三星系列芯片引腳圖

1、 歡迎閱讀本文檔，希望本文檔能對您有所幫助！ 歡迎閱讀本文檔，希望本文檔能對您有所幫助！ 感謝閱讀本文檔，希望本文檔能對您有所幫助！ 感謝閱讀本文檔，希望本文檔能對您有所幫助！ 歡迎閱讀本文檔，希望本文檔能對您有所幫助！ 感謝閱讀本文檔，希望本文檔能對您有所幫助！三星系列芯片引腳圖 :D三星系列手機在國內(nèi)的銷量很大，擁有眾多的用戶，所以其元件代換在維修界是一個熱點話題，現(xiàn)將三星系列手機的字庫引腳圖整理如下，希望能對各位同仁有所幫助！三星系列手機的字庫均采用日本夏普公司所生產(chǎn)的LRS系列CCSP存儲器，該系列存儲器是將一定容量的SRAM堆疊封裝在FLASH上，從而大大的縮小了存儲器的封裝體積，目

2、前，這種存儲器已經(jīng)成為了手機中存儲器的主流封裝形式。一、A100/A188/A110/A300/A388/A308/A400/A408/N100/N188/N200/N288/N300/N400/N500/R208/R210/R220的字庫：LRS1341,LRS1342,LRS1370,LRS1337L,LRS1337D,LRS1337 二T200/T208/S100/S108/S200/S208/S105/S300/S308的字庫：LRS1395 三、N600/N608/N620/N628的字庫：LRS1383四、T100/T108/T108+的字庫：LRS1387，LRS1806 五、引

3、腳說明（以LRS1395為例）：引腳標(biāo)識前面標(biāo)有F的表示該引腳是FLASH專用引腳，標(biāo)有S的表示該引腳是SRAM專用引腳，未特別標(biāo)明的表示該引腳為FLASH和SRAM公用。若引腳標(biāo)識上面劃有一短線則表明該引腳為低電平有效。1。地址總線：A0 to A16，A18，A19公用；F-A17，F(xiàn)-A20，F(xiàn)-A21為FLASH專用地址線；S-A17，SRAM專用地址線。LRS1395的容量為：4M*16*2128M FLASH；1M*1616M SRAM2。數(shù)據(jù)總線：DQ0 to DQ15共16根數(shù)據(jù)線，F(xiàn)LASH與SRAM公用3?？刂瓶偩€：F1,2-CE：FLASH片使能（片選）信號，低電平有效S

4、-CE1：SRAM片使能（片選）信號，低電平有效S-CE2：SRAM片使能（片選）信號，高電平有效F-OE：FLASH輸出使能（讀）信號，低電平有效S-OE：SRAM輸出使能（讀）信號，低電平有效F-WE：FLASH寫入使能（寫）信號，低電平有效S-WE：SRAM寫入使能（寫）信號，低電平有效S-LB：SRAM低位字節(jié)使能信號，低電平有效，選擇DQ0DQ7S-UB：SRAM高位字節(jié)使能信號，低電平有效，選擇DQ8DQ15F-RST：FLASH復(fù)位（電源關(guān)閉）信號，低電平有效。低電平時，F(xiàn)LASH進入掉電狀態(tài)；高電平時，進入正常的讀寫狀態(tài)。F-WP：FLASH寫保護信號，低電平有效。低電平時，F(xiàn)LASH的鎖定塊不能進行解除鎖定或讀寫，而只能讀寫非鎖定塊；高電平時屏蔽鎖定功能。F-RY/BY：FLASH狀態(tài)輸出腳，高電平時，F(xiàn)LASH處于準(zhǔn)備好的狀態(tài)，可進行讀寫操作；低電平時，F(xiàn)LASH處于忙狀態(tài)，F(xiàn)LASH的數(shù)據(jù)線呈高阻狀態(tài)，不能讀寫數(shù)據(jù)。4。供電線：F-VCC：F