4光電材料研究現(xiàn)狀

光電材料是指用于制造各種光電設(shè)備（主要包括各種主、光電傳感器光信息處理和 裝置及光通信等）的材料，主要包括半導(dǎo)體材料、紅外探測(cè)材料、激光材料、光纖材料、非線性光學(xué)材料等。2（一）新型光電子材料及相關(guān)基礎(chǔ)材料、關(guān)鍵設(shè)備和特種光電子器件1、光電子基礎(chǔ)材料、生長(zhǎng)源和關(guān)鍵設(shè)備突破新型生長(zhǎng)源關(guān)鍵技術(shù)，掌握相關(guān)的檢測(cè)技術(shù)；突破半導(dǎo)體光電子器件的基礎(chǔ)材料技術(shù)，實(shí)現(xiàn)。舉例：四氯化硅(4N)的純化技術(shù)和規(guī)模化生產(chǎn)技術(shù)(6N)

銦規(guī)模化生產(chǎn)技術(shù)我國(guó)在該技術(shù)領(lǐng)域重點(diǎn)支持的研究?jī)?nèi)容33)襯底材料 與加工技術(shù)重點(diǎn)研究開發(fā)外延用藍(lán)寶石、GaN、SiC等襯底材料的高標(biāo)拋光 技術(shù)（Epi-ready級(jí)）；大尺寸（>2"）藍(lán)寶石襯底材料技術(shù)切割和 。藍(lán)寶石基GaN器件技術(shù)。4)

用于平板顯示的光電子基礎(chǔ)材料與關(guān)鍵設(shè)備技術(shù)大面積(對(duì)角線>14″)的定向排列碳納米管或納米棒薄膜生長(zhǎng)的用的新型高效熒光粉的;等離子體平板顯示。452、新型半導(dǎo)體材料與光電子器件技術(shù)重點(diǎn)研究自組裝半導(dǎo)體量子點(diǎn)、AlxCa1-xN、GaN、ZnO晶體和低維量子結(jié)構(gòu)、窄禁帶氮化物等新型半導(dǎo)體材料及光電子器件技術(shù)。舉例：研究AlxCa1-xN、GaN、ZnO晶體、低維量子結(jié)構(gòu)材料技術(shù)，研制短波長(zhǎng)光電子器件自組裝量子點(diǎn)激光器技術(shù)Ⅲ-Ⅴ族窄禁帶氮化物材料及器件技術(shù)光泵浦外腔式面發(fā)射半導(dǎo)體激光器4、

光電子材料與器件

質(zhì)量控制技術(shù)發(fā)展人工晶體與全固態(tài)激光器、GaN基材料及器件表征評(píng)價(jià)技術(shù)，解決 質(zhì)量控制。研究?jī)?nèi)容：重點(diǎn)研究人工晶體與全固態(tài)激光器、GaN基材料及器件質(zhì)量監(jiān)測(cè)新方法與新技術(shù)，相關(guān)產(chǎn)品測(cè)試條件與數(shù)據(jù)。65、光電子材料與器件的微觀結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與性能預(yù)測(cè)研究提出光電子新材料、新器件的構(gòu)思，為原始創(chuàng)新提供理論概念與設(shè)計(jì)舉例：針對(duì)光電子技術(shù)的發(fā)展需求，結(jié)合本 的研制任務(wù)，采用建立分析模型、進(jìn)行計(jì)算機(jī)模擬，在不同尺度（從原子、分子到納米、介觀及宏觀）范圍內(nèi)，闡明材料性能與微觀結(jié)構(gòu)的關(guān)系，以利性能、結(jié)構(gòu)及工藝的優(yōu)化。解釋材料 實(shí)驗(yàn)中的新現(xiàn)象和問題， 新結(jié)構(gòu)、新性能，預(yù)報(bào)新效應(yīng)，以利材料研制的創(chuàng)新。低維量子結(jié)構(gòu)材料新型表征評(píng)價(jià)技術(shù)和設(shè)備。7（二）通信用光電子材料、器件與集成技術(shù)1、集成光電子

和模塊技術(shù)研究目標(biāo)：突破并掌握用于光電集成(OEIC)、光子集成(PIC)與微光電機(jī)械(MOEMS)方面的材料和 的關(guān)鍵工藝技術(shù)，以典型器件的研制帶動(dòng)研究開發(fā)工藝平臺(tái)的建設(shè)和完善，探索集成光電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)和工藝制造協(xié)調(diào)發(fā)展的途徑，促進(jìn) 、模塊和組件的 。892、通信光電子關(guān)鍵器件技術(shù)研究目標(biāo)：針對(duì)干線高速通信系統(tǒng)和密集波分復(fù)用系統(tǒng)、全光網(wǎng)絡(luò)以及光接入網(wǎng)系統(tǒng)的需要，重點(diǎn)進(jìn)行一批技術(shù)含量高、市場(chǎng)前景廣闊的目標(biāo)產(chǎn)品和單元技術(shù)的研究開發(fā)，迅速促進(jìn)相應(yīng)產(chǎn)品系列的形成和規(guī)模化生產(chǎn)，顯著提高我國(guó)通信光電子關(guān)鍵器件產(chǎn)業(yè)的綜合競(jìng)爭(zhēng)能力。3、光纖制造新技術(shù)及新型光纖研究目標(biāo)：研究開發(fā)并掌握具有自主知識(shí)的光纖預(yù)制棒制造技術(shù)；研究開發(fā)新一代通信光纖，推動(dòng)光纖通信系統(tǒng)在高速、大容量骨干網(wǎng)以及接入網(wǎng)中的應(yīng)用。研究?jī)?nèi)容和主要指標(biāo)：光纖預(yù)制棒制造新技術(shù)；新型特種光纖。1011（三）面向信息獲取、處理、利用的光電子材料與器件1．GaN材料和器件技術(shù)研究目標(biāo)：重點(diǎn)突破用于藍(lán)光激光器襯底的GaN體單晶生長(zhǎng)技術(shù)。研究?jī)?nèi)容及主要指標(biāo)：大面積、高質(zhì)量GaN體單晶生長(zhǎng)技術(shù)。2、亮度全色顯示材料與器件應(yīng)用技術(shù)研究開發(fā)用于場(chǎng)致電子發(fā)射平板顯示器（FED）材料和器件結(jié)構(gòu)，以及 亮度極發(fā)光 作和應(yīng)用的

。說明：等離子體平板顯示器和高亮度、長(zhǎng)有機(jī)發(fā)光器件（OLED）和FED的將于"平板顯示專項(xiàng)"中考慮。研究?jī)?nèi)容及主要指標(biāo)：亮度 極發(fā)光 作和應(yīng)用的;研制FED用的、能夠在低電壓下工作的新型 極電子源結(jié)構(gòu)、新型極電子發(fā)射材料。123、密度光

材料與器件技術(shù)DVD光頭用光源和非球面透鏡等；新型近場(chǎng)光

材料和器件。134、光傳感材料與器件技術(shù)研究目標(biāo)：以特殊環(huán)境應(yīng)用為目的，實(shí)現(xiàn)傳感元器件的技術(shù)開發(fā)；研究開發(fā)新型光電傳感器。研究?jī)?nèi)容及主要指標(biāo)：

光纖光柵溫度、壓力、振動(dòng)傳感器的技術(shù);銻化物半導(dǎo)體材料及室溫?zé)o制冷紅外焦平面探測(cè)器技術(shù);大氣監(jiān)測(cè)用高靈敏紅外探測(cè)器及其列陣;基于新概念、新原理的光電探測(cè)技術(shù)。14紅外材料紅外材料主要有兩類：紅外探測(cè)材料和紅外透波材料。紅外探測(cè)材料包括硫化鉛、銻化銦、鍺摻雜（金、）、碲錫鉛、碲鎘、硫酸三甘酞、鉭酸鋰、鍺酸鉛、氧化鎂等一系列材料，銻化銦和碲鎘是目前紅外光電系統(tǒng)采用的主要紅外探測(cè)材料，特別是碲鎘（H-Te）材料，是當(dāng)前較成熟也是各國(guó)側(cè)重研究發(fā)展的主要紅外材料。它可應(yīng)用于從近紅外、中紅外、到遠(yuǎn)紅外很寬的波長(zhǎng)范圍，還具有以光電導(dǎo)、光伏

特及光磁電等多種工作方式工作的優(yōu)點(diǎn)，但該材料也存在化學(xué)穩(wěn)定性差、難于制成大尺寸單晶、大面積均勻性差等缺點(diǎn)，H-Te現(xiàn)已進(jìn)入薄膜材料研制和應(yīng)用階段，為了克服該材料上述的缺點(diǎn)，國(guó)際上探索了新的技術(shù)途徑：（1）用各種薄膜外延技術(shù) 大尺寸晶片，這些技術(shù)包括分子束外延（MBE）、液相外延（LPE）和金屬有機(jī)化合物氣相淀積（MOCVD）等。特別是用MOCVD可以制出大面積、組分均勻、表面狀態(tài)好的H -Te薄膜，用于 大面積焦平面陣列紅外探測(cè)器。國(guó)外用MOCVD法已制成面積大于5cm2、均勻性良好、Δx=0.2±0.005、工藝重復(fù)性好的碲鎘

單晶薄膜，64×64焦平面器件已用于型號(hào)系統(tǒng)、512×512已有樣品。15（2）尋找高性能新紅 材料-Te，主要包括：①Hg-Mn-Te和Hg-Zn-Te，和從80年代中就開展了這方面的研究研究表明，HgTe和Hg1-x

CdxZnyTe的光學(xué)特性和碲鎘

很相似，但較容易獲得大尺寸、低缺陷的單晶，化學(xué)穩(wěn)定性也更高。g1-xMnxTe是磁性半導(dǎo)體材料，在磁場(chǎng)中的光伏特性與碲鎘 幾乎相同，但它克服了Hg-Te弱鍵引起的問題。②高溫超導(dǎo)材料，現(xiàn)處于研究開發(fā)階段，已有開發(fā)成功的產(chǎn)品。③Ⅲ-V超晶格量子阱化合物材料，可用于8～14μm遠(yuǎn)紅外探測(cè)器，如：InAs/GaSb（應(yīng)變層超晶格）、GaAs/AlGaAs（量子阱結(jié)構(gòu)）等。④SiGe材料，由于SiGe材料具有許多獨(dú)特的物理性質(zhì)和重要的應(yīng)用價(jià)值，又與Si平面工藝相容，因此引起了微電子及光電子的高度重視。SiGe材料通過控制層厚、組分、應(yīng)變等，可材料的光電性能，開辟了硅材料人工設(shè)計(jì)和能帶工程的新，形成國(guó)際性研究熱潮。Si/GeSi異質(zhì)結(jié)構(gòu)應(yīng)用于紅外探測(cè)器有如下優(yōu)點(diǎn)：截止波長(zhǎng)可在3～30μm較大范圍內(nèi)調(diào)節(jié)，能保證截止波長(zhǎng)有利于優(yōu)化響應(yīng)和探測(cè)器的冷卻要求。Si/GeSi材料的缺點(diǎn)在于量子效率很低，目前利用多個(gè)SiGe層來解決這一問題。16175、有機(jī)光電子材料及器件研究開發(fā)新型有機(jī)半導(dǎo)體材料及其在光顯示等領(lǐng)域的應(yīng)用。有機(jī)非線性光學(xué)材料及其在全光光開關(guān)中的應(yīng)用;有機(jī)半導(dǎo)體薄膜晶體管材料與器件技術(shù)。6.光電轉(zhuǎn)換通過光生伏打效應(yīng)將于制作 能電池。工作原理能轉(zhuǎn)換為電能的材料。主要用是一個(gè)巨大的能源庫(kù)，地球上一年中接收到的 能高達(dá)1.8×1018千瓦時(shí)。研究和發(fā)展光電轉(zhuǎn)換材料的目的是為了利用 能。

光電轉(zhuǎn)換材料的工作原理是將相同的材料或兩種不同的半導(dǎo)體材料做成PN結(jié)電池結(jié)構(gòu)，當(dāng) 光照射到PN結(jié)電池結(jié)構(gòu)材料表面時(shí)形成新的空穴-電子對(duì)在p-n結(jié)電場(chǎng)的作用下空穴由n區(qū)流向p區(qū)，電子由p區(qū)流向n區(qū)?接通電路后就形成電流。這就是光電材料的工作原理。18目前運(yùn)用最廣的是能電池，其發(fā)電系統(tǒng)主要由能電池板、能控制器蓄電池及逆變器組成。能電池板能電池板是

能發(fā)電系統(tǒng)中的部分，也是能發(fā)電系統(tǒng)中價(jià)值最高的部分。其作用是將

能轉(zhuǎn)化為電能或送往蓄電池中起來或推動(dòng)負(fù)載工作。能電池板的質(zhì)量和成本將直接決定整個(gè)系統(tǒng)的質(zhì)量和成本。能控制器能控制器的作用是

系統(tǒng)的工作狀態(tài)并對(duì)蓄電池起到過充電保護(hù)、過放電保護(hù)的作用。在溫差較大的地方合格的控制器還應(yīng)具備溫度補(bǔ)償?shù)墓?/p>

能。其他附加功能如光控開關(guān)、時(shí)控開關(guān)都應(yīng)當(dāng)是控制器的可選項(xiàng)。

蓄電池一般為鉛酸電池，一般有12V和24V這兩種小微型系統(tǒng)中也可用鎳氫電池、鎳鎘電池或鋰電池。其作用是在有光照時(shí)將

能電池板所發(fā)出的電能

起

來到需要的時(shí)候再

出來。逆變器在很多場(chǎng)合都需要提供AC220V、

AC110V的交流電源。由于

能的直接輸出一般都是DC12V、DC24V、

DC48V。為能向AC220V的電器提供電能，需要將

能發(fā)電系統(tǒng)所發(fā)出的

直流電能轉(zhuǎn)換成交流電能，因此需要使用DC-AC逆變器。在某些場(chǎng)合需要使用多種電壓的負(fù)載時(shí)也要用到DC-DC變換器，如將24VDC的電能轉(zhuǎn)換成

5VDC的電能。發(fā)電方式19能發(fā)電有兩種方式：一種是光—熱—電轉(zhuǎn)換方式，另一種是光—電直接轉(zhuǎn)換方式。光—熱—電轉(zhuǎn)換方式通過利用

輻射產(chǎn)生的熱能發(fā)電。一般是由

能集熱器將所吸收的熱能轉(zhuǎn)換成工質(zhì)的蒸氣再驅(qū)動(dòng)汽輪機(jī)發(fā)電。前一個(gè)過程是光—熱轉(zhuǎn)換過程，后一個(gè)過程是熱—電轉(zhuǎn)換過程與普通的火力發(fā)電一樣。

能熱發(fā)電的缺點(diǎn)是效率很低而成本很高，估計(jì)它的投資至少要比普通火電站貴5~10倍。一座1000MW的

能熱電站需要投資20~25億 ，平均1kW的投資為2000~2500

。因此，目前只能小規(guī)模地應(yīng)用于特殊的場(chǎng)合。而大規(guī)模利用在經(jīng)濟(jì)上很不合算，還不能與普通的火電站或核電站相競(jìng)爭(zhēng)。[1]光—電直接轉(zhuǎn)換方式該方式是利用光電效應(yīng)將

輻射能直接轉(zhuǎn)換成電能光—電轉(zhuǎn)換的基本裝置就是

能電池。

能電池是一種由于光生伏特效應(yīng)而將

光能直接轉(zhuǎn)化為電能的器件是一個(gè)半導(dǎo)體光電二極管當(dāng)

光照到光電二極管上時(shí)光電二極管就會(huì)把的光能變成電能?產(chǎn)生電流。當(dāng)許多個(gè)電池串聯(lián)或并聯(lián)起來就可以成為有比較大的輸出功率的

能電池方陣了。

能電池是一種大有前途存在?

能電池就可以一次投資而長(zhǎng)期使用?與火力發(fā)的新型電源?具有

性、清潔性和靈活性三大優(yōu)點(diǎn).

能電池

長(zhǎng)?只要電、核能發(fā)電相比?

能電池不會(huì)引起環(huán)境污染?能電池組?能電池可以大中小并舉?大到百萬千瓦的中型電站小到只供一戶用的這是其它電源無法比擬的。能電池的應(yīng)用領(lǐng)域

[1]1.用戶能電源小型電源不等用于邊遠(yuǎn)無電地區(qū)如高原、海島、牧區(qū)、邊防哨所等軍民生活用電如照明、電視、收錄機(jī)等家庭屋頂并網(wǎng)發(fā)電系統(tǒng)。光伏水泵解決無電地區(qū)的深水井飲用、灌溉。2.

交通領(lǐng)域如航標(biāo)燈、交通/鐵路信號(hào)燈、交通警示/標(biāo)志燈、路燈、高空

燈、高速公路/鐵路無線

亭、無人值守道班供電等。3.

通訊/通信領(lǐng)域光伏系統(tǒng)、小型通信機(jī)、士兵GPS供能無人值守微波中繼站、光纜

站、廣播/通訊/尋呼電源系統(tǒng)

農(nóng)村載波電等。4.

石油、海洋、氣象領(lǐng)域石油管道和水庫(kù)陰極保護(hù)

能電源系統(tǒng)、石油鉆井平臺(tái)生活及應(yīng)急電源、海洋檢測(cè)設(shè)備、氣象/水文觀測(cè)設(shè)備等。5..家庭燈具電源

如庭院燈、路燈、手提燈、野營(yíng)燈、登山燈、垂釣燈、黑光燈、割膠燈、節(jié)能燈等。6.光伏電站10KW-50MW獨(dú)立光伏電站、各種大型停車廠充電站等。7.

能建筑將能發(fā)電與建筑材料相結(jié)合,使得未來的大型建筑實(shí)現(xiàn)電力自給是未來一大發(fā)展方向。8.其他領(lǐng)域包括[1]4、航天器、空間還將與汽車配套

能汽車/電動(dòng)車、電池充電設(shè)備、汽車空調(diào)、換氣扇、冷飲箱等能制氫加

電池的再生發(fā)電系統(tǒng)水淡化設(shè)備供電能電站等。

可見?以

能電池為代表的光電轉(zhuǎn)化材料已經(jīng)運(yùn)用到生活的方方面面,隨著科技的發(fā)展,看到

新的光電轉(zhuǎn)換材料的出現(xiàn)。[1]20“十一·五”國(guó)家高技術(shù)研究發(fā)展計(jì)劃（863計(jì)劃）新材料技術(shù)領(lǐng)域重大項(xiàng)目“半導(dǎo)體照明工程”2006年度課題申請(qǐng)指南研究開發(fā)高效節(jié)能、長(zhǎng)

的半導(dǎo)體照明產(chǎn)品是《國(guó)家中長(zhǎng)期科學(xué)和技術(shù)發(fā)展規(guī)劃綱要（2006-2020年）》工業(yè)節(jié)能優(yōu)先

的重要內(nèi)容。

“半導(dǎo)體照明工程”項(xiàng)目在“十一五”的

目標(biāo)是：通過自主創(chuàng)新，突破白光照明部分

專利，解決半導(dǎo)體照明市場(chǎng)急需的

關(guān)鍵技術(shù)，建立完善的技術(shù)創(chuàng)新體系與特色產(chǎn)業(yè)集群，完善半導(dǎo)體照明產(chǎn)

業(yè)鏈，形成我國(guó)具有國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的半導(dǎo)體照明新興產(chǎn)業(yè)?！笆弧の濉?63項(xiàng)目重大項(xiàng)目21項(xiàng)目分解為七個(gè)研究方向：第三代寬禁帶半導(dǎo)體外延材料生長(zhǎng)和器件技術(shù)研究；130lm/W半導(dǎo)體白光照明集成技術(shù)研究；100lm/W功率型LED

制造技術(shù)開發(fā)；MOCVD裝備 技術(shù)及關(guān)鍵原材料 技術(shù)開發(fā)；半導(dǎo)體照明重大應(yīng)用技術(shù)開發(fā)；半導(dǎo)體照明規(guī)?；到y(tǒng)集成技術(shù)研究；半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)、評(píng)價(jià)體系與專利研究。此次發(fā)布的課題申請(qǐng)指南經(jīng)費(fèi)

為22000萬元。22十一五”國(guó)家高技術(shù)研究發(fā)展計(jì)劃（863計(jì)劃）新材料領(lǐng)域“半導(dǎo)體照明工程”重大項(xiàng)目課題評(píng)審初步結(jié)果(2006-2010年）序號(hào)課題 課題名稱申請(qǐng)人

申請(qǐng)單位1

2006AA03A101

Φ2英寸LiAlO2晶體及襯底

技術(shù)

周圣明

光學(xué)機(jī)械半導(dǎo)體大學(xué)光學(xué)

機(jī)械2006AA03A102

新型襯底GaN（氮化鎵）基材料的外延技術(shù)曾一平中國(guó)2006AA03A103

LiAlO2上非極性面GaN基LED材料生長(zhǎng)與器件2006AA03A104

非極性面GaN基LED材料用襯底的研制2006AA03A105

高效率大功率LED外延材料

技術(shù)2006AA03A106

高效率大功率發(fā)光二極管外延材料研究

中國(guó)2006AA03A107

AlN襯底

及GaN基深紫外LED外延技術(shù)研究物理中國(guó)物理2006AA03A108

GaN基深紫外LED材料的外延技術(shù)

西安電子科技大學(xué)2006AA03A109

深紫外GaN基LED的研究2006AA03A110

深紫外LED

GaN基半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與關(guān)鍵外延技術(shù)研究廈門大學(xué)半導(dǎo)體研究2006AA03A111

紫外LED用AlGaN材料生長(zhǎng)研究2006AA03A112

GaN基激光剝離、垂直結(jié)構(gòu)LED2006AA03A113

高效GaN基光子晶格LED的喜中國(guó)的研究2006AA03A114

新型大功率器件技術(shù)研究王國(guó)宏中國(guó)2006AA03A115

新型大功率陣列式LED器件

研究

孔慶生半導(dǎo)體鼎暉科技－熒光粉涂層技術(shù)的研究饒海波電子科技大學(xué)2006AA03A116

功率型白光LED封裝2006AA03A117新型藍(lán)光功率LED

技術(shù)研究中國(guó)電子科技

公司第十三

立德公司大學(xué)18

2006AA03A118

單19

2006AA03A119

單GaN基寬譜白光LED研究多波長(zhǎng)白光LED的研制20

2006AA03A120

新一代亮度

效率激光白光照明技術(shù)的探索2006AA03A121

自主創(chuàng)新單

白光發(fā)光二極管及其2006AA03A122

130lm/W半導(dǎo)體白光照明集成技術(shù)研究楊研究中國(guó)23

2006AA03A123

功率型

亮度100流明瓦LED

制造技術(shù)大連半導(dǎo)體所工業(yè)大學(xué)半導(dǎo)體昇

藍(lán)寶光電材料科技2006AA03A124

高光效大功率白光LED

技術(shù)研究2006AA03A125

高效大功率氮化鎵LED及半導(dǎo)體照明白光源制造技術(shù)26

2006AA03A126

每瓦100流明功率型白光LED制造與生產(chǎn)技術(shù)

伍永安

晉城市

利特光電技術(shù)2006AA03A127

功率型白光LED新型光源制造技術(shù)2006AA03A128

基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術(shù)2006AA03A129

Si襯底GaN基功率型LED制造技術(shù)開發(fā)廈門三安電子廈門華聯(lián)電子中山市木

電子2006AA03A130

RGB三基色白光LED制造技術(shù)2006AA03A131

寬色域白光LED制造技術(shù)2006AA03A132

集成功率LED封裝技術(shù)研究書寧波升譜光電半導(dǎo)體佛山市國(guó)星光電科技河北立德電子莊衛(wèi)東有研稀土新材料杭州師范學(xué)院有色金屬研究總院大連中國(guó)

化學(xué)發(fā)光2006AA03A133

功率型LED器件封裝用熒光粉材料2006AA03A134

功率型LED器件封裝用關(guān)鍵配套材料2006AA03A135

功率型LED器件封裝用高效熱管理材料的研究與2006AA03A136

100lm/W功率型LED封裝用有機(jī)硅材料的研制和2006AA03A137

白光LED用寬激發(fā)帶硅酸鹽基質(zhì)發(fā)光材料2006AA03A138

新型高效率白光LED熒光粉的研究張家驊中國(guó)長(zhǎng)春光學(xué)精密機(jī)械與物理2006AA03A139

半導(dǎo)體照明

測(cè)試與分揀的2006AA03A140

GaN-MOCVD深紫外LED材料生長(zhǎng)設(shè)備及設(shè)備研制

青島

電氣23電氣2006AA03A140

GaN-MOCVD深紫外LED材料生長(zhǎng)設(shè)備2006AA03A141

MOCVD材料生長(zhǎng)等關(guān)鍵設(shè)備

中國(guó)42

2006AA03A142

推廣型III族氮化物HVPE材料生長(zhǎng)系統(tǒng)張榮青島半導(dǎo)體大學(xué)半導(dǎo)體中國(guó)電子科技公司第四十六43

2006AA03A143

HVPE法44

2006AA03A144

HVPE法45

2006AA03A145

SiC單晶襯底GaN同質(zhì)襯底

飛

中國(guó)GaN同質(zhì)襯底技術(shù)研究剛山東大學(xué)46

2006AA03A146

基于半導(dǎo)體照明

LED用SiC單晶襯底

陳小龍

中國(guó)（6.5N）鋁源、銦源的生產(chǎn)工藝及其分析方法的研究物理江蘇南大光電材料472006AA03A147482006AA03A148純氨氣（7N）純化技術(shù)和49

2006AA03A149

大尺寸LCD背光源集成技術(shù)研究技術(shù)開發(fā)

大連保稅區(qū)

德化工科技開發(fā)海信50

2006AA03A150

大尺寸LCD電視用LED背光源系統(tǒng)開發(fā)

金波

廣電（）2006AA03A151

大尺寸液晶電視用LED背光源2006AA03A152

LED在汽車前照燈上的開發(fā)與應(yīng)用京東方科技常州星宇車燈公司吉林東光瑞寶車燈夏利汽車鎵英半導(dǎo)體2006AA03A153

LED轎車前照大燈系統(tǒng)集成技術(shù)開發(fā)2006AA03A154

大功率LED轎車前照大燈系統(tǒng)集成技術(shù)開發(fā)2006AA03A155

室內(nèi)數(shù)字智能化LED照明系統(tǒng)開發(fā)2006AA03A156

智能化室內(nèi)半導(dǎo)體照明系統(tǒng)研究2006AA03A157

智能化LED照明系統(tǒng)集成技術(shù)開發(fā)

王克

大連

光電科技發(fā)展2006AA03A158

功率型LED器件化模塊燈具的開發(fā)

丞

桐鄉(xiāng)市生輝照明電器2006AA03A159

高效率有機(jī)電致發(fā)光照明光源開發(fā)2006AA03A160

有機(jī)半導(dǎo)體照明光源開

尚勝

華南理工大學(xué)2006AA03A161

照明用有機(jī)電致發(fā)光材料與器件研究

閣

中國(guó)

長(zhǎng)春應(yīng)用化學(xué)2006AA03A162

OLED照明光源材料與器件

吉林大學(xué)2006AA03A163

LED在醫(yī)用設(shè)備方面的應(yīng)用

劉晶維

哈爾濱海格科技發(fā)展

公司2006AA03A164

影響

生物節(jié)律的LED光源研究2006AA03A165

半導(dǎo)體照明光源在植物組培中的應(yīng)用研究2006AA03A166

應(yīng)用LED的飛機(jī)進(jìn)近安全著陸航道指示系統(tǒng)的研制2006AA03A167

國(guó)家游泳中心半導(dǎo)體照明規(guī)?；到y(tǒng)集成技術(shù)研究照明燈具市國(guó)有資產(chǎn)經(jīng)營(yíng)公司同濟(jì)大學(xué)