生產(chǎn)注意事項課件

生產(chǎn)注意事項2022/12/24生產(chǎn)注意事項生產(chǎn)注意事項2022/12/20生產(chǎn)注意事項1目錄一、BGARework注意事項二、製程ESD/EOS防護(hù)技術(shù)三、IC故障分析(FailureAnalysis)四、RMA退貨處理及更換良品之注意事項生產(chǎn)注意事項目錄一、BGARework注意事項生產(chǎn)注意事項2一、BGARework注意事項1.1BGA拆封後注意事項1.2SATforBGA1.3ummaryoftransmissionX-Raydiagnostic

capability1.4當(dāng)BGA需要做整修(Rework)救回程序1.5ReflowProfile1.6BGA(Rework)救回程序流程圖1.7VT8633Ball-OutDefinition生產(chǎn)注意事項一、BGARework注意事項1.1BGA拆封後注意事31.1BGA拆封後注意事項BGA包裝產(chǎn)品拆封後，常見的儲存及掌控時間72小時是最大值(假如環(huán)境濕度@60%RH)。拆封後超過72小時尚未使用完的IC元件，必須再烘烤125oC,12小時後，才可使用或密封包裝儲存。BGA並非全密封式包裝，它的結(jié)構(gòu)容易在儲存階段吸入濕氣，若之後在熔焊爐內(nèi)迅速加熱，封裝體內(nèi)的濕氣被蒸發(fā)而產(chǎn)生應(yīng)力，造成封裝體裂開(即為“爆米花效應(yīng)”Popcorn及“脫層效應(yīng)”Delaminationeffect)。生產(chǎn)注意事項1.1BGA拆封後注意事項BGA包裝產(chǎn)品拆封後，常見的4(1)NormalBGADevicesGoldWireChipDieSilverEpoxyMoldingCompoundSubstrateSolderBall(2)PopcornorDelamBGAduetoMoistureVaporizationduringHeatinginSMTorRemovalDelaminationVoidMoisture(3)PopcornorDelamBGAduetoPlasticStressFailureCollapsedVoidCrack生產(chǎn)注意事項(1)NormalBGADevicesGoldWir51.2SAT(ScannerAcousticTomography)forBGADelaminationorPopcornBGADevices,andRedareameansVoidorMoistureareaNormalBGADevices生產(chǎn)注意事項1.2SAT(ScannerAcousticTomo61.3SummaryoftransmissionX-Raydiagnostic

capabilityFailureModeRootCauseEaseofDetectionRating1(easy)…3…5(hard)ShortsTweaking1ShortsDebris1ShortsExcessPaste1ShortsPopcorning1OpensPopcorning2ShortsPoorRework1OpensPoorRework3OpensPlacement1OpensMissingBall1OpensPCBWarp3OpensNoPaste4OpensDewetPad5OpensNonwetBump5VoidsReflow/Flux1ColdJointsReflow1生產(chǎn)注意事項1.3SummaryoftransmissionX-73.4.1從主機(jī)板上移除BGA元件時：主機(jī)板須先經(jīng)烘烤100℃，12小時後，才可執(zhí)行移除BGA。(而烘烤目的主要是消除BGA結(jié)構(gòu)內(nèi)濕氣存在,防止Popcorn問題)3.4.2BGA拆下後，進(jìn)行BGA重新植球程序：利用清潔劑或酒精清除焊墊雜質(zhì)、氧化物→焊墊塗上助焊劑(膏)→重新植球→Reflow→BGA植球完成。3.4.3BGA重新置放回主機(jī)板程序：主機(jī)板BGA焊墊清理→鋼板對位，上錫膏→真空吸盤吸取BGA→影像對位(對準(zhǔn)焊墊)→BGA置放→將熱風(fēng)罩罩住BGA→進(jìn)行Reflow→完成流焊。1.4當(dāng)BGA需要做整修(Rework)救回程序生產(chǎn)注意事項3.4.1從主機(jī)板上移除BGA元件時：1.4當(dāng)BGA需要8在ReflowProcess一般係以四段溫度區(qū)Profile控制：1.預(yù)熱區(qū)(PreheatZone)2.恆溫區(qū)(SoakZone)3.迴焊區(qū)(ReflowZone)4.冷卻區(qū)(CoolingZone)針對BGAChip採密閉式加溫,溫度可控制於3℃,不影響鄰近零件。Reflowprocess:利用視窗操作軟體，可全程監(jiān)控溫度曲線圖。1.5ReflowProfile生產(chǎn)注意事項在ReflowProcess一般係以四段溫度區(qū)Prof9TheMount-BackProfileofVT82C686BforVIABGAReworkMachine(Vendor:Martin,Model#:MB1100)生產(chǎn)注意事項TheMount-BackProfileofVT82101.6BGA(Rework)救回程序流程圖：StartIC被使用過？目檢及DVM檢測(1)PopcornFailure?(2)Vcc-to-GNDO/Sfailure?烘烤去錫球清洗植球檢查BGA重工植球合格？清洗BenchBoardTestOKYesNoNoYes,havepopcornorVcc-GNDO/SfailureYesNoBenchBoard測試不良品目檢IC底材是否有隆起浮出之現(xiàn)象烘烤溫度：125C烘烤時間：12HRS於清潔液浸泡2分鐘並以抗靜電刷及乾布擦拭底材。使用烙鐵與吸錫線去除錫球，若有氧化的Pad，需使用錫絲使其重新沾錫。使用植球治具與加熱器。溫度設(shè)定：240C加熱時間：3分鐘冷卻時間：1分鍾目檢BGA否有漏球或錫球溶錫不良於清潔液浸泡2分鐘並以乾布擦拭。END生產(chǎn)注意事項1.6BGA(Rework)救回程序流程圖：Star111.7VT8633Ball-OutDefinition生產(chǎn)注意事項1.7VT8633Ball-OutDefinition12二、製程ESD/EOS防護(hù)技術(shù)2.1EOS/ESD簡介2.2EOS的起因2.3EOS的預(yù)防2.4EOS稽核查檢表(範(fàn)例)2.5ESD的起因2.6降低靜電電壓的來源2.7執(zhí)行持久性的訓(xùn)練和改善生產(chǎn)注意事項二、製程ESD/EOS防護(hù)技術(shù)2.1EOS/ES13EOS:電壓過應(yīng)力(ElectricalOverStress)ESD:靜電放電(ElectrostaticDischarge)1.電壓過應(yīng)力(EOS)和靜電放電(ESD)是造成金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)最普通的故障模式。2.根據(jù)VIA2001年RMA分析，所有電子系統(tǒng)故障的9%是因EOS和ESD引起。3.市場不良分析報告顯示EOS和ESD所導(dǎo)致的不良佔前三位(ICProduct)。2.1EOS/ESD簡介：生產(chǎn)注意事項EOS:電壓過應(yīng)力(ElectricalOverS144.由於IC外形，線寬等設(shè)計越來越薄，細(xì)，使IC更易受EOS及ESD的破壞。5.ESD會引起潛在的不良(如短路造成漏電流>100μA)而無法在工廠製程上發(fā)現(xiàn)，但在市場上卻出現(xiàn)毀滅性的不良。Source:VIARMAAnalysis,2001生產(chǎn)注意事項4.由於IC外形，線寬等設(shè)計越來越薄，細(xì)，使I156.何謂EOS及種類EOS:ElectricalOverStress來源廣，時間較長。

系統(tǒng)暫態(tài)脈波(STP)閃電(LIGHTNING)

靜電放電(ESD)

電磁脈波(EMP)

生產(chǎn)注意事項6.何謂EOS及種類生產(chǎn)注意事項16在高電流和短時間時，熱無法快速流過氧化物(SiO2)，故金屬化合物熔化。生產(chǎn)注意事項在高電流和短時間時，熱無法快速流過氧化物(SiO2)，故17在長脈波寬度和低電力時，熱有足夠的時間流過氧化物，終致熔化電線。生產(chǎn)注意事項在長脈波寬度和低電力時，熱有足夠的時間流過氧化物，終致熔182.2.1不正確的工作程序a.無標(biāo)準(zhǔn)工作程序(SOP)。b.零件方向(極性)錯誤。c.開機(jī)時，裝置移離零件。d.基板裝配品，系統(tǒng)未完全連結(jié)就供電。2.2.2無EOS管制設(shè)備，特別是在『雜訊』生產(chǎn)環(huán)境:故應(yīng)具備a.電源穩(wěn)壓器&b.電源濾波器在多臺高電力設(shè)備同時運作下，交流電源線最易產(chǎn)生暫態(tài)火花。2.2EOS的起因：生產(chǎn)注意事項2.2.1不正確的工作程序2.2.2無EOS管制設(shè)備，特192.2.3不適當(dāng)?shù)販y試零件或基板a.快速切換開關(guān)。b.不正確的測試程序，如IC未加電壓之前便輸入信

號。c.電壓力測試設(shè)計不當(dāng)，致預(yù)燒(Burn-In)對敏感零

件產(chǎn)生過應(yīng)力。2.2.4使用不好的電源供應(yīng)器a.特別是轉(zhuǎn)換式電源供應(yīng)器，如設(shè)計不當(dāng)會成為雜

訊產(chǎn)生源。b.無過電壓(overvoltage)保護(hù)線路。c.電源濾波不足。生產(chǎn)注意事項2.2.3不適當(dāng)?shù)販y試零件或基板2.2.4使用不好的電源202.2.5無適當(dāng)?shù)脑O(shè)備保養(yǎng)和電源監(jiān)測a.設(shè)備未接地(注意:如SMT/CLEANING/ICT/錫爐/

拆焊機(jī)/電烙鐵設(shè)備….)。b.接點鬆動引起斷續(xù)事故。c.電源線管理不當(dāng)或未注意防止線材絕緣不良,造

成漏電。d.未監(jiān)測交流電源的暫態(tài)電壓或雜訊。e.供給產(chǎn)品測試用的電源供應(yīng)器電壓輸出功能無

適當(dāng)之校驗機(jī)制。d.暫態(tài)抑制不足。e.保險絲選擇不當(dāng)，未能提供適當(dāng)?shù)谋Ｗo(hù)。生產(chǎn)注意事項2.2.5無適當(dāng)?shù)脑O(shè)備保養(yǎng)和電源監(jiān)測d.暫態(tài)抑制不足。生212.2.6EOS不良品分析圖片：SeriousBurnoutareabyEOSa.EOS嚴(yán)重?zé)龤е庥^不良IC圖片：VDD-5VSTBcore(Metal2)ofVT82C586Bwasseriousburnedout

Burn-outspotGNDcore(Metal3)ofVT82C586Bwasburnedoutb.EOS嚴(yán)重?zé)龤е瓹hipF.A.圖片(1)：生產(chǎn)注意事項2.2.6EOS不良品分析圖片：SeriousBurn22c.EOS嚴(yán)重?zé)龤е?/p>

ChipF.A.圖片(2)GNDandVCC3.3VofVT82C598MVPwereseriousburnedout.生產(chǎn)注意事項c.EOS嚴(yán)重?zé)龤е?/p>

ChipF.A.圖片(231.建立和裝置適當(dāng)?shù)墓ぷ鞒绦颉?.定期地執(zhí)行交流電源的監(jiān)測，必要時裝置EOS管制設(shè)備(如濾波線路，暫態(tài)抑制線路)，及電源設(shè)備校驗。3.確保適當(dāng)?shù)販y試IC、基板等。a.審查測試計劃，是否有快速切換開關(guān)，不正確的測試程序。b.從零件供應(yīng)商取得最安全的定額率，以確保它們

完全不會被過度驅(qū)動。c.確保適當(dāng)?shù)卦O(shè)計可靠度應(yīng)力測試，特別是Burn-In2.3EOS的預(yù)防生產(chǎn)注意事項1.建立和裝置適當(dāng)?shù)墓ぷ鞒绦颉?.確保適當(dāng)?shù)販y試IC、基24d.確認(rèn)排除/降低大於200mv的雜訊。e.用突波吸收器(surgeabsorber)來箝制電壓火花。

4.用好的電源供應(yīng)器(SPS)a.過電壓防護(hù)(注意→+5V輸出：應(yīng)在5.7~6.7V保護(hù))b.適當(dāng)?shù)纳崮芰?。c.在重要位置要使用保險絲。5.工廠須維持嚴(yán)密的設(shè)備/治具/轉(zhuǎn)接卡(金手指)保養(yǎng)制

度，並每日點檢:a.設(shè)備各部份皆適當(dāng)?shù)亟拥?。生產(chǎn)注意事項d.確認(rèn)排除/降低大於200mv的雜訊。4.用好的電源25b.無鬆動連接。c.輸出功能正常。(注意:電源供應(yīng)器建議每6個月校驗1次)d.設(shè)備漏電檢查(注意:高電力設(shè)備如錫爐,清洗機(jī),拆焊機(jī),電烙鐵…..).檢查設(shè)備金屬外殼對電源接地端是否<0.3Vac?e.轉(zhuǎn)接卡接觸點(金手指)檢查是否有近似短路之情形生產(chǎn)注意事項b.無鬆動連接。生產(chǎn)注意事項261基板裝配:是否a.產(chǎn)品是否裝在正確的位置?

b.產(chǎn)品是否在加電壓前便適當(dāng)?shù)匮b進(jìn)插座?

c.產(chǎn)品未在加電壓時裝入或移開?

d.電烙鐵,錫爐,拆焊機(jī),清洗機(jī)設(shè)備漏電檢查正常?

(<0.3Vac=)

備註:

2.4EOS稽核查檢表(範(fàn)例)A.稽核員:

B.站別:

C.稽核日期:年月日

D.稽核時間:時分

E.確認(rèn)者:生產(chǎn)注意事項1基板裝配:272交流電源:是否a.很多高電力機(jī)器共用一電源,可能會產(chǎn)生突波,暫態(tài)?

b.現(xiàn)有設(shè)備易受電壓火花或暫態(tài)影響?c.經(jīng)常發(fā)生電壓跳動?d.任何電源開關(guān),插座無鬆動連接?備註:

3系統(tǒng)環(huán)境:是否a.是否裝置過電壓保護(hù)線路?生產(chǎn)注意事項2交流電源:28b.保險絲的定額值正確嗎?c.雜訊程度是否大於200mv?備註:

4電性測試:是否a.加電壓的順序正確嗎?b.現(xiàn)有測試程序中,是否有快速切換開關(guān)?c.測試參數(shù)是否超過規(guī)格界限值?d.轉(zhuǎn)接卡,記憶體卡接觸點(金手指)無近似短路之情形?

備註:生產(chǎn)注意事項b.保險絲的定額值正確嗎?291.不適當(dāng)描述零件對ESD的敏感度。產(chǎn)生源濕度10-20%RH 濕度65-90%RH走過地毯35,000V1,500V走過粗帆布12,000V250V在工作檯工作6,000V100V塑膠套中的紙張7,000V600V拿起一只塑膠套20,000V1,200V布套椅子18,000V15,00V本表節(jié)錄自美國國防部，軍規(guī)手冊(MIL-STD)263.1987靜電可能產(chǎn)生的電位2.5ESD的起因：生產(chǎn)注意事項1.不適當(dāng)描述零件對ESD的敏感度。產(chǎn)生源濕30ChargedDeviceModelCapprox.3pFRapprox.25ohms(Ω)Lapprox.10nHHumanBodyModel

C=100pFR=1500ohms(Ω)MachineModelC=200pFL=0.75μHESDModel(1)TheHumanBodyModel(HBM)istheESDtestingstandard,andisdefinedintheMIL-STD-883Cmethod3015.7.Itrepresentsachargedpersontouchingagroundeddevice.ItistheoriginalmodelusedtosimulateESDdamagebyahuman,andisthemostwellknown.EOS/ESDAssociationStandardS5.1–1993describesuseoftheHBMfordeviceclassification.生產(chǎn)注意事項ChargedDeviceModelHumanBody31(2)TheMachineModel(MM)representsaworstcaseHBM.Itprovidemorerealisticsimulationofactualdamagenormallyobtainedfromapersonholdingatool.EOS/ESDAssociationDraftStandardDS5.2–1993describesuseoftheHBMfordeviceclassificationandhasbeenreleasedforcomment.(3)TheChargedDeviceModel(CDM)simulatesthedamageresultingfromachargeddevicecontactingametalgroundedsurface.Thisfailuremodeisverydamagingandisassociatedwithautomatedhandlingequipmentanduseofdiptubes.EOS/ESDAssociationDraftStandardDS5.3–1993describesuseoftheCDMfordeviceclassificationandhasbeenreleasedforcomment.生產(chǎn)注意事項(2)TheMachineModel(MM)rep322.ESD保護(hù)線路不適當(dāng)。3.ESD管制不足。a.作業(yè)員未戴抗靜電環(huán)(接地腕帶)接觸IC。b.缺乏對所用材料的防靜電管制。c.工作站未接地。d.自動化系統(tǒng)的設(shè)計不當(dāng)，致引起充電裝置模式失效，Ex:ICT,ATE,SMT……→ChipSet不良高。e.濕度低(<30%RH,如在寒冷乾燥環(huán)境)。4.缺乏ESD警覺意識和訓(xùn)練。(可依JESD625-A及IPC-A-610C標(biāo)準(zhǔn)規(guī)範(fàn)教育訓(xùn)練)生產(chǎn)注意事項2.ESD保護(hù)線路不適當(dāng)。生產(chǎn)注意事項33SEMphotoofdrain/gatediffusionedgedamageSEMphotoofsiliconmeltingduetocurrentfilamentationinanMOSoutputtransistorSEMphotoshowingholesatthesilicontofieldoxideinterfaceinthedraindiffusionofanFODprotectiondeviceSEMphotoofannMOStransistorinanoutputbuffershowingdamageatthedrain/gatediffusionedge.5.ESD不良品分析圖片：生產(chǎn)注意事項SEMphotoofdrain/gatediffus34TheSEMphotographofthecontactburnoutatESDprotectioncircuitofpad60(Lvref)forVT3091AdevicePad60(Lvref)PolygatePolygatea.VT3091AESD_HBMpad60(Lvref)failSEMphotoofdamageduetoapolycrystallinefilamentinatrickoxidedevice.SEMphotoofacontactholeinthedraindiffusionofanoutputtransistorshowingcontactspiking.生產(chǎn)注意事項TheSEMphotographofthecont35b.VT3091AESD_HBMpad63(VCC2)failTheOMandSEMphotographofthepolyburnoutatpad63(VCC2)forVT3091AdevicePad63(VCC2)Pad63(VCC2)Polylayer生產(chǎn)注意事項b.VT3091ATheOMandSEMphot361.人(注意：人體感染靜電可能超過3000V)。a.戴抗靜電環(huán)(接地腕帶)(註：靜電放電時，約在1μs~1ns時間內(nèi)電荷消失)。b.或穿導(dǎo)電衣、鞋。(表面阻抗在10E5~10E9歐姆)2.廣泛使用抗靜電或?qū)щ姷闹苯硬牧虾烷g接材料。3.建立靜電安全工作站、區(qū)。4.確保設(shè)備不會產(chǎn)生200V以上的靜電電壓。5.工廠環(huán)境維持相對濕度在40%RH~60%RH。6.使用空氣游離器(AirIonizers),使靜電壓衰減至<35v。2.6降低靜電電壓的來源生產(chǎn)注意事項1.人(注意：人體感染靜電可能超過3000V)。2.37項目電阻值1腕帶到插頭/夾子500KΩ~10MΩ2工作桌面接地線到接地1MΩ±250KΩ3地氈接地線到接地1MΩ±250KΩ4設(shè)備外殼到接地＜1.0Ω5接地方塊到接地＜1.0Ω6工作桌面的按扣到按扣＜1.0Ω7電烙鐵銲接頭到接地＜1.0Ω彙整靜電放電保護(hù)設(shè)備的規(guī)格生產(chǎn)注意事項項目38銲錫和拆焊機(jī)設(shè)備之交流電評估用三用電錶量其尖部到電源線上接地插頭之間的電阻值，此值應(yīng)小於1Ω(在未通電時);在通電時,烙鐵頭至電源接地點間交流電壓值應(yīng)小於0.3VAC.(參考:IPC-A-610C,3.1)生產(chǎn)注意事項銲錫和拆焊機(jī)設(shè)備之交流電評估用三用電錶量其尖部391.確保工作人員的警覺意識和訓(xùn)練。2.確保有效執(zhí)行ESD防護(hù)及每日/周/季/半年點檢。3.不斷改善ESD管理和易受ESD影響的零件。2.7執(zhí)行持久性的訓(xùn)練和改善生產(chǎn)注意事項1.確保工作人員的警覺意識和訓(xùn)練。2.7執(zhí)行持久性的訓(xùn)練40ESD防護(hù)定期檢查事項(根據(jù)JESD625-A,page9)生產(chǎn)注意事項ESD防護(hù)定期檢查事項(根據(jù)JESD625-A,pa41生產(chǎn)注意事項生產(chǎn)注意事項42三、IC故障分析(FailureAnalysis)1.為得真正的不良原因，需做失效分析。2.某些明顯的特徵可用來區(qū)別EOS或ESD不良。3.大部份的EOS不良都是很明顯的接合線開路、燃燒痕跡4.ESD不良是很細(xì)小的，不易找出。5.因應(yīng)IC製程技術(shù)不斷創(chuàng)新,相對地F.A技術(shù)亦須提高。生產(chǎn)注意事項三、IC故障分析(FailureAnalysis)43ReceivereturnsamplesExternalVisualPasstosubcontractorScanningAcousticTomography(SAT)Baking12hours,125℃Re-ballFunctiontest(ATE)TestonBenchBoardReturnsamplestocustomerAnalyzefailuremodeDownloaddatalogF/Areport

F/AF/A(X-Ray,Decap)PassFailPassFailPassFail6.Theanalysisflowofreturnsamplesisasfollows:生產(chǎn)注意事項ReceivereturnsamplesExternal44附錄:VLSI製程測定評估項目和量測法生產(chǎn)注意事項附錄:VLSI製程測定評估項目和量測法生產(chǎn)注意事項45生產(chǎn)注意事項生產(chǎn)注意事項461.Purpose目的：IllustratetheRMAanalysisandexchangecriteriaofVIA'sQAdepartment.說明VIA‘sQA部門針對客戶RMA退貨的分析、換貨處理原則。2.Noticesforhandling處理注意事項：請客戶RMA單位依據(jù)的IC正印資料予以分類，但是生產(chǎn)週期（DateCode）超過現(xiàn)在18個月者，由於該類材料由威盛出貨已久，客戶應(yīng)已經(jīng)過完整的測試程序出貨給市場客戶，多為市場客戶使用不良的維修換下，因此已不在VIA品質(zhì)保證的範(fàn)圍（OutofWarranty）。四、RMA退貨處理、更換良品之注意事項生產(chǎn)注意事項1.Purpose目的：Illustratethe47因客戶製程/維修過程中的加工操作不當(dāng)或儲存及使用條件因素，造成IC外觀變形或爆板（popcorn），或者嚴(yán)重open/short不良者（超過兩個pin以上的open/shortfailure或VCC-GND短路），所以也不在VIA品質(zhì)保證的範(fàn)圍，不予換貨。生產(chǎn)注意事項因客戶製程/維修過程中的加工操作不當(dāng)或儲存及使用條件因素，造483.客戶退貨品，VIAQA部門將依據(jù)「RMA測試分析工作指導(dǎo)書（WQ-27）」登記所有退回材料的正印批號和datecode，並執(zhí)行抽樣分析，如果RMA良品率超過20%，應(yīng)為客戶本身的製程因素造成不良，客戶（維修單位）誤判為VIA的IC品質(zhì)問題，而將IC拆下，退回VIA，將依照實際不良的比率更換，不再以100%全數(shù)更換.（註：抽測分析過之良品，將展示或寄回給客戶參考驗證）4.客戶退回之RMAIC，請在IC表面用鉛筆或標(biāo)籤確實註明不良現(xiàn)象或代號，並附上代號表，以縮短QA部門問題分類、分析、測試、統(tǒng)計及換貨的處理時間。生產(chǎn)注意事項3.客戶退貨品，VIAQA部門將依據(jù)「RMA測試分析工495.請客戶RMA單位依據(jù)IC正印資料予以分類，將相同之IC型號VT82XXXXXX）與IC版本（DateCode以後CDorCE等等）集中放置於合適的Tray盤中，並以10盤加一空盤為一把。請勿將不同型號與DateCode版本IC混在同一Tray盤與同一把Tray盤中退回至VIA，造成我們倉管對IC數(shù)量統(tǒng)計整理之不便。若經(jīng)倉管反應(yīng)客戶退回品有1%以上的混料情形，VIA將立即反應(yīng)至客戶端，避免影響換貨時間，請客戶配合注意整理材料。生產(chǎn)注意事項5.請客戶RMA單位依據(jù)IC正印資料予以分類，將相同之506.請客戶RMA單位協(xié)助每隔30~45天退RMA不良品一次，如此可避免RMA不良品之分析與良品交換處理之不便，並加快處理之作業(yè)時間。7.若有客戶良品（真空包裝袋已拆封而尚未使用IC）退回?fù)Q貨情況時，請客戶務(wù)必以原包裝退回；若Tray盤的束帶已經(jīng)拆開，嚴(yán)禁使用膠帶(Tape)束緊與固定Tray盤，此舉容易造成Tray盤與IC之髒汙，請客戶RMA單位協(xié)助以粗橡皮筋或打帶專用之束帶來固定Tray盤。生產(chǎn)注意事項6.請客戶RMA單位協(xié)助每隔30~45天退RMA不良品一51演講完畢，謝謝聽講!再見，seeyouagain3rew2022/12/24生產(chǎn)注意事項演講完畢，謝謝聽講!再見，seeyouagain3rew52生產(chǎn)注意事項2022/12/24生產(chǎn)注意事項生產(chǎn)注意事項2022/12/20生產(chǎn)注意事項53目錄一、BGARework注意事項二、製程ESD/EOS防護(hù)技術(shù)三、IC故障分析(FailureAnalysis)四、RMA退貨處理及更換良品之注意事項生產(chǎn)注意事項目錄一、BGARework注意事項生產(chǎn)注意事項54一、BGARework注意事項1.1BGA拆封後注意事項1.2SATforBGA1.3ummaryoftransmissionX-Raydiagnostic

capability1.4當(dāng)BGA需要做整修(Rework)救回程序1.5ReflowProfile1.6BGA(Rework)救回程序流程圖1.7VT8633Ball-OutDefinition生產(chǎn)注意事項一、BGARework注意事項1.1BGA拆封後注意事551.1BGA拆封後注意事項BGA包裝產(chǎn)品拆封後，常見的儲存及掌控時間72小時是最大值(假如環(huán)境濕度@60%RH)。拆封後超過72小時尚未使用完的IC元件，必須再烘烤125oC,12小時後，才可使用或密封包裝儲存。BGA並非全密封式包裝，它的結(jié)構(gòu)容易在儲存階段吸入濕氣，若之後在熔焊爐內(nèi)迅速加熱，封裝體內(nèi)的濕氣被蒸發(fā)而產(chǎn)生應(yīng)力，造成封裝體裂開(即為“爆米花效應(yīng)”Popcorn及“脫層效應(yīng)”Delaminationeffect)。生產(chǎn)注意事項1.1BGA拆封後注意事項BGA包裝產(chǎn)品拆封後，常見的56(1)NormalBGADevicesGoldWireChipDieSilverEpoxyMoldingCompoundSubstrateSolderBall(2)PopcornorDelamBGAduetoMoistureVaporizationduringHeatinginSMTorRemovalDelaminationVoidMoisture(3)PopcornorDelamBGAduetoPlasticStressFailureCollapsedVoidCrack生產(chǎn)注意事項(1)NormalBGADevicesGoldWir571.2SAT(ScannerAcousticTomography)forBGADelaminationorPopcornBGADevices,andRedareameansVoidorMoistureareaNormalBGADevices生產(chǎn)注意事項1.2SAT(ScannerAcousticTomo581.3SummaryoftransmissionX-Raydiagnostic

capabilityFailureModeRootCauseEaseofDetectionRating1(easy)…3…5(hard)ShortsTweaking1ShortsDebris1ShortsExcessPaste1ShortsPopcorning1OpensPopcorning2ShortsPoorRework1OpensPoorRework3OpensPlacement1OpensMissingBall1OpensPCBWarp3OpensNoPaste4OpensDewetPad5OpensNonwetBump5VoidsReflow/Flux1ColdJointsReflow1生產(chǎn)注意事項1.3SummaryoftransmissionX-593.4.1從主機(jī)板上移除BGA元件時：主機(jī)板須先經(jīng)烘烤100℃，12小時後，才可執(zhí)行移除BGA。(而烘烤目的主要是消除BGA結(jié)構(gòu)內(nèi)濕氣存在,防止Popcorn問題)3.4.2BGA拆下後，進(jìn)行BGA重新植球程序：利用清潔劑或酒精清除焊墊雜質(zhì)、氧化物→焊墊塗上助焊劑(膏)→重新植球→Reflow→BGA植球完成。3.4.3BGA重新置放回主機(jī)板程序：主機(jī)板BGA焊墊清理→鋼板對位，上錫膏→真空吸盤吸取BGA→影像對位(對準(zhǔn)焊墊)→BGA置放→將熱風(fēng)罩罩住BGA→進(jìn)行Reflow→完成流焊。1.4當(dāng)BGA需要做整修(Rework)救回程序生產(chǎn)注意事項3.4.1從主機(jī)板上移除BGA元件時：1.4當(dāng)BGA需要60在ReflowProcess一般係以四段溫度區(qū)Profile控制：1.預(yù)熱區(qū)(PreheatZone)2.恆溫區(qū)(SoakZone)3.迴焊區(qū)(ReflowZone)4.冷卻區(qū)(CoolingZone)針對BGAChip採密閉式加溫,溫度可控制於3℃,不影響鄰近零件。Reflowprocess:利用視窗操作軟體，可全程監(jiān)控溫度曲線圖。1.5ReflowProfile生產(chǎn)注意事項在ReflowProcess一般係以四段溫度區(qū)Prof61TheMount-BackProfileofVT82C686BforVIABGAReworkMachine(Vendor:Martin,Model#:MB1100)生產(chǎn)注意事項TheMount-BackProfileofVT82621.6BGA(Rework)救回程序流程圖：StartIC被使用過？目檢及DVM檢測(1)PopcornFailure?(2)Vcc-to-GNDO/Sfailure?烘烤去錫球清洗植球檢查BGA重工植球合格？清洗BenchBoardTestOKYesNoNoYes,havepopcornorVcc-GNDO/SfailureYesNoBenchBoard測試不良品目檢IC底材是否有隆起浮出之現(xiàn)象烘烤溫度：125C烘烤時間：12HRS於清潔液浸泡2分鐘並以抗靜電刷及乾布擦拭底材。使用烙鐵與吸錫線去除錫球，若有氧化的Pad，需使用錫絲使其重新沾錫。使用植球治具與加熱器。溫度設(shè)定：240C加熱時間：3分鐘冷卻時間：1分鍾目檢BGA否有漏球或錫球溶錫不良於清潔液浸泡2分鐘並以乾布擦拭。END生產(chǎn)注意事項1.6BGA(Rework)救回程序流程圖：Star631.7VT8633Ball-OutDefinition生產(chǎn)注意事項1.7VT8633Ball-OutDefinition64二、製程ESD/EOS防護(hù)技術(shù)2.1EOS/ESD簡介2.2EOS的起因2.3EOS的預(yù)防2.4EOS稽核查檢表(範(fàn)例)2.5ESD的起因2.6降低靜電電壓的來源2.7執(zhí)行持久性的訓(xùn)練和改善生產(chǎn)注意事項二、製程ESD/EOS防護(hù)技術(shù)2.1EOS/ES65EOS:電壓過應(yīng)力(ElectricalOverStress)ESD:靜電放電(ElectrostaticDischarge)1.電壓過應(yīng)力(EOS)和靜電放電(ESD)是造成金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)最普通的故障模式。2.根據(jù)VIA2001年RMA分析，所有電子系統(tǒng)故障的9%是因EOS和ESD引起。3.市場不良分析報告顯示EOS和ESD所導(dǎo)致的不良佔前三位(ICProduct)。2.1EOS/ESD簡介：生產(chǎn)注意事項EOS:電壓過應(yīng)力(ElectricalOverS664.由於IC外形，線寬等設(shè)計越來越薄，細(xì)，使IC更易受EOS及ESD的破壞。5.ESD會引起潛在的不良(如短路造成漏電流>100μA)而無法在工廠製程上發(fā)現(xiàn)，但在市場上卻出現(xiàn)毀滅性的不良。Source:VIARMAAnalysis,2001生產(chǎn)注意事項4.由於IC外形，線寬等設(shè)計越來越薄，細(xì)，使I676.何謂EOS及種類EOS:ElectricalOverStress來源廣，時間較長。

系統(tǒng)暫態(tài)脈波(STP)閃電(LIGHTNING)

靜電放電(ESD)

電磁脈波(EMP)

生產(chǎn)注意事項6.何謂EOS及種類生產(chǎn)注意事項68在高電流和短時間時，熱無法快速流過氧化物(SiO2)，故金屬化合物熔化。生產(chǎn)注意事項在高電流和短時間時，熱無法快速流過氧化物(SiO2)，故69在長脈波寬度和低電力時，熱有足夠的時間流過氧化物，終致熔化電線。生產(chǎn)注意事項在長脈波寬度和低電力時，熱有足夠的時間流過氧化物，終致熔702.2.1不正確的工作程序a.無標(biāo)準(zhǔn)工作程序(SOP)。b.零件方向(極性)錯誤。c.開機(jī)時，裝置移離零件。d.基板裝配品，系統(tǒng)未完全連結(jié)就供電。2.2.2無EOS管制設(shè)備，特別是在『雜訊』生產(chǎn)環(huán)境:故應(yīng)具備a.電源穩(wěn)壓器&b.電源濾波器在多臺高電力設(shè)備同時運作下，交流電源線最易產(chǎn)生暫態(tài)火花。2.2EOS的起因：生產(chǎn)注意事項2.2.1不正確的工作程序2.2.2無EOS管制設(shè)備，特712.2.3不適當(dāng)?shù)販y試零件或基板a.快速切換開關(guān)。b.不正確的測試程序，如IC未加電壓之前便輸入信

號。c.電壓力測試設(shè)計不當(dāng)，致預(yù)燒(Burn-In)對敏感零

件產(chǎn)生過應(yīng)力。2.2.4使用不好的電源供應(yīng)器a.特別是轉(zhuǎn)換式電源供應(yīng)器，如設(shè)計不當(dāng)會成為雜

訊產(chǎn)生源。b.無過電壓(overvoltage)保護(hù)線路。c.電源濾波不足。生產(chǎn)注意事項2.2.3不適當(dāng)?shù)販y試零件或基板2.2.4使用不好的電源722.2.5無適當(dāng)?shù)脑O(shè)備保養(yǎng)和電源監(jiān)測a.設(shè)備未接地(注意:如SMT/CLEANING/ICT/錫爐/

拆焊機(jī)/電烙鐵設(shè)備….)。b.接點鬆動引起斷續(xù)事故。c.電源線管理不當(dāng)或未注意防止線材絕緣不良,造

成漏電。d.未監(jiān)測交流電源的暫態(tài)電壓或雜訊。e.供給產(chǎn)品測試用的電源供應(yīng)器電壓輸出功能無

適當(dāng)之校驗機(jī)制。d.暫態(tài)抑制不足。e.保險絲選擇不當(dāng)，未能提供適當(dāng)?shù)谋Ｗo(hù)。生產(chǎn)注意事項2.2.5無適當(dāng)?shù)脑O(shè)備保養(yǎng)和電源監(jiān)測d.暫態(tài)抑制不足。生732.2.6EOS不良品分析圖片：SeriousBurnoutareabyEOSa.EOS嚴(yán)重?zé)龤е庥^不良IC圖片：VDD-5VSTBcore(Metal2)ofVT82C586Bwasseriousburnedout

Burn-outspotGNDcore(Metal3)ofVT82C586Bwasburnedoutb.EOS嚴(yán)重?zé)龤е瓹hipF.A.圖片(1)：生產(chǎn)注意事項2.2.6EOS不良品分析圖片：SeriousBurn74c.EOS嚴(yán)重?zé)龤е?/p>

ChipF.A.圖片(2)GNDandVCC3.3VofVT82C598MVPwereseriousburnedout.生產(chǎn)注意事項c.EOS嚴(yán)重?zé)龤е?/p>

ChipF.A.圖片(751.建立和裝置適當(dāng)?shù)墓ぷ鞒绦颉?.定期地執(zhí)行交流電源的監(jiān)測，必要時裝置EOS管制設(shè)備(如濾波線路，暫態(tài)抑制線路)，及電源設(shè)備校驗。3.確保適當(dāng)?shù)販y試IC、基板等。a.審查測試計劃，是否有快速切換開關(guān)，不正確的測試程序。b.從零件供應(yīng)商取得最安全的定額率，以確保它們

完全不會被過度驅(qū)動。c.確保適當(dāng)?shù)卦O(shè)計可靠度應(yīng)力測試，特別是Burn-In2.3EOS的預(yù)防生產(chǎn)注意事項1.建立和裝置適當(dāng)?shù)墓ぷ鞒绦颉?.確保適當(dāng)?shù)販y試IC、基76d.確認(rèn)排除/降低大於200mv的雜訊。e.用突波吸收器(surgeabsorber)來箝制電壓火花。

4.用好的電源供應(yīng)器(SPS)a.過電壓防護(hù)(注意→+5V輸出：應(yīng)在5.7~6.7V保護(hù))b.適當(dāng)?shù)纳崮芰Α.在重要位置要使用保險絲。5.工廠須維持嚴(yán)密的設(shè)備/治具/轉(zhuǎn)接卡(金手指)保養(yǎng)制

度，並每日點檢:a.設(shè)備各部份皆適當(dāng)?shù)亟拥?。生產(chǎn)注意事項d.確認(rèn)排除/降低大於200mv的雜訊。4.用好的電源77b.無鬆動連接。c.輸出功能正常。(注意:電源供應(yīng)器建議每6個月校驗1次)d.設(shè)備漏電檢查(注意:高電力設(shè)備如錫爐,清洗機(jī),拆焊機(jī),電烙鐵…..).檢查設(shè)備金屬外殼對電源接地端是否<0.3Vac?e.轉(zhuǎn)接卡接觸點(金手指)檢查是否有近似短路之情形生產(chǎn)注意事項b.無鬆動連接。生產(chǎn)注意事項781基板裝配:是否a.產(chǎn)品是否裝在正確的位置?

b.產(chǎn)品是否在加電壓前便適當(dāng)?shù)匮b進(jìn)插座?

c.產(chǎn)品未在加電壓時裝入或移開?

d.電烙鐵,錫爐,拆焊機(jī),清洗機(jī)設(shè)備漏電檢查正常?

(<0.3Vac=)

備註:

2.4EOS稽核查檢表(範(fàn)例)A.稽核員:

B.站別:

C.稽核日期:年月日

D.稽核時間:時分

E.確認(rèn)者:生產(chǎn)注意事項1基板裝配:792交流電源:是否a.很多高電力機(jī)器共用一電源,可能會產(chǎn)生突波,暫態(tài)?

b.現(xiàn)有設(shè)備易受電壓火花或暫態(tài)影響?c.經(jīng)常發(fā)生電壓跳動?d.任何電源開關(guān),插座無鬆動連接?備註:

3系統(tǒng)環(huán)境:是否a.是否裝置過電壓保護(hù)線路?生產(chǎn)注意事項2交流電源:80b.保險絲的定額值正確嗎?c.雜訊程度是否大於200mv?備註:

4電性測試:是否a.加電壓的順序正確嗎?b.現(xiàn)有測試程序中,是否有快速切換開關(guān)?c.測試參數(shù)是否超過規(guī)格界限值?d.轉(zhuǎn)接卡,記憶體卡接觸點(金手指)無近似短路之情形?

備註:生產(chǎn)注意事項b.保險絲的定額值正確嗎?811.不適當(dāng)描述零件對ESD的敏感度。產(chǎn)生源濕度10-20%RH 濕度65-90%RH走過地毯35,000V1,500V走過粗帆布12,000V250V在工作檯工作6,000V100V塑膠套中的紙張7,000V600V拿起一只塑膠套20,000V1,200V布套椅子18,000V15,00V本表節(jié)錄自美國國防部，軍規(guī)手冊(MIL-STD)263.1987靜電可能產(chǎn)生的電位2.5ESD的起因：生產(chǎn)注意事項1.不適當(dāng)描述零件對ESD的敏感度。產(chǎn)生源濕82ChargedDeviceModelCapprox.3pFRapprox.25ohms(Ω)Lapprox.10nHHumanBodyModel

C=100pFR=1500ohms(Ω)MachineModelC=200pFL=0.75μHESDModel(1)TheHumanBodyModel(HBM)istheESDtestingstandard,andisdefinedintheMIL-STD-883Cmethod3015.7.Itrepresentsachargedpersontouchingagroundeddevice.ItistheoriginalmodelusedtosimulateESDdamagebyahuman,andisthemostwellknown.EOS/ESDAssociationStandardS5.1–1993describesuseoftheHBMfordeviceclassification.生產(chǎn)注意事項ChargedDeviceModelHumanBody83(2)TheMachineModel(MM)representsaworstcaseHBM.Itprovidemorerealisticsimulationofactualdamagenormallyobtainedfromapersonholdingatool.EOS/ESDAssociationDraftStandardDS5.2–1993describesuseoftheHBMfordeviceclassificationandhasbeenreleasedforcomment.(3)TheChargedDeviceModel(CDM)simulatesthedamageresultingfromachargeddevicecontactingametalgroundedsurface.Thisfailuremodeisverydamagingandisassociatedwithautomatedhandlingequipmentanduseofdiptubes.EOS/ESDAssociationDraftStandardDS5.3–1993describesuseoftheCDMfordeviceclassificationandhasbeenreleasedforcomment.生產(chǎn)注意事項(2)TheMachineModel(MM)rep842.ESD保護(hù)線路不適當(dāng)。3.ESD管制不足。a.作業(yè)員未戴抗靜電環(huán)(接地腕帶)接觸IC。b.缺乏對所用材料的防靜電管制。c.工作站未接地。d.自動化系統(tǒng)的設(shè)計不當(dāng)，致引起充電裝置模式失效，Ex:ICT,ATE,SMT……→ChipSet不良高。e.濕度低(<30%RH,如在寒冷乾燥環(huán)境)。4.缺乏ESD警覺意識和訓(xùn)練。(可依JESD625-A及IPC-A-610C標(biāo)準(zhǔn)規(guī)範(fàn)教育訓(xùn)練)生產(chǎn)注意事項2.ESD保護(hù)線路不適當(dāng)。生產(chǎn)注意事項85SEMphotoofdrain/gatediffusionedgedamageSEMphotoofsiliconmeltingduetocurrentfilamentationinanMOSoutputtransistorSEMphotoshowingholesatthesilicontofieldoxideinterfaceinthedraindiffusionofanFODprotectiondeviceSEMphotoofannMOStransistorinanoutputbuffershowingdamageatthedrain/gatediffusionedge.5.ESD不良品分析圖片：生產(chǎn)注意事項SEMphotoofdrain/gatediffus86TheSEMphotographofthecontactburnoutatESDprotectioncircuitofpad60(Lvref)forVT3091AdevicePad60(Lvref)PolygatePolygatea.VT3091AESD_HBMpad60(Lvref)failSEMphotoofdamageduetoapolycrystallinefilamentinatrickoxidedevice.SEMphotoofacontactholeinthedraindiffusionofanoutputtransistorshowingcontactspiking.生產(chǎn)注意事項TheSEMphotographofthecont87b.VT3091AESD_HBMpad63(VCC2)failTheOMandSEMphotographofthepolyburnoutatpad63(VCC2)forVT3091AdevicePad63(VCC2)Pad63(VCC2)Polylayer生產(chǎn)注意事項b.VT3091ATheOMandSEMphot881.人(注意：人體感染靜電可能超過3000V)。a.戴抗靜電環(huán)(接地腕帶)(註：靜電放電時，約在1μs~1ns時間內(nèi)電荷消失)。b.或穿導(dǎo)電衣、鞋。(表面阻抗在10E5~10E9歐姆)2.廣泛使用抗靜電或?qū)щ姷闹苯硬牧虾烷g接材料。3.建立靜電安全工作站、區(qū)。4.確保設(shè)備不會產(chǎn)生200V以上的靜電電壓。5.工廠環(huán)境維持相對濕度在40%RH~60%RH。6.使用空氣游離器(AirIonizers),使靜電壓衰減至<35v。2.6降低靜電電壓的來源生產(chǎn)注意事項1.人(注意：人體感染靜電可能超過3000V)。2.89項目電阻值1腕帶到插頭/夾子500KΩ~10MΩ2工作桌面接地線到接地1MΩ±250KΩ3地氈接地線到接地1MΩ±250KΩ4設(shè)備外殼到接地