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文檔簡介

1、2022年光伏行業(yè)專題研究1 靶材是前景廣闊的異質(zhì)結(jié)輔材1.1 HJT 電池大規(guī)模量產(chǎn)在即HJT 電池不斷刷新轉(zhuǎn)換效率記錄。2022 年 6 月隆基綠能經(jīng)德國哈梅林太陽能研 究所(ISFH)測試 M6 全尺寸電池轉(zhuǎn)換效率達 26.50%,創(chuàng)造了大尺寸單結(jié)晶硅光伏電 池效率新世界紀錄。而在今年 3、4 月隆基和邁為股份分別在無銦、低銦異質(zhì)結(jié)電池 上創(chuàng)造 25.40%、25.62%的轉(zhuǎn)換效率。即使小規(guī)模甚至是不使用稀有金屬銦,異質(zhì)結(jié) 電池仍然能夠維持較高的轉(zhuǎn)換效率,異質(zhì)結(jié)電池距離大規(guī)模量產(chǎn)更進一步。HJT 降本路徑清晰,發(fā)展?jié)摿^大。今年以來異質(zhì)結(jié)在銀包銅、網(wǎng)版、靶材、薄 硅片、210 尺寸半片、

2、設(shè)備投資額等各環(huán)節(jié)均有降本突破,單線產(chǎn)能已經(jīng)升至 600MW。 異質(zhì)結(jié)具備工藝流程短、天然適應(yīng)薄硅片的優(yōu)勢,因此產(chǎn)業(yè)鏈仍未完全定型,將來仍 有較大的提升空間。不僅如此,HJT 電池具備低溫度系數(shù)、高轉(zhuǎn)換效率、高雙面率、 低衰減、低碳足跡等各方面優(yōu)點,同時低溫工藝完美適配鈣鈦礦疊層工藝,發(fā)展天花 板進一步提升。 異質(zhì)結(jié)大規(guī)模量產(chǎn)線即將落地。據(jù)我們不完全統(tǒng)計,截至 2022 年 6 月,正在運 行的異質(zhì)結(jié)中試線、量產(chǎn)線總產(chǎn)能約為 9GW,其中國內(nèi)的安徽華晟、金剛玻璃、東方日升、愛康科技均有著明確的擴產(chǎn)計劃,我們認為 2022 年底和 2023 年初,HJT 產(chǎn)能第一批大規(guī)模 GW 級量產(chǎn)線將集中落

3、地。HJT 產(chǎn)能的快速釋放將帶動靶材需求快速提升。根據(jù) PV Infolink 的統(tǒng)計,預(yù)計 2022-24 年 HJT 電池產(chǎn)能將分別達到 14、38、70GW,未來三年 CAGR 達 127%。 TOPCon 電池正面單晶硅的 P+型發(fā)射極與背面的 N+型摻雜多晶硅均具有良好的載 流子傳輸能力以及導(dǎo)電性能,因此無需 TCO 膜,而對于 HJT 電池來說 TCO 薄膜是 必須的,我們認為 HJT 產(chǎn)能的快速釋放將帶動相應(yīng)靶材需求快速提升。目前 HJT 電池技術(shù)本身的發(fā)展已經(jīng)漸趨成熟,各廠商量產(chǎn)效率達到了 24.5%左 右的水平,其中華晟新能源、愛康科技、東方日升、金剛玻璃以高量產(chǎn)轉(zhuǎn)換效率和大

4、規(guī)模擴張產(chǎn)能成為異質(zhì)結(jié)行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)。1.2 高透高導(dǎo)低成本的 TCO 薄膜是 HJT 量產(chǎn)前提非晶硅鈍化是異質(zhì)結(jié)鈍化結(jié)構(gòu)的核心。硅錠切割產(chǎn)生硅片,其表面晶格受損而產(chǎn) 生大量的懸浮鍵,這些擁有大量固有缺陷的切片進入電池生產(chǎn)流程的時候,會使載流 子復(fù)合概率增大。異質(zhì)結(jié)通過晶硅和非晶硅形成 PN 結(jié),而非晶硅鈍化能夠使晶硅表 面缺陷處于不活躍狀態(tài),從而提高成品電池片的轉(zhuǎn)換效率。 HJT 2.0 總體結(jié)構(gòu)由正面至背面分別是復(fù)合 TCO 薄膜、N 型摻雜非晶硅薄膜(微 晶化)、本征非晶硅薄膜、N 型晶硅、復(fù)合本征非晶硅薄膜、P 型非晶硅、TCO 薄膜。完成鈍化接觸的非晶硅幾乎不具備橫向?qū)щ娦裕虼艘?/p>

5、了同時具備優(yōu)異光、電 性能的 TCO 薄膜。目前異質(zhì)結(jié) TCO 薄膜制備方法一般有物理氣相沉積(PVD)和 反應(yīng)等離子體沉積(RPD)兩種方法,PVD 應(yīng)用更加廣泛,其原理是電子在電場的 作用下,與氬原子發(fā)生碰撞,激發(fā)出二次電子和 Ar+,而后 Ar+在電場作用下被加速, 以高能量轟擊靶材而發(fā)生能量交換,靶材表面濺射出原子,最終在異質(zhì)結(jié)電池上沉積 成 TCO 薄膜,由其完成透光、導(dǎo)電功能。2 異質(zhì)結(jié)靶材行業(yè)具備高成長性2.1 ITO 靶材經(jīng)歷長期驗證靶材具備多樣化的特點。根據(jù)不同的形狀,靶材分為長靶、方靶、圓靶、管靶, 而根據(jù)不同的組成成分,靶材主要分為金屬、合金、陶瓷靶材。不同構(gòu)成的靶材其性

6、 質(zhì)大不相同,因此根據(jù)不同領(lǐng)域的不同需求,也衍生出多樣化的靶材。方靶主要應(yīng)用于顯示面板行業(yè),圓靶主要用于半導(dǎo)體行業(yè)。異質(zhì)結(jié)電池主要使用 旋轉(zhuǎn)管靶,利用率一般大于 70%,而傳統(tǒng)的方靶利用率在 35%左右。TCO(Transparent Conductive Oxide)薄膜具備透明陷光和收集載流子雙重 作用。TCO 薄膜能夠在 380-780nm 范圍內(nèi)具有高透率,同時氧化物具備優(yōu)良的導(dǎo)電 性而廣泛應(yīng)用于傳感器、平板顯示器、半導(dǎo)體等領(lǐng)域。TCO 薄膜一般帶隙寬度大于3eV,電阻率低于 10 -3cm,可見光范圍內(nèi)平均透射率大于 80%。 用作 TCO 薄膜的典型金屬陽離子常具有(n-1)d 1

7、0ns0(n=4 或 5)外層電子構(gòu) 型。這是因為較短的陽離子間距可以形成較寬的導(dǎo)帶,從而獲得較大的載流子遷移率, 同時該構(gòu)型離子中滿層的 d 電子避免了 d-d 躍遷而產(chǎn)生的可見光吸收,因此具備較 高的可見光透過率。 摻雜不同的元素,TCO 薄膜相應(yīng)性能會發(fā)生改變?;谘蹩瘴粨诫s理論,為提 升 In2O3 的導(dǎo)電性能,可以將錫(Sn)、鉬(Mo)、鎢(W)、鈦(Ti)、鋅(Zn)、鍺 (Ge)、鉭(Ta)、鈰(Ce)、鎵(Ga)、鉿(Hf)、鋯(Zr)、釩(V)、鐵(Fe)、錳 (Mn)、鉻(Cr)等元素摻入 In2O3,透過率、導(dǎo)電性和帶隙均會得到不同程度的改 變,以適應(yīng)其具體需求。氧化銦

8、錫(ITO)是性能優(yōu)良且成熟的靶材,應(yīng)用最為廣泛。其生成的 TCO 薄 膜電阻率可低至 10 -4cm,可見光平均透射率達到 85%以上,同時還具備高硬度、 耐磨、耐化學(xué)腐蝕等特點。摻入 Sn 元素并不改變 In2O3 原本的晶體結(jié)構(gòu),而由于 Sn4+ 與 In3+半徑不同而導(dǎo)致晶格略有差異,四價的 Sn4+取代 s 三價的 In3+,貢獻一個電子 到導(dǎo)帶上,因此 ITO 薄膜中的載流子濃度相比 In2O3 有所提升,同時導(dǎo)帶被電子占滿,價帶電子只能向更高能級躍遷,因此有效帶隙寬度變大,透光性能也有所改善。 IWO、IMO 能夠提升近紅外和可見光透射率。Mo 和 W 元素均不會改變 In2O3

9、原 本晶體結(jié)構(gòu),只需引入少量的 6 價 Mo6+和 W6+即可獲得足夠載流子,少量摻雜也有 利于減少薄膜中心的電子散射中心,提高載流子遷移率,在近紅光區(qū)域擁有高透射率。2.2 降低銦耗量勢在必行銦價和銦金屬的稀有性限制 ITO 靶材大規(guī)模應(yīng)用。銦主要是鋅礦的伴生金屬, 無法形成具有工業(yè)價值的獨立礦床,全球約有 95%的銦來自于鋅礦生產(chǎn)。根據(jù)中國 銦資源動態(tài)物質(zhì)流研究表明,2017 年我國查明銦儲量為 18016 噸,2019 年中國原 生銦產(chǎn)量占比 39%。從消費端來看,全球銦消費量從 2000 年的 371 噸增長至 2019 年的 1760 噸,2019 年我國銦靶材制造消耗銦 133 噸

10、,占國內(nèi)總消費量的 70%。目 前我國銦價在 1500 元/kg 左右浮動。2.3 復(fù)合 TCO 膜結(jié)構(gòu)降銦已成趨勢可以通過材料間功函數(shù)的匹配程度降低 TCO 薄膜與非晶硅、金屬電極兩種界面 之間的接觸電阻。 半導(dǎo)體-半導(dǎo)體界面(TCO 薄膜-非晶硅界面):TCO 薄膜可視為半導(dǎo)體,功函數(shù) 低的一端電子會向功函數(shù)高的一端遷移,在 N 型非晶硅層上需選擇高功函數(shù)的 TCO 材料以利于電子向 TCO 膜層遷移,同時 P 型非晶硅層上需選擇低功函數(shù)的 TCO 材 料以利于電子向 P 型非晶硅層遷移。TCO-II 應(yīng)兼具優(yōu)良的導(dǎo)電、透光性,優(yōu)選 IZO、 IZrO、ITO(99:197:3),氧化錫含

11、量越少,功函數(shù)越高。 金屬-半導(dǎo)體界面(TCO 薄膜-非晶硅界面):TCO 薄膜應(yīng)選取低功函數(shù)的材料以 利于電子向金屬電極遷移。TCO-I 錫含量越多,功函數(shù)越低,但透光率越差,因此膜 厚度控制在 5-20nm。TCO 膜結(jié)構(gòu)百花齊放: IGO:Zr:單層膜,調(diào)節(jié)靶材中 Ga 含量來提高禁帶寬度,使得薄膜紫外波段 光透過率提高;調(diào)節(jié)靶材中 Zr 的含量來提高 TCO 薄膜的載流子遷移率。 ITO+(IWO or ICO)+ITO:3 疊層,既保留了 IWO 或 ICO 薄膜的低電阻率 和低載流子吸收的特性,又利用了 ITO 薄膜與非晶硅和金屬電極能夠形成良 好接觸的特點。 ITO+Cu 種子層

12、:電鍍銅工藝,后續(xù)還有噴涂感光油墨(干膜)、曝光顯影、 鍍銅、去除油墨、反刻銅籽層、鍍錫保護膜等流程。 ITO+AZO 或成主流低銦復(fù)合 TCO 薄膜結(jié)構(gòu)。電池下表面引入 AZO 可大幅降低 ITO 膜的厚度,從而達到少銦化的目的,目前邁為股份通過設(shè)備改進,優(yōu)化載板設(shè)計 和磁場設(shè)計,能夠大幅降低落在載板和擋板上的靶材,實現(xiàn)每瓦靶材用量降低 30%, 同時通過 ITO+AZO 的疊層設(shè)計已經(jīng)實現(xiàn)效率相當情況下的銦用量降低 70%。2.4 靶材制造具備較高的工藝壁壘靶材的核心需求是高密度、高純度、高均勻性。進風(fēng)溫度、燒結(jié)升溫速率、成型 壓力、粘結(jié)劑、分散劑、穩(wěn)定劑含量等均會影響靶材的性能。不同應(yīng)用

13、領(lǐng)域?qū)Π胁牟?料的選擇和性能要求存在差異,其中半導(dǎo)體靶材的技術(shù)和純度要求高,平板顯示器靶 材的材料面積和均勻度要求高。目前對濺射靶材的研究朝著多元化、高純度、大型化、 高濺射速率、高利用率等方向進行。ITO 靶材本質(zhì)屬于陶瓷,內(nèi)部晶體結(jié)構(gòu)需要工藝 技術(shù)搭配出來,對透光率、導(dǎo)電率、硬度、平整度、純度都有要求,比金屬靶材的工 藝更為復(fù)雜,技術(shù)壁壘較高。作為平板顯示器制造中的核心材料,氧化銦錫(ITO)靶材主要用于透明導(dǎo)電膜, 是靶材中技術(shù)難度較大的產(chǎn)品。ITO 靶材本質(zhì)屬于陶瓷,內(nèi)部晶體結(jié)構(gòu)需要工藝技術(shù) 搭配出來,制造過程中 ITO 的透光率、導(dǎo)電率、硬度、平整度、純度都有要求,比金 屬靶材的工藝

14、更為復(fù)雜,技術(shù)壁壘較高。鉬靶材制作流程主要包含制靜壓、氣氛燒結(jié)、塑性加工、熱處理、機加工、綁定、 檢測等步驟。ITO 靶材制作流程主要包含制金屬氧化物粉體、研磨、ITO 粉制造、模壓成型、 氣氛燒結(jié)、機加工、綁定、檢測等步驟。典型 ITO 靶材制備工藝:1、溶解:將銦錠放入反應(yīng)釜,并加入 68%硝酸,充分反應(yīng)后,通過水浴加熱至 90左反應(yīng)約 24h,溶解完成后過濾掉未反應(yīng)的銦錠。 In+4HNO3=In(NO3)3+NO+2H2O In+6HNO3=In(NO3)3+3NO2+3H2O2、中和:將硝酸銦溶液與 28%氨水在中和罐內(nèi)緩慢攪拌反應(yīng)約 2-3h,反應(yīng)后呈 現(xiàn)稠狀液態(tài),引入熟成罐內(nèi)繼續(xù)

15、攪拌。 In(NO3)3+3NH4OH=In(OH)3+3NH4NO33、清洗:用純水對稠狀液體內(nèi)的沉淀物進行清洗過濾。4、干燥、焙燒:電加熱后的熱空氣經(jīng)分配器產(chǎn)生一股流線空氣氣流,液滴和熱 空氣并流接觸,水份迅速蒸發(fā)形成顆粒,塔下部的漏斗型腔使顆粒匯集并從出料口卸 出,制得氫氧化銦粉體。將粉體送入推板爐進行焙燒,在 600-1000的環(huán)境下將氫 氧化銦焙燒成氧化銦。5、球磨、砂磨:將純水加入球磨機中,然后采用真空微負壓的方式將氧化錫、 氧化銦、添加劑(PVA、PEG)按照比例吸入球磨機中與純水一起進行球磨,將產(chǎn)生 的漿料引入砂磨機中進一步研磨。(分散劑能夠打散大團聚,提高粉末活性;穩(wěn)定劑 能

16、夠保證溶液中粉末顆粒在噴霧過程中,保持懸浮狀態(tài),避免顆粒沉淀。)6、造粒:(1)漿料霧化:將研磨混合好的漿料由隔膜泵以合適壓力壓入噴霧造 粒干燥機主塔頂部的離心霧化器中,使料液噴成極小的霧狀液滴;(2)干燥成球:液 滴和熱空氣并流接觸,水份迅速蒸發(fā),液滴由于表面張力作用形成球形,最終收縮形 成干燥的顆粒;(3)顆粒卸出:形成的顆粒在干燥塔內(nèi)逐步沉降,從塔下部漏斗型腔 中匯集卸出,制得 ITO 粉。造粒完成的 ITO 粉由于其球形形狀,顆粒間的摩擦力較 小,整體呈現(xiàn)流沙狀,由此粉體制成的靶材均勻性優(yōu)良。7、模壓成型:ITO 粉末置入密封、具有彈性的模具中,然后將模具盛裝液體或 氣體的容器中,用液

17、體或氣體對其施加合適壓力,將 ITO 粉壓制成實體,得到原始形 狀的 ITO 坯體。脫模后,根據(jù)需求將坯體作進一步整形處理。8、氣氛燒結(jié):將 ITO 坯體置于 1600的氧氣氛中燒結(jié),提高其致密化程度和 性能,同時純氧能夠防止 ITO 中的氧化銦在高溫中分解揮發(fā)。此前在球磨、砂磨過程 中添加的 PVA 將在 300分別受熱分解為水、醋酸、乙醛和巴豆醛,PEG 則受熱分 解為環(huán)類易揮發(fā)氣體,最終這些物質(zhì)將分解成 CO2和水蒸氣。9、機加工:根據(jù)產(chǎn)品規(guī)格要求利用磨床對 ITO 靶材進行打磨,產(chǎn)生邊角料。10、綁定:首先將 ITO 靶材套在金屬背板上,加熱的同時將銦灌至靶材縫隙處, 自然冷卻至室溫。

18、11、檢驗:對成品 ITO 靶材檢驗。壓模成型對壓力和 PVA 添加量均有要求:當成形壓力較低時,素坯密度隨著壓 力升高而增大,同時增大的趨勢隨著壓力的升高而放緩。這是由于粉末之間的摩擦力 和粉末與模具壁之間的摩擦不同,且壓力不均勻傳導(dǎo),一般而言外沿密度較中心低, 因此壓力大于 300MPa 時,脫模變得困難;500MPa 時,坯體易出現(xiàn)缺角,表面分布 細小裂紋;600MPa 時,素坯易分層開裂,且裂紋寬、數(shù)量多,燒結(jié)后反而會降低靶 材的密度。 PVA 能夠減少 ITO 粉體摩擦,使成形壓力分布更均勻,其添加量合適時,能夠 減少孔隙,使得素坯易脫模。而添加過量時,PVA 強大的黏合力會導(dǎo)致粉體

19、不能有效 分散,產(chǎn)生顆粒團聚而使靶材有缺陷,同時燒結(jié)過程中會產(chǎn)生更多氣體。燒結(jié)的高溫階段存在合適的升溫速率:當燒結(jié)處于溫度高于 750的高溫階段 時,氧化銦會發(fā)生分解 In2O3-In2O+O2,若這時升溫速率較快,則由于素坯外沿部 分密度低于中心部分,外沿部分在較短時間內(nèi)難以致密,從而導(dǎo)致中心與外沿致密化 程度不一,靶材整體密度不均。同時一般而言靶材越緊密,則電阻率越小,密度分布 不均會導(dǎo)致電阻率增加。燒結(jié)的低溫階段同樣存在合適的升溫速率:當燒結(jié)處于低于 750的低溫階段 時,主要是有機添加劑 PVA、PEG 的脫除過程,若在此時快速升溫,會導(dǎo)致有機物 分解過快,從而產(chǎn)生大量的空洞甚至是微裂

20、紋,降低了靶材的相對密度和均勻性。升 溫過慢則會導(dǎo)致分解物無法快速脫除,也會對均勻性和致密性產(chǎn)生影響。2.5 異質(zhì)結(jié)量產(chǎn)是靶材第二增長曲線根據(jù)我們測算,當前異質(zhì)結(jié)硅片、漿料、靶材單瓦成本分別約為 0.8/0.14/0.03 元 /W。當前 HJT 相比于 PERC 電池非硅成本仍然高出約 0.15-0.2 元/W。 靶材單 W 成本約占異質(zhì)結(jié)成本的 2.6%左右,異質(zhì)結(jié)產(chǎn)能的大規(guī)模釋放將帶動 靶材的需求。由于 TCO 膜厚度約在 100-200nm 之間,膜過厚會導(dǎo)致透光率大大下 降,而過薄會損失部分導(dǎo)電性。因此異質(zhì)結(jié)的大規(guī)模量產(chǎn)將推動靶材需求快速提升, 靶材作為光伏領(lǐng)域的新輔材,不是存量市場

21、,而是增量市場。我們測算得 2022-2024 年 HJT 電池靶材市場空間為 2.09/10.53/19.82 億元, 2022-2024 年 CAGR 為 207.95%。異質(zhì)結(jié)靶材應(yīng)用仍處于早期試驗階段,后續(xù)隨著 異質(zhì)結(jié)在銀漿、硅片、設(shè)備等多環(huán)節(jié)完成降本,HJT 電池產(chǎn)業(yè)鏈逐步打通,靶材將成 為一個高速成長的行業(yè)。2.6 HJT 電池靶材有望快速實現(xiàn)靶材國產(chǎn)化任重道遠??傮w上濺射靶材行業(yè)在我國起步較晚,目前仍然屬于一個 較新的行業(yè),與國際知名企業(yè)生產(chǎn)的濺射靶材相比,我國濺射靶材在半導(dǎo)體芯片、平 板顯示器、太陽能電池市場影響力相對有限,全球高純?yōu)R射靶材市場依然被美國、日 本的濺射靶材生產(chǎn)廠

22、商所壟斷。隨著濺射靶材朝著更高純度、更大尺寸的方向發(fā)展, 濺射靶材國產(chǎn)化需求各企業(yè)研制出適用不同應(yīng)用領(lǐng)域的濺射靶材產(chǎn)品,才能在全球濺 射靶材市場中占得一席之地。當前靶材應(yīng)用領(lǐng)域以平板顯示、記錄媒體、光伏電池、半導(dǎo)體為主,四個領(lǐng)域共占據(jù)約 94%的靶材需求量。我們預(yù)計隨著平板顯示大尺寸化,該領(lǐng)域用的靶材量將 以約5%的增長速度穩(wěn)步增長,而光伏電池領(lǐng)域未來有望成為靶材第一大的應(yīng)用領(lǐng)域。 由于靶材所用的濺射鍍膜工藝起源于國外,主要集中在霍尼韋爾(美國)、日礦 金屬(日本)、東曹(日本)、奧地利攀時等國外企業(yè),2021 年日美企業(yè)占據(jù)國內(nèi)靶 材市場 70%以上的市場份額。雖然行業(yè)仍處于初期,但頭部靶材

23、廠商制造 技術(shù)已經(jīng)能夠和國外企業(yè)齊平甚至超過,未來有望在存量靶材領(lǐng)域逐步完成。 國產(chǎn)靶材廠商有望在 HJT 電池時代實現(xiàn)靶材上的彎道超車。而對于異質(zhì)結(jié)電池 這個全新領(lǐng)域,靶材還未大規(guī)模應(yīng)用,考慮到電池廠商與海外企業(yè)合作研發(fā)效率較低, 同時隆華科技等國內(nèi)的靶材廠商品質(zhì)已經(jīng)在顯示面板領(lǐng)域得到充分展現(xiàn)。因此從 HJT 電池靶材應(yīng)用源頭開始,HJT 電池靶材國產(chǎn)化就已先行一步。國家政策強力支持靶材。國務(wù)院發(fā)布的“十四五”規(guī)劃和 2035 年遠 景綱要目標,提出加強集成電路設(shè)計工具、重點裝備和高純靶材等關(guān)鍵材料研發(fā)。 關(guān)于支持集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)發(fā)展進口稅收政策的通知,提出對于靶材生產(chǎn) 企業(yè),進口國內(nèi)

24、不能生產(chǎn)或性能不能滿足需求的自用生產(chǎn)性原材料、消耗品,免征進 口關(guān)稅。在國家相關(guān)政策支持推動下,靶材技術(shù)不斷實現(xiàn)國產(chǎn)化,未來隨著技術(shù)工藝 成熟、產(chǎn)品質(zhì)量提升,靶材將加速,市場需求保持增長。 靶材廠商收入、毛利率有望同時回升。當前國產(chǎn)主流靶材廠商靶材業(yè)務(wù)平均毛利 率在 25%左右。隆華科技 2021 年靶材業(yè)務(wù)毛利率為 23.3%,處于行業(yè)中等水平。靶 材業(yè)務(wù)收入呈現(xiàn)逐年走高的趨勢,目前隆華科技已與光伏行業(yè)龍頭隆基綠能形成合作 關(guān)系,開始供貨,公司未來靶材業(yè)務(wù)收入有望持續(xù)高速增長。我國濺射靶材生產(chǎn)企業(yè)在技術(shù)和市場方面都取得了長足的進步,扭轉(zhuǎn)了濺射靶材 長期依賴進口的不利局面。其中,國產(chǎn)高純 Mo

25、 靶材、ITO 靶材已實現(xiàn)技術(shù)突破,依 靠國內(nèi)原材料高純鉬粉、高純銦等既有資源優(yōu)勢,已經(jīng)具備相對有競爭力的產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢。3 重點公司分析3.1 隆華科技:聚焦高端新材料,光伏靶材引領(lǐng)新成長業(yè)務(wù)短期承壓,將持續(xù)受益于下游新材料需求的高速增長。自從公司決定轉(zhuǎn)型以 來,前后孵化出多家細分領(lǐng)域龍頭,產(chǎn)品體系初步形成,靶材、高分子復(fù)合材料等新 業(yè)務(wù)帶動公司整體營業(yè)收入從 2017 年的 10.68 億元上升至 2021 年的 22.09 億元。 同時異質(zhì)結(jié)電池靶材、軍用飛機 PMI 泡沫、復(fù)合枕軌等下游大規(guī)模應(yīng)用在即。受疫 情影響,公司 2022 年 H1 歸母凈利潤為 0.93 億元,同比減少 20.9%

26、。隨著影響 逐漸減弱,預(yù)計公司下半年營收、利潤有望環(huán)比改善,全年業(yè)績有望與去年持平。新業(yè)務(wù)占比提升將推動銷售、管理費用率下降。公司原本的節(jié)能設(shè)備收入確定模 式往往是“預(yù)付款-材料款-發(fā)貨款-質(zhì)保金”分階段、多次確定。而其中的調(diào)試、質(zhì)量 保證階段時間花費較長,同時還需派出專員定期保證維護,這是設(shè)備公司銷售費用率 較高的原因。而隆華科技一直處于轉(zhuǎn)型進程中,逐漸從“非標設(shè)備”轉(zhuǎn)向“標準化產(chǎn) 品”,銷售模式從“to 小 B”轉(zhuǎn)向“to 大 B”,靶材、高分子復(fù)合材料等業(yè)務(wù)銷售費 用率遠小于設(shè)備業(yè)務(wù),在營收基數(shù)增大的前提下,我們預(yù)計公司未來整體銷售、管理 費用率將進一步下降。隨著異質(zhì)結(jié)薄片化、銀包銅等幾大降本路徑實現(xiàn),異質(zhì)結(jié)大規(guī)模量產(chǎn)在即,這將 會帶來靶材的需求量快速提升。當前隆華科技具備生產(chǎn)優(yōu)良 ITO 靶材的能力,并且 已經(jīng)通過隆基綠能的驗證,未來雙方有望在異質(zhì)結(jié)電

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