半導體物理研究生用課件

異質(zhì)結(jié)不同半導體材料構(gòu)成的結(jié)稱異質(zhì)結(jié)。存在兩種類型的異質(zhì)結(jié)，即反型（P-N）和同型（N-N或P-P）異質(zhì)結(jié)。一般把禁帶寬度小的材料寫在前面，如n-nGe-Si,nGe-pGaAs異質(zhì)結(jié)也有突變結(jié)和緩變結(jié)之分，但一般情況下以突變結(jié)居多。以討論不考慮界面態(tài)的影響。異質(zhì)結(jié)不同半導體材料構(gòu)成的結(jié)稱異質(zhì)結(jié)。1I、I’、II型異質(zhì)結(jié)I型：窄帶的導帶底和價帶頂均位于寬帶的禁帶內(nèi)（電子勢阱，空穴勢阱）。I’型：一種材料的導帶底位于另一種材料的禁帶內(nèi)，而價帶頂則低于另一材料的價帶頂（電子勢阱、空穴勢壘）。II型：一種材料的導帶底和價帶頂均低于另一種材料的價帶底（電子勢阱、空穴勢壘）。注意：間的關系。I、I’、II型異質(zhì)結(jié)I型：窄帶的導帶底和價帶頂均位于寬帶2邊界條件邊界條件3異質(zhì)結(jié)的能帶圖與同質(zhì)PN結(jié)的異同

相同點：形成空間電荷區(qū)能帶彎曲；有電容效應。不同點：由于兩種材料介電常數(shù)不同，因而電場在界面處不連續(xù)，導致能帶出現(xiàn)尖峰、下陷和不連續(xù)。導帶上的下陷處積累高密度的電子，可以形成2維電子氣2DEG。異質(zhì)結(jié)的能帶圖與同質(zhì)PN結(jié)的異同

4異型異質(zhì)結(jié)—例子異型異質(zhì)結(jié)—例子5同型異質(zhì)結(jié)—例子同型異質(zhì)結(jié)—例子6nP型異質(zhì)結(jié)nP型異質(zhì)結(jié)7能帶彎曲與接觸電勢差能帶彎曲總量接觸電勢差導帶底突變價帶頂不連續(xù)能帶彎曲與接觸電勢差能帶彎曲總量8具體例子具體例子9反向勢壘負反向勢壘（寬帶區(qū)摻雜濃度較高）

如果禁帶寬度大的半導體材料界面處的尖峰低于禁帶寬度小的半導體材料在勢壘區(qū)外的導帶底，則稱該勢壘為負反向勢壘，其高度為反向勢壘負反向勢壘（寬帶區(qū)摻雜濃度較高）

如果禁帶寬度大的半10電子勢壘與空穴勢壘的不對稱性不難看出，電子遇到的勢壘高度與空穴遇到的勢壘高度是不一樣的。電子勢壘高度空穴勢壘高度推論：通過勢壘的電流主要是電子流引起的；空穴電流可以忽略。加偏壓后，電子的勢壘高度為伏安特性特點：與同質(zhì)PN結(jié)的公式相似，但飽和電流值不同。電子勢壘與空穴勢壘的不對稱性不難看出，電子遇到的勢壘高度與空11正反向勢壘（寬帶區(qū)摻雜濃度較低）如果禁帶寬度大的半導體材料界面處的尖峰低于禁帶寬度小的半導體材料在勢壘區(qū)外的導帶底，則稱該勢壘為正反向勢壘，其高度為正反向勢壘（寬帶區(qū)摻雜濃度較低）如果禁帶寬度大的半導體材料界12正反向勢壘的特點1、由右向左的電子勢壘高度=qVD22、由左向右的電子勢壘高度=DEc-qVD13、空穴勢壘高度=DEv+qVD2，高于電子勢壘高度，空穴電流可以忽略。4、加偏壓后，一部分降落在寬帶區(qū)V2，另一部分降落在窄帶區(qū)V1，因此

由右向左的電子勢壘高度=q(VD2-V2)

由左向右的電子勢壘高度=DEc–q(VD1-V1)無論是正偏還是反偏，電子的運動都要克服勢壘，但高度不同。因為寬帶區(qū)摻雜少，因此N型寬帶區(qū)的導帶電子密度較小，因此窄帶p區(qū)向?qū)拵н\動的電子不能忽略。正反向勢壘的特點1、由右向左的電子勢壘高度=qVD213正向勢壘的I-V特性正向電子電流（Pn）反向電子電流總電流

正向勢壘的I-V特性正向電子電流（Pn）14異質(zhì)結(jié)的I-V特性圖示異質(zhì)結(jié)的I-V特性圖示15界面態(tài)的影響原因：晶格失配對于晶格常數(shù)為a1和a2的兩種材料，晶格失配定義為懸掛鍵：由于晶格失配，使得界面處存在沒有配對的鍵，這些未配對的鍵稱為懸掛鍵。界面態(tài)的影響原因：晶格失配16界面態(tài)密度界面態(tài)密度=界面處鍵密度差，即鍵密度：由晶格常數(shù)、晶面取向決定。因此界面態(tài)密度也是與材料本身及晶面取向有關，如對硅而言，若襯底為（111）面，則

對（110）面，而對（100）面，界面態(tài)密度界面態(tài)密度=界面處鍵密度差，即17表面能級與懸掛鍵對應的能級稱為表面態(tài)或界面態(tài)。巴丁極限：

若表面態(tài)密度大于1013cm-2，則表面處的費米能級位于禁帶的1/3處（相對價帶頂）。對N型半導體，表面態(tài)起受主作用，能帶向上彎曲；對P型半導體表面態(tài)起施主作用，能帶向下彎曲。表面能級與懸掛鍵對應的能級稱為表面態(tài)或界面態(tài)。18表面態(tài)對異質(zhì)結(jié)能帶的影響當表面態(tài)起施主作用時，異質(zhì)結(jié)能帶圖如上圖所示；當表面態(tài)起受主作用時，異質(zhì)結(jié)能帶圖如下圖所示。pNnPpP/nNpNnPppnn表面態(tài)對異質(zhì)結(jié)能帶的影響當表面態(tài)起施主作用時，異質(zhì)結(jié)能帶圖如19雙肖特基二極管模型如果表面態(tài)密度大于1013cm-3，則異質(zhì)結(jié)兩邊的能帶向同一方向彎曲，好象形成了兩個相向放置的肖特基二極管。雙肖特基二極管模型如果表面態(tài)密度大于101320表面態(tài)密度很高時的I-V特性從左邊到界面區(qū)，電流從界面區(qū)到右邊，利用j1=j2，V1+V2=V，得實驗發(fā)現(xiàn)，飽和區(qū)之間的I-V特性與左式符合得很好。表面態(tài)密度很高時的I-V特性從左邊到界面區(qū)，電流212D電子氣N+GaAspGaAlAs異質(zhì)結(jié)2D電子氣N+GaAspGaAlAs異質(zhì)結(jié)222DEG的特點及用處2DEG在空間上分開了摻雜區(qū)與高載流子濃度區(qū)（調(diào)制摻雜）；在近本征的p型GaAs界面附近有一個濃度很高的自由電子層；由于雜質(zhì)濃度很低，因此雜質(zhì)散射影響很小，所以2DEG具有很高的載流子遷移率?？梢砸詠碇圃旄哌w移率晶體管(HEMT)和2維電子氣場效應管（TEGFET）。2DEG的特點及用處2DEG在空間上分開了摻雜區(qū)與高載流子濃23無限深一維方勢阱薛定格方程無限深一維方勢阱薛定格方程24薛定格方程的解0<x<a,V=0，則特征解邊界條件波函數(shù)解薛定格方程的解0<x<a,V=0，則25波函數(shù)波函數(shù)262DEG的能量及狀態(tài)密度K空間，態(tài)密度正比于

換成E空間：2DEG的能量及狀態(tài)密度K空間，態(tài)密度正比于

換成E空間：272DEG－DOS3D－DOS2DEG－DOS3D－DOS282DEG的激子能量3D：類氫原子模型2D：2DEG的激子能量是是3D時的4倍。2DEG的激子能量3D：類氫原子模型29量子阱及吸收光譜量子阱及吸收光譜30半導體物理研究生用課件31多量子阱與超晶格量子阱：一個能量比較低厚度足夠薄的區(qū)域，如前面討論的導帶中的下陷區(qū)，通常由2個勢壘限定。多量子阱：多個量子阱－勢壘組合。超晶格：許多按周期性排列的量子阱－勢壘組合。多量子阱與超晶格量子阱：一個能量比較低厚度足夠薄的區(qū)域，如前32多量子阱量子約束：兩種不同的半導體材料做成重復相間的多層結(jié)構(gòu)，只要兩種材料的能帶結(jié)構(gòu)合適，電子和空穴的運動將被局限在各自的勢阱中。形成多量子阱的條件：窄帶材料（勢阱）的寬度較小，可以和電子的德布羅意波長相比。寬帶材料（勢壘）的寬度較大，使兩個相鄰勢阱中的電子波函數(shù)不能互相耦合。能級分立：阱中電子（或空穴）在垂直于結(jié)平面方向的能量不再連續(xù)，只能取一系列分立的值，它們和勢阱的寬度、深度以及電子和空穴的有效質(zhì)量有關。勢阱中的電子和空穴在平行于異質(zhì)結(jié)的方向上的運動是自由的，因而能帶將由一系列的子能級組成，態(tài)密度和能量的關系呈臺階形+尖峰。多量子阱量子約束：兩種不同的半導體材料做成重復相間的多層結(jié)構(gòu)33超晶格晶格常數(shù)超大的人工晶格超晶格：

形成超晶格的條件：

量子阱的數(shù)目很多，一般在50個以上。

窄帶材料（勢阱）的寬度較小，可以和電子的德布羅意波長相比。

寬帶材料（勢壘）的寬度也較小，使相鄰勢阱中的電子波函數(shù)能夠互相耦合。各量子阱的分立能級因阱間相互作用而擴展成子能帶。但DOS總體形狀與多量子阱仍然相似，但原先的尖峰擴展成較寬的峰。

超晶格晶格常數(shù)超大的人工晶格超晶格：

形成超晶格的條件：

34I、I’、II型超晶格I型：窄帶的導帶底和價帶頂均位于寬帶的禁帶內(nèi)。I’型：一朝材料的導帶底位于另一種材料的禁帶內(nèi)，而價帶頂則低于另一材料的價帶頂。II型：一種材料的導帶底和價帶頂均低于另一種材料的價帶底。注意：間的關系。I、I’、II型超晶格I型：窄帶的導帶底和價帶頂均位于寬帶35超晶格（江崎－朱兆祥）超晶格（江崎－朱兆祥）36超晶格的態(tài)密度-能帶折疊效應能帶折疊效應超晶格的態(tài)密度-能帶折疊效應能帶折疊效應37補充：量子線-1D電子在兩個方向(x,y)受到限制，但在一個方向(z，長度方向)是自由的。因為Z方向是自由的，所以態(tài)密度dN/dE正比于。電子在xy方向是約束的，能量只能取分立值。因此一維系統(tǒng)的dN/dE如右圖所示。補充：量子線-1D電子在兩個方向(x,y)受到限制，但在一個38量子點-0D納米顆?？梢哉J為是零維系統(tǒng)。電子在這樣的點中在三個方向均受到約束，因而能帶為分裂能級結(jié)構(gòu)，其態(tài)密度如左下圖所示。量子點-0D納米顆粒可以認為是零維系統(tǒng)。電子在這樣的點中在三39NCS與應變調(diào)制應變：

異質(zhì)結(jié)晶格不匹配

應力應變禁帶寬度變化載流子濃度變化（力傳感器）NCS(neighboring-confinementstructure)電子-空穴分別約束在鄰近區(qū)域，提高發(fā)光效率。NCS與應變調(diào)制應變：

異質(zhì)結(jié)晶格不匹配

應力應變40異質(zhì)結(jié)、量子阱、超晶格的應用發(fā)光（激光器，發(fā)光二極管）；測光強、輻射；HBT晶體管；HEMT；應變傳感器高濃度調(diào)制摻雜、應變摻雜異質(zhì)結(jié)、量子阱、超晶格的應用發(fā)光（激光器，發(fā)光二極管）；41普通三極管（同型結(jié)）：采用不對稱結(jié)，即提高發(fā)射區(qū)施主濃度以減小基區(qū)注入到發(fā)射區(qū)的空穴電流濃度。發(fā)射區(qū)施主濃度為基區(qū)受主濃度的100倍左右。異質(zhì)結(jié)雙極晶體管（HBT）：heterojunctionbipolartransistor

利用異質(zhì)結(jié)中電子勢壘與空穴勢壘高度的差異，實現(xiàn)對空穴注入的抑制，從而降低發(fā)射區(qū)的空穴注入，提高電流放大倍數(shù)。注入比可達106以上。三極管：為了提高發(fā)射效率，基區(qū)注入到發(fā)射區(qū)的空穴電流要小。普通三極管（同型結(jié)）：采用不對稱結(jié)，即提高發(fā)射區(qū)施主濃度以減42實際例子:HBT實際例子:HBT43異質(zhì)結(jié)光電二極管異質(zhì)結(jié)光電二極管44注入比及粒子數(shù)反轉(zhuǎn)注入比：指PN結(jié)加正向電壓時，n區(qū)向p區(qū)注入的電子流與p區(qū)向n區(qū)注入的空穴流之比。它決定晶體管的放大倍數(shù)、激光器的閾值電流密度和注入效率等。因為在總電流中只有注入到基區(qū)(作用區(qū))中的少子才對器件的功能發(fā)揮真正的作用。對同質(zhì)結(jié)而言，要得到高注入比，PN結(jié)的一邊應高摻雜。所以，一般做為發(fā)射極的材料都是高摻雜的。對異質(zhì)結(jié)，禁帶寬度是決定異質(zhì)結(jié)注入比的關鍵因素。用寬帶材料做發(fā)射極可以得到很高的注入比。這是異質(zhì)結(jié)器件的一個重要特性，也是一個主要優(yōu)點。異質(zhì)結(jié)中的超注入現(xiàn)象

除了“注入比”高的這一優(yōu)點之外，異質(zhì)結(jié)還有一個特有的現(xiàn)象：“超注入”現(xiàn)象，即注入到材料中的少數(shù)載流子可能比材料本身的多子還要多。粒子數(shù)的反轉(zhuǎn)：利用超注入現(xiàn)象可以實現(xiàn)粒子數(shù)的反轉(zhuǎn)。注入比及粒子數(shù)反轉(zhuǎn)注入比：指PN結(jié)加正向電壓時，n區(qū)向p區(qū)注45單異質(zhì)結(jié)激光器-電子勢壘單異質(zhì)結(jié)激光器-電子勢壘46雙異質(zhì)結(jié)激光器-電子勢阱+抑制空穴注入雙異質(zhì)結(jié)激光器-電子勢阱+抑制空穴注入47異質(zhì)結(jié)不同半導體材料構(gòu)成的結(jié)稱異質(zhì)結(jié)。存在兩種類型的異質(zhì)結(jié)，即反型（P-N）和同型（N-N或P-P）異質(zhì)結(jié)。一般把禁帶寬度小的材料寫在前面，如n-nGe-Si,nGe-pGaAs異質(zhì)結(jié)也有突變結(jié)和緩變結(jié)之分，但一般情況下以突變結(jié)居多。以討論不考慮界面態(tài)的影響。異質(zhì)結(jié)不同半導體材料構(gòu)成的結(jié)稱異質(zhì)結(jié)。48I、I’、II型異質(zhì)結(jié)I型：窄帶的導帶底和價帶頂均位于寬帶的禁帶內(nèi)（電子勢阱，空穴勢阱）。I’型：一種材料的導帶底位于另一種材料的禁帶內(nèi)，而價帶頂則低于另一材料的價帶頂（電子勢阱、空穴勢壘）。II型：一種材料的導帶底和價帶頂均低于另一種材料的價帶底（電子勢阱、空穴勢壘）。注意：間的關系。I、I’、II型異質(zhì)結(jié)I型：窄帶的導帶底和價帶頂均位于寬帶49邊界條件邊界條件50異質(zhì)結(jié)的能帶圖與同質(zhì)PN結(jié)的異同

相同點：形成空間電荷區(qū)能帶彎曲；有電容效應。不同點：由于兩種材料介電常數(shù)不同，因而電場在界面處不連續(xù)，導致能帶出現(xiàn)尖峰、下陷和不連續(xù)。導帶上的下陷處積累高密度的電子，可以形成2維電子氣2DEG。異質(zhì)結(jié)的能帶圖與同質(zhì)PN結(jié)的異同

51異型異質(zhì)結(jié)—例子異型異質(zhì)結(jié)—例子52同型異質(zhì)結(jié)—例子同型異質(zhì)結(jié)—例子53nP型異質(zhì)結(jié)nP型異質(zhì)結(jié)54能帶彎曲與接觸電勢差能帶彎曲總量接觸電勢差導帶底突變價帶頂不連續(xù)能帶彎曲與接觸電勢差能帶彎曲總量55具體例子具體例子56反向勢壘負反向勢壘（寬帶區(qū)摻雜濃度較高）

如果禁帶寬度大的半導體材料界面處的尖峰低于禁帶寬度小的半導體材料在勢壘區(qū)外的導帶底，則稱該勢壘為負反向勢壘，其高度為反向勢壘負反向勢壘（寬帶區(qū)摻雜濃度較高）

如果禁帶寬度大的半57電子勢壘與空穴勢壘的不對稱性不難看出，電子遇到的勢壘高度與空穴遇到的勢壘高度是不一樣的。電子勢壘高度空穴勢壘高度推論：通過勢壘的電流主要是電子流引起的；空穴電流可以忽略。加偏壓后，電子的勢壘高度為伏安特性特點：與同質(zhì)PN結(jié)的公式相似，但飽和電流值不同。電子勢壘與空穴勢壘的不對稱性不難看出，電子遇到的勢壘高度與空58正反向勢壘（寬帶區(qū)摻雜濃度較低）如果禁帶寬度大的半導體材料界面處的尖峰低于禁帶寬度小的半導體材料在勢壘區(qū)外的導帶底，則稱該勢壘為正反向勢壘，其高度為正反向勢壘（寬帶區(qū)摻雜濃度較低）如果禁帶寬度大的半導體材料界59正反向勢壘的特點1、由右向左的電子勢壘高度=qVD22、由左向右的電子勢壘高度=DEc-qVD13、空穴勢壘高度=DEv+qVD2，高于電子勢壘高度，空穴電流可以忽略。4、加偏壓后，一部分降落在寬帶區(qū)V2，另一部分降落在窄帶區(qū)V1，因此

由右向左的電子勢壘高度=q(VD2-V2)

由左向右的電子勢壘高度=DEc–q(VD1-V1)無論是正偏還是反偏，電子的運動都要克服勢壘，但高度不同。因為寬帶區(qū)摻雜少，因此N型寬帶區(qū)的導帶電子密度較小，因此窄帶p區(qū)向?qū)拵н\動的電子不能忽略。正反向勢壘的特點1、由右向左的電子勢壘高度=qVD260正向勢壘的I-V特性正向電子電流（Pn）反向電子電流總電流

正向勢壘的I-V特性正向電子電流（Pn）61異質(zhì)結(jié)的I-V特性圖示異質(zhì)結(jié)的I-V特性圖示62界面態(tài)的影響原因：晶格失配對于晶格常數(shù)為a1和a2的兩種材料，晶格失配定義為懸掛鍵：由于晶格失配，使得界面處存在沒有配對的鍵，這些未配對的鍵稱為懸掛鍵。界面態(tài)的影響原因：晶格失配63界面態(tài)密度界面態(tài)密度=界面處鍵密度差，即鍵密度：由晶格常數(shù)、晶面取向決定。因此界面態(tài)密度也是與材料本身及晶面取向有關，如對硅而言，若襯底為（111）面，則

對（110）面，而對（100）面，界面態(tài)密度界面態(tài)密度=界面處鍵密度差，即64表面能級與懸掛鍵對應的能級稱為表面態(tài)或界面態(tài)。巴丁極限：

若表面態(tài)密度大于1013cm-2，則表面處的費米能級位于禁帶的1/3處（相對價帶頂）。對N型半導體，表面態(tài)起受主作用，能帶向上彎曲；對P型半導體表面態(tài)起施主作用，能帶向下彎曲。表面能級與懸掛鍵對應的能級稱為表面態(tài)或界面態(tài)。65表面態(tài)對異質(zhì)結(jié)能帶的影響當表面態(tài)起施主作用時，異質(zhì)結(jié)能帶圖如上圖所示；當表面態(tài)起受主作用時，異質(zhì)結(jié)能帶圖如下圖所示。pNnPpP/nNpNnPppnn表面態(tài)對異質(zhì)結(jié)能帶的影響當表面態(tài)起施主作用時，異質(zhì)結(jié)能帶圖如66雙肖特基二極管模型如果表面態(tài)密度大于1013cm-3，則異質(zhì)結(jié)兩邊的能帶向同一方向彎曲，好象形成了兩個相向放置的肖特基二極管。雙肖特基二極管模型如果表面態(tài)密度大于101367表面態(tài)密度很高時的I-V特性從左邊到界面區(qū)，電流從界面區(qū)到右邊，利用j1=j2，V1+V2=V，得實驗發(fā)現(xiàn)，飽和區(qū)之間的I-V特性與左式符合得很好。表面態(tài)密度很高時的I-V特性從左邊到界面區(qū)，電流682D電子氣N+GaAspGaAlAs異質(zhì)結(jié)2D電子氣N+GaAspGaAlAs異質(zhì)結(jié)692DEG的特點及用處2DEG在空間上分開了摻雜區(qū)與高載流子濃度區(qū)（調(diào)制摻雜）；在近本征的p型GaAs界面附近有一個濃度很高的自由電子層；由于雜質(zhì)濃度很低，因此雜質(zhì)散射影響很小，所以2DEG具有很高的載流子遷移率?？梢砸詠碇圃旄哌w移率晶體管(HEMT)和2維電子氣場效應管（TEGFET）。2DEG的特點及用處2DEG在空間上分開了摻雜區(qū)與高載流子濃70無限深一維方勢阱薛定格方程無限深一維方勢阱薛定格方程71薛定格方程的解0<x<a,V=0，則特征解邊界條件波函數(shù)解薛定格方程的解0<x<a,V=0，則72波函數(shù)波函數(shù)732DEG的能量及狀態(tài)密度K空間，態(tài)密度正比于

換成E空間：2DEG的能量及狀態(tài)密度K空間，態(tài)密度正比于

換成E空間：742DEG－DOS3D－DOS2DEG－DOS3D－DOS752DEG的激子能量3D：類氫原子模型2D：2DEG的激子能量是是3D時的4倍。2DEG的激子能量3D：類氫原子模型76量子阱及吸收光譜量子阱及吸收光譜77半導體物理研究生用課件78多量子阱與超晶格量子阱：一個能量比較低厚度足夠薄的區(qū)域，如前面討論的導帶中的下陷區(qū)，通常由2個勢壘限定。多量子阱：多個量子阱－勢壘組合。超晶格：許多按周期性排列的量子阱－勢壘組合。多量子阱與超晶格量子阱：一個能量比較低厚度足夠薄的區(qū)域，如前79多量子阱量子約束：兩種不同的半導體材料做成重復相間的多層結(jié)構(gòu)，只要兩種材料的能帶結(jié)構(gòu)合適，電子和空穴的運動將被局限在各自的勢阱中。形成多量子阱的條件：窄帶材料（勢阱）的寬度較小，可以和電子的德布羅意波長相比。寬帶材料（勢壘）的寬度較大，使兩個相鄰勢阱中的電子波函數(shù)不能互相耦合。能級分立：阱中電子（或空穴）在垂直于結(jié)平面方向的能量不再連續(xù)，只能取一系列分立的值，它們和勢阱的寬度、深度以及電子和空穴的有效質(zhì)量有關。勢阱中的電子和空穴在平行于異質(zhì)結(jié)的方向上的運動是自由的，因而能帶將由一系列的子能級組成，態(tài)密度和能量的關系呈臺階形+尖峰。多量子阱量子約束：兩種不同的半導體材料做成重復相間的多層結(jié)構(gòu)80超晶格晶格常數(shù)超大的人工晶格超晶格：

形成超晶格的條件：

量子阱的數(shù)目很多，一般在50個以上。

窄帶材料（勢阱）的寬度較小，可以和電子的德布羅意波長相比。

寬帶材料（勢壘）的寬度也較小，使相鄰勢阱中的電子波函數(shù)能夠互相耦合。各量子阱的分立能級因阱間相互作用而擴展成子能帶。但DOS總體形狀與多量子阱仍然相似，但原先的尖峰擴展成較寬的峰。

超晶格晶格常數(shù)超大的人工晶格超晶格：

形成超晶格的條件：

81I、I’、II型超晶格I型：窄帶的導帶底和價帶頂均位于寬帶的禁帶內(nèi)。I’型：一朝材料的導帶底位于另一種材料的禁帶內(nèi)，而價帶頂則低于另一材料的價帶頂。II型：一種材料的導帶底和價帶頂均低于另一種材料的價帶底。注意：間的關系。I、I’、II型超晶格I型：窄帶的導帶底和價帶頂均位于寬帶82超晶格（江崎－朱兆祥）超晶格（江崎－朱兆祥）83超晶格的態(tài)密度-能帶折疊效應能帶折疊效應超晶格的態(tài)密度-能帶折疊效應能帶折疊效應84補充：量子線-1D電子在兩個方向(x,y)受到限制，但在一個方向(z，長度方向)是自由的。因為Z方向是自由的，所以態(tài)密度dN/dE正比于。電子在xy方向是約束的，能量只能取分立值。因此一維系統(tǒng)的dN/dE如右圖所示。補充：量子線-1D電子在兩個方向(x,y)受到限制，但在一個85量子點-0D納米顆?？梢哉J為是零維系統(tǒng)。電子在這樣的點中在三個方向均受到約束，因而能帶為分裂能級結(jié)構(gòu)，其態(tài)密度如左下圖所示。量子點-0D納米顆?？梢哉J為是零維系統(tǒng)。電子在這樣的點中在三86NCS與應變調(diào)制應變：

異質(zhì)結(jié)晶格不匹配