fā)射結(jié)電壓約為0.7V;鍺管發(fā)射結(jié)電壓約為0.2V;(2)電位相差為0.7V或0.2V的兩個極分別為發(fā)射極和基極,另一極可確定為集電極。(3)NPN與PNP晶體管各極電壓區(qū)別為: NPN:VcVbVe (集電極電壓最高); PNP:VeVbVc

3、(集電極電壓最低)試問:當(dāng)uI=0時uo=?當(dāng)uI=-5V時uo=?1.11 電路如圖P1.11所示,晶體管的=50,|UBE| =0.2V,飽和管壓降|UCES|=0.1V;穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓電壓Uz=5V,正向?qū)妷篣D=0.5V。解題思路與分析:先分析穩(wěn)壓管可能處于那種工作狀態(tài),PN結(jié)反偏:截止和穩(wěn)壓。(uo輸出負(fù)電壓)取決于三極管的工作狀態(tài)(截止、放大、飽和)。當(dāng)uI=0時,晶體管截止,穩(wěn)壓管擊穿,uo=-Uz=-5V;當(dāng)uI=-5V時,三極管可處于飽和或放大狀態(tài)。?當(dāng)uI=-5V時,三極管可處于飽和或放大狀態(tài)。假設(shè)三極管處于放大狀態(tài)。試問:當(dāng)uI=0時uo=?當(dāng)uI=-5V時uo=?1.

4、11 電路如圖P1.11所示,晶體管的=50,|UBE| =0.2V,飽和管壓降|UCES|=0.1V;穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓電壓Uz=5V,正向?qū)妷篣D=0.5V。故流過Rc上的電流至少24mARc上的壓降至少24VVcc所以假設(shè)不成立,三極管處于飽和狀態(tài),故uo=-0.1V。1.12 分析判斷圖P1.12所示各電路中晶體管是否有可能工作在放大狀態(tài)。解題思路及分析:判斷可能性不是絕對性,放大狀態(tài)除了有電壓要求外,還有電流要求(即各極串聯(lián)電阻的取值問題)。放大狀態(tài):發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏;截止?fàn)顟B(tài):發(fā)射結(jié)反偏,集電結(jié)反偏;飽和狀態(tài):發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)正偏。一個PN結(jié)電壓硅管大約0.7V,鍺管大約0.

5、2V,大于0.7(0.2V)就會因電流過大而損壞。(a) PNP,發(fā)射結(jié)正偏 集電結(jié)反偏,可能1.12 分析判斷圖P1.12所示各電路中晶體管是否有可能工作在放大狀態(tài)。(b) NPN,發(fā)射結(jié)正偏 集電結(jié)反偏,可能(c) PNP,發(fā)射結(jié)反偏 BJT 截止,不可能1.12 分析判斷圖P1.12所示各電路中晶體管是否有可能工作在放大狀態(tài)。(d) NPN,發(fā)射結(jié)正偏,但電流過大,會損壞 不能(e) PNP,發(fā)射結(jié)正偏 集電結(jié)反偏,可能1.13 已知放大電路中一只N溝道場效應(yīng)管三個極、的電位分別為4V、8V、12V,管子工作在恒流區(qū)。試判斷它可能是那種管子(結(jié)型管、增強(qiáng)型MOS管、耗盡型MOS管),并說

6、明、與g、s、d的對應(yīng)關(guān)系。解題思路及分析:從上述三種管子各極電位可知:三種管子均可能??梢詤⒄战滩腜49得出各極之間的電位:N溝道結(jié)型:VdVsVgN溝道增強(qiáng)型:VdVgVsN溝道耗盡型:Vd最高,Vg可大于也可小于還可等于Vs1.13 已知放大電路中一只N溝道場效應(yīng)管三個極、的電位分別為4V、8V、12V,管子工作在恒流區(qū)。試判斷它可能是那種管子(結(jié)型管、增強(qiáng)型MOS管、耗盡型MOS管),并說明、與g、s、d的對應(yīng)關(guān)系。1.15 分析當(dāng)uI=4V、8V、12V三種情況下場效應(yīng)管分別工作在什么區(qū)域。解題思路及分析:判斷T的類型:N溝道增強(qiáng)型MOS管;截止區(qū):uGSUGS(th)且uDSuGS

7、-UGS(th)可變電阻區(qū):uGSUGS(th)且uDSuGS-UGS(th),說明假設(shè)成立,即T工作在恒流區(qū)。 當(dāng)uI12V時,大于開啟電壓,T可能工作在恒流區(qū)或者可變電阻區(qū),設(shè)T工作在恒流區(qū)。根據(jù) 輸出特性可知iD4mA,管壓降 uDSVDDiDRd-1.2V 0因此,假設(shè)不成立,即T工作在可變電阻區(qū)。 1.16 分析各電路中的場效應(yīng)管是否有可能工作在恒流區(qū)。解題思路及分析: 關(guān)鍵是對各種場效應(yīng)管夾斷開啟電壓的理解??梢詤⒄战滩腜49頁。(a)圖T為N溝道結(jié)型場效應(yīng)管,其夾斷電壓UGS(off)uGS-UGS(th) ,所以T有可能工作在恒流區(qū)。1.16 分析各電路中的場效應(yīng)管是否有可能工作在恒流區(qū)。解題思路及分析: 關(guān)鍵是對各種場效應(yīng)管夾斷開啟電壓的理解??梢詤⒄战滩腜49頁。(b)(c)圖T為N溝道MOS場效應(yīng)管,開啟電壓UGS(th)0因為它們的柵極電位均為0,柵-源電壓不可能大于UGS(th) ,所以不可能工作在恒流區(qū)。1.16 分析各電路中的場效應(yīng)管是否有可能工作在恒流區(qū)。解題思路及分析: 關(guān)鍵是對各種場效應(yīng)管夾斷開啟電壓

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