電子技術(shù)課件第1章-常用半導(dǎo)體器件

第1章常用半導(dǎo)體器件1.1半導(dǎo)體二極管1.2特殊二極管1.3二極管整流電源1.4晶體三極管第1章常用半導(dǎo)體器件1.1半導(dǎo)體二極管1.2特殊二導(dǎo)體:

很容易導(dǎo)電的物質(zhì)。金屬一般都是導(dǎo)體。絕緣體:幾乎不導(dǎo)電的物質(zhì)。如橡皮、塑料和石英。半導(dǎo)體:導(dǎo)電能力處于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)。如鍺、硅、砷化鎵和一些硫化物、氧化物等。自然界中的物質(zhì)按其導(dǎo)電的能力分為三種:1.1半導(dǎo)體二極管能力知識(shí)點(diǎn)1半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性返回1.半導(dǎo)體的基本知識(shí)導(dǎo)體:很容易導(dǎo)電的物質(zhì)。金屬一般都是導(dǎo)體。絕緣體:幾乎不導(dǎo)半導(dǎo)體的導(dǎo)電特點(diǎn):光敏性：當(dāng)受外界光的作用時(shí)，它的導(dǎo)電能力明顯增強(qiáng)。1.摻雜性：往純凈的半導(dǎo)體中摻入某些微量雜質(zhì)，它的導(dǎo)電能力就可增加幾十萬至幾百萬倍。3.返回?zé)崦粜裕寒?dāng)受外界熱的作用時(shí)，它的導(dǎo)電能力明顯增強(qiáng)。2.半導(dǎo)體的導(dǎo)電特點(diǎn):光敏性：當(dāng)受外界光的作用時(shí)，它的導(dǎo)電能力明晶體:通過一定的工藝處理，將半導(dǎo)體制成晶體。本征半導(dǎo)體:完全純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體晶體。硅和鍺的最外層有4個(gè)價(jià)電子,稱為四價(jià)元素。2.本征半導(dǎo)體返回晶體:通過一定的工藝處理，將半導(dǎo)體制成晶體。本征半導(dǎo)體:共價(jià)鍵:在硅和鍺晶體中，原子按四角形系統(tǒng)組成晶體點(diǎn)陣，每個(gè)原子都處在正四面體的中心，而四個(gè)其它原子位于四面體的頂點(diǎn)，每個(gè)原子與其相鄰的原子之間形成共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)，共用一對(duì)價(jià)電子。共價(jià)鍵(共用電子對(duì))兩相鄰原子的價(jià)電子組成一個(gè)電子對(duì)，它們將兩個(gè)相鄰原子結(jié)合在一起，組成共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)。返回共價(jià)鍵:在硅和鍺晶體中，原子按四角形系統(tǒng)組成晶體點(diǎn)陣，每個(gè)原共價(jià)鍵中的兩個(gè)價(jià)電子被緊緊束縛在共價(jià)鍵中，常溫下這些價(jià)電子很難脫離共價(jià)鍵的束縛，因此本征半導(dǎo)體中的自由電子很少，所以本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力很弱。形成共價(jià)鍵后，每個(gè)原子的最外層電子是八個(gè)，構(gòu)成穩(wěn)定結(jié)構(gòu)。返回共價(jià)鍵中的兩個(gè)價(jià)電子被緊緊束縛在共價(jià)鍵中，常溫下這些價(jià)電子很自由電子與空穴：自由電子空穴價(jià)電子當(dāng)環(huán)境溫度升高時(shí)，使一些價(jià)電子獲得足夠的能量脫離共價(jià)鍵的束縛，成為自由電子，同時(shí)共價(jià)鍵上留下一個(gè)空位，稱為空穴。在其它力的作用下，空穴吸引鄰近的價(jià)電子來填補(bǔ)，這樣的結(jié)果相當(dāng)于空穴在運(yùn)動(dòng)，而空穴的運(yùn)動(dòng)相當(dāng)于正電荷的移動(dòng)，因此可以認(rèn)為空穴是載流子。返回自由電子與空穴：自由電子空穴價(jià)電子當(dāng)環(huán)境溫度升高時(shí)，在其它力在本征半導(dǎo)體中摻入某些微量的元素，就會(huì)使半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能有顯著變化。（1）N型半導(dǎo)體3.雜質(zhì)半導(dǎo)體在硅或鍺晶體中摻入少量的五價(jià)元素磷，晶體點(diǎn)陣中的某些硅原子被磷原子取代，磷原子的最外層有五個(gè)價(jià)電子，其中四個(gè)價(jià)電子與相鄰的硅原子的價(jià)電子組成共價(jià)鍵。返回在本征半導(dǎo)體中摻入某些微量的元素，就會(huì)使半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能有顯多出的一個(gè)電子幾乎不受磷原子的束縛，很容易被激發(fā)而成為自由電子，這樣半導(dǎo)體中的自由電子數(shù)量大大增加，參與導(dǎo)電的載流子主要是自由電子。磷原子就成了不能移動(dòng)的帶正電的離子。N型半導(dǎo)體參與導(dǎo)電的是自由電子（多子）。多余電子磷原子返回多出的一個(gè)電子幾乎不受磷原子的束縛，很容易被激（2）P型半導(dǎo)體在硅或鍺晶體中摻入少量的三價(jià)硼元素，晶體點(diǎn)陣中的硅或鍺原子被硼取代，硼原子的最外層有三個(gè)價(jià)電子，與相鄰的硅或鍺原子的價(jià)電子組成共價(jià)鍵時(shí)，產(chǎn)生一個(gè)空穴。這個(gè)空穴要吸引價(jià)電子來填補(bǔ)，使得硼原子成為不能移動(dòng)的帶負(fù)電的離子。P型半導(dǎo)體參與導(dǎo)電的是空穴（多子）。硼原子返回（2）P型半導(dǎo)體在硅或鍺晶體中摻入少量的三價(jià)（1）PN結(jié)的形成在同一片半導(dǎo)體的基片上，分別制造P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體，經(jīng)過載流子的擴(kuò)散，在它們的交界面處就形成了PN結(jié)。P++++++++++++NPN結(jié)硼離子多子少子磷離子多子少子空間電荷區(qū)擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)4.PN結(jié)返回（1）PN結(jié)的形成在同一片半導(dǎo)體的基片上，分別制造P型半P++++++++++++N擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)內(nèi)電場(chǎng)漂移運(yùn)動(dòng)PN結(jié)處載流子的運(yùn)動(dòng)空間電荷區(qū)不能移動(dòng)的正負(fù)離子返回P++++++++++++N擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)內(nèi)電場(chǎng)漂移運(yùn)動(dòng)PN結(jié)處載P++++++++++++N內(nèi)電場(chǎng)對(duì)多子起阻礙作用。內(nèi)電場(chǎng)對(duì)少子起驅(qū)動(dòng)作用。內(nèi)電場(chǎng)越強(qiáng)，就使漂移運(yùn)動(dòng)越強(qiáng)，而漂移使空間電荷區(qū)變薄。擴(kuò)散的結(jié)果使空間電荷區(qū)逐漸加寬。返回P++++++++++++N內(nèi)電場(chǎng)對(duì)多子起阻礙作用。內(nèi)電場(chǎng)對(duì)所以，擴(kuò)散和漂移這一對(duì)相反的運(yùn)動(dòng)最終達(dá)到平衡，相當(dāng)于兩個(gè)區(qū)之間沒有電荷運(yùn)動(dòng)，空間電荷區(qū)的厚度就固定不變。P++++++++++++N空間電荷區(qū)返回所以，擴(kuò)散和漂移這一對(duì)相反的運(yùn)動(dòng)最終達(dá)到平衡，相當(dāng)于兩個(gè)區(qū)之（2）PN結(jié)的單向?qū)щ娦訮N結(jié)在不加電壓時(shí)，多子和少子的運(yùn)動(dòng)達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡，所以，PN結(jié)對(duì)外呈中性。返回（2）PN結(jié)的單向?qū)щ娦訮N結(jié)在不加電壓時(shí)，返回++++外電場(chǎng)變薄PN+-+RI－－－－－－－－++++內(nèi)電場(chǎng)PN結(jié)外加正向電壓（正向偏置）PN結(jié)導(dǎo)通返回++++外電場(chǎng)變薄PN+-+RI－－－－－－－－++++內(nèi)電外電場(chǎng)

變厚PN-++RI≈0－－－－－－－－++++內(nèi)電場(chǎng)++++PN結(jié)截止返回PN結(jié)外加反向電壓（反向偏置）外電場(chǎng)變厚PN-++RI≈0－－－－－－－－++小結(jié)3.PN結(jié)外加正向電壓時(shí),PN結(jié)處于導(dǎo)通狀態(tài),將電路接通;PN結(jié)外加反向電壓時(shí),PN結(jié)處于截止?fàn)顟B(tài),將電路斷開;PN結(jié)具有單向?qū)щ娦?。返?.本征半導(dǎo)體中存在數(shù)量相等的兩種載流子，即自由電子和空穴。本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力取決于載流子的濃度。溫度越高，載流子的濃度越高。2.半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子是由摻雜產(chǎn)生的，少數(shù)載流子是由熱激發(fā)產(chǎn)生的。由于數(shù)量的關(guān)系，起導(dǎo)電作用的主要是多數(shù)載流子。N型半導(dǎo)體中自由電子是多子，空穴是少子。P型半導(dǎo)體中空穴是多子，電子是少子。小結(jié)3.PN結(jié)外加正向電壓時(shí),PN結(jié)處于導(dǎo)通狀態(tài),將電路接通PN結(jié)加上管殼和引線，就成為半導(dǎo)體二極管。能力知識(shí)點(diǎn)2半導(dǎo)體二極管1.基本結(jié)構(gòu)返回PN結(jié)加上管殼和引線，就成為半導(dǎo)體二極管。能力知識(shí)點(diǎn)2半導(dǎo)反向特性死區(qū)電壓：硅管0.5V,鍺管0.1V。導(dǎo)通壓降:硅管0.6~0.7V,鍺管0.2~0.3V。正向特性2.伏安特性返回反向特性死區(qū)電壓：硅管0.5V,鍺管0.1V。導(dǎo)通壓降:硅是指二極管正向?qū)〞r(shí)允許流過的最大正向平均電流。正常使用時(shí)，不能超過此值，否則將管子燒壞。是指二極管反向截止時(shí)允許外加的最高反向工作電壓。正常使用時(shí)，應(yīng)該是擊穿電壓的一半，否則將管子燒壞。是指在常溫下二極管外加反向峰值電壓時(shí)，流經(jīng)管子的電流。此電流值受溫度影響，硅管反向電流小，鍺管較大。3.主要參數(shù)返回是指二極管正向?qū)〞r(shí)允許流過的最大正向平均電流。正常解：【例1.1】求F點(diǎn)的電位，說明兩個(gè)管子的作用。設(shè)二極管為理想二極管4.含二極管電路的分析方法返回解：【例1.1】求F點(diǎn)的電位，說明兩個(gè)管子的作用。設(shè)二極管為利用二極管的單向?qū)щ娦裕捎糜谡?、檢波、元件保護(hù)以及在數(shù)字電路中作為開關(guān)元件。能力知識(shí)點(diǎn)3二極管的作用1.整流作用在ui正半周時(shí)二極管正向?qū)?，輸出信?hào)同輸入信號(hào)；在ui負(fù)半周時(shí)二極管反向截止，輸出信號(hào)為零。返回利用二極管的單向?qū)щ娦?，可用于整流?.鉗位作用設(shè)二極管為理想二極管返回2.鉗位作用設(shè)二極管為理想二極管返回3.限幅作用例1.2

在下圖（a）所示電路中，已知輸入電壓V，直流電源E=5V,二極管視為理想元件，畫出輸出電壓。返回3.限幅作用例1.2在下圖（a）所示電路中，已知輸入電壓當(dāng)時(shí)，二極管D截止，相當(dāng)于開路，輸出電壓與輸入電壓相等，即，波形相同；當(dāng)時(shí)，二極管D導(dǎo)通，相當(dāng)于短路，輸出電壓輸出電壓的波形被限制在5V以內(nèi)，二極管起限幅作用。返回當(dāng)時(shí)，二極管D截止，相當(dāng)于開4.開關(guān)作用當(dāng)ui為10V時(shí)，二極管陰極電位被抬高，處于截止?fàn)顟B(tài)，將記憶電路和us斷開；當(dāng)ui為0V時(shí)，二極管陰極電位降低，處于導(dǎo)通狀態(tài)，將記憶電路和us接通。這樣，通過ui的信號(hào)輸入，實(shí)現(xiàn)了接通或斷開us信號(hào)的作用。返回4.開關(guān)作用當(dāng)ui為10V時(shí)，二極管陰極電位被抬高，小結(jié)利用二極管的單向?qū)щ娦?，可用于整流、檢波、元件保護(hù)以及在數(shù)字電路中作為開關(guān)元件。二極管有點(diǎn)接觸型和面接觸型兩種結(jié)構(gòu)。二極管具有單向?qū)щ娦裕赫驅(qū)?，反向截止。返回小結(jié)利用二極管的單向?qū)щ娦?，可用于整流、檢波、元件保護(hù)以及在1.穩(wěn)壓管基本知識(shí)+-符號(hào)1.2特殊二極管能力知識(shí)點(diǎn)1穩(wěn)壓管返回

穩(wěn)壓管是特殊的面接觸型二極管。1.穩(wěn)壓管基本知識(shí)+-符號(hào)1.2特殊二極管能力知識(shí)點(diǎn)1穩(wěn)壓管正常工作的區(qū)域是反向擊穿區(qū)。從反向特性上可以看出，由于反向特性很陡，穩(wěn)壓管中的電流可在很大范圍內(nèi)變化，而其兩端電壓基本不變。所以說穩(wěn)壓管具有穩(wěn)壓的作用。返回穩(wěn)壓管正常工作的區(qū)域是反向擊穿區(qū)。從反向特性上可以看出，由于（1）穩(wěn)定電壓UZ（2）穩(wěn)定電流IZ（3）最大穩(wěn)定電流Izmax

穩(wěn)壓管正常工作時(shí)必須與一個(gè)電阻串聯(lián)才能起到穩(wěn)壓的作用。＋－＋－UL2.主要參數(shù)3.應(yīng)用舉例返回（1）穩(wěn)定電壓UZ（2）穩(wěn)定電流IZ穩(wěn)壓管正常工【例1.3】在圖示電路中，已知U=20V,UZ=6V。試求：1.UL，2.分析穩(wěn)壓原理解：1.2.設(shè)電源電壓波動(dòng)（負(fù)載不變）設(shè)負(fù)載變化（電源電壓不變）返回【例1.3】在圖示電路中，已知U=20V,UZ=6V。試求：能力知識(shí)點(diǎn)2發(fā)光二極管發(fā)光二極管同樣具有單向?qū)щ娦裕驅(qū)〞r(shí)發(fā)光，反向截止時(shí)不發(fā)光。返回能力知識(shí)點(diǎn)2發(fā)光二極管發(fā)光二極管同樣具有單向?qū)щ娦?，正向?qū)芰χR(shí)點(diǎn)3光敏二極管

光敏二極管工作在反向工作狀態(tài)，沒有光照射時(shí)，其反向電阻很大，PN結(jié)流過的反向電流很??；當(dāng)光照射在PN結(jié)上時(shí)，在PN結(jié)內(nèi)部產(chǎn)生的電子空穴對(duì)在PN結(jié)內(nèi)電場(chǎng)作用下作定向運(yùn)動(dòng)，形成光電流。光照越強(qiáng)，光電流也越強(qiáng)。返回能力知識(shí)點(diǎn)3光敏二極管光敏二極管工作在反向工作狀態(tài)，1.3二極管整流電源整流電路:交流電壓變?yōu)槊}動(dòng)的直流電壓。濾波電路:脈動(dòng)的直流電壓轉(zhuǎn)變?yōu)槠交闹绷麟妷?。穩(wěn)壓電路:使輸出電壓穩(wěn)定,不受電網(wǎng)波動(dòng)及負(fù)載變化的影響。返回能力知識(shí)點(diǎn)1直流穩(wěn)壓電源的組成1.3二極管整流電源整流電路:交流電壓變?yōu)槊}動(dòng)的直流電壓。能力知識(shí)點(diǎn)2整流電路1.單相半波整流電路整流電路有半波整流、全波整流和橋式整流電路。u1u2>0時(shí)，二極管D導(dǎo)通，忽略二極管正向壓降,u0=u2

u2<0時(shí)，二極管D截止，u0=0。二極管截止返回能力知識(shí)點(diǎn)2整流電路1.單相半波整流電路整流電路有半波整流輸出電壓的平均值U0：設(shè)變壓器副邊交流電壓的有效值輸出電流的平均值I0：二極管承受的最高反向工作電壓UDRM

：返回輸出電壓的平均值U0：設(shè)變壓器副邊交流輸出電流的平均值I0：【例1.4】已知單相半波整流電路的負(fù)載電阻為750Ω，U2=20V。試求UO，IO,UDRM，并選擇二極管。解選擇二極管：查手冊(cè)選2AP4,IFM=16mA，UDRM=50V的二極管。返回【例1.4】已知單相半波整流電路的負(fù)載電阻為750Ω，U22.單相橋式整流電路u2>0時(shí)，二極管D1和D3導(dǎo)通，D2和D4截止，忽略二極管的正向壓降,u0=u2。返回2.單相橋式整流電路u2>0時(shí)，二極管D1和D3導(dǎo)通，Du2<0時(shí)，D2和D4導(dǎo)通，D1和D3截止，u0=-u2。

返回u2<0時(shí)，返回輸出電壓的平均值U0：輸出電流的平均值I0：二極管承受的最高反向工作電壓UDRM

：每個(gè)二極管流過電流的平均值ID：返回輸出電壓的平均值U0：輸出電流的平均值I0：二極管承受的最高【例1.5】已知單相橋式整流電路，輸出直流電壓為110V,輸出電流為50mA。試選擇整流橋。解選擇整流橋：查手冊(cè)選IFM=50mA，UDRM=300V的整流橋。返回【例1.5】已知單相橋式整流電路，輸出直流電壓為110V,輸整流橋的外形與電路表示符號(hào)返回整流橋的外形與電路表示符號(hào)返回能力知識(shí)點(diǎn)3濾波電路單相半波整流、電容濾波電路：u2正半周增加時(shí)，二極管D導(dǎo)通，忽略其導(dǎo)通壓降，uo=

u2；此時(shí)電容C充電，uC=

u2。返回能力知識(shí)點(diǎn)3濾波電路單相半波整流、電容濾波電路：u2正半周u2從最大值下降時(shí)，電容C放電。當(dāng)u2>uC時(shí)，二極管D仍然導(dǎo)通，uo=

u2。當(dāng)u2<uC時(shí)，二極管D截止，電容通過負(fù)載放電,uo=

uC?？梢姡娙轂V波后使u2的脈動(dòng)程度降低，輸出電壓的平均值增大。返回u2從最大值下降時(shí)，電容C放電。當(dāng)u2>uC時(shí)，當(dāng)u2<uC+LR0u+-C+LR+-0u0ui穩(wěn)壓管穩(wěn)壓電路能力知識(shí)點(diǎn)4穩(wěn)壓電路返回C+LR0u+-C+LR+-0u0ui穩(wěn)壓管能力知識(shí)點(diǎn)4穩(wěn)C+LR+-+-R穩(wěn)壓原理分析:1.電網(wǎng)波動(dòng)(負(fù)載不變)電網(wǎng)電壓不變2.負(fù)載變化(電網(wǎng)電壓不變)返回C+LR+-+-R穩(wěn)壓原理分析:1.電網(wǎng)波動(dòng)(負(fù)載不變)電集成穩(wěn)壓電路最簡(jiǎn)單的集成穩(wěn)壓電路只有輸入，輸出和公共引出端,故稱之為三端集成穩(wěn)壓器。常用的三端集成穩(wěn)壓器有W7800、W7900系列，其內(nèi)部是由串聯(lián)型晶體管穩(wěn)壓電路組成。W78系列(輸出正電壓)，W79系列(輸出負(fù)電壓)典型電壓值：5V、9V、12V、15V、18V、24V等。返回集成穩(wěn)壓電路最簡(jiǎn)單的集成穩(wěn)壓電路只有輸入，輸出和公共引出端小結(jié)二極管整流電源又叫直流穩(wěn)壓電源，由變壓、整流、濾波、穩(wěn)壓四個(gè)電路單元組成。變壓電路將較高的交流電壓變?yōu)檩^低的交流電壓；整流電路將交流電壓變?yōu)槊}動(dòng)的直流電壓；濾波電路將脈動(dòng)的直流電壓轉(zhuǎn)變?yōu)槠交闹绷麟妷?；穩(wěn)壓電路使輸出電壓穩(wěn)定,不受電網(wǎng)波動(dòng)及負(fù)載變化的影響。返回小結(jié)二極管整流電源又叫直流穩(wěn)壓電源，由變壓、整流、濾NPN型電路符號(hào)PNP型電路符號(hào)1.4晶體三極管1.基本結(jié)構(gòu)返回NPN型電路符號(hào)PNP型電路符號(hào)1.4晶體三極管1.基本BECNNP基極發(fā)射極集電極從摻雜濃度上，E>C>B從尺寸上，C>E>B結(jié)構(gòu)特點(diǎn)：集電區(qū)面積較大基區(qū)較薄，摻雜濃度低發(fā)射區(qū)摻雜濃度較高返回BECNNP基極發(fā)射極集電極從摻雜濃度上，E>C>BBECNNP基極發(fā)射極集電極集電結(jié)兩個(gè)PN結(jié)：發(fā)射結(jié)返回BECNNP基極發(fā)射極集電極集電結(jié)兩個(gè)PN結(jié)：發(fā)射結(jié)返回實(shí)驗(yàn)電路：發(fā)射極是公共端，這種接法稱為共發(fā)射極接法。發(fā)射結(jié)外加正向電壓，集電結(jié)外加反向電壓。2.電流放大原理返回實(shí)驗(yàn)電路：發(fā)射極是公共端，這種接法稱為共發(fā)射極接法。發(fā)射結(jié)外實(shí)驗(yàn)結(jié)果：結(jié)論：晶體管具有電流放大作用。返回實(shí)驗(yàn)結(jié)果：結(jié)論：晶體管具有電流放大作用。返回

要使三極管能放大電流，發(fā)射結(jié)必須正偏，集電結(jié)必須反偏。IC與IB之比稱為電流放大倍數(shù)，即返回要使三極管能放大電流，發(fā)射結(jié)必須正偏，集電結(jié)必須反偏。用晶體管的載流子運(yùn)動(dòng)規(guī)律解釋放大原理：進(jìn)入P區(qū)的電子小部分與基區(qū)的空穴復(fù)合，形成基極電流IB，多數(shù)電子繼續(xù)向集電結(jié)擴(kuò)散。發(fā)射結(jié)正偏，發(fā)射區(qū)電子不斷向基區(qū)擴(kuò)散，形成發(fā)射極電流IE。返回用晶體管的載流子運(yùn)動(dòng)規(guī)律解釋放大原理：進(jìn)入P區(qū)的電子小部分與集電結(jié)反偏，少子空穴向基區(qū)飄移，形成反向電流ICBO。由于集電結(jié)反偏，從基區(qū)擴(kuò)散來的電子穿過集電結(jié)而被收集，形成集電極電流IC。結(jié)論：由于集電區(qū)的空穴數(shù)<<基區(qū)的空穴數(shù)，所以基極電流主要是多子空穴與電子復(fù)合產(chǎn)生的。返回集電結(jié)反偏，少子空穴向基區(qū)飄移，形成反向電流ICBO。由于集實(shí)驗(yàn)電路：2.輸出特性1.輸入特性3.特性曲線返回實(shí)驗(yàn)電路：2.輸出特性1.輸入特性3.特性曲線返回硅管工作壓降：UBE

0.6~0.7V,鍺管工作壓降：UBE0.2~0.3V。死區(qū)電壓，硅管0.5V，鍺管0.1V。1.輸入特性返回硅管工作壓降：UBE0.6~0.7V,死區(qū)電壓，12.輸出特性曲線當(dāng)UCE大于一定的數(shù)值時(shí)，IC只與IB有關(guān)，即IC=IB飽和區(qū)：UCEUBE,集電結(jié)正偏，IB>IC，UCE0.3VIB=0,IC≈0,UBE<0返回2.輸出特性曲線當(dāng)UCE大于一定的數(shù)值時(shí)，IC只與IB有關(guān)，共射接法的放大電路直流電流放大倍數(shù)：（1）電流放大系數(shù)

交流電流放大倍數(shù)：在計(jì)算中，一般作近似處理：=4.主要參數(shù)返回共射接法的放大電路直流電流放大倍數(shù)：（1）電流放大系數(shù)交（2）集-基極反向截止電流ICBOAICBO＋－＋－ICBO是集電結(jié)反偏由少子的漂移形成的反向電流，其值受溫度的變化影響。返回（2）集-基極反向截止電流ICBOAICBO＋－＋－IC（3）集-射極反向截止電流ICEOAICEO＋－ICEO是基極開路時(shí)，由集電極流入發(fā)射極的電流，其值受溫度變化的影響。ICEO=

ICBO+ICBO=(1+

)ICBO返回（3）集-射極反向截止電流ICEOAICEO＋－ICEO（4）集電極最大電流ICM集電極電流IC上升會(huì)導(dǎo)致晶體管的值下降，當(dāng)值下降到正常值的三分之二時(shí)的集電極電流即為ICM。當(dāng)基極開路時(shí)，允許加在集－射極之間的最大電壓，即為。當(dāng)UCE超過此值時(shí)，晶體管就會(huì)擊穿。（5）集－射極反向擊穿電壓返回（4）集電極最大電流ICM集電極電流IC上升會(huì)導(dǎo)致晶體管的（6）集電極最大允許功耗PCM集電極電流IC流過晶體管，所消耗的功率為PC=ICUCE其后果必定導(dǎo)致結(jié)溫上升，所以要限制PC。正常工作時(shí)，PCPCM返回（6）集電極最大允許功耗PCM集電極電流IC流過晶體管，所消βUCEOICM晶體管正常工作的區(qū)域返回βUCEOICM晶體管正常工作的區(qū)域返回解：(a)放大狀態(tài)（硅管）(b)放大狀態(tài)（鍺管）(c)飽和狀態(tài)（硅管）(d)截止?fàn)顟B(tài)（鍺管）判斷下圖中晶體管的工作狀態(tài)?！纠?.6】返回(a)(b)(d)(c)V1.0-解：(a)放大狀態(tài)（硅管）(b)放大狀態(tài)（鍺管）(c)飽和狀色環(huán)電阻電阻排返回色環(huán)電阻電阻排返回電容極性電容返回電容極性電容返回晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管、晶閘管整流橋、電感、集成電路芯片二極管返回晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管、晶閘管整流橋、電感、集成電路芯片二極管返回第1章結(jié)束第1章結(jié)束第1章常用半導(dǎo)體器件1.1半導(dǎo)體二極管1.2特殊二極管1.3二極管整流電源1.4晶體三極管第1章常用半導(dǎo)體器件1.1半導(dǎo)體二極管1.2特殊二導(dǎo)體:

很容易導(dǎo)電的物質(zhì)。金屬一般都是導(dǎo)體。絕緣體:幾乎不導(dǎo)電的物質(zhì)。如橡皮、塑料和石英。半導(dǎo)體:導(dǎo)電能力處于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)。如鍺、硅、砷化鎵和一些硫化物、氧化物等。自然界中的物質(zhì)按其導(dǎo)電的能力分為三種:1.1半導(dǎo)體二極管能力知識(shí)點(diǎn)1半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性返回1.半導(dǎo)體的基本知識(shí)導(dǎo)體:很容易導(dǎo)電的物質(zhì)。金屬一般都是導(dǎo)體。絕緣體:幾乎不導(dǎo)半導(dǎo)體的導(dǎo)電特點(diǎn):光敏性：當(dāng)受外界光的作用時(shí)，它的導(dǎo)電能力明顯增強(qiáng)。1.摻雜性：往純凈的半導(dǎo)體中摻入某些微量雜質(zhì)，它的導(dǎo)電能力就可增加幾十萬至幾百萬倍。3.返回?zé)崦粜裕寒?dāng)受外界熱的作用時(shí)，它的導(dǎo)電能力明顯增強(qiáng)。2.半導(dǎo)體的導(dǎo)電特點(diǎn):光敏性：當(dāng)受外界光的作用時(shí)，它的導(dǎo)電能力明晶體:通過一定的工藝處理，將半導(dǎo)體制成晶體。本征半導(dǎo)體:完全純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體晶體。硅和鍺的最外層有4個(gè)價(jià)電子,稱為四價(jià)元素。2.本征半導(dǎo)體返回晶體:通過一定的工藝處理，將半導(dǎo)體制成晶體。本征半導(dǎo)體:共價(jià)鍵:在硅和鍺晶體中，原子按四角形系統(tǒng)組成晶體點(diǎn)陣，每個(gè)原子都處在正四面體的中心，而四個(gè)其它原子位于四面體的頂點(diǎn)，每個(gè)原子與其相鄰的原子之間形成共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)，共用一對(duì)價(jià)電子。共價(jià)鍵(共用電子對(duì))兩相鄰原子的價(jià)電子組成一個(gè)電子對(duì)，它們將兩個(gè)相鄰原子結(jié)合在一起，組成共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)。返回共價(jià)鍵:在硅和鍺晶體中，原子按四角形系統(tǒng)組成晶體點(diǎn)陣，每個(gè)原共價(jià)鍵中的兩個(gè)價(jià)電子被緊緊束縛在共價(jià)鍵中，常溫下這些價(jià)電子很難脫離共價(jià)鍵的束縛，因此本征半導(dǎo)體中的自由電子很少，所以本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力很弱。形成共價(jià)鍵后，每個(gè)原子的最外層電子是八個(gè)，構(gòu)成穩(wěn)定結(jié)構(gòu)。返回共價(jià)鍵中的兩個(gè)價(jià)電子被緊緊束縛在共價(jià)鍵中，常溫下這些價(jià)電子很自由電子與空穴：自由電子空穴價(jià)電子當(dāng)環(huán)境溫度升高時(shí)，使一些價(jià)電子獲得足夠的能量脫離共價(jià)鍵的束縛，成為自由電子，同時(shí)共價(jià)鍵上留下一個(gè)空位，稱為空穴。在其它力的作用下，空穴吸引鄰近的價(jià)電子來填補(bǔ)，這樣的結(jié)果相當(dāng)于空穴在運(yùn)動(dòng)，而空穴的運(yùn)動(dòng)相當(dāng)于正電荷的移動(dòng)，因此可以認(rèn)為空穴是載流子。返回自由電子與空穴：自由電子空穴價(jià)電子當(dāng)環(huán)境溫度升高時(shí)，在其它力在本征半導(dǎo)體中摻入某些微量的元素，就會(huì)使半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能有顯著變化。（1）N型半導(dǎo)體3.雜質(zhì)半導(dǎo)體在硅或鍺晶體中摻入少量的五價(jià)元素磷，晶體點(diǎn)陣中的某些硅原子被磷原子取代，磷原子的最外層有五個(gè)價(jià)電子，其中四個(gè)價(jià)電子與相鄰的硅原子的價(jià)電子組成共價(jià)鍵。返回在本征半導(dǎo)體中摻入某些微量的元素，就會(huì)使半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能有顯多出的一個(gè)電子幾乎不受磷原子的束縛，很容易被激發(fā)而成為自由電子，這樣半導(dǎo)體中的自由電子數(shù)量大大增加，參與導(dǎo)電的載流子主要是自由電子。磷原子就成了不能移動(dòng)的帶正電的離子。N型半導(dǎo)體參與導(dǎo)電的是自由電子（多子）。多余電子磷原子返回多出的一個(gè)電子幾乎不受磷原子的束縛，很容易被激（2）P型半導(dǎo)體在硅或鍺晶體中摻入少量的三價(jià)硼元素，晶體點(diǎn)陣中的硅或鍺原子被硼取代，硼原子的最外層有三個(gè)價(jià)電子，與相鄰的硅或鍺原子的價(jià)電子組成共價(jià)鍵時(shí)，產(chǎn)生一個(gè)空穴。這個(gè)空穴要吸引價(jià)電子來填補(bǔ)，使得硼原子成為不能移動(dòng)的帶負(fù)電的離子。P型半導(dǎo)體參與導(dǎo)電的是空穴（多子）。硼原子返回（2）P型半導(dǎo)體在硅或鍺晶體中摻入少量的三價(jià)（1）PN結(jié)的形成在同一片半導(dǎo)體的基片上，分別制造P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體，經(jīng)過載流子的擴(kuò)散，在它們的交界面處就形成了PN結(jié)。P++++++++++++NPN結(jié)硼離子多子少子磷離子多子少子空間電荷區(qū)擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)4.PN結(jié)返回（1）PN結(jié)的形成在同一片半導(dǎo)體的基片上，分別制造P型半P++++++++++++N擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)內(nèi)電場(chǎng)漂移運(yùn)動(dòng)PN結(jié)處載流子的運(yùn)動(dòng)空間電荷區(qū)不能移動(dòng)的正負(fù)離子返回P++++++++++++N擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)內(nèi)電場(chǎng)漂移運(yùn)動(dòng)PN結(jié)處載P++++++++++++N內(nèi)電場(chǎng)對(duì)多子起阻礙作用。內(nèi)電場(chǎng)對(duì)少子起驅(qū)動(dòng)作用。內(nèi)電場(chǎng)越強(qiáng)，就使漂移運(yùn)動(dòng)越強(qiáng)，而漂移使空間電荷區(qū)變薄。擴(kuò)散的結(jié)果使空間電荷區(qū)逐漸加寬。返回P++++++++++++N內(nèi)電場(chǎng)對(duì)多子起阻礙作用。內(nèi)電場(chǎng)對(duì)所以，擴(kuò)散和漂移這一對(duì)相反的運(yùn)動(dòng)最終達(dá)到平衡，相當(dāng)于兩個(gè)區(qū)之間沒有電荷運(yùn)動(dòng)，空間電荷區(qū)的厚度就固定不變。P++++++++++++N空間電荷區(qū)返回所以，擴(kuò)散和漂移這一對(duì)相反的運(yùn)動(dòng)最終達(dá)到平衡，相當(dāng)于兩個(gè)區(qū)之（2）PN結(jié)的單向?qū)щ娦訮N結(jié)在不加電壓時(shí)，多子和少子的運(yùn)動(dòng)達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡，所以，PN結(jié)對(duì)外呈中性。返回（2）PN結(jié)的單向?qū)щ娦訮N結(jié)在不加電壓時(shí)，返回++++外電場(chǎng)變薄PN+-+RI－－－－－－－－++++內(nèi)電場(chǎng)PN結(jié)外加正向電壓（正向偏置）PN結(jié)導(dǎo)通返回++++外電場(chǎng)變薄PN+-+RI－－－－－－－－++++內(nèi)電外電場(chǎng)

變厚PN-++RI≈0－－－－－－－－++++內(nèi)電場(chǎng)++++PN結(jié)截止返回PN結(jié)外加反向電壓（反向偏置）外電場(chǎng)變厚PN-++RI≈0－－－－－－－－++小結(jié)3.PN結(jié)外加正向電壓時(shí),PN結(jié)處于導(dǎo)通狀態(tài),將電路接通;PN結(jié)外加反向電壓時(shí),PN結(jié)處于截止?fàn)顟B(tài),將電路斷開;PN結(jié)具有單向?qū)щ娦?。返?.本征半導(dǎo)體中存在數(shù)量相等的兩種載流子，即自由電子和空穴。本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力取決于載流子的濃度。溫度越高，載流子的濃度越高。2.半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子是由摻雜產(chǎn)生的，少數(shù)載流子是由熱激發(fā)產(chǎn)生的。由于數(shù)量的關(guān)系，起導(dǎo)電作用的主要是多數(shù)載流子。N型半導(dǎo)體中自由電子是多子，空穴是少子。P型半導(dǎo)體中空穴是多子，電子是少子。小結(jié)3.PN結(jié)外加正向電壓時(shí),PN結(jié)處于導(dǎo)通狀態(tài),將電路接通PN結(jié)加上管殼和引線，就成為半導(dǎo)體二極管。能力知識(shí)點(diǎn)2半導(dǎo)體二極管1.基本結(jié)構(gòu)返回PN結(jié)加上管殼和引線，就成為半導(dǎo)體二極管。能力知識(shí)點(diǎn)2半導(dǎo)反向特性死區(qū)電壓：硅管0.5V,鍺管0.1V。導(dǎo)通壓降:硅管0.6~0.7V,鍺管0.2~0.3V。正向特性2.伏安特性返回反向特性死區(qū)電壓：硅管0.5V,鍺管0.1V。導(dǎo)通壓降:硅是指二極管正向?qū)〞r(shí)允許流過的最大正向平均電流。正常使用時(shí)，不能超過此值，否則將管子燒壞。是指二極管反向截止時(shí)允許外加的最高反向工作電壓。正常使用時(shí)，應(yīng)該是擊穿電壓的一半，否則將管子燒壞。是指在常溫下二極管外加反向峰值電壓時(shí)，流經(jīng)管子的電流。此電流值受溫度影響，硅管反向電流小，鍺管較大。3.主要參數(shù)返回是指二極管正向?qū)〞r(shí)允許流過的最大正向平均電流。正常解：【例1.1】求F點(diǎn)的電位，說明兩個(gè)管子的作用。設(shè)二極管為理想二極管4.含二極管電路的分析方法返回解：【例1.1】求F點(diǎn)的電位，說明兩個(gè)管子的作用。設(shè)二極管為利用二極管的單向?qū)щ娦?，可用于整流、檢波、元件保護(hù)以及在數(shù)字電路中作為開關(guān)元件。能力知識(shí)點(diǎn)3二極管的作用1.整流作用在ui正半周時(shí)二極管正向?qū)?，輸出信?hào)同輸入信號(hào)；在ui負(fù)半周時(shí)二極管反向截止，輸出信號(hào)為零。返回利用二極管的單向?qū)щ娦?，可用于整流?.鉗位作用設(shè)二極管為理想二極管返回2.鉗位作用設(shè)二極管為理想二極管返回3.限幅作用例1.2

在下圖（a）所示電路中，已知輸入電壓V，直流電源E=5V,二極管視為理想元件，畫出輸出電壓。返回3.限幅作用例1.2在下圖（a）所示電路中，已知輸入電壓當(dāng)時(shí)，二極管D截止，相當(dāng)于開路，輸出電壓與輸入電壓相等，即，波形相同；當(dāng)時(shí)，二極管D導(dǎo)通，相當(dāng)于短路，輸出電壓輸出電壓的波形被限制在5V以內(nèi)，二極管起限幅作用。返回當(dāng)時(shí)，二極管D截止，相當(dāng)于開4.開關(guān)作用當(dāng)ui為10V時(shí)，二極管陰極電位被抬高，處于截止?fàn)顟B(tài)，將記憶電路和us斷開；當(dāng)ui為0V時(shí)，二極管陰極電位降低，處于導(dǎo)通狀態(tài)，將記憶電路和us接通。這樣，通過ui的信號(hào)輸入，實(shí)現(xiàn)了接通或斷開us信號(hào)的作用。返回4.開關(guān)作用當(dāng)ui為10V時(shí)，二極管陰極電位被抬高，小結(jié)利用二極管的單向?qū)щ娦?，可用于整流、檢波、元件保護(hù)以及在數(shù)字電路中作為開關(guān)元件。二極管有點(diǎn)接觸型和面接觸型兩種結(jié)構(gòu)。二極管具有單向?qū)щ娦裕赫驅(qū)?，反向截止。返回小結(jié)利用二極管的單向?qū)щ娦?，可用于整流、檢波、元件保護(hù)以及在1.穩(wěn)壓管基本知識(shí)+-符號(hào)1.2特殊二極管能力知識(shí)點(diǎn)1穩(wěn)壓管返回

穩(wěn)壓管是特殊的面接觸型二極管。1.穩(wěn)壓管基本知識(shí)+-符號(hào)1.2特殊二極管能力知識(shí)點(diǎn)1穩(wěn)壓管正常工作的區(qū)域是反向擊穿區(qū)。從反向特性上可以看出，由于反向特性很陡，穩(wěn)壓管中的電流可在很大范圍內(nèi)變化，而其兩端電壓基本不變。所以說穩(wěn)壓管具有穩(wěn)壓的作用。返回穩(wěn)壓管正常工作的區(qū)域是反向擊穿區(qū)。從反向特性上可以看出，由于（1）穩(wěn)定電壓UZ（2）穩(wěn)定電流IZ（3）最大穩(wěn)定電流Izmax

穩(wěn)壓管正常工作時(shí)必須與一個(gè)電阻串聯(lián)才能起到穩(wěn)壓的作用。＋－＋－UL2.主要參數(shù)3.應(yīng)用舉例返回（1）穩(wěn)定電壓UZ（2）穩(wěn)定電流IZ穩(wěn)壓管正常工【例1.3】在圖示電路中，已知U=20V,UZ=6V。試求：1.UL，2.分析穩(wěn)壓原理解：1.2.設(shè)電源電壓波動(dòng)（負(fù)載不變）設(shè)負(fù)載變化（電源電壓不變）返回【例1.3】在圖示電路中，已知U=20V,UZ=6V。試求：能力知識(shí)點(diǎn)2發(fā)光二極管發(fā)光二極管同樣具有單向?qū)щ娦?，正向?qū)〞r(shí)發(fā)光，反向截止時(shí)不發(fā)光。返回能力知識(shí)點(diǎn)2發(fā)光二極管發(fā)光二極管同樣具有單向?qū)щ娦?，正向?qū)芰χR(shí)點(diǎn)3光敏二極管

光敏二極管工作在反向工作狀態(tài)，沒有光照射時(shí)，其反向電阻很大，PN結(jié)流過的反向電流很??；當(dāng)光照射在PN結(jié)上時(shí)，在PN結(jié)內(nèi)部產(chǎn)生的電子空穴對(duì)在PN結(jié)內(nèi)電場(chǎng)作用下作定向運(yùn)動(dòng)，形成光電流。光照越強(qiáng)，光電流也越強(qiáng)。返回能力知識(shí)點(diǎn)3光敏二極管光敏二極管工作在反向工作狀態(tài)，1.3二極管整流電源整流電路:交流電壓變?yōu)槊}動(dòng)的直流電壓。濾波電路:脈動(dòng)的直流電壓轉(zhuǎn)變?yōu)槠交闹绷麟妷?。穩(wěn)壓電路:使輸出電壓穩(wěn)定,不受電網(wǎng)波動(dòng)及負(fù)載變化的影響。返回能力知識(shí)點(diǎn)1直流穩(wěn)壓電源的組成1.3二極管整流電源整流電路:交流電壓變?yōu)槊}動(dòng)的直流電壓。能力知識(shí)點(diǎn)2整流電路1.單相半波整流電路整流電路有半波整流、全波整流和橋式整流電路。u1u2>0時(shí)，二極管D導(dǎo)通，忽略二極管正向壓降,u0=u2

u2<0時(shí)，二極管D截止，u0=0。二極管截止返回能力知識(shí)點(diǎn)2整流電路1.單相半波整流電路整流電路有半波整流輸出電壓的平均值U0：設(shè)變壓器副邊交流電壓的有效值輸出電流的平均值I0：二極管承受的最高反向工作電壓UDRM

：返回輸出電壓的平均值U0：設(shè)變壓器副邊交流輸出電流的平均值I0：【例1.4】已知單相半波整流電路的負(fù)載電阻為750Ω，U2=20V。試求UO，IO,UDRM，并選擇二極管。解選擇二極管：查手冊(cè)選2AP4,IFM=16mA，UDRM=50V的二極管。返回【例1.4】已知單相半波整流電路的負(fù)載電阻為750Ω，U22.單相橋式整流電路u2>0時(shí)，二極管D1和D3導(dǎo)通，D2和D4截止，忽略二極管的正向壓降,u0=u2。返回2.單相橋式整流電路u2>0時(shí)，二極管D1和D3導(dǎo)通，Du2<0時(shí)，D2和D4導(dǎo)通，D1和D3截止，u0=-u2。

返回u2<0時(shí)，返回輸出電壓的平均值U0：輸出電流的平均值I0：二極管承受的最高反向工作電壓UDRM

：每個(gè)二極管流過電流的平均值ID：返回輸出電壓的平均值U0：輸出電流的平均值I0：二極管承受的最高【例1.5】已知單相橋式整流電路，輸出直流電壓為110V,輸出電流為50mA。試選擇整流橋。解選擇整流橋：查手冊(cè)選IFM=50mA，UDRM=300V的整流橋。返回【例1.5】已知單相橋式整流電路，輸出直流電壓為110V,輸整流橋的外形與電路表示符號(hào)返回整流橋的外形與電路表示符號(hào)返回能力知識(shí)點(diǎn)3濾波電路單相半波整流、電容濾波電路：u2正半周增加時(shí)，二極管D導(dǎo)通，忽略其導(dǎo)通壓降，uo=

u2；此時(shí)電容C充電，uC=

u2。返回能力知識(shí)點(diǎn)3濾波電路單相半波整流、電容濾波電路：u2正半周u2從最大值下降時(shí)，電容C放電。當(dāng)u2>uC時(shí)，二極管D仍然導(dǎo)通，uo=

u2。當(dāng)u2<uC時(shí)，二極管D截止，電容通過負(fù)載放電,uo=

uC?？梢姡娙轂V波后使u2的脈動(dòng)程度降低，輸出電壓的平均值增大。返回u2從最大值下降時(shí)，電容C放電。當(dāng)u2>uC時(shí)，當(dāng)u2<uC+LR0u+-C+LR+-0u0ui穩(wěn)壓管穩(wěn)壓電路能力知識(shí)點(diǎn)4穩(wěn)壓電路返回C+LR0u+-C+LR+-0u0ui穩(wěn)壓管能力知識(shí)點(diǎn)4穩(wěn)C+LR+-+-R穩(wěn)壓原理分析:1.電網(wǎng)波動(dòng)(負(fù)載不變)電網(wǎng)電壓不變2.負(fù)載變化(電網(wǎng)電壓不變)返回C+LR+-+-R穩(wěn)壓原理分析:1.電網(wǎng)波動(dòng)(負(fù)載不變)電集成穩(wěn)壓電路最簡(jiǎn)單的集成穩(wěn)壓電路只有輸入，輸出和公共引出端,故稱之為三端集成穩(wěn)壓器。常用的三端集成穩(wěn)壓器有W7800、W7900系列，其內(nèi)部是由串聯(lián)型晶體管穩(wěn)壓電路組成。W78系列(輸出正電壓)，W79系列(輸出負(fù)電壓)典型電壓值：5V、9V、12V、15V、18V、24V等。返回集成穩(wěn)壓電路最簡(jiǎn)單的集成穩(wěn)壓電路只有輸入，輸出和公共引出端小結(jié)二極管整流電源又叫直流穩(wěn)壓電源，由變壓、整流、濾波、穩(wěn)壓四個(gè)電路單元組成。變壓電路將較高的交流電壓變?yōu)檩^低的交流電壓；整流電路將交流電壓變?yōu)槊}動(dòng)的直流電壓；濾波電路將脈動(dòng)的直流電壓轉(zhuǎn)變?yōu)槠交闹绷麟妷?；穩(wěn)壓電路使輸出電壓穩(wěn)定,不受電網(wǎng)波動(dòng)及負(fù)載變化的影響。返回小結(jié)二極管整流電源又叫直流穩(wěn)壓電源，由變壓、整流、濾NPN型電路符號(hào)PNP型電路符號(hào)1.4晶體三極管1.基本結(jié)構(gòu)返回NPN型電路符號(hào)PNP型電路符號(hào)1.4晶體三極管1.基本BECNNP基極發(fā)射極集電極從摻雜濃度上，E>C>B從尺寸上，C>E>B結(jié)構(gòu)特點(diǎn)：集電區(qū)面積較大基區(qū)較薄，摻雜濃度低發(fā)射區(qū)摻雜濃度較高返回BECNNP基極發(fā)射極集電極從摻雜濃度上，E>C>BBECNNP基極發(fā)射極集電極集電結(jié)兩個(gè)PN結(jié)：發(fā)射結(jié)返回BECNNP基極發(fā)射極集電極集電結(jié)兩個(gè)PN結(jié)：發(fā)射結(jié)返回實(shí)驗(yàn)電路：發(fā)射極是公共端，這種接法稱為共發(fā)射極接法。發(fā)射結(jié)外加正向電壓，集電結(jié)外加反向電壓。2.電流放大原理返回實(shí)驗(yàn)電路：發(fā)射極是公共端，這種接法稱為共發(fā)射極接法。發(fā)射結(jié)外實(shí)驗(yàn)結(jié)果：結(jié)論：晶體管具有電流放大作用。返回實(shí)驗(yàn)結(jié)果：結(jié)論：晶體管具有電