半導(dǎo)體專業(yè)術(shù)語

acceptor:受主，如B,摻入Si中需要接受電子Acid：酸Activedevice：有源器件，如MOSFET(非線性，可以對信號放大)Alignmark(key)：對位標(biāo)記Alloy：合金Aluminum：鋁Ammonia：氨水Ammoniumfluoride：NH4FAmmoniumhydroxide：NH40HAmorphoussilicon：a-Si,非晶硅(不是多晶硅)Analog：模擬的Angstrom：A(lE-10m)埃Anisotropic：各向異性(如POLYETCH)AQL(AcceptanceQualityLevel)：接受質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，在一定采樣下，可以95%置信度通過質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)(不同于可靠性，可靠性要求一定時間后的失效率)ARC(Antireflectivecoating)：抗反射層(用于METAL等層的光刻)Argon(Ar)MArsenic(As)神Arsenictrioxide(As203)三氧化二種Arsine(AsH3)Asher：去膠機(jī)Aspectration：形貌比（ETCH中的深度、寬度比）Autodoping：自攙雜（外延時SUB的濃度高，導(dǎo)致有雜質(zhì)蒸發(fā)到環(huán)境中后，又回?fù)降酵庋訉樱〣ackend：后段（CONTACT以后、PCM測試前）Baseline：標(biāo)準(zhǔn)流程Benchmark：基準(zhǔn)Bipolar：雙極Boat：擴(kuò)散用（石英）舟CD：（CriticalDimension）臨界（關(guān)鍵）尺寸。在工藝上通常指條寬，例如POLYCD為多晶條寬。Characterwindow：特征窗口。用文字或數(shù)字描述的包含工藝所有特性的一個方形區(qū)域。Chemical-mechanicalpolish（CMP）：化學(xué)機(jī)械拋光法。一種去掉圓片表面某種物質(zhì)的方法。Chemicalvapordeposition（CVD）：化學(xué)汽相淀積。一種通過化學(xué)反應(yīng)生成一層薄膜的工21OChip：碎片或芯片。CIM：computer-integratedmanufacturing的縮寫。用計(jì)算機(jī)控制和監(jiān)控制造工藝的一種綜合方式。Circuitdesign：電路設(shè)計(jì)。一種將各種元器件連接起來實(shí)現(xiàn)一定功能的技術(shù)。Cleanroom：一種在溫度，濕度和潔凈度方面都需要滿足某些特殊要求的特定區(qū)域。Compensationdoping：補(bǔ)償摻雜。向P型半導(dǎo)體摻入施主雜質(zhì)或向N型摻入受主雜質(zhì)。CMOS：complementarymetaloxidesemiconductor的縮寫。一種將PMOS和NMOS在同一個硅襯底上混合制造的工藝。Computer-aideddesign(CAD)：計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)。Conductivitytype：傳導(dǎo)類型，由多數(shù)載流子決定。在N型材料中多數(shù)載流子是電子，在P型材料中多數(shù)載流子是空穴。Contact：孔。在工藝中通常指孔1,即連接鋁和硅的孔。Controlchart：控制圖。一種用統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)描述的可以代表工藝某種性質(zhì)的曲線圖表。Correlation：相關(guān)性。Cp：工藝能力，詳見processcapability。Cpk：工藝能力指數(shù)，詳見processcapabilityindexoCycletime：圓片做完某段工藝或設(shè)定工藝段所需要的時間。通常用來衡量流通速度的快慢。Damage：損傷。對于單晶體來說，有時晶格缺陷在表面處理后形成無法修復(fù)的變形也可以叫做損傷。Defectdensity：缺陷密度。單位面積內(nèi)的缺陷數(shù)。Depletionimplant：耗盡注入。一種在溝道中注入離子形成耗盡晶體管的注入工藝。(耗盡晶體管指在柵壓為零的情況下有電流流過的晶體管。)Depletionlayer：耗盡層?？蓜虞d流子密度遠(yuǎn)低于施主和受主的固定電荷密度的區(qū)域。Depletionwidth：耗盡寬度。53中提到的耗盡層這個區(qū)域的寬度。Deposition：淀積。一種在圓片上淀積一定厚度的且不和下面層次發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的薄膜的一種方法。Depthoffocus（DOF）：焦深。designofexperiments（DOE）：為了達(dá)到費(fèi)用最小化、降低試驗(yàn)錯誤、以及保證數(shù)據(jù)結(jié)果的統(tǒng)計(jì)合理性等目的，所設(shè)計(jì)的初始工程批試驗(yàn)計(jì)劃。develop：顯影（通過化學(xué)處理除去曝光區(qū)域的光刻膠，形成所需圖形的過程）developer：I）顯影設(shè)備；II）顯影液die：硅片中一個很小的單位，包括了設(shè)計(jì)完整的單個芯片以及芯片鄰近水平和垂直方向上的部分劃片槽區(qū)域。dielectric：I）介質(zhì)，一種絕緣材料；II）用于陶瓷或塑料封裝的表面材料，可以提供電絕緣功能。diffusedlayer：擴(kuò)散層，即雜質(zhì)離子通過固態(tài)擴(kuò)散進(jìn)入單晶硅中，在臨近硅表面的區(qū)域形成與襯底材料反型的雜質(zhì)離子層。drive-in：推阱，指運(yùn)用高溫過程使雜質(zhì)在硅片中分布擴(kuò)散。dryetch：干刻，指采用反應(yīng)氣體或電離氣體除去硅片某一層次中未受保護(hù)區(qū)域的混合了物理腐蝕及化學(xué)腐蝕的工藝過程。effectivelayerthickness：有效層厚，指在外延片制造中，載流子密度在規(guī)定范圍內(nèi)的硅錠前端的深度。EM：electromigration,電子遷移，指由通過鋁條的電流導(dǎo)致電子沿鋁條連線進(jìn)行的自擴(kuò)散過程。epitaxiallayer：外延層。半導(dǎo)體技術(shù)中，在決定晶向的基質(zhì)襯底上生長一層單晶半導(dǎo)體材料，這一單晶半導(dǎo)體層即為外延層。equipmentdowntime：設(shè)備狀態(tài)異常以及不能完成預(yù)定功能的時間。etch：腐蝕，運(yùn)用物理或化學(xué)方法有選擇的去除不需的區(qū)域。exposure：曝光，使感光材料感光或受其他輻射材料照射的過程。fab：常指半導(dǎo)體生產(chǎn)的制造工廠。featuresize：特征尺寸，指單個圖形的最小物理尺寸。field-effecttransistor(FET)：場效應(yīng)管。包含源、漏、柵、襯四端，由源經(jīng)柵到漏的多子流驅(qū)動而工作，多子流由柵下的橫向電場控制。film：薄膜，圓片上的一層或多層迭加的物質(zhì)。flat：平邊f(xié)lowvelocity：流速計(jì)flowvolume：流量計(jì)flux：單位時間內(nèi)流過給定面積的顆粒數(shù)forbiddenenergygap：禁帶four-pointprobe：四點(diǎn)探針臺functionalarea：功能區(qū)gateoxide：柵氧glasstransitiontemperature：玻璃態(tài)轉(zhuǎn)換溫度gowning：凈化服grayarea：灰區(qū)grazingincidenceinterferometer：切線入射干涉儀hardbake：后烘heteroepitaxy：單晶長在不同材料的襯底上的外延方法high-currentimplanter：束電流大于3ma的注入方式，用于批量生產(chǎn)hign-efficiencyparticulateair(HEPA)filten高效率空氣顆粒過濾器，去掉％的大于的顆粒host：主機(jī)hotcarriers：熱載流子hydrophilic：親水性hydrophobic：疏水性impurity：雜質(zhì)inductivecoupledplasma(ICP)：感應(yīng)等離子體inertgas：惰性氣體initialoxide：一氧insulator：絕緣isolatedline：隔離線implant:注入impurityn:摻雜junction:結(jié)junctionspikingn:鋁穿刺kerf:劃片槽landingpadn:PADlithographyn制版maintainability,equipment:設(shè)備產(chǎn)能maintenancen:保養(yǎng)majoritycarriern:多數(shù)載流子masks,deviceseriesofn:一成套光刻版materialn:原料matrixn1:矩陣meann:平均值measuredleakraten:測得漏率mediann:中間值memoryn:記憶體metaln:金屬nanometer(nm)n：納米nanosecond(ns)n：納秒nitrideetchn：氮化物刻蝕nitrogen(N2)n：氮?dú)猓环N雙原子氣體n-typeadj：n型ohmspersquaren：歐姆每平方：方塊電阻orientationn：晶向，一組晶列所指的方向overlapn：交迭區(qū)oxidationn：氧化，高溫下氧氣或水蒸氣與硅進(jìn)行的化學(xué)反應(yīng)phosphorus(P)n：磷，一種有毒的非金屬元素photomaskn：光刻版，用于光刻的版photomask,negativen：反亥Uimages：去掉圖形區(qū)域的版photomask,positiven：正亥Upilotn：先行批，用以驗(yàn)證該工藝是否符合規(guī)格的片子plasman：等離子體，用于去膠、刻蝕或淀積的電離氣體plasma-enhancedchemicalvapordeposition(PECVD)n：等離子體化學(xué)氣相淀積，低溫條件下的等離子淀積工藝plasma-enhancedTEOSoxidedepositionn：TEOS淀積，淀積TEOS的一種工藝pnjunctionn：pn結(jié)pockedbeadn：麻點(diǎn)，在20X下觀察到的吸附在低壓表面的水珠polarizationn：偏振，描述電磁波下電場矢量方向的術(shù)語polyciden：多晶硅/金屬硅化物，解決高阻的復(fù)合柵結(jié)構(gòu)polycrystallinesilicon(poly)n：多晶硅，高濃度摻雜(〉5E19)的硅，能導(dǎo)電。polymorphismn：多態(tài)現(xiàn)象，多晶形成一種化合物以至少兩種不同的形態(tài)結(jié)晶的現(xiàn)象probern:探針。在集成電路的電流測試中使用的一種設(shè)備，用以連接圓片和檢測設(shè)備。processcontroln:過程控制。半導(dǎo)體制造過程中，對設(shè)備或產(chǎn)品規(guī)范的控制能力。proximityX-rayn近X射線：一種光刻技術(shù)，用X射線照射置于光刻膠上方的掩膜版,從而使對應(yīng)的光刻膠暴光。purewatern:純水。半導(dǎo)體生產(chǎn)中所用之水。quantumdevicen:量子設(shè)備。一種電子設(shè)備結(jié)構(gòu)，其特性源于電子的波動性。quartzcarriern:石英舟。randomaccessmemory(RAM)n:隨機(jī)存儲器。randomlogicdevicen:隨機(jī)邏輯器件。rapidthermalprocessing(RTP)n:快速熱處理(RTP)。reactiveionetch(RIE)n:反應(yīng)離子刻蝕(RIE)。reactorn:反應(yīng)腔。反應(yīng)進(jìn)行的密封隔離腔。recipen:菜單。生產(chǎn)過程中對圓片所做的每一步處理規(guī)范。resistn:光刻膠。scanningelectronmicroscope(SEM)n:電子顯微鏡(SEM)。scheduleddowntimen:(設(shè)備)預(yù)定停工時間。Schottkybarrierdiodesn:肖特基二極管。scribelinen:劃片槽。sacrificialetchbackn:犧牲腐蝕。semiconductorn:半導(dǎo)體。電導(dǎo)性介于導(dǎo)體和絕緣體之間的元素。sheetresistance(Rs)(orpersquare)n薄層電阻。一般用以衡量半導(dǎo)體表面雜質(zhì)摻雜水平。sideload:邊緣載荷，被彎曲后產(chǎn)生的應(yīng)力。silicononsapphire(SOS)epitaxialwafer:外延是藍(lán)寶石襯底硅的原片smallscaleintegration(SSI)：小規(guī)模綜合，在單一模塊上由2到10個圖案的布局。spinwebbing:旋轉(zhuǎn)帶，在旋轉(zhuǎn)過程中在下表面形成的細(xì)絲狀的剩余物。sputteretch:濺射刻蝕，從離子轟擊產(chǎn)生的表面除去薄膜。stackingfault:堆垛層錯，原子普通堆積規(guī)律的背離產(chǎn)生的2次空間錯誤。steambath:蒸汽浴，一個大氣壓下，流動蒸汽或其他溫度熱源的暴光。stepresponsetime:瞬態(tài)特性時間，大多數(shù)流量控制器實(shí)驗(yàn)中，普通變化時段到氣流剛到達(dá)特定地帶的那個時刻之間的時間。stepper:步進(jìn)光刻機(jī)(按BLOCK來曝光)stresstest:應(yīng)力測試，包括特定的電壓、溫度、濕度條件。surfaceprofile:表面輪廓，指與原片表面垂直的平面的輪廓(沒有特指的情況下)。symptom:征兆，人員感覺到在一定條件下產(chǎn)生變化的弊病的主觀認(rèn)識。tackweld:間斷焊，通常在角落上尋找預(yù)先有的地點(diǎn)進(jìn)行的點(diǎn)焊(用于連接蓋子)。Taylortray:泰勒盤，褐拈土組成的高膨脹物質(zhì)。temperaturecycling:溫度周期變化，測量出的重復(fù)出現(xiàn)相類似的高低溫循環(huán)。testability:易測性，對于一個已給電路來說，哪些測試是適用它的。thermaldeposition:熱沉積，在超過950度的高溫下，硅片引入化學(xué)摻雜物的過程。thinfilm:超薄薄膜，堆積在原片表面的用于傳導(dǎo)或絕緣的一層特殊薄膜。titanium(Ti):鈦。toluene(C6H5CH3):甲苯。有毒、無色易燃的液體，它不溶于水但溶于酒精和大氣。1,1,l-trichloroethane(TCA)(CL3CCH3):有毒、不易燃、有刺激性氣味的液態(tài)溶劑。這種混合物不溶于水但溶于酒精和大氣。tungsten(W):鴇。tungstenhexafluoride(WF6):氟化鴇。無色無味的氣體或者是淡黃色液體。在CVD中WF6用于淀積硅化物，也可用于鴇傳導(dǎo)的薄膜。tinning:金屬性表面覆蓋焊點(diǎn)的薄層。totalfixedchargedensity(Nth):下列是硅表面不可動電荷密度的總和：氧化層固定電荷密度(Nf)、氧化層俘獲的電荷的密度(Not)、界面負(fù)獲得電荷密度(Nit)。watt(W):瓦。能量單位。waferflat:從晶片的一面直接切下去，用于表明自由載流子的導(dǎo)電類型和晶體表面的晶向，也可用于在處理和雕合過程中的排列晶片。waferprocesschamber(WPC):對晶片進(jìn)行工藝的腔體。well:阱。wetchemicaletch:濕法化學(xué)腐蝕。trench:深腐蝕區(qū)域，用于從另一區(qū)域隔離出一個區(qū)域或者在硅晶片上形成存儲電容器。via:通孔。使隔著電介質(zhì)的上下兩層金屬實(shí)現(xiàn)電連接。window:在隔離晶片中，允許上下兩層實(shí)現(xiàn)電連接的絕緣的通道。torr:托。壓力的單位。vaporpressure:當(dāng)固體或液體處于平衡態(tài)時自己擁有的蒸汽所施加的壓力。蒸汽壓力是與物質(zhì)和溫度有關(guān)的函數(shù)。vacuum:真空。transitionmetals:過渡金屬ADIAfterdevelopinspection顯影后檢視AEI蝕科后檢查Alignment排成一直線，對平Alloy融合：電壓與電流成線性關(guān)系，降低接觸的阻值A(chǔ)RC：anti-reflectcoating防反射層ASHER:一種干法刻蝕方式ASI光阻去除后檢查Backside晶片背面BacksideEtch背面蝕刻Beam-Current電子束電流BPSG:含有硼磷的硅玻璃Break中斷，stepper機(jī)臺內(nèi)中途停止鍵Cassette裝晶片的晶舟CD：criticaldimension關(guān)鍵性尺寸Chamber反應(yīng)室Chart圖表Childlot子批Childlot子批Chip（die）晶粒CMP化學(xué)機(jī)械研磨Coater光阻覆蓋（機(jī)臺）Coating涂布，光阻覆蓋ContactHole接觸窗ControlWafer控片Criticallayer重要層CVD化學(xué)氣相淀積Cycletime生產(chǎn)周期Defect缺陷DryClean干洗Duedate交期Dummywafer擋片E/R:etchrate蝕刻速率EE設(shè)備工程師EndPoint蝕刻終點(diǎn)ESD:electrostaticdischarge/electrostatic靜電離子損傷ET:etch蝕刻設(shè)計(jì)規(guī)則檢查Furnace爐管GOI:gateoxideintegrity門氧化層完整性Hexamethyldisilazane,經(jīng)去水烘烤的晶片，將涂上一層增加光阻與晶片表面附著力的化合物，稱HCI:hotcarrierinjection熱載流子注入HDP：highdensityplasma高密度等離子體High-Voltage高壓Hotbake烘烤ID辨認(rèn)，鑒定DEP:deposit淀積Descum預(yù)處理（機(jī)臺）Developer顯影液；顯影（機(jī)臺）Development顯影DG:dualgate雙門DIwater去離子水Diffusion擴(kuò)散Doping摻雜Dose劑量Downgrade降級DRC:designrulecheckExhaust排氣（將管路中的空氣排除）Exposure曝光FAB工廠FIB:focusedionbeam聚焦離子束FieldOxide場氧化層Flatness平坦度damage56.Focus焦距Foundry代工FSG:含有氟的硅玻璃

67.Implant植入87.OOS超出規(guī)格界線106.PVD物理氣相淀積68.Layer層次88.OverEtch過蝕刻107.PW:p-dopedwellP阱69.LDD:lightlydopeddrain輕摻雜漏89.Overflow溢出108.Queuetime等待時間70.Localdefocus局部失焦因機(jī)臺或晶片造成之臟污90.Overlay測量前層與本層之間曝光的準(zhǔn)確度109.R/C:runcard運(yùn)作卡71.LOCOS:localoxidationofsilicon局部氧化91.OX:SiO2二氧化硅110.Recipe程式72.Loop巡路92..Photoresisit光阻111.Release放行73.Lot批93.P1:poly多晶硅112.Resistance電阻74.Mask(reticle)光罩94.PA;passivation鈍化層113.Reticle光罩75.Merge合并95.Parentlot母批114.RF射頻76.MetalVia金屬接觸窗96.Particle含塵量/微塵粒子115.RM:remove.消除77.MFG制造部97.PE:1.processengineer;2.plasmaenhance1、工藝116.Rotation旋轉(zhuǎn)78.Mid-Current中電流工程師2、等離子體增強(qiáng)117.RTA:rapidthermalanneal迅速熱退火79.Module部門98.PH:photo黃光或微影118.RTP:rapidthermalprocess迅速熱處理80.NIT:Si3N4氮化硅99.Pilot實(shí)驗(yàn)的119.SA:salicide硅化金屬81.Non-critical非重要100.Plasma電漿120.SAB:salicideblock硅化金屬阻止區(qū)82.NP:n-dopedplus(N+)N型重?fù)诫s101.Pod裝晶舟與晶片的盒子121.SAC:sacrificelayer犧牲層83.NW:n-dopedwellN阱102.Polymer聚合物122.Scratch刮傷84.OD:oxidedefinition定義氧化層103.PORProcessofrecord123.Selectivity選擇比85.OM:opticmicroscope光學(xué)顯微鏡104.PP:p-dopedplus(P+)P型重?fù)诫s124.SEM：scanningelectronmicroscope掃描式電子顯微86.OOC超出控制界線105.PR:photoresist光阻鏡

125.Slot槽位143.WEE周邊曝光163.ASIC特定用途集成電路126.Source-Head離子源144.mainframe主機(jī)164.ATE自動檢測設(shè)備127.SPC制程統(tǒng)計(jì)管制145.cassette晶片盒165.SIPself-ionizedplasma自電離電漿128.Spin旋轉(zhuǎn)146.amplifier放大器166.IGBT絕緣門雙極晶體管129.SpinDry旋干147.enclosure外殼167.PMDpremetaldielectric電容130.Sputter濺射148.wrench扳手168.TCUtemperaturecontrolunit溫度控制設(shè)備131.SRO:Sirichoxide富氧硅149.swagelok接頭鎖緊螺母169.arcchamber起弧室132.Stocker倉儲150.clamp夾子vaporizer蒸發(fā)器133.Stress內(nèi)應(yīng)力151.actuator激勵filament燈絲134.STRIP:一種濕法刻蝕方式152.STIshallowtrenchisolantion淺溝道隔離層