Altera提供的sdram+ip+core應用小節(jié)

Altera提供的sdramipcore應用小節(jié)SDRAM.pdfSDRAM時序控制SDRA(initializeregisterdefinitio讀rea，寫writ，預充電precharg）自動預充電autoprecharg，自發(fā)停止命令（BurstTerminate），自動刷新（autorefresh），自我刷新（selfrefresh），空操作（NOP）。初始化(initialize)SDRAMSDRAMVdd并且時鐘穩(wěn)定后，SDRAM100usNOP100us過后，應該對SDRAM發(fā)出預充電（precharge）SDRAM所有bankbankidleautorefresh對SDRAM的模式寄存器regester）進行操作。寄存器定義（registerdefinition）（modeSDRAM（moderegester）定義了：何種讀寫模式或fullpage），burst長度（burstlength），CAS時。（mode的M0-M2burst的類型（連續(xù)的或交叉存取的CASM7和M9burst模式。0000000000001000100111激活命令reada,writea打開某一特定bank的一和BA1上的值選擇了某個A0-A11的值對應著某一row。被激活的row在未接到precharge如果需要切換bank地址進行操作，就必須在兩個命令之間插入precharge命令。讀（read）和寫（whrit）操作讀命令是在激活的一row上開始一個burst或fullpage讀或寫操作。BA0BA1上的值選擇了bank，A0-A9(x4),A0-A8(x8),orA0-A7(x16)選擇了起始column地址。A10的值決定了是否選擇autoprecharge模式。在模式寄存器中已經設置了讀或寫的工作方式。預充電（precharge）A10bankbankbankprecharge命令。自動預充電（autoprecharge）fullpageautoprecharge,A10=0A10為1時，除了在burst工作模式下，在讀或寫結束后都會進行一次自動預充電。自發(fā)停止命令（BurstTerminate）自發(fā)停止命令用于在一個連續(xù)的讀或寫命令中插入，提前結束這一串的數據的讀或寫。自動刷新（autorefresh）和自我刷新refresh）每過15.6us就refresh一次1行一共212故15.6us×4096＝64msSDRAM上的數據不丟失，必須定時刷新，刷新計數器決定了刷新的時間間隔，SDRAM提供兩種類型的刷新模式：自動SDRAM操作指令指令對應于RAS_N,CAS_N,WE_N接口部件控制命令表ALTERASDRAM控制器的結構這是總體示意圖，左邊是用戶操作端，右邊則與SDRAM相連。該通用控制器由3部分組成，分別是：commend，control_interface，str_data_path。主要功能是將外部提供的readwriteprecharge等命令轉化為SDRAM理解的RAS_N，CAS_N，WE_N指令。1：control_interfaceCMD[2：0]接收外部指令，ADDR[21：0]接收refresh的CM_ACKCMD號，將lodecommend模塊。2：commend功能control_interfacWE_NOEstr_data_path模塊中數據是否可以出現在數據線上的。只有當寫有效時才會令其使能。特別指出的是如果外部輸入的控制命令是read/write，則本模塊將此命令轉化為兩步，先輸出一個RAS_N，CAS_N，WE_N組合的active命令，再輸出一個RAS_N，CAS_N，WE_N組合的read/write命令。3：str_data_path功能：控制有效數據出現在數據線上，有OE的數據也由此讀出。。相對于一些專用的控制器而言，其開放性還體現在模式控制的重新設定。比如在fullpageburst方式間的切換，只要在100us的NOP命令之后重新做一次初始化命令即可。功能時序操作FULLPAGE方式下SDRAM控制步驟：一初始化：對SDRAMIP左端依次輸入10個clk的nopCMD<=3'b0010個clk的prechargeCMD<=3'b1020個clk的refresh10個clk的prechargeCMD<=3'b01。接下來寫控制字：裝載SDRAM模式寄存器 確定控制信息CMD<=3'b101;ADDR<=`ASIZE'b0000000000001000100111;裝載REG2 選擇fresh周期CMD<=3'b111;ADDR<=1000;裝載REG1 確定控制信息CMD<=3'b110;ADDR<=`ASIZE'b0000000000000101111100;310個CLK即可；二寫操作再執(zhí)行完上述操作后，輸入如下命令：CMD<=3'b010; 輸入寫命令ADDR<=22'b0000000000000000000000; 輸入寫地執(zhí)行寫命令時我們設定一個計數器counter。二讀操作輸入如下命令并啟用計數器counter：在計數器counter=0則在counter=5，是可以讀出來的。接著從5260256NOPCMD<=3'b000。在數據接受完之前，counter=259precharge命令CMD<=3'b100。維持prcharge7二讀操作輸入如下命令并啟用計數器counter：CMD<=3'b001; 輸入讀命令ADDR<=22'b00000000000000000000000; 輸入讀地址counter=05。8一個有效數據。在counter=5CMD<=3'b000發(fā)出nop命令。這時都有數據讀出。263時讀出最后一個數據。但是必須在計數器counter=259時發(fā)出precharge命令。＊＊＊Fullpage模式下注意事項：refresh操作，fullpagerefreshrefresh命令以后必須要注意一點就是后面必須給出一段空操作的延時，或者是讀操作，要不然數據就會丟哦！關于prechargeburstterminatefullpage讀寫操作用的是prechargerefreshburstterminate的波形，要再發(fā)一次precharge才能真正的產生precharge的波形。在refresh操作正確的情況下可產生正確的precharge波形。如果驗證ｓｄｒａｍ是不是讀寫正常，最好是一次大量寫入很多ｐａｇｅ的數據，然就像３上面提到的刷新，很可能會被寫一行讀一行的操作給掩蓋掉！BURST8方式下SDRAM控制步驟：一初始化：對SDRAMIP左端依次輸入10個clk的nopCMD<=3'b0010個clk的precharge命令CMD<=3'b1020個clk的refresh命令CMD<=3'b0110個clk的precharge命令。接下來寫控制字：裝載SDRAM模式寄存器 確定控制信息CMD<=3'b101;ADDR<=`ASIZE'b0000000000000000110011;;裝載REG2 選擇fresh周期CMD<=3'b111;ADDR<=1000;裝載REG1 確定控制信息CMD<=3'b110;ADDR<=`ASIZE'b0000000001000001111111;310個CLK即可；二寫操作再執(zhí)行完上述操作后，輸入如下命令：CMD<=3'b010; 輸入寫命令ADDR<=22'b0000000000000000000000; 輸入寫地執(zhí)行寫命令時我們設定一個計數器counter。在計數器counter=0時發(fā)出寫命令，則在counter=5時寫的數據是第一個有效數據，是可以5328把發(fā)出NOP命令CMD<=3'b000。在數據接受完之前，counter=31時發(fā)出precharge命令CMD<=3'b100。維持prcharge7clk。二讀操作輸入如下命令并啟用計數器counter：CMD<=3'b010; 輸入寫命令ADDR<=22'b00000000000000000000000; 輸入寫地counter=058一個有效數據。在counter=5CMD<=3'b000發(fā)出nop命令。這時都有數據讀出。263時讀出最后一個數據。但是必須在計數器counter=10時發(fā)出precharge命令。read命令發(fā)出后要發(fā)出nop（否則讀出的數據是寫數據的最后幾位Precharg的時間點要恰好（影響到最后幾位的數據正常寫入讀出Precharg的時間要夠長（的話，bank不能正常關閉，下一次讀寫雖然換了地址，但是還是會讀寫上一次的地址。另外：CASLENGTH(1,2,4,5