靜磁場(chǎng)模擬講解課件

靜磁場(chǎng)模擬靜磁場(chǎng)模擬用Comsol建立模型（Tip1）用Comsol建立模型（Tip1）順磁介質(zhì)材料屬性：球形區(qū)域設(shè)置為空氣。Tip區(qū)域自定義材料屬性相對(duì)磁導(dǎo)率為6000.本構(gòu)關(guān)系：相對(duì)磁導(dǎo)率，磁場(chǎng)：選取Tip中軸線為Z軸，施加磁場(chǎng)大小，破分網(wǎng)格，計(jì)算，數(shù)據(jù)處理。

順磁介質(zhì)材料屬性：球形區(qū)域設(shè)置為空氣。Tip區(qū)域自定義材料屬磁通密度模在ZX平面分布（Tip1）注：箭頭僅代表方向磁通密度模在ZX平面分布（Tip1）注：箭頭僅代表方向B的模等值面分布（左為Tip1右為Tip2）Conclude：1）越靠近tipB越大2）越靠近tip等值面曲率越小

3）同時(shí)等值面越密集說明磁通密度模B梯度越大。B的模等值面分布（左為Tip1右為Tip2）Conclu沿Z軸磁通密度B變化由于B法向方向連續(xù)，所以磁通密度B在Z方向分量與B的模相同。數(shù)據(jù)導(dǎo)入origin處理，繪圖?？梢钥闯鯰ip1具有更高的B沿Z軸磁通密度B變化由于B法向方向連續(xù)，所

放大局部后：顯然，Tip1具有更高的梯度。顯然，鐵磁介質(zhì)鐵磁介質(zhì)不同于順磁介質(zhì)，由于磁疇的存在，導(dǎo)致磁導(dǎo)率是磁場(chǎng)強(qiáng)度H的函數(shù)。

所以要用到H-B曲線。

要求是Ni，但是Ni的H-B數(shù)據(jù)網(wǎng)上沒有找到，如果有數(shù)據(jù)，可以輸入內(nèi)插函數(shù)實(shí)現(xiàn)。

這里，選用材料庫的NickleSteelMu-metal這種材料：75%的鎳，15%的鐵，10%的銅與鉬。

本構(gòu)關(guān)系：Tip為HB曲線，球形求解域選擇磁導(dǎo)率。

磁場(chǎng)：同順磁介質(zhì)一樣的外部環(huán)境。鐵磁介質(zhì)鐵磁介質(zhì)不同于順磁介質(zhì)，由于磁疇的磁通密度模分布（左）與Bz（右）在XZ平面分布（以tip1為例）磁通密度模分布（左）與Bz（右）在XZ平面分布（以tip1B的模（左）與Bz等值面（右）分布圖（Tip1為例）越靠近tip上表面，等值面曲率越低，故，MRFM存在“SliceResonant”B的模（左）與Bz等值面（右）分布圖（Tip1為例）越靠近tTip1和Tip2磁通量密度B沿Z軸變化曲線放大Tip1和Tip2磁通量密度B沿Z軸變化曲線放大放大放大Conclusion：Tip1比Tip2磁感應(yīng)強(qiáng)度B大并且在Z軸方向梯度大。并且在靠近tip上表面等值面接近平行于上表面，從而給靶物質(zhì)提供一共振切面。原因可以理解為Tip1更加“尖銳”

。Conclusion：Tip1比Tip2磁感應(yīng)強(qiáng)度B大并誤差分析Comsol仿真模擬方法是有限元分析。而且從理論上也已經(jīng)證明，只要用于離散求解對(duì)象的單元足夠小，所得的解就可足夠逼近于精確值，但是計(jì)算量增加。

本次模擬采用“物理場(chǎng)控制網(wǎng)格”，較細(xì)化進(jìn)行破分。網(wǎng)格還是比較大，但是自定義網(wǎng)格大小，將網(wǎng)格破分很小時(shí)，求解不滿足收斂性。誤差分析Comsol仿真模擬方法是有限元分析此課件下載可自行編輯修改，僅供參考！

感謝您的支持，我們努力做得更好！謝謝此課件下載可自行編輯修改，僅供參考！

感謝您的支持，我們努力靜磁場(chǎng)模擬靜磁場(chǎng)模擬用Comsol建立模型（Tip1）用Comsol建立模型（Tip1）順磁介質(zhì)材料屬性：球形區(qū)域設(shè)置為空氣。Tip區(qū)域自定義材料屬性相對(duì)磁導(dǎo)率為6000.本構(gòu)關(guān)系：相對(duì)磁導(dǎo)率，磁場(chǎng)：選取Tip中軸線為Z軸，施加磁場(chǎng)大小，破分網(wǎng)格，計(jì)算，數(shù)據(jù)處理。

順磁介質(zhì)材料屬性：球形區(qū)域設(shè)置為空氣。Tip區(qū)域自定義材料屬磁通密度模在ZX平面分布（Tip1）注：箭頭僅代表方向磁通密度模在ZX平面分布（Tip1）注：箭頭僅代表方向B的模等值面分布（左為Tip1右為Tip2）Conclude：1）越靠近tipB越大2）越靠近tip等值面曲率越小

3）同時(shí)等值面越密集說明磁通密度模B梯度越大。B的模等值面分布（左為Tip1右為Tip2）Conclu沿Z軸磁通密度B變化由于B法向方向連續(xù)，所以磁通密度B在Z方向分量與B的模相同。數(shù)據(jù)導(dǎo)入origin處理，繪圖?？梢钥闯鯰ip1具有更高的B沿Z軸磁通密度B變化由于B法向方向連續(xù)，所

放大局部后：顯然，Tip1具有更高的梯度。顯然，鐵磁介質(zhì)鐵磁介質(zhì)不同于順磁介質(zhì)，由于磁疇的存在，導(dǎo)致磁導(dǎo)率是磁場(chǎng)強(qiáng)度H的函數(shù)。

所以要用到H-B曲線。

要求是Ni，但是Ni的H-B數(shù)據(jù)網(wǎng)上沒有找到，如果有數(shù)據(jù)，可以輸入內(nèi)插函數(shù)實(shí)現(xiàn)。

這里，選用材料庫的NickleSteelMu-metal這種材料：75%的鎳，15%的鐵，10%的銅與鉬。

本構(gòu)關(guān)系：Tip為HB曲線，球形求解域選擇磁導(dǎo)率。

磁場(chǎng)：同順磁介質(zhì)一樣的外部環(huán)境。鐵磁介質(zhì)鐵磁介質(zhì)不同于順磁介質(zhì)，由于磁疇的磁通密度模分布（左）與Bz（右）在XZ平面分布（以tip1為例）磁通密度模分布（左）與Bz（右）在XZ平面分布（以tip1B的模（左）與Bz等值面（右）分布圖（Tip1為例）越靠近tip上表面，等值面曲率越低，故，MRFM存在“SliceResonant”B的模（左）與Bz等值面（右）分布圖（Tip1為例）越靠近tTip1和Tip2磁通量密度B沿Z軸變化曲線放大Tip1和Tip2磁通量密度B沿Z軸變化曲線放大放大放大Conclusion：Tip1比Tip2磁感應(yīng)強(qiáng)度B大并且在Z軸方向梯度大。并且在靠近tip上表面等值面接近平行于上表面，從而給靶物質(zhì)提供一共振切面。原因可以理解為Tip1更加“尖銳”

。Conclusion：Tip1比Tip2磁感應(yīng)強(qiáng)度B大并誤差分析Comsol仿真模擬方法是有限元分析。而且從理論上也已經(jīng)證明，只要用于離散求解對(duì)象的單元足夠小，所得的解就可足夠逼近于精確值，但是計(jì)算量增加。

本次模擬采