第16屆全國半導(dǎo)體集成電路、硅材料學術(shù)會議

第16屆全國半導(dǎo)體集成電路、硅材料學術(shù)會議半導(dǎo)體，集成電路，硅材料，學術(shù)會議由中國電子學會半導(dǎo)體與集成技術(shù)分會、電子材料專業(yè)分會聯(lián)合主辦的全國半導(dǎo)體集成電路、硅材料學術(shù)會議是我國半導(dǎo)體集成電路和硅材料方面最高級別的學術(shù)會議。通過學術(shù)會議，展示我國在半導(dǎo)體集成電路和硅材料領(lǐng)域的最新研究成果和發(fā)展動態(tài)。該學術(shù)會議每兩年舉行一次，已成功舉辦了十五屆。第十六屆全國半導(dǎo)體集成電路、硅材料學術(shù)會議將于2009年10月27-30日在杭州召開。會議由浙江大學硅材料國家重點實驗室和浙江大學微電子與光電子研究所共同承辦。（會議主頁：/icsi2009/）歡迎大家踴躍投稿第16屆全國半導(dǎo)體集成電路和硅材料學術(shù)會議的論文摘要截止日期原定為7月31日，因各種原因，有些同仁還來不及投稿?？紤]到該學術(shù)會議傳統(tǒng)上一直是我國在集成電路與硅材料方面規(guī)模最大的會議，為了使更多的同仁能參與本次會議，會議組委會決定把論文摘要的截止日期延長至8月15日。請各位同仁抓緊時間向本次會議投稿，組委會對您的支持表示衷心的感謝。謹祝暑安！第16屆全國半導(dǎo)體集成電路和硅材料學術(shù)會議組委會第十六屆全國半導(dǎo)體集成電路和硅材料學術(shù)會議通知為展示我國在半導(dǎo)體集成電路和硅材料領(lǐng)域的最新研究成果和發(fā)展動態(tài)，第十六屆全國半導(dǎo)體集成電路和硅材料學術(shù)會議將于2009年10月27-30日在杭州召開。會議將邀請國內(nèi)集成電路和硅材料界的知名專家和學者做主題報告，熱忱歡迎國內(nèi)高等院校、科研院所、公司企業(yè)從事集成電路和硅材料的研究與開發(fā)的專家、學者、企業(yè)家、學生參加本次會議。主辦單位：中國電子學會半導(dǎo)體與集成技術(shù)分會、中國電子學會電子材料學分會承辦單位：浙江大學硅材料國家重點實驗室、浙江大學微電子與光電子研究所會議主題范圍：MOS、雙極集成電路的設(shè)計與工藝;MOS、雙極集成電路的器件物理和器件模擬;微波功率器件及集成電路；混合集成電路及MCM技術(shù)；電力電子器件及智能功率集成電路；ASIC設(shè)計、制造技術(shù)；特種硅器件（神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)、傳感器、光電器件、微機械、薄膜器件）;硅基納電子、分子電子學、納米器件及應(yīng)用；系統(tǒng)集成技術(shù)；集成電路CAD、EDA、CAT、CAM技術(shù)；半導(dǎo)體工藝建模建庫與工藝設(shè)計包（PDK）及其應(yīng)用；集成電路封裝技術(shù)；集成電路失效分析及可靠性設(shè)計與評估；集成電路測試及故障分析；微電子技術(shù)在科研、生產(chǎn)及其它領(lǐng)域的應(yīng)用成果和經(jīng)驗；微電子技術(shù)在國民經(jīng)濟發(fā)展中的地位、作用及其發(fā)展戰(zhàn)略。硅和硅基材料的制備工藝；硅和硅基材料的性質(zhì)研究；硅和硅基材料分析與測試；多晶硅材料及其應(yīng)用;太陽電池用硅材料主題報告大會邀請報告：王占國中國科學院院士中科院半導(dǎo)體研究所許居衍中國工程院院士中國華晶集團硅微電子技術(shù)的發(fā)展脈絡(luò)屠海令中國工程院院士北京有色金屬研究總院（確認中）葉甜春國家科技重大專項02專項專家組組長中科院微電子所極大規(guī)模集成電路重大專項進展會議邀請報告：（按姓氏筆畫順序）萬里兮中科院微電子所研究員三維封裝技術(shù)及問題陳向東杭州士蘭微電子公司總經(jīng)理SOI與高壓BCD工藝吳漢明中芯國際技術(shù)處處長65納米/45納米/32納米CMOS的工藝技術(shù)發(fā)展嚴大洲洛陽中硅總工程師金融危機下多晶硅產(chǎn)業(yè)的生存與發(fā)展俞濱紐約州立大學教授TowardstheSiliconScalingLimitandBeyond趙穎南開大學教授，973計劃項目首席科學家硅基薄膜太陽電池技術(shù)和研發(fā)現(xiàn)狀趙宇航上海集成電路研發(fā)中心副總裁發(fā)展半導(dǎo)體技術(shù)，營造綠色社會。盛況浙江大學長江特聘教授硅與碳化硅功率集成技術(shù)黃威森中芯國際邏輯產(chǎn)品處處長65納米CMOS技術(shù)的可靠性韓雁浙江大學微電子與光電子研究所副所長模擬IC低功耗設(shè)計方法魏少軍清華大學移動計算研究中心主任通信集成電路新技術(shù)會議組織機構(gòu)1、大會主席：王占國副主席：楊德仁徐世六2、顧問委員會（以姓氏筆畫為序）：馬俊如王占國王守覺王守武王陽元許居衍李志堅吳德馨鄒世昌白黃陳星弼羅復(fù)昌趙正平敞梁駿吾闕端麟周炳琨侯洵俞忠鈺夏建3、學術(shù)委員會主席：吳德馨副主席：嚴曉浪王曉亮委員（以姓氏筆畫為序）：于燮康王東琳王躍林王曦葉甜春:劉捷臣時龍興李肇基吳漢民陳書明陳向東李晉閩張波張衛(wèi)張興張樹丹張維連何杰趙元富趙宇航楊乃彬楊克武楊輝楊德仁祝昌華徐世六錢佩信郝躍黃如戴忠東4、組織委員會主任：楊德仁副主任：韓雁姜麗娟委員（以姓氏筆畫為序）：馬向陽馬潔遜王曉亮張維連王明華朱大中何杰金仲和秦毅秘書處：馬向陽丁扣寶郭清李先杭樊瑞新甌海英重要時間節(jié)點摘要截稿日期：2009年8月15日錄用通知：2009年8月31日前發(fā)出遞交全文：2009年9月30日論文提交大會將匯編和提供論文摘要文集和全文光盤。論文摘要被接收后，將通知作者提交全文。論文摘要的要求：不少于2/3A4紙頁面的篇幅，可以圖文并茂。并按以下順序排版：文題（三號黑體或TimesNewRoman居中）；作者（四號仿宋或TimesNewRoman居中）；單位（小四號宋體或TimesNewRoman居中，含所在省市、郵政編碼、電子郵址；摘要正文（五號宋體或TimesNewRoman,雙倍行距），具體的格式如附件所示。會議不接受已在國內(nèi)外正式出版刊物上發(fā)表過的論文。論文摘要請通過電子郵件于7月31日前發(fā)送到：icsi2009@會議具體事項會議地點：杭州戴斯酒店參觀考察：會議期間將安排到江南四大古鎮(zhèn)之一的烏鎮(zhèn)（著名作家茅盾的故鄉(xiāng)）參觀考察，與會者自愿參加。會程安排：27日：