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文檔簡介

資料文件料缺對料能的響女神維納斯因她的“無臂”之而廣為人知,但在日常的生產(chǎn)生活,人們更追求的是誤差的完美。么究竟缺陷能夠材料中造成什么響呢,在此我將進(jìn)簡單的概述。材料具有多種能,大致分為兩,一是使用性能包括力學(xué)性能、物性能和化學(xué)性能等二是工藝性能例如鑄造性、可性、可焊性、切加工性以及熱處理等等。在我們生產(chǎn)經(jīng)常用到的材料,性能常常因?yàn)槲⑸闲⌒〉牟町惗缅娜徊煌?。我們夢想型的完整晶體行對于材料缺陷對料性能的影響的究與探索。

.晶體缺陷:在想完整晶體中,原子按一的秩序嚴(yán)格地處空間有規(guī)則的、周性的格點(diǎn)上。但在實(shí)際晶體中,由于晶形成條件、原子熱運(yùn)動及其它條件影響,原子的排列可能那樣完整和規(guī),往往存在偏離夢想晶體結(jié)構(gòu)的域。這些與完整周性點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)的偏離是晶體中的缺陷,破壞了晶體的對性。

.晶體中存在的陷種類很多,根幾何形狀和涉及范圍??煞譃辄c(diǎn)缺、面缺陷、線缺陷種主要類型。點(diǎn)缺陷:是指維尺寸都很小,超過幾個原子直的缺陷。主要有空和間隙原子在一般情形下點(diǎn)缺陷主要影響體的物理性質(zhì),比容、比熱容、電率等比容的定義為了在晶體部產(chǎn)生一個空位需將該處的原子到晶體表面上的新子位置,這就導(dǎo)致晶體積增加。

.比熱容的定義:由于形點(diǎn)缺陷需向晶體提附加的能量(空生成焓),因而引附加比熱容。電阻率:金屬的電阻來于離子對傳導(dǎo)電的散射。在完整晶中,電子基本上是均勻電場中運(yùn)動,而在缺陷的晶體中,缺陷區(qū)點(diǎn)陣的周性被破壞,電場急變化,因而對電子生強(qiáng)烈散射,導(dǎo)致體的電阻率增大

.此外,點(diǎn)缺陷影響其它物理性:如擴(kuò)散系數(shù)、耗、介電常數(shù)等。在堿金屬的鹵化物體中,由于雜或過多的金屬離等點(diǎn)缺陷對可見的選擇性吸收,會晶體呈現(xiàn)色彩。這點(diǎn)缺陷便稱為色心。

.在一般情形下點(diǎn)缺陷對金屬力性能的影響較小它只是通過和位錯互作用,阻礙位錯動而使晶體強(qiáng)。但在高能粒子照的情形下,由形成大量的點(diǎn)缺陷擠塞子,會引起晶顯著硬化和脆化。種現(xiàn)象稱為輻照硬化。

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資料文件缺陷對物理性的影響很大,可極大的影響材料導(dǎo)熱,電阻,光學(xué)和機(jī)械性能,極大影響材料的各性能指標(biāo),比如度,塑性等?;阅苡绊懼饕胁牧媳砻嫘阅苌?,如雜質(zhì)原子的缺陷在大氣環(huán)境下形原電池模型,極地加速材料的腐蝕另外表面能量也會到缺陷的極大影響表面化學(xué)活性,學(xué)能等等。

.總之影響非常,但是如果合理利用缺陷,可以高材料某一方面的能,比如人工在半體材料中進(jìn)行雜,形成空穴,以極大地提高半體材料的性能。

.金屬材料的強(qiáng)與位錯在材料受外力的情況下如運(yùn)動有很大的關(guān)系如果位錯運(yùn)動受到阻礙較小,則料強(qiáng)度就會較高實(shí)際材料在發(fā)生性變形時(shí),位錯的動是比較復(fù)雜的,錯之間相互反應(yīng)、錯受到阻礙不斷積、材料中的溶原子、第二相等都阻礙位錯運(yùn)動,從使材料出現(xiàn)加工硬。因此,要想增材料的強(qiáng)度就要過諸如:細(xì)化晶粒晶粒越細(xì)小晶界就多,晶界對位錯的動具有很強(qiáng)的阻作用)、有序化金、第二相強(qiáng)化、溶強(qiáng)化等手段使金的強(qiáng)度增加。以上加金屬強(qiáng)度的根原理就是想辦法礙位錯的運(yùn)動。

.空位是指未被子所占有的晶格點(diǎn)間隙原是處在晶格間隙中多余原子點(diǎn)缺陷的出現(xiàn),使周圍的原子生靠攏或撐開,成晶格畸變。使料的強(qiáng)度、硬度和阻率增加。所以金中,點(diǎn)缺陷越多,它的強(qiáng)度硬度越高。

.除了點(diǎn)缺陷這經(jīng)常討論的缺陷,還有一些缺陷產(chǎn)生了重要的作用線缺陷:是指維空間中在二維向上尺寸較小,另一維方面上尺寸大的缺陷。屬于這缺陷主要是位。位錯是晶體中某處有一列或若列原子發(fā)生了某種規(guī)律的錯排現(xiàn)象。

.面缺陷:是指維尺寸很大而第維尺寸很小的缺。通常是指晶界和晶界。晶界:晶粒之的邊界稱為晶界亞晶界:亞晶之間的邊界叫亞界。按缺陷的形成可以分為本征缺和雜質(zhì)缺陷。本征缺陷——晶體本身偏離晶結(jié)構(gòu)形成的缺陷是由于晶格結(jié)點(diǎn)上粒子的熱運(yùn)動產(chǎn)生的,也稱熱缺。如:空位缺陷:晶結(jié)點(diǎn)缺少了某些子(或離子)而現(xiàn)了空位。間充缺陷:在格結(jié)點(diǎn)的空隙中間充有原子(或子)。/3

資料文件錯位缺陷:在格結(jié)點(diǎn)上A類原子占據(jù)了B類原子應(yīng)占據(jù)的位置。非整比缺陷:體的組成偏離了組成定律的非整性的缺陷。雜質(zhì)缺陷——質(zhì)粒子進(jìn)入晶體成的缺陷,如雜粒子和間隙粒子缺。晶體缺陷一般晶體的化學(xué)性質(zhì)響較小,而對晶的一些物理性質(zhì)如電性、磁性、光學(xué)能及機(jī)械性能響很大。

.工業(yè)上使用的屬材料絕大多數(shù)是多晶體。由于晶格空位間隙原子的出現(xiàn)子間的作用力衡被破壞其周圍的其它子發(fā)生移動,偏離晶體的結(jié)位置,這種現(xiàn)象為晶格畸變。

.以上都為可以響材料性能的缺。在力學(xué)性能方,改變晶體強(qiáng)度以改變晶體缺陷量此圖為晶體強(qiáng)與晶體缺陷數(shù)量關(guān)系工業(yè)上提高金材料強(qiáng)度晶體強(qiáng)與晶體缺陷數(shù)量系的基本途徑兩個:1盡量

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