液晶顯示原理及制造工藝-課件

SUSTTFT液晶顯示器制造工藝SUSTTFT液晶顯示器制造工藝1

ColorFilterFabricationProcess

TFTArrayProcess

LiquidCrystalCellProcess

ModuleAssemblyProcessTFT-LCDProcessColorFilterFabricationProc2C/FIntroduceandProcess彩色濾光片基本結(jié)構(gòu)是由玻璃基板（GlassSubstrate），黑色矩陣（BlackMatrix），彩色層（ColorLayer），保護(hù)層（OverCoat），ITO導(dǎo)電膜組成。一般穿透式TFT用彩色光片結(jié)構(gòu)如下圖。GLASSSUBSTRATEBlackMatrixColorLayerOverCoatITOC/FIntroduceandProcess彩色濾光片3C/F的結(jié)構(gòu)放大彩色濾光膜C/F的結(jié)構(gòu)放大彩色濾光膜4C/FProcessC/FProcess5液晶顯示原理及制造工藝--課件6C/FPixelArray馬賽克式直條式三角形式四畫素馬賽克式:：顯示AV動(dòng)態(tài)畫面直條式：較常顯示文字畫面,(NoteBook)。C/FPixelArray馬賽克式直條式三角形式四畫素馬7彩色濾光膜製造技術(shù)黑紋(BM)製程技術(shù)Cr/CrOx製程技術(shù)感光樹脂製程技術(shù)各製程技術(shù)之比較彩色層製程技術(shù)顏料分散法電著法染色法印刷法各製程技術(shù)之比較彩色濾光膜製造技術(shù)黑紋(BM)製程技術(shù)彩色層製程技術(shù)8黑紋製程Cr/CrOx製程基板Cr/CrOx膜光阻成膜光阻塗佈曝光顯影蝕刻剝膜UV光源光罩黑紋製程Cr/CrOx製程基板Cr/CrOx膜光阻成膜光阻塗9黑紋製程感光樹脂製程基板黑色光阻光阻塗佈曝光UV光源光罩顯影黑紋製程感光樹脂製程基板黑色光阻光阻塗佈曝光UV光源顯影10黑紋製程黑紋製程技術(shù)比較黑紋製程黑紋製程技術(shù)比較11彩色層製程顏料分散法1.著色光阻塗佈2.曝光3.顯影4.重覆製程1-3三色形成光罩著色光阻黑紋[BM]玻璃基板彩色層製程顏料分散法1.著色光阻塗佈2.曝光3.顯影4.重覆12彩色層製程電著法析出機(jī)構(gòu)2H2O→2OH1－＋2H＋＋2e－2OH1－→H2O＋O1－2O1→O2↑

－COO－＋H＋→－COOH(a)陰離子型電著機(jī)構(gòu)示意圖析出機(jī)構(gòu)2H2O→2e－＋2OH－＋2H＋2H－→H2↑－NR2＋OH－→－NR2＋H2O(b)陽離子型電著機(jī)構(gòu)示意圖彩色層製程電著法析出機(jī)構(gòu)(a)陰離子型電著機(jī)構(gòu)示意圖析出機(jī)13彩色層製程電著法製程2.顯影光阻ITO玻璃基板1.曝光3.蝕刻、剝膜4.電著光罩ITO電極5.G,B重覆三色形成彩色層製程電著法製程2.顯影光阻ITO玻璃基板1.曝光3.蝕14GRBGRBRRGBGB導(dǎo)電膠遮避層ITO導(dǎo)線電著後之ITO導(dǎo)線(a)直條狀排列(b)馬賽克排列彩色層製程電著法--電著示意圖GRBGRBRRGBGB導(dǎo)電膠遮避層ITO導(dǎo)線電著後之ITO15彩色層製程染色法1.樹脂塗佈2.曝光著色光阻黑紋[BM]玻璃基板3.顯像5.染色.重覆1～5製程三色形成彩色層製程染色法1.樹脂塗佈2.曝光著色光阻黑紋[BM]玻璃16彩色層製程技術(shù)印刷法1.Blanket轉(zhuǎn)動(dòng)Blanket油墨.油墨轉(zhuǎn)印至

Blanket3.油墨印刷至玻璃基板4.三色形成黑紋玻璃基板G,B重覆彩色層製程技術(shù)印刷法1.Blanket轉(zhuǎn)動(dòng)Blanket油墨17PossibleDefectsOnC/FParticlesPatternDefectsPinholesTokkiMixedColorMuraPossibleDefectsOnC/FParticl18ITO透明導(dǎo)電層的作用ITO透明導(dǎo)電層的作用19ARRAY制程（1）六道光罩：GE-SE-PE-CH-SD-DC（2）五道光罩：GE-SE-SD-CH-PEARRAY制程（1）六道光罩：GE-SE-PE-CH-SD-20TFTArray組成材料（六道光罩）MASK1-GE Gate電極 Cr

MASK3-PE 畫素電極 ITOMASK5-SD Source/Drain電極 Cr/Al/CrMASK2-SE 通道與電極之接觸介面 (n+)a-Si：H

MASK2-SE Channel(

通道) (i)a-Si：H

MASK2-SE GI層(Gate絕緣層) SiNxMASK6-DC 保護(hù)層 SiNx

MASK4-CH Contacthole 21TFTArray組成材料（六道光罩）MASK1-GE GMask1：GE(Gate電極形成)AA’1.受入洗淨(jìng) SPC(島田)2.濺鍍Cr(4000A) ULVAC/AKT3.成膜前洗淨(jìng) SPC/芝蒲4.UV處理 東芝 5.光阻塗佈/曝光/顯影 TEL/Nikon6.顯影檢查/光阻寸檢 Nikon/Hitachi7.硬烤

光洋8.CrTaper蝕刻(WET) DNS9.光阻去除 DNS10.製程完成檢查

KLA/ORBOAA’22Mask1：GE(Gate電極形成)AA’1.受入洗淨(jìng)Mask2：SE(島狀半導(dǎo)體形成)AA’AA’1.成膜前洗淨(jìng) SPC/芝蒲2.成膜SiNx

Barlzers3.成膜前洗淨(jìng) SPC/芝蒲4.成膜SiNx/a-Si/n+SiBarlzers 5.光阻塗佈/曝光/顯影TEL/Nikon6.顯影檢查 Nikon/Hitachi7.蝕刻(DRY) TEL/PSC8.光阻去除 DNS9.製程完成檢查

KLA/ORBO23Mask2：SE(島狀半導(dǎo)體形成)AA’AA’1.成膜Mask3：PE(畫素電極形成)AA’AA’1.成膜前洗淨(jìng) SPC/芝蒲2.成膜ITO ULVAC3.光阻塗佈/曝光/顯影 TEL/Nikon4.顯影檢查/光阻寸檢 Nikon/Hitachi5.蝕刻(WET) DNS6.光阻去除 DNS7.製程完成檢查

KLA/ORBO24Mask3：PE(畫素電極形成)AA’AA’1.成膜前Mask4：CH(ContactHole形成)1.Array6道Mask工程中唯一沒有成膜製程2.蝕刻GI層(SiNx)，定義出不同層金屬間的連接區(qū)

AA’AA’1.光阻塗佈/曝光/顯影 TEL/Nikon2.顯影檢查/光阻寸檢Nikon/Hitachi3.蝕刻(DRY) TEL/PSC4.光阻去除 DNS5.製程完成檢查

KLA/ORBO25Mask4：CH(ContactHole形成)1.ArMask5：SD(Source及Drain電極形成)AA’AA’1.成膜前洗淨(jìng) SPC/芝蒲2.成膜Cr/Al/Cr ULVAC/AKT3.光阻塗佈/曝光/顯影 TEL/Nikon4.顯影檢查/光阻寸檢 Nikon/Hitachi5.蝕刻上層Cr(WET) DNS6.硬烤 光洋7.蝕刻Al(WET) DNS8.硬烤 光洋9.蝕刻下層Cr(WET) DNS10.蝕刻n+Si(DRY) TEL/PSC11.光阻去除 DNS12.製程完成檢查

KLA/ORBO26Mask5：SD(Source及Drain電極形成)AAMask6：DC(保護(hù)層形成)AA’AA’1.成膜前洗淨(jìng) SPC/芝蒲2.成膜SiNx Barlzers3.光阻塗佈/曝光/顯影 TEL/Nikon4.顯影檢查 Nikon/Hitachi5.蝕刻(DRY) TEL/PSC6.光阻去除 DNS7.退火 光洋TFT元件製程結(jié)束,後流至ARRAYTESTER

27Mask6：DC(保護(hù)層形成)AA’AA’1.成膜前洗淨(jìng)TFTArray組成材料（五道光罩）MASK1-GE Gate電極 Cr

MASK5-PE 畫素電極 ITOMASK3-SD Source/Drain電極 CrMASK2-SE 通道與電極之接觸介面 (n+)a-Si：H

MASK2-SE Channel(通道) (i)a-Si：H

MASK2-SE GI層(Gate絕緣層) SiNxMASK4-CH Contacthole SiNx

28TFTArray組成材料（五道光罩）MASK1-GE GMask1：GE(Gate電極形成)AA’1.受入洗淨(jìng) 芝蒲2.濺鍍Cr(4000A) ULVAC3.成膜前洗淨(jìng) 島田理化/芝蒲4.光阻塗佈/曝光/顯影TEL/DNS/Nikon5.顯影檢查/光阻寸檢 V-tech6.硬烤

田葉井7.CrTaper蝕刻(WET) DNS8.光阻去除 島田理化10製程完成檢查

ORBOTEC/OLYMPUSAA’29Mask1：GE(Gate電極形成)AA’1.受入洗淨(jìng)MASK2Island形成1.在6道Mask之SE工程，其顯示區(qū)域內(nèi)所製作的Pattern為TFT之Island及SourceLine與GateLine重疊的部份。在5道Mask

製程中則將SourceLine的底部皆鋪上SE層MASK2Island形成1.在6道Mask之S30MASK3S/D電極形成1.在6道Mask製程，其第3道Mask為PE工程在5道Mask製程，其第3道Mask為SD程。5道Mask中PE為最後一道Mask。MASK3S/D電極形成1.在6道Mask製程，31MASK4SiNDepo.→挖ContactHole1.此處的CH工程(5M)結(jié)合了CH工程(6M)及

DC工程(6M)，故在CH工程(5M)需先鍍上

SiN，做為保護(hù)膜。2.此處的CH工程(5M)有些區(qū)域需挖SiN(GI

層及保護(hù)膜)，故在下一道製程PE工程鍍上ITO膜時(shí)，對(duì)金屬濺鍍的階梯覆蓋能力要求增加。MASK4SiNDepo.→挖ContactHo32MASK5Pixel電極形成1.為何5道Mask中要將SD工程放在第3道

Mask、PE工程放在第5道Mask？

推測：因?yàn)镃H工程(5M)是結(jié)合DC及CH

工程(6M)，故在CH工程(5M)需先鍍上保護(hù)膜SiN，若第3道Mask(5M)改成PE工程(5M)，則在CH工程(5M)時(shí)鍍上之保護(hù)膜SiN

無法保護(hù)TFT，因?yàn)榇藭r(shí)TFT尚未形成。2.PE工程(5M)在最後一道工程的優(yōu)缺點(diǎn)：

A.在6道Mask製程中，為了平坦度的要求，沒有將PE上的保護(hù)膜SiN挖掉。但此一作法卻增加的一個(gè)電容，使的驅(qū)動(dòng)IC的負(fù)載增加。5道Mask將PE工程(5M)放，在最後一道製程，可將保護(hù)膜SiN置於

PE底下，同時(shí)解決此二問題。

B.在ITODepo.時(shí)需要通入O2，在挖CH(5M)

處SD工程Depo.的金屬此時(shí)裸露在表面，故SD工程最表層的金屬需要求較不易氧化的金屬。

MASK5Pixel電極形成1.為何5道Mask33

Clean工程ProcessMonitor受入洗洗淨(jìng)成膜寫真蝕刻剝膜Array檢查ArrayprocessPattern欠陷檢查

欠陷分類統(tǒng)計(jì)趨勢各製程擔(dān)當(dāng)Clean化工程

Product裝置記錄製程改善情報(bào)Clean工程ProcessMonitor受入34CELL制程（1）傳統(tǒng)CELL制程（2）ODF版CELL制程CELL制程（1）傳統(tǒng)CELL制程（2）ODF版CELL制程35液晶注入工程檢查工程切割裂片面板分段工程重合(對(duì)位)面板間距控制框膠硬化重合工程間隔劑散佈間隔劑散布工程銀膠印刷銀膠涂布配向配向后洗凈配向處理工程配向膜印刷配向膜燒成(熱硬化)配向膜形成工程干燥純水洗凈洗凈工程Array基板投入洗凈工程純水洗凈干燥配向膜形成工程配向膜印刷配向膜燒成(熱硬化)配向處理工程配向配向后洗凈框膠涂布框膠印刷框膠預(yù)烤彩色濾光片投入實(shí)裝工程面板工程完成點(diǎn)燈檢查(面板檢查)工程偏光板貼附液晶注入封止洗淨(jìng)退火(液晶再配向)貼附工程傳統(tǒng)CELL製造工程FLOWCHARTPI玻璃基板A滾輪印刷滾輪PI分子玻璃基板配向布滾輪PI層玻璃基板散佈間隔劑玻璃基板框膠針筒排氣液晶玻璃基板配向?qū)娱g隔劑真空真空氮?dú)馄獍錋rray框膠CF液晶注入工程檢查工程切割裂片面板分段工程重合(對(duì)位)面板間距36製程流程製程流程37製程流程製程流程38CFCleaning(彩色濾光片洗淨(jìng))

在ColorFilter購入後可能會(huì)受到周圍環(huán)境有機(jī)物質(zhì)污染，需對(duì)此附著在CF上之有機(jī)物排除，此製程以UV/O3對(duì)有機(jī)物進(jìn)行分解達(dá)到清潔之目的。

fedcba

a:Loader部b:基板受取部c:AirKnife部d:EximerUV部e:基板整列部f:Unloader部

CFCleaning(彩色濾光片洗淨(jìng))在ColorFi39

1st

Scribe&break(一次切割裂片)

將大尺寸的ArrayTFT基板切割成我們所要的尺寸基板。

1-up

2-up=2片1-up

1stScribe&break(一次切割裂片)將大40切割成2-up的目的是因?yàn)镃ell的生產(chǎn)線屬連續(xù)式生產(chǎn)線的型式(line),同樣數(shù)量的1-up與2-up投入生產(chǎn)線中雖然所花費(fèi)的時(shí)間幾乎一樣,但2-up的產(chǎn)能就是比1-up多出一倍。生產(chǎn)線1-up2-up1-up2-up2-up的產(chǎn)量比1-up多一倍切割成2-up的目的是因?yàn)镃ell的生產(chǎn)線屬連續(xù)式生產(chǎn)線的型411stGrinding(一次磨邊)

按照所定尺寸切割好的玻璃，進(jìn)行基板端面的研磨裝置，如圖，其主要目的有：(1).將切割裂片後的玻璃截面平坦化，避免截面缺陷應(yīng)力集中。(2).避免尖銳的截面?zhèn)︶嵫u程設(shè)備。

CtypeRtype1stGrinding(一次磨邊)按照所定尺寸切割好的玻421stGrinding圖示一、長邊整形機(jī)磨除部分ψ100mmStraightwheel功能：將裂片後的面板長邊磨平0.1mm1stGrinding圖示一、長邊整形機(jī)磨除部分ψ10043二、短邊整形機(jī)磨除部分ψ100mmStraightwheel功能：將裂片後的面板短邊磨平0.1mm二、短邊整形機(jī)磨除部分ψ100mmStraightwhee44三、角磨邊機(jī)

功能：將面板四個(gè)角磨平ψ100mmStraightwheel1±0.5mm三、角磨邊機(jī)功能：將面板四個(gè)角磨平ψ100mmStra45After-grindingcleaning(磨邊後洗淨(jìng))

將前段磨邊後之玻璃基板洗淨(jìng)，主要去除殘留在表面上之玻璃粉屑、小顆粒等。

abcdefa：搬入Conveyor部b：WaterShower(1)部c：CJ部

d：WaterShower(2)部e：Air-knife部f：搬出Conveyor部

After-grindingcleaning(磨邊後洗淨(jìng))46CJ部CJ(CavitationJet)由上下各2列強(qiáng)力水柱沖灌，產(chǎn)生液面下氣泡沖洗玻璃機(jī)板。

CJ部CJ(CavitationJet)由上下各247液晶顯示原理及制造工藝--課件48Pre-PICleaning(印上PI膜前洗淨(jìng))

在PI膜印刷前將玻璃基板洗淨(jìng)，並做適當(dāng)?shù)谋砻娓馁|(zhì)，使膜能均勻地塗布在玻璃基板上。abcdefghija：基板受取/洗劑Brush部b：WaterShower-1部

c：WaterShower(2)部d：MSShower部

e：SilaneShower部f：WaterShower(3)部

g：Air-knife部h：IR乾燥部

i：冷卻部j：搬出Conveyor部

Pre-PICleaning(印上PI膜前洗淨(jìng))在PI膜49基板受?。磩〣rush部Brush對(duì)向回轉(zhuǎn)的目的上下Brush有自我清潔的功用使欲清洗的玻璃基板不致於刮傷減少Detergent的帶出量及流入下個(gè)單元能有效清潔Array基板凹凸的表面流品方向Brushroller玻璃基板基板受?。磩〣rush部Brush對(duì)向回轉(zhuǎn)的目的流品方向B50MSShower部

MS(MegaSonic)由2臺(tái)，頻率1.6MHz，以Maga波直立振盪，經(jīng)狹縫出口形成水簾，衝擊在基板上如同海浪般沖洗，可處理約1um左右之Particle。

MSShower部MS(MegaSonic)由251PIPrinting(印上PI膜)

在玻璃基板（TFT基板、CF基板）上均勻塗佈印上一層薄膜，並且升溫把其溶劑揮發(fā)達(dá)到薄膜平整效果，其塗佈區(qū)域依照設(shè)計(jì)而定；薄膜厚度依據(jù)所選定的PI材料而有不同。

PIPrinting(印上PI膜)在玻璃基板（TFT基板52製程原理FilterInksupplySubstrateLetterpressDoctorPrintRollerAniloxRollerDispenserPIfilm流品方向製程原理FilterInksupplySubstrateL53液晶顯示原理及制造工藝--課件54PIInspection(PI膜檢驗(yàn))將已經(jīng)塗佈PI膜且經(jīng)過預(yù)烤的玻璃基板（TFT基板與CF基板）進(jìn)行表面檢查，利用CCD及影像處理系統(tǒng)對(duì)玻璃基板做影像分析，區(qū)分其上過PI膜部份的顏色差異，藉由此檢查裝置早期發(fā)現(xiàn)不良、分析歸納不良，以其找出PIPrint的最佳製程條件。

PIInspection(PI膜檢驗(yàn))將已經(jīng)塗佈PI膜且55PIPostBake(印上PI膜後烘乾)將已經(jīng)上完P(guān)I膜且檢查OK的玻璃基板進(jìn)行高溫製程，使得基板上的PI膜進(jìn)行硬化反應(yīng)，以便於進(jìn)行配向製程的進(jìn)行。

PIPostBake(印上PI膜後烘乾)將已經(jīng)上完P(guān)I56立式乾燥爐Cleanoven立式乾燥爐Cleanoven57Rubbing(配向或稱定向)於PI膜上製作出供液晶定向用之溝槽，使液晶整齊排列於上,下配向膜間。配向配向?；逡苿?dòng)方向滾輪轉(zhuǎn)動(dòng)方向ITO基板玻璃基板配向滾輪Rubbing(配向或稱定向)於PI膜上製作出供液晶定向用58利用配向布摩擦玻璃基板上方的PI膜，形成供液晶定向排列所需的構(gòu)槽及預(yù)傾角

液晶分子玻璃基板配向膜未經(jīng)配向之液晶分子配向後的液晶分子排列井然有序液晶分子利用配向布摩擦玻璃基板上方的PI膜，形成供液晶定向排列所需的59雖然在配向作業(yè)時(shí)的磨擦不會(huì)破壞TFT基板,但磨擦所引起的靜電卻可能會(huì)破壞TFT(薄膜電晶體),因此TFT基板四周的Gate電極與Source電極是以短路相接的(shorted),以避免靜電所造成的破壞。

配向膜液晶分子ITO玻璃基板配向後的液晶分子雖然在配向作業(yè)時(shí)的磨擦不會(huì)破壞TFT基板,但磨擦所引起的靜電60為了讓液晶的排列順著上下介面的方向做90°的轉(zhuǎn)動(dòng),我們必須固定最上層的液晶及最下層的液晶,而為了讓液晶旋轉(zhuǎn)的方向固定一致(同為順時(shí)針方向或逆時(shí)針方向),我們替液晶做了預(yù)傾角,這些製程稱為定向或配向(rubbing)最上層液晶第二層液晶最底層液晶上層偏光模下層偏光模光源為了讓液晶的排列順著上下介面的方向做90°的轉(zhuǎn)動(dòng),我們必須固61配向模(PI)上若無預(yù)傾角時(shí),液晶分子旋轉(zhuǎn)的方向會(huì)不一致

液晶玻璃基板配向模(PI)上若無預(yù)傾角時(shí),液晶分子旋轉(zhuǎn)的方向會(huì)不一致液62在施加電場的狀況下,為了使液晶站起的方向一致,故在配向時(shí)在PI模上磨出(rub)預(yù)傾角。

玻璃基板只從右端站起可能從右端或左端站起配向方向液晶在施加電場的狀況下,為了使液晶站起的方向一致,故在配向時(shí)在P63配向方式：下列圖形的組立方式是由CF基板上升、原地翻轉(zhuǎn)然後與下方的TFT基板進(jìn)行組合,如圖(「→」為配向方向，「+」為組立對(duì)位符號(hào))。

TFT基板CF基板CF基板由下往上翻轉(zhuǎn)組立6點(diǎn)鐘視角方向?qū)Ρ茸罴裈FT基板CF基板由下往上翻轉(zhuǎn)組立組立後夾角12點(diǎn)鐘視角方向?qū)Ρ茸罴岩壕まD(zhuǎn)方向CF基板TFT基板TFT基板CF基板CF基板組立後夾角液晶扭轉(zhuǎn)方向配向方式：下列圖形的組立方式是由CF基板上升、原地翻轉(zhuǎn)然後與64After-rubbingCleaning(配向後洗淨(jìng))

去除經(jīng)過Rubbing後的毛屑、PI膜殘?jiān)扔袡C(jī)污染物及其他Particle。

abcdefgh

a:基板受取b:洗劑US部c:WaterShower部d:MSShower部e:SpinDry部f:IR乾燥部g:冷卻部h:搬出Conveyor部

After-rubbingCleaning(配向後洗淨(jìng))65SpinDry（1）有搬入SpinTable之機(jī)械懸臂，其接觸玻璃基板下方邊緣端8mm以內(nèi)，Chuck材質(zhì)為Teflon，方式如下圖:

機(jī)械手臂玻璃基板SpinDry（1）有搬入SpinTable之機(jī)械懸臂，66SpinDry（2）SpinDry（2）67SpacerSpraying(灑間隙球)

將spacer均勻散佈在玻璃基板中，作為兩塊玻璃間隙的支撐，形成均勻的cellgap,以避免panel在製造過程中，因壓合、升溫造成玻璃形變或cellgap的不均勻化;另一方面，若發(fā)現(xiàn)不良品（聚集或密度太多、太少），則需利用cleaner將spacer清除乾淨(jìng)後，乾式灑間隙球再重新rework,而本廠採乾式灑間隙球之方式?？蚰z間隙球

灑間隙球

玻璃基板

液晶

無間隙球時(shí)發(fā)生的缺陷

玻璃基板框膠

液晶SpacerSpraying(灑間隙球)將spacer均68乾式灑間隙球：利用氮?dú)馀cspacer混合後，以高壓氣體為動(dòng)力，將spacer均勻噴灑在基板上。其中為使spacer不聚集在一起，利用摩擦生電的原理，將spacer與管壁高速摩擦而帶同性電。噴灑時(shí)，spacer因同性相斥的原理而彼此分散，達(dá)到均勻而不聚集的散佈。乾式灑間隙球氮?dú)獠ＡЩ迩綖㈤g隙球：乾式灑間隙球氮?dú)獠ＡЩ?9SpacerDensityInspection(間隙球密度檢驗(yàn))

Spacer散佈之後，需經(jīng)過此步驟檢查是否合格。其檢查的項(xiàng)目大略分為兩大類：spacer散佈的密度及cohesion的情形。若檢驗(yàn)為合格者，則送至下一個(gè)步驟；若為不合格者，則送至doublebuffer內(nèi)準(zhǔn)備再行rework的步驟。

由於lamp發(fā)出的光照射到spacer之後反射至detectorcamera的亮度較只照射到基板的光線強(qiáng)度為強(qiáng)。所以經(jīng)由detectorcamera所收集到不同亮度的光線經(jīng)由CCD轉(zhuǎn)換為電荷訊號(hào)，再經(jīng)由影像處理單元轉(zhuǎn)換後即可於monitor顯影。若再將影像訊號(hào)傳送至PC，經(jīng)由電腦的運(yùn)算，可得知spacer的數(shù)目及cohesion的聚集情形，而達(dá)到檢測spacer散佈情況的目的。

SpacerDensityInspection(間隙球密70CCD檢測原理CCUImageprocessunitmonitorPCspacerCCD檢測原理CCUImageprocessunitm71SealantPatterning(塗佈框膠)

以Dispenser塗佈框膠(Sealant)於彩色濾光片(CF)上,將LCDCell上下兩片玻璃基板區(qū)隔開

以Dispenser塗佈框膠(Sealant)液晶注入口塗佈器彩色濾光片加壓氮?dú)釹ealantPatterning(塗佈框膠)以Disp72保護(hù)液晶不和外界水汽及雜質(zhì)接觸，並防止液晶外流。

無框膠時(shí)液晶會(huì)外流液晶CF玻璃基板TFT玻璃基板保護(hù)液晶不和外界水汽及雜質(zhì)接觸，並防止液晶外流。液晶CF玻73Dispenser是由注射桶（barrel）和針頭（nozzlehead）所組成，框膠置於注射桶中，利用氣體（一般使用氮?dú)猓┘訅簩⒖蚰z由筒內(nèi)經(jīng)由針頭畫於基板上。PerfectNozzle邊緣殘留Seal會(huì)導(dǎo)致過細(xì)或斷線Dispenser是由注射桶（barrel）和針頭（nozz74框膠成份：硬化劑硬化促進(jìn)劑充填劑稀釋劑溶劑其他添加劑：顏料、消泡劑等?？蓛e性賦予劑Fiber框膠成份：75SealantPre-bake(框膠烘乾)

為了讓框膠(Sealant)硬化前，將框膠內(nèi)的溶劑揮發(fā)，以防止因硬化溫度過高，框膠內(nèi)溶劑突沸，使框膠產(chǎn)生孔洞。因此在硬化前要在較低的溫度下先行預(yù)烤(Pre-bake)。

SealantPre-bake(框膠烘乾)為了讓框膠(S76TransferDispenser(塗佈銀膠)

由於TFTLCDcell上層基板為colorfilter，下層基板是TFT，外接之IC電極是架於TFT上。因此需藉由導(dǎo)通材(在此使用銀膠)導(dǎo)通上基板，才能使cell形成電容。

液晶框膠銀膠外接IC電極TransferDispenser(塗佈銀膠)由於TFT77銀膠點(diǎn)的數(shù)量目的是要達(dá)到電性的均一性。隨著Panel基板越大，當(dāng)有電壓訊號(hào)輸入，整片CF基板達(dá)到Common電壓的時(shí)間也越久（愈靠近銀點(diǎn)越快達(dá)到，愈遠(yuǎn)離銀點(diǎn)越慢達(dá)到），因此我們必須均勻的把銀膠點(diǎn)分佈於Panel兩側(cè)，減短電壓輸入距離（時(shí)間），才能有好的均一性。

N2gas

Platesurface

Aggel

銀膠點(diǎn)的數(shù)量目的是要達(dá)到電性的均一性。隨著Panel基板越大78CellAssembly(組合)

將上流裝置搬入之TFTARRAY基板及CF基板利用光學(xué)儀器(CCD)高精細(xì)mark對(duì)位後均勻加壓貼合,達(dá)到控制兩枚基板至特定間隙(Gap)。彩色濾光片子像素間隙球TFT玻璃基板組合後的面板框膠彩色濾光片TFT玻璃基板CellAssembly(組合)將上流裝置搬入之TFT79CellPress(壓合)

此步驟為加壓於兩基板,其目的為：a.使兩片基板連接黏合。b.產(chǎn)生基板間距,並做為日後防止異物侵入液晶之界面。在CF基板與TFT基板之對(duì)準(zhǔn)與初步壓合後，予其一均勻之壓力，並藉由控制壓力大小，來調(diào)整兩片基板間尚未硬化之框膠高度，使達(dá)到期望之預(yù)設(shè)值，並在框膠硬化之過程中持續(xù)壓合，保持基板間距，避免因框膠與spacer因彈性或熱膨脹而變形。CellPress(壓合)此步驟為加壓於兩基板,其目的為80CELL壓合型式重量加壓法：在cell上堆疊重物如玻璃板或鋼板,利用重量對(duì)cell進(jìn)行施壓。機(jī)械加壓法：以機(jī)械對(duì)加壓板施力者。真空加壓法：在密壁空間中抽真空使可移動(dòng)之上板或下板對(duì)cell做擠壓,優(yōu)點(diǎn)為施壓均勻性高。

氣囊加壓法：利用PV=nRT充入一定量氣體,再控制溫度做加壓。CELL壓合型式重量加壓法：在cell上堆疊重物如玻璃板或鋼81舊式Jig新式Jig真空加壓氣囊加壓抽真空舊式Jig新式Jig真空加壓氣囊加壓抽真空82壓合步驟均壓紙均熱板CELL壓合步驟均壓紙均熱板CELL83SealBake(烘乾)

在基板壓合後,予以加熱使基板間之框膠受熱硬化,我們將以控制加熱過程中之溫度程式與加熱之均勻性來得到最佳性之框膠硬化物。

SealBake(烘乾)在基板壓合後,予以加熱使基板間之84后段B1製程簡介1.VacuumAnneal(真空回火)2.LCInjection(液晶注入)3.EndSeal(加壓封止)4.AfterEndSealCleaner后段B1製程簡介1.VacuumAnneal(真空回火)85VacuumAnneal在高溫真空下，將組立完的空panel中的水氣

、未脫盡之框膠、溶劑或揮發(fā)性氣體去除。藉以縮短液晶注入時(shí)間，並避免產(chǎn)生defectVacuumAnneal在高溫真空下，將組立完的空pan86VacuumAnneal機(jī)臺(tái)示意圖SheathheaterSiroccofanFinheaterPanelheaterCoolingjacketVacuumAnneal機(jī)臺(tái)示意圖Sheathheat87前後製程關(guān)聯(lián)性SealantCuring(框膠硬化)VacuumAnneal(真空回火)LCInjection(液晶注入)前後製程關(guān)聯(lián)性SealantCuring(框膠硬化)Vac88LCInjection將液晶注入經(jīng)VacuumAnneal後的Panel。本製程所使用的液晶注入法為表面張力法，將

機(jī)臺(tái)維持在低真空度，將注入口與LCboat中的

液晶接觸，利用表面張力原理使液晶充滿於

Panel中。可保持液晶的潔淨(jìng)度，但較浪費(fèi)液晶，故每次製程結(jié)束後需進(jìn)行LCboat剩餘液晶回收動(dòng)作。LCInjection將液晶注入經(jīng)VacuumAnnea89VacuumtoP2&holding

VacuumtoP2&holding

N2LeakN2LeakMechanismofLCInjectionPitchofInjectionHole:92mm(L131Xx),120mm(L141Xx,L170Ex)InjectionHolewidth:5mm(L131Xx),10mm(L141Xx),15mm(L170Ex)VacuumtoP2&holdingVacuum90

液晶脫泡(4.1Pa30min)液晶漏電流測試(<30pA)液晶及液晶皿添加安裝

Cassette安置規(guī)格確認(rèn)開始進(jìn)行液晶注入

NG更換液晶重新檢查

NG液晶注入結(jié)束檢查注入情況LCInjectionProcessFlow液晶脫泡(4.1Pa30min)液晶漏電流測試(<91前後製程關(guān)聯(lián)性VacuumAnneal(真空回火)LCInjection(液晶注入)EndSeal(加壓封止)前後製程關(guān)聯(lián)性VacuumAnneal(真空回火)LCI92EndSeal將多餘的LC吸取出來，並將LC注入口以封口膠封住。利用壓力，使Panel保持最適當(dāng)?shù)膅ap外，並將多餘的LC擠出。EndSeal將多餘的LC吸取出來，並將LC注入口以封口膠93Jig堆疊方式Panel(CF面朝上)Polyfron(顆粒面朝上)Spacer(14.5mm)28片(13“、14”2層)14片(17“4層)Spacer9.5mmSpacer(3mm)Spacer29.5mmSpacer(20mm)Spacer9.5mmJig堆疊方式PanelPolyfronSpacer(1494封口膠塗布區(qū)域示意圖塗布長度塗布長度塗布高度框膠封口膠吸入端封口膠塗布區(qū)域示意圖塗布長度塗布長度塗布高度框膠封口膠吸入端95EndSealProcessFlow將堆疊完成的Jig以MGV送至及機(jī)臺(tái)內(nèi)確認(rèn)裝置內(nèi)無任何異物及裝置門是關(guān)閉的狀態(tài)將選擇模式切換至“AUTO”模式選擇“AUTOWIPE”按下“開始”鍵輸入OPI及Cassette#EndSealProcessFlow將堆疊完成的Jig96前後製程關(guān)聯(lián)性LCInjection(液晶注入)EndSeal(加壓封止)AfterEndSealCleaner前後製程關(guān)聯(lián)性LCInjection(液晶注入)EndS97EndSealDegassing封口膠在使用前，先進(jìn)行真空脫泡的動(dòng)作，將封口膠內(nèi)空氣排除，避免在進(jìn)行EndSeal時(shí)，有空氣被帶入注入口內(nèi)造成Defect。EndSealDegassing封口膠在使用前，先進(jìn)行真98AfterEndSealCleanerPanel在進(jìn)行LCInjection完，經(jīng)EndSeal封口後，用以清洗附著在CELL基板上的液晶。AfterEndSealCleanerPanel在進(jìn)行99前後製程關(guān)聯(lián)性EndSeal(加壓封止)AfterEndSealCleaner2ndCut(2次切割及裂片)前後製程關(guān)聯(lián)性EndSeal(加壓封止)AfterEnd100后段B2製程簡介2ndCut(2ndScribe&2ndBreaking)

(2次切割及裂片)2.2ndGrinding(2次磨邊)3.CulletRemover后段B2製程簡介2ndCut(2ndScribe&1012ndCut(2ndScribe&2ndBreaking)將已灌好液晶的TFTLCDPanel週邊多餘的

玻璃切割，並將切割好的TFTLCD裂開。將2-up玻璃尺寸切成1-up後，將Panel裂開。2ndCut(2ndScribe&2ndBrea1022ndScriberProcessFlow將空Cassette置於收片機(jī)下，按下“運(yùn)轉(zhuǎn)”及“下降”在touchpanel下按下“B面”將PanelTFT面朝上，對(duì)準(zhǔn)stage，長邊電極需朝上踩下真空吸著，使真空吸住Panel雙手同時(shí)按下兩顆綠色按鈕切割完成後，一手拿起Panel，一手拿起毛刷朝外清掃一次stage在touchpanel下按下“A面”將PanelCF面朝上，對(duì)準(zhǔn)stage，長邊電極需朝上進(jìn)行二次裂片(2ndBreak)2ndScriberProcessFlow將空Cass103在touchpanel下按下“A面”將Panel上多餘的玻璃剝除將PanelCF面朝上，對(duì)準(zhǔn)stage，長邊電極需朝上踩下真空吸著，使真空吸住Panel雙手同時(shí)按下兩顆綠色按鈕2ndBreakProcessFlow裂片完成後，一手拿起Panel，一手拿起毛刷朝外清掃一次stage在touchpanel下按下“B面”將PanelTFT面朝上，對(duì)準(zhǔn)stage，長邊電極需朝上重複以下的步驟一次將Panel送入PanelInsert中OK裂片不良進(jìn)行Rework在touchpanel下按下“A面”將Panel上多餘的玻104TFT面2ndCut玻璃剝除圖示先撥開紅色部分，小心將Panel由TFT面翻倒CF面CF面以水平剝?nèi)》绞?，剝掉藍(lán)色部分CF面最後剝掉綠色部分TFT面2ndCut玻璃剝除圖示先撥開紅色部分，小心將P105靜電刷之正確使用方法(1).毛刷應(yīng)與stage平行，

毛刷之木柄不可與

stage接觸(2).清理Stage上之玻璃屑

應(yīng)由右至左刷到底，

不可來回刷(3).清理Stage上之玻璃屑

時(shí)，先清掃上半部2次，

再清掃下半部1次一次二次靜電刷之正確使用方法(1).毛刷應(yīng)與stage平行，(2).106Panel擺放方式Acer72H之TFT面Sunmap長邊的電極部份Pin注意事項(xiàng)：1.長邊的電極部份一定是朝上擺放2.Panel要牢牢抵住三邊的Pin，但不可推太大力，以免撞破Panel3.如機(jī)臺(tái)還在使用塑膠的Pin時(shí)，Pin與Panel的相連處要記得壓Panel擺放方式Acer72H之TFT面Sunmap長邊107前後製程關(guān)聯(lián)性AfterEndSealCleaner2ndCut(2次切割及裂片)2ndGrinding(2次磨邊)前後製程關(guān)聯(lián)性AfterEndSealCleaner21082ndGrinding將切割裂片後的玻璃截面平坦化，避免截面缺陷應(yīng)力集中避免尖銳的截面?zhèn)︶嵫u程設(shè)備研磨掉shortring2ndGrinding將切割裂片後的玻璃截面平坦化，避免截1092ndGrinding機(jī)臺(tái)配置圖CassetteLoader外形整形機(jī)面磨邊機(jī)角磨邊機(jī)OutConveyorCulletRemover2ndGrinding機(jī)臺(tái)配置圖CassetteLoad1102ndGrinding圖示一、外形整形機(jī)磨除部分ψ100mmStraightwheel功能：將裂片後的面板側(cè)邊(不含注入口測)磨平0.1mm2ndGrinding圖示一、外形整形機(jī)磨除部分ψ100111二、面磨邊機(jī)(含shortring)

功能：將面板側(cè)面(不含注入口測)磨出倒角，或?qū)hortring磨除Multiwheel0.492mm0.2mmShortring需磨除的部分二、面磨邊機(jī)(含shortring)功能：將面板側(cè)112三、角磨邊機(jī)

功能：將面板四個(gè)角磨平ψ100mmStraightwheel1±0.5mm三、角磨邊機(jī)功能：將面板四個(gè)角磨平ψ100mmStra113前後製程關(guān)聯(lián)性2ndCut(2次切割及裂片)2ndGrinding(2次磨邊)CulletRemover前後製程關(guān)聯(lián)性2ndCut(2次切割及裂片)2ndGri114CulletRemover本機(jī)臺(tái)之目的為清除2ndscriber/breaker製程所產(chǎn)生之玻璃，若使用有機(jī)溶劑亦可用於清除前段其他製程產(chǎn)生之機(jī)污染物。CulletRemover本機(jī)臺(tái)之目的為清除2ndscr115CulletRemover機(jī)臺(tái)配置圖2ndGrindingPanelCleanwithAnneal(1)(2)(3)(4)(5)(1)基板收取、位置決定部(2)CF側(cè)潤濕、清掃部(4)TFT側(cè)潤濕、清掃部(3)基板反轉(zhuǎn)部(5)基板反轉(zhuǎn)部、取出部CulletRemover機(jī)臺(tái)配置圖2ndGrindin116CulletRemover清潔方式(1)研磨式（Polish）：將基板潤濕後，以捲動(dòng)之cleaningtape於基板表面作360度旋轉(zhuǎn)，利用tape下壓與旋轉(zhuǎn)的力量研磨玻璃碎屑與有機(jī)污染物，使其體積減小後被tape帶走，以達(dá)到清潔效果。rollertapePaneltraceofcleaningheadtapetapecleandirtyCulletRemover清潔方式(1)研磨式（Po117(2)刀刃清潔（Cutter）：以陶瓷或SUS材質(zhì)的刀刃，往覆於基板表面移動(dòng)，利用刀刃的下壓力量將玻璃碎屑與有機(jī)物清除。刀刃清潔每片基板後以brush自我清潔，避免其上附著之玻璃碎屑污染下一片基板。CulletRemover清潔方式(2)刀刃清潔（Cutter）：以陶瓷CulletRemo118前後製程關(guān)聯(lián)性2ndGrinding(2次磨邊)CulletRemoverPanelCleanwithAnneal前後製程關(guān)聯(lián)性2ndGrinding(2次磨邊)Culle119后段B3製程簡介1.PanelCleanwithAnneal2.PolarizerLamination(偏光片貼附)3.AutoClave4.AfterEndSealCleaner后段B3製程簡介1.PanelCleanwithAnn120PanelCleanwithAnneal清除基板表面之particle，以利偏光片貼附。並對(duì)液晶實(shí)施回火，使分子於基板內(nèi)部排列更為有秩序。PanelCleanwithAnneal清除基板表面之121貼附偏光板前的清潔使液晶重新排列整齊CF+TFTPF製程目的貼附偏光板前的清潔CF+TFTPF製程目的122ABFGHDCEIJKB—緩衝區(qū)A—接收輸送帶C—灑水區(qū)G—熱風(fēng)區(qū)

F—風(fēng)刀乾燥區(qū)E—潤濕區(qū)

D—刷洗區(qū)

H—紅外線加熱區(qū)

I—冷卻區(qū)

J—輸出輸送帶

K—清淨(jìng)區(qū)

設(shè)備組成ABFGHDCEIJKB—緩衝區(qū)A—接收輸送帶C—灑水區(qū)123刷子的下壓量刷子的平行度紅外線加熱板的溫度控制風(fēng)刀與SQUEEZEROLLER的距離靜電破壞製程重點(diǎn)刷子的下壓量製程重點(diǎn)124刷子:NYLON輸送帶滾輪:導(dǎo)電橡膠ORSUSSQUEEZEROLLER:PVAIRHEATPLATE:陶瓷材料CO2

相關(guān)材料刷子:NYLON相關(guān)材料125前後製程關(guān)聯(lián)性CulletRemoverPanelCleanwithAnneal偏光板貼附前後製程關(guān)聯(lián)性CulletRemoverPanelCle126PolarizerLamination將偏光板貼付於已灌好液晶及完成封口的Cell上。PolarizerLamination將偏光板貼付於已灌好127將偏光板貼至面板CFPFTFT玻璃CF玻璃TFTPF製程目的將偏光板貼至面板CFPFTFT玻璃CF玻璃TFTPF128偏光板構(gòu)造PolyVinylAlcoholTAC(支撐層)粘著層TAC(支撐層)分離層保護(hù)膜偏光板構(gòu)造PolyVinylAlcoholTAC(支撐129機(jī)臺(tái)組成BTFTFTFTFCFBCFA—面板旋轉(zhuǎn)區(qū)B—面板清潔區(qū)

E—偏光板對(duì)位區(qū)D—偏光板清潔區(qū)C—偏光板儲(chǔ)存盒

F—去除分離層及貼付偏光板

G—捲取分離層及面板反轉(zhuǎn)

H—面板旋轉(zhuǎn)及讀取面板ID

I—卸載區(qū)ECFDCFCCFCTFTDTFTETFTAGGHI機(jī)臺(tái)組成BTFTFTFTFCFBCFA—面板旋轉(zhuǎn)區(qū)B—130靜電MAX<100V微粒子或氣泡SIZE<30um對(duì)位精度

貼付位置精度

設(shè)定位置±0.3mm

貼付平行度精度

設(shè)定位置<0.3mm製程重點(diǎn)靜電製程重點(diǎn)131滾輪:

搬送滾輪:UPE

面板清潔滾輪

偏光板清潔滾輪

貼付滾輪偏光板的功能相關(guān)材料滾輪:相關(guān)材料132前後製程關(guān)聯(lián)性PanelCleanwithAnneal偏光板貼附AutoClave前後製程關(guān)聯(lián)性PanelCleanwithAnneal133AutoClave去除偏光板與Cell當(dāng)中的氣泡，並增加偏光板的附著強(qiáng)度。AutoClave去除偏光板與Cell當(dāng)中的氣泡，並增加偏134除去面板及偏光板間的氣泡增加貼付的粘著力CFPFTFT玻璃CF玻璃TFTPF製程目的CFPFTFT玻璃CF玻璃TFTPF製程目的135機(jī)臺(tái)組成Sirocco風(fēng)扇機(jī)臺(tái)主體滑軌極屏燈絲機(jī)臺(tái)組成Sirocco風(fēng)扇機(jī)臺(tái)主體滑軌極屏燈絲136極屏燈絲

範(fàn)圍:常溫~100oC

均勻性:±5oC壓力

範(fàn)圍:0~9kg/cm2

排氣3階段排氣製程重點(diǎn)極屏燈絲製程重點(diǎn)137前後製程關(guān)聯(lián)性偏光板貼附AutoClaveCellTest前後製程關(guān)聯(lián)性偏光板貼附AutoClaveCellTes138CellTest藉由人員目檢，檢測面板的缺陷，除可確保出貨給下游成品的良率外，亦可及時(shí)發(fā)現(xiàn)製程上的問題，提供製程人員參考，作為改善的依據(jù)。CellTest藉由人員目檢，檢測面板的缺陷，除可139WhatisODF??ODF=onedropfilling中文名稱：液晶滴下製程L1目前設(shè)備MAKER液晶滴下機(jī):TopEngineer(韓)真空組立機(jī):信越(日)紫外線硬化機(jī):EYE(日)WhatisODF??ODF=onedropfill140何謂液晶滴下製程??Seal塗佈液晶滴下抽真空下基板(TFT)上基板(CF)真空組立紫外線硬化散佈何謂液晶滴下製程??Seal塗佈液晶滴下抽真空下基板(TFT141液晶顯示原理及制造工藝--課件142液晶顯示原理及制造工藝--課件143DLCProcess1ststep–→DLC成膜(CVD/sputtering)→amorphouscarbonring2ndstep–→以Ar離子束活性化→與離子束垂直的碳環(huán)遭到破3rdstep–→順著留下的碳環(huán)進(jìn)行LC配向DLCProcess144配向膜訴求:→安定均勻的成膜→高透明度&高度配向性→具備對(duì)燒結(jié)等適當(dāng)?shù)奈镄再|(zhì)PIProcess:→物性:耐高溫高分子材料→製程缺點(diǎn):(1).rubbing產(chǎn)生的灰塵(2).條狀mura:PI配向膜之膜厚不均orrubbing布的毛長度不均–rubbing強(qiáng)弱不均,造成配向的不均配向膜訴求:145DLCProcess:→膜厚均勻(可控制在~10mm)→非接觸式配向過程:避免灰塵沾附基材表面→藉由控制DLC膜中H的含有量與最適膜厚設(shè)定:可達(dá)到與PI相同的透光率→與基材密著性佳→製程可因應(yīng)量產(chǎn)速度DLCProcess:146液晶顯示原理及制造工藝--課件147ODF技術(shù)特點(diǎn)分析優(yōu)點(diǎn):→大幅縮短製程時(shí)間:(22“面板:20小時(shí)→~min.)(日本International顯示器技術(shù)中心)→可利用大氣壓形成均勻的cellgap(需與photospacer結(jié)構(gòu)結(jié)合)→大面積顯示器容易窄cellgap化→LC材料可有效利用ODF技術(shù)特點(diǎn)分析148問題點(diǎn):→Seal在硬化前會(huì)接觸LC材料,所以可能會(huì)造成對(duì)LC污染→ODF製程需先預(yù)測組裝後的cell內(nèi)容積,考量LC的滴入量–若spacer高度參差/LC滴入量的不均,會(huì)產(chǎn)生LC過多或不足的現(xiàn)象→Array的配線金屬可能會(huì)擋住UV光,使局部seal無法硬化問題點(diǎn):149SpacerNewTechnology–PhotoSpacer(1)PhotoSpacer設(shè)置處:BM所在位置→(a)onCF;(b)onTFT(2)PhotoSpacerProcess(onCF):→負(fù)型光阻塗佈→UV曝光→BM處形成PhotoSpacer(3)PhotoSpacer配置考量:若數(shù)量過多,會(huì)擋住LC流動(dòng)SpacerNewTechnology–PhotoS150液晶顯示原理及制造工藝--課件151液晶顯示原理及制造工藝--課件152液晶顯示原理及制造工藝--課件153優(yōu)點(diǎn):→spacer高度差異性較球狀spacer低:有效控制cellgap→photospacer可等間隔配置:不會(huì)產(chǎn)生球狀spacer會(huì)彼此凝結(jié)的現(xiàn)象(2)不會(huì)產(chǎn)生漏光的情形(VibrationTest:震動(dòng)等壓力對(duì)球狀spacer移動(dòng)的測試)(Spacer一但移動(dòng),就有可能會(huì)出現(xiàn)刮傷配向膜的情況)優(yōu)點(diǎn):154→與ODF製程結(jié)合:製程簡便化減少製程搬送過程的灰塵污染考量點(diǎn):→photospacer形狀的均勻性:彈性係數(shù):不會(huì)產(chǎn)生塑性形變

熱膨脹係數(shù):不會(huì)因注入LC的製程溫度而使體積變化→與ODF製程結(jié)合:155SUST

2005.6謝謝！SUST謝謝！156SUSTTFT液晶顯示器制造工藝SUSTTFT液晶顯示器制造工藝157

ColorFilterFabricationProcess

TFTArrayProcess

LiquidCrystalCellProcess

ModuleAssemblyProcessTFT-LCDProcessColorFilterFabricationProc158C/FIntroduceandProcess彩色濾光片基本結(jié)構(gòu)是由玻璃基板（GlassSubstrate），黑色矩陣（BlackMatrix），彩色層（ColorLayer），保護(hù)層（OverCoat），ITO導(dǎo)電膜組成。一般穿透式TFT用彩色光片結(jié)構(gòu)如下圖。GLASSSUBSTRATEBlackMatrixColorLayerOverCoatITOC/FIntroduceandProcess彩色濾光片159C/F的結(jié)構(gòu)放大彩色濾光膜C/F的結(jié)構(gòu)放大彩色濾光膜160C/FProcessC/FProcess161液晶顯示原理及制造工藝--課件162C/FPixelArray馬賽克式直條式三角形式四畫素馬賽克式:：顯示AV動(dòng)態(tài)畫面直條式：較常顯示文字畫面,(NoteBook)。C/FPixelArray馬賽克式直條式三角形式四畫素馬163彩色濾光膜製造技術(shù)黑紋(BM)製程技術(shù)Cr/CrOx製程技術(shù)感光樹脂製程技術(shù)各製程技術(shù)之比較彩色層製程技術(shù)顏料分散法電著法染色法印刷法各製程技術(shù)之比較彩色濾光膜製造技術(shù)黑紋(BM)製程技術(shù)彩色層製程技術(shù)164黑紋製程Cr/CrOx製程基板Cr/CrOx膜光阻成膜光阻塗佈曝光顯影蝕刻剝膜UV光源光罩黑紋製程Cr/CrOx製程基板Cr/CrOx膜光阻成膜光阻塗165黑紋製程感光樹脂製程基板黑色光阻光阻塗佈曝光UV光源光罩顯影黑紋製程感光樹脂製程基板黑色光阻光阻塗佈曝光UV光源顯影166黑紋製程黑紋製程技術(shù)比較黑紋製程黑紋製程技術(shù)比較167彩色層製程顏料分散法1.著色光阻塗佈2.曝光3.顯影4.重覆製程1-3三色形成光罩著色光阻黑紋[BM]玻璃基板彩色層製程顏料分散法1.著色光阻塗佈2.曝光3.顯影4.重覆168彩色層製程電著法析出機(jī)構(gòu)2H2O→2OH1－＋2H＋＋2e－2OH1－→H2O＋O1－2O1→O2↑

－COO－＋H＋→－COOH(a)陰離子型電著機(jī)構(gòu)示意圖析出機(jī)構(gòu)2H2O→2e－＋2OH－＋2H＋2H－→H2↑－NR2＋OH－→－NR2＋H2O(b)陽離子型電著機(jī)構(gòu)示意圖彩色層製程電著法析出機(jī)構(gòu)(a)陰離子型電著機(jī)構(gòu)示意圖析出機(jī)169彩色層製程電著法製程2.顯影光阻ITO玻璃基板1.曝光3.蝕刻、剝膜4.電著光罩ITO電極5.G,B重覆三色形成彩色層製程電著法製程2.顯影光阻ITO玻璃基板1.曝光3.蝕170GRBGRBRRGBGB導(dǎo)電膠遮避層ITO導(dǎo)線電著後之ITO導(dǎo)線(a)直條狀排列(b)馬賽克排列彩色層製程電著法--電著示意圖GRBGRBRRGBGB導(dǎo)電膠遮避層ITO導(dǎo)線電著後之ITO171彩色層製程染色法1.樹脂塗佈2.曝光著色光阻黑紋[BM]玻璃基板3.顯像5.染色.重覆1～5製程三色形成彩色層製程染色法1.樹脂塗佈2.曝光著色光阻黑紋[BM]玻璃172彩色層製程技術(shù)印刷法1.Blanket轉(zhuǎn)動(dòng)Blanket油墨.油墨轉(zhuǎn)印至

Blanket3.油墨印刷至玻璃基板4.三色形成黑紋玻璃基板G,B重覆彩色層製程技術(shù)印刷法1.Blanket轉(zhuǎn)動(dòng)Blanket油墨173PossibleDefectsOnC/FParticlesPatternDefectsPinholesTokkiMixedColorMuraPossibleDefectsOnC/FParticl174ITO透明導(dǎo)電層的作用ITO透明導(dǎo)電層的作用175ARRAY制程（1）六道光罩：GE-SE-PE-CH-SD-DC（2）五道光罩：GE-SE-SD-CH-PEARRAY制程（1）六道光罩：GE-SE-PE-CH-SD-176TFTArray組成材料（六道光罩）MASK1-GE Gate電極 Cr

MASK3-PE 畫素電極 ITOMASK5-SD Source/Drain電極 Cr/Al/CrMASK2-SE 通道與電極之接觸介面 (n+)a-Si：H

MASK2-SE Channel(

通道) (i)a-Si：H

MASK2-SE GI層(Gate絕緣層) SiNxMASK6-DC 保護(hù)層 SiNx

MASK4-CH Contacthole 177TFTArray組成材料（六道光罩）MASK1-GE GMask1：GE(Gate電極形成)AA’1.受入洗淨(jìng) SPC(島田)2.濺鍍Cr(4000A) ULVAC/AKT3.成膜前洗淨(jìng) SPC/芝蒲4.UV處理 東芝 5.光阻塗佈/曝光/顯影 TEL/Nikon6.顯影檢查/光阻寸檢 Nikon/Hitachi7.硬烤

光洋8.CrTaper蝕刻(WET) DNS9.光阻去除 DNS10.製程完成檢查

KLA/ORBOAA’178Mask1：GE(Gate電極形成)AA’1.受入洗淨(jìng)Mask2：SE(島狀半導(dǎo)體形成)AA’AA’1.成膜前洗淨(jìng) SPC/芝蒲2.成膜SiNx

Barlzers3.成膜前洗淨(jìng) SPC/芝蒲4.成膜SiNx/a-Si/n+SiBarlzers 5.光阻塗佈/曝光/顯影TEL/Nikon6.顯影檢查 Nikon/Hitachi7.蝕刻(DRY) TEL/PSC8.光阻去除 DNS9.製程完成檢查

KLA/ORBO179Mask2：SE(島狀半導(dǎo)體形成)AA’AA’1.成膜Mask3：PE(畫素電極形成)AA’AA’1.成膜前洗淨(jìng) SPC/芝蒲2.成膜ITO ULVAC3.光阻塗佈/曝光/顯影 TEL/Nikon4.顯影檢查/光阻寸檢 Nikon/Hitachi5.蝕刻(WET) DNS6.光阻去除 DNS7.製程完成檢查

KLA/ORBO180Mask3：PE(畫素電極形成)AA’AA’1.成膜前Mask4：CH(ContactHole形成)1.Array6道Mask工程中唯一沒有成膜製程2.蝕刻GI層(SiNx)，定義出不同層金屬間的連接區(qū)

AA’AA’1.光阻塗佈/曝光/顯影 TEL/Nikon2.顯影檢查/光阻寸檢Nikon/Hitachi3.蝕刻(DRY) TEL/PSC4.光阻去除 DNS5.製程完成檢查

KLA/ORBO181Mask4：CH(ContactHole形成)1.ArMask5：SD(Source及Drain電極形成)AA’AA’1.成膜前洗淨(jìng) SPC/芝蒲2.成膜Cr/Al/Cr ULVAC/AKT3.光阻塗佈/曝光/顯影 TEL/Nikon4.顯影檢查/光阻寸檢 Nikon/Hitachi5.蝕刻上層Cr(WET) DNS6.硬烤 光洋7.蝕刻Al(WET) DNS8.硬烤 光洋9.蝕刻下層Cr(WET) DNS10.蝕刻n+Si(DRY) TEL/PSC11.光阻去除 DNS12.製程完成檢查

KLA/ORBO182Mask5：SD(Source及Drain電極形成)AAMask6：DC(保護(hù)層形成)AA’AA’1.成膜前洗淨(jìng) SPC/芝蒲2.成膜SiNx Barlzers3.光阻塗佈/曝光/顯影 TEL/Nikon4.顯影檢查 Nikon/Hitachi5.蝕刻(DRY) TEL/PSC6.光阻去除 DNS7.退火 光洋TFT元件製程結(jié)束,後流至ARRAYTESTER

183Mask6：DC(保護(hù)層形成)AA’AA’1.成膜前洗淨(jìng)TFTArray