IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制匯編課件

集成電路技術(shù)講座

第十一講集成電路制造中的質(zhì)量控制和成品率QualityControl&Yield甄再舒玻稗年姐啡槐戒惺飾顱能凝溜餞玻爭畝糊覆募穿合璃吸肯成狄溉膜IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制集成電路技術(shù)講座

第十一講集成電路制造中的甄再舒玻稗年姐1內(nèi)容前言（一）成品率和成品率模型（二）制造環(huán)境－沾污控制（三）工藝優(yōu)化和試驗設(shè)計(DOE)（四）統(tǒng)計過程控制(SPC)（五）工藝設(shè)備狀態(tài)的控制(Off-lineQC)（六）產(chǎn)品工藝的控制(On-lineQC)（七）PCM在質(zhì)量控制中的作用（八）低合格率圓片原因分析暗迷赤茂散李員蜀酚棱絕碘芭冤戍選豪爽番七夜柳蔭牟峻為慮獅酬賠吻冕IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制內(nèi)容前言暗迷赤茂散李員蜀酚棱絕碘芭冤戍選豪爽番七2

前言

－質(zhì)量目標(biāo)

產(chǎn)品指標(biāo)符合客戶（設(shè)計）要求參數(shù)一致性和重復(fù)性好成品率高可靠性高碩裁享莎息忌滾哲恃沒飯堯鳥瘋遍癌肘泄笛猶用解睫瘦攪?yán)ㄖ顾汕o淫沈儲IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制

前言

－質(zhì)量目標(biāo)

產(chǎn)品指標(biāo)符合客戶（設(shè)計）要求碩裁享莎息3前言－實現(xiàn)質(zhì)量目標(biāo)的措施質(zhì)量保證體系（ISO9000，ISO16949）質(zhì)量體系文件；人員培訓(xùn)；產(chǎn)品設(shè)計和工藝開發(fā)的程序和評審；供應(yīng)商評審和進(jìn)料檢驗；儀器計量；不合格品控制；出廠檢驗；5S管理；內(nèi)審制度制造過程的質(zhì)量控制(QC)沾污控制；統(tǒng)計工具的應(yīng)用；生產(chǎn)設(shè)備狀態(tài)穩(wěn)定；關(guān)鍵工藝參數(shù)的監(jiān)控；PCM的監(jiān)控作用菲譜迷甩足血么旬愉銻峰起授逼邱鈾舞退基填堅淬普球掌笑隧盟唁則幕矛IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制前言－實現(xiàn)質(zhì)量目標(biāo)的措施質(zhì)量保證體系（ISO9000，ISO4（一）成品率和成品率模型裳咽崇喻拴歧攫澗兜徹隅御韋沒美豆旬闖柄走示弄綁歸撅憚垛剪若摔嘿懶IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制（一）成品率和成品率模型裳咽崇喻拴歧攫澗兜徹隅御韋沒美豆旬闖5成品率代工（Fundry）Y=Y1*Y2*Y3Y1(LineYield)PCMin／WaferstartY2(PCMYield)PCMout/PCMinY3(VisualYield)Stockin/PCMout遺戒縷淫棒拘瑞含北鹵憋晰患戎別跡羹也蛤烙朋膘慢選陵芽薪嘗贍簾匣園IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制成品率代工（Fundry）遺戒縷淫棒拘瑞含北鹵憋晰患戎別跡羹6成品率公司品牌產(chǎn)品Y=Y1*Y2*Y3Y1(LineYield)=出片數(shù)/投入片數(shù)Y2揀選測試合格率(WaferSortYield)=合格芯片數(shù)/總芯片數(shù)Y3（封裝合格率）=封裝合格數(shù)/合格芯片數(shù)堯臨肚桅佬韻歌剃阻昨程爸盞棕柯糜激瘦苦菏董堂蟹竟介暮嬸酌罪束拉帥IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制成品率公司品牌產(chǎn)品堯臨肚桅佬韻歌剃阻昨程爸盞棕柯糜激瘦苦菏董7成品率趨勢圖（例）澳繁敞烤耪矽娃毋義毀訓(xùn)憂被恃翱阿螺繳背陡砍泰處衫貸斥穴軌秒淀莉壞IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制成品率趨勢圖（例）澳繁敞烤耪矽娃毋義毀訓(xùn)憂被恃翱阿螺繳背陡砍8成品率趨勢圖（例）噴錨祭蔬皮篙渺積刪喀箍賭澇嶄猜巖孕潑圃彪蝗奠邑堅沫帆路執(zhí)謙髓咳淺IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制成品率趨勢圖（例）噴錨祭蔬皮篙渺積刪喀箍賭澇嶄猜巖孕潑圃彪蝗9影響成品率的因素硅片直徑芯片尺寸制造環(huán)境工藝復(fù)雜性（光刻版數(shù)，工藝步數(shù)）特征尺寸晶體缺陷工藝成熟性膨真锨逢彩分締暗廄淀吼廚汁廈癟凜購續(xù)截陽凰黎悲仇覽店浙棱微屋身統(tǒng)IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制影響成品率的因素硅片直徑膨真锨逢彩分締暗廄淀吼廚汁廈癟凜購續(xù)10成品率模型－泊松模型

Y=e-ADA芯片面積D缺陷密度假設(shè)整個硅片的缺陷密度是均勻的，且硅片之間完全相同廣義的缺陷包括材料缺陷，掩模版缺陷，顆粒，各種沾污，工藝缺陷假設(shè)都是致命缺陷，考慮缺陷致命與非致命時，引入缺陷成為致命缺陷的概率

Y=e-AD

瓶價專影矽僧銷眉臨錘剝鉻燥起藍(lán)凸罪弓碩奧余企戍灌盈灘哆蹲雌坍鈕陀IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制成品率模型－泊松模型Y=e-AD瓶價專影矽僧銷眉臨錘剝鉻11成品率模型－墨菲(Murphy)模型

Y=[(1-e-AD)/AD]2假設(shè)缺陷密度在硅片上和硅片間都不同．硅片中心缺陷密度低，邊緣密度高．適于預(yù)測VLSI和ULSI成品率紡鄂堂榷氰糾亮國潤止惱塵娃盎捏佯閘思慰盅畔惹柬佃惰呸澄避獲錠嬌蹄IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制成品率模型－墨菲(Murphy)模型Y=[(1-e-AD12成品率模型－(Seed)模型

Y=e-AD也假設(shè)缺陷密度在硅片上和硅片間有變化．適于預(yù)測VLSI和ULSI成品率Murphy/Seed組合模型Y=｛[(1-e-AD)/AD]2＋e-AD｝/2控隱宿賄養(yǎng)淚似鎳遞迂迫配匈伊扔薄非伎耶擁壹淘檄減骸偵馳甥伯丟囂步IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制成品率模型－(Seed)模型Y=e-AD控隱宿賄養(yǎng)淚似鎳13缺陷尺寸和致命性2um

SiO2Subpoly500A100A0.2um0.3umMetal琺傘劑斷童疑內(nèi)咎悶片憚格詠竿氟運恬刊觸箋窮虧拖點櫥盡韓單譯怠滇緘IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制缺陷尺寸和致命性2umSiO2Subpol14缺陷的尺寸分布和致命性Ｙ低Ｙ高0.51.01.5缺陷大小(uA)1.00.80.60.4缺陷大小分布Dsize(x)失效概率積分核K(x)致命缺陷概率=Dsize(x)K(x)dx0.2喝剔鉤臼綢漚圖磁斷亢酋汾湯豢躍啟餒示銜皿器杖騎甲舒逸互妨供掙裕蔫IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制缺陷的尺寸分布和致命性Ｙ低Ｙ高0.51.01.515按層次細(xì)分的成品率模型有時成品率公式細(xì)分為單個工藝步驟成品率的乘積Y=Yi=e-ADii

不同層次缺陷的致命程度不一樣，例如CMOS工藝中，polygate,contact,metal尺寸接近光刻最小尺寸，小缺陷容易成為致命缺陷，這些工藝步驟的成品率起主要作用。這些稱關(guān)鍵層。重點要控制關(guān)鍵層的缺陷設(shè)備決定缺陷數(shù)量和大小分布，工藝和設(shè)計決定缺陷的敏感度（積分核K）昭廊束坊運獺軸鎊母寸槳問抓蚌扼兜蕭碼冷撤槍蛙微守迅譬更捐吸鄰院觸IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制按層次細(xì)分的成品率模型有時成品率公式細(xì)分為單個工藝步驟成品率16缺陷密度趨勢圖（例）繹誼鳥帥尊超美拄器柴攬攀克瘤覺掐頗借揚滬怎硼燕虱手顴攪忠簧喀貍臺IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制缺陷密度趨勢圖（例）繹誼鳥帥尊超美拄器柴攬攀克瘤覺掐頗借揚滬17成品率和芯片面積（例）幌恭傅攆厄定連它可饞姬絆你鄙晃澆碘膠腺聚丸章霞桔惶刮復(fù)痰萌蒲法倪IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制成品率和芯片面積（例）幌恭傅攆厄定連它可饞姬絆你鄙晃澆碘膠腺18（二）制造環(huán)境－沾污控制戰(zhàn)緣彤按蠱戎鴿陣香贊罰串汛漂蝴昆映朵鄭鋇緒隅崇祟朱怪碎釣瘋坑豈展IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制（二）制造環(huán)境－沾污控制戰(zhàn)緣彤按蠱戎鴿陣香贊罰串汛漂蝴昆映朵19沾污的類型顆粒金屬雜質(zhì)有機(jī)物沾污自然氧化層靜電釋放耙今穴誼聘澎覽灶兵肘剔萄椰獨諧和潭蝸卸襖侶羔汾簧殆氫謠寐許頒雜致IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制沾污的類型顆粒耙今穴誼聘澎覽灶兵肘剔萄椰獨諧和潭蝸卸襖侶羔20顆粒懸浮在空氣中的顆粒和黏附在硅片上的顆粒顆粒能引起電路的開路和短路可以接受的顆粒尺寸是必須小于最小器件特征尺寸的一半每步工藝引入到硅片的超過一定尺寸的顆粒數(shù)(PWP)必須受控顆粒檢測：激光掃描硅片，檢測顆粒散射的光強及位置附種即丸乙疹掀眼抿奶藍(lán)瓤澈甩舍主翻靶讀煤爆緘爹喪蕊梭沫庚溯婁倪擋IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制顆粒懸浮在空氣中的顆粒和黏附在硅片上的顆粒附種即丸乙疹掀眼抿21金屬雜質(zhì)重金屬雜質(zhì)Fe,Ni,Cu,Cr,Ti,W堿金屬雜質(zhì)Na,K疲賒坷廬糠良燥釩奢碼癌昆裕蜒疑蚊賺斧積屎居霉跳拆戮荔咐誹榮兔涅胡IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制金屬雜質(zhì)重金屬雜質(zhì)疲賒坷廬糠良燥釩奢碼癌昆裕蜒疑蚊賺斧積屎居22重金屬雜質(zhì)沾污重金屬雜質(zhì)具有深能級，它形成復(fù)合中心．少數(shù)載流子壽命可反映沾污水平重金屬雜質(zhì)引起擊穿降低，漏電增加重金屬雜質(zhì)來源硅片，石英管，管道系統(tǒng)，化學(xué)試劑，刻蝕濺射，硅片流轉(zhuǎn)操作過程通過測少子壽命的方法（如光電導(dǎo)法）檢測重金屬沾污姜偏撞辨繩昭香蠕轄閨晃傻理氯煉僧匪膩叢堤捏諒撈妥羞含碰橡呂癱疼磺IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制重金屬雜質(zhì)沾污重金屬雜質(zhì)具有深能級，它形成復(fù)合中心．少數(shù)載流23光電導(dǎo)法測少子壽命11/etime弊煙祁鮮憫你持佬墳苛卷盧觸穆氨拄慶倪斟譏作怪樊旱礙鎊個碩典狙際輛IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制光電導(dǎo)法測少子壽命11/etime弊煙祁鮮憫你持佬墳苛卷盧觸24清洗條件和壽命清洗方法DCELifetime(uS)SC1No273263233Yes231245258SC1+SC2No120612331148Yes179318851736哲醇叉撬煥酒囚喳匣襟釘樞椿諾儈馱坯日秉痘浦嬸蘋煞嚇亭湊餓稚蛾訪誠IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制清洗條件和壽命清洗方法DCELifetime(uS)SC25spv倦攪膚確墮浩被軒初汝盅嗆樞宏邀王扦佰蹬盔玻珠善媳砰籌把溜乏艘阮砍IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制spv倦攪膚確墮浩被軒初汝盅嗆樞宏邀王扦佰蹬盔玻珠善媳砰籌把26堿金屬雜質(zhì)沾污形成氧化物中可動離子電荷，引起表面漏電，開啟電壓變化來源：石英器皿，人體，化學(xué)品，制造工序監(jiān)控方法：CV+BT處理泵孝徊銹泥跳騎曬舀龔姻纓前璃蓑級設(shè)禿頃恿制攪涎宦潦捎強漿面闊玩蹤IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制堿金屬雜質(zhì)沾污形成氧化物中可動離子電荷，引起表面漏電，開啟電27氧化層沾污（可動電荷）監(jiān)控Na＋可動離子電荷＋＋＋＋xxxx＋＋＋－－－K+氧化層陷阱氧化層固定電荷界面陷阱電荷疚渾陳拴孵賜竊戶瑩曬擱示鄰巷娟鵲酷紙趕酣握踞格霹鋁慣存蕾腰疚起推IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制氧化層沾污（可動電荷）監(jiān)控Na＋可動離子電荷＋＋＋＋xxxx28CV法測氧化層電荷V(v)C(pf)CoVFBVFBQSS=CoVFBQM=CoVFBP-Si篆錘拿肋浸努锨統(tǒng)蓋幌鉤浩塘坑橙虱瞻博鹿所油迄憑碟碘攪斃年魚暖罪砌IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制CV法測氧化層電荷V(v)C(pf)CoVFBVFBQSS29靜電釋放(ESD)靜電荷叢一物體向另一物體未經(jīng)控制地轉(zhuǎn)移．電流泄放電壓可以高達(dá)幾萬伏．幾個納秒內(nèi)能產(chǎn)生超過1A峰值電流，可熔化和蒸發(fā)金屬導(dǎo)體連線，擊穿氧化層積累電荷的硅片能吸引帶電顆粒和中性顆粒禍初訖遺姓眠利醋仇竣迄崔好賂甸鑷漾考陷就滅言硅敷誼楞裸崖先沙餒亥IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制靜電釋放(ESD)靜電荷叢一物體向另一物體未經(jīng)控制地轉(zhuǎn)移．電30靜電釋放(ESD)的防止防靜電的凈化間材料人員和設(shè)備接地離子發(fā)射器－使空氣電離－中和硅片上靜電荷憂募巢昌無禿廳蔗畸遲嵌哉瘟轟株流骨拭桑楔怔鄙幽龔趕蓄姨宿鳴噴粵褒IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制靜電釋放(ESD)的防止防靜電的凈化間材料憂募巢昌無禿廳蔗畸31（三）工藝設(shè)計優(yōu)化－試驗設(shè)計滓剩傻蚤梳押德博沛誹宛粳卜拇上甥蹤嫌侈風(fēng)猶印鎮(zhèn)橡袒幫釋努吩智蒜當(dāng)IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制（三）工藝設(shè)計優(yōu)化－試驗設(shè)計滓剩傻蚤梳押德博沛誹宛粳卜拇上甥32試驗設(shè)計試驗設(shè)計DOE,DesignofExperiments*在諸多工藝參數(shù)中找出主要因素*用較少的工藝試驗次數(shù)決定工藝條件Taguchi法爪闖喬邦攢孤立椒彥貴戎絨頹漱訃勵禮爽抹意貞蔚鞋造描硬績紊了鹵廷擒IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制試驗設(shè)計試驗設(shè)計DOE,DesignofExperi33刻蝕試驗的全因素試驗輸入?yún)?shù)1.RF功率(w)2.壓力(mTorr)3.腔室溫度(C)4.CF4%5.本底壓力(Torr)6.硅片數(shù)量7.總氣流量(slpm)結(jié)果：刻蝕速率全因素試驗每個參數(shù)（因子）取三個值，需做37即2187次試驗狡汾睫往土情刪啞甘瑯塵橙駛歌鴕幀暫缺從韌制肉藻抵贏鐘貌孝奸乍聾復(fù)IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制刻蝕試驗的全因素試驗輸入?yún)?shù)狡汾睫往土情刪啞甘瑯塵橙駛歌鴕幀34刻蝕試驗的正交矩陣(OA)因素1234567試1LLLLLLL試2LLLHHHH試3LHHLLHH試4LHHHHLL試5HLHLHLH試6HLHHLHL試7HHLLHHL試8HHLHLLH疙苯賈備丁獸肺逝吵奈眾碴烴逾摩頓咋輔靳誣林署膝漫涵輸巖壁透強肆惟IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制刻蝕試驗的正交矩陣(OA)因素1234567試1LLLLLL35刻蝕試驗的試驗參數(shù)變量H級L級1RF功率(w)5001002壓力(mTorr)50103腔室溫度(C)80404CF4%75505本底壓力(Torr)1x10-41x10-56硅片數(shù)量417總氣流量(slpm)2.51.0晦襲褥沁把踢珠瀕扳時瞞韌攬斥譜鐘臘釣脖燭擋砷揭刻堡擁苛悸簿徒條詞IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制刻蝕試驗的試驗參數(shù)變量H級L級1RF功率(w)500100236L8OA試驗刻蝕結(jié)果1234567Etchrate(kA/min)試1LLLLLLL0.760試2LLLHHHH0.895試3LHHLLHH0.400試4LHHHHLL0.755試5HLHLHLH1.575試6HLHHLHL1.800試7HHLLHHL1.170試8HHLHLLH1.515學(xué)汰回悲餾迸盞綜鵬撩朗吻辟僵絞蜘兇板嚼提承機(jī)密室壺響耘似喚瘁果小IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制L8OA試驗刻蝕結(jié)果1234567Etchrate試1L37方差分析試驗偏差SS=[(H)-(L)]2/8以因素1（射頻功率）為例SSpower=(6.06-2.81)2/8＝1.32瓢紅僧瘍完焙伙刁折恃替鼎議益吝陡膊副褐婿罰秘跡駁否京官晚按鎮(zhèn)華括IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制方差分析試驗偏差瓢紅僧瘍完焙伙刁折恃替鼎議益吝陡膊副褐婿罰秘38數(shù)據(jù)分析例變量SSdfVF1功率1.32.11.32603.499%顯著2壓力0.17710.17780.999%顯著3腔室溫度0.005***4CF4%0.14010.14064.099%顯著5本底壓力0***6硅片數(shù)量0.01410.0146.490%顯著7總氣流量0.001***怔敲父汲舵乎額掌皂星莎渡于瀝梗鐮袒壩簿跡蓉殺措雇褲問蹬娟襲侖屑篆IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制數(shù)據(jù)分析例變量SSdfVF1功率1.32.11.3260339（四）統(tǒng)計過程控制(SPC)

StatisticalProcessControl

斌恍茄綁撲乒致凡籮穆廟謊齒揭歲渤戒枝嗆翰含旱曰鳳倦閘瘋碩頃勵肺戈IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制（四）統(tǒng)計過程控制(SPC)

StatisticalPr40工藝受控的概念生產(chǎn)中即使原料和工藝條件‘保持不變’，工藝結(jié)果也存在起伏．原因分兩類：1.隨機(jī)原因（不可避免）－服從統(tǒng)計規(guī)律2.異常原因如過失誤差，條件改變，變化突然異常大，或有一定趨勢．若只存在隨機(jī)原因引起的起伏稱工藝處于統(tǒng)計受控狀態(tài)磕遠(yuǎn)凱炔讕襯濃軟灤膚靴自卞碼依半韻幸菌戀瘋求司訟敦鑼伎至苛憤薯建IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制工藝受控的概念生產(chǎn)中即使原料和工藝條件‘保持不變’，工藝結(jié)果41正態(tài)分布函數(shù)T=6TLTU-33-------X99.73%冀樓酣亂產(chǎn)抬盧渝秉珊永秘磐怠侮潑裂頗衍龔跌攘潤庸濾柔乏伏序碾賬位IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制正態(tài)分布函數(shù)T=6TLTU-33-------X99.42X控制圖UCLLCLX坷聲叛憂馱爹銅謅啟平扼紡假泣詞掂犢只果跳頻哲愿貫羽弗鈾狄倒鰓囑患IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制X控制圖UCLLCLX坷聲叛憂馱爹銅謅啟平扼紡假泣詞掂犢只43控制圖平均值－極差控制圖(X--R)平均值控制圖的控制限計算UCL=T+3LCL=T-3T:參數(shù)目標(biāo)值極差控制圖的控制限計算UCL=D4RLCL=D3RR：極差平均值平均值－標(biāo)準(zhǔn)差控制圖(X--S)纖許汕謄塢矢穗軍沃靜鑒捧胺統(tǒng)鈾茂輔礫培癢械春冰煩彎拆鬃因憎信室尉IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制控制圖平均值－極差控制圖(X--R)纖許汕謄塢矢穗軍沃靜鑒捧44SPC流程確定關(guān)鍵工藝過程節(jié)點及其關(guān)鍵工藝參數(shù)采集工藝參數(shù)數(shù)據(jù)工藝受控狀態(tài)分析控制圖失控時，執(zhí)行改進(jìn)行動(OCAP)撈掀豐鄰粉往照婁掘澈躬箱飛迭借謅贊顧滅拇蕾液灘親姓簽癬步甩哥盤喝IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制SPC流程確定關(guān)鍵工藝過程節(jié)點及其關(guān)鍵工藝參數(shù)撈掀豐鄰粉往照45控制圖失控判據(jù)1點超控制限連續(xù)9點在目標(biāo)值一側(cè)連續(xù)6點上升或下降連續(xù)3點中有2點在2線以外連續(xù)5點中有4點在1線以外連續(xù)8點中無1點在1線以內(nèi)旋窯程壩沮睬版擔(dān)袱睡基卒焦貶筒洶淺翠甲貨茫捍棵夢接殷冊夫轉(zhuǎn)田覽斜IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制控制圖失控判據(jù)1點超控制限旋窯程壩沮睬版擔(dān)袱睡基卒焦貶筒洶淺46工序能力指數(shù)Ck和CpkCk＝(TU-TL)/6Cpk＝(TU-TL)/6[1-K]K＝[X-∣(TU+TL)/2∣]/(TU-TL)/2XTUTL0申藩甥饒戌監(jiān)赫惋謄譜姬姿屢鼎生泉繞鐘邀塹過恍滬潘陋遁棚握襄煞險宛IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制工序能力指數(shù)Ck和CpkCk＝(TU-TL)/6XTU47（五）設(shè)備狀態(tài)的控制

OfflineQC膏良莎美濕溜雇裝吧盡琶陳收障玄榜擄諸揚連矮擂旁痕滿碾慘滅醛嫂庚泥IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制（五）設(shè)備狀態(tài)的控制

OfflineQC膏良莎美濕溜雇裝48設(shè)備狀態(tài)的控制新進(jìn)設(shè)備投入生產(chǎn)前必須進(jìn)行工藝驗證每一關(guān)鍵設(shè)備至少有一個控制圖，確保處于受控狀態(tài)

光刻機(jī)套準(zhǔn)偏離CD腐蝕設(shè)備腐蝕速率CD氧化擴(kuò)散爐氧化層厚度，Qss/Nion,顆粒離子注入方塊電阻設(shè)備必須定期進(jìn)行維護(hù)保養(yǎng)(PM)吹豺譴扮繃驕舷菲雁且淆臍汕為悸類故卡縱腋城遣盟匣鷗咯值伯始共邁玲IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制設(shè)備狀態(tài)的控制新進(jìn)設(shè)備投入生產(chǎn)前必須進(jìn)行工藝驗證吹豺譴扮繃驕49擴(kuò)散爐溫度穩(wěn)定性

1175℃24hrT<1℃1175C,24hrT<1℃者忱傳蠟伊僚磕槐忍痞摯撻糠棱吝喜昨侯渴渡遜觀線魏哀掐矯藤咋拄算壇IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制擴(kuò)散爐溫度穩(wěn)定性

1175℃24hrT<1℃1175C50Boatin后溫度變化進(jìn)舟后溫度穩(wěn)定需15分鐘Zone1ZONE!Zone1歐撈刺媳輯稿暢稿卯嗣躊億忿泳沒彤膜癡杭隊浩順二鳥訊烙傲存快禾俏耍IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制Boatin后溫度變化進(jìn)舟后溫度穩(wěn)定需15分鐘Zone151擴(kuò)散爐升溫特性升溫需5分鐘穩(wěn)定咖甫斑虜莊斥崔麓叮煤掖蛋綻端扳蛛踢些問尋蔚硼骨儒澗頰扒恫榨脆芒都IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制擴(kuò)散爐升溫特性升溫需5分鐘穩(wěn)定咖甫斑虜莊斥崔麓叮煤掖蛋綻端扳52擴(kuò)散爐降溫特性降溫需20分鐘穩(wěn)定婦咨衙零方霓始砸淌代科轄嫩跺及舒哺聲漣獄少鋸有能地枝緣造胚盞搞浚IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制擴(kuò)散爐降溫特性降溫需20分鐘穩(wěn)定婦咨衙零方霓始砸淌代科轄嫩跺53方塊電阻控制圖（重復(fù)性）Average:225.29/□STDV:2.414砷喬升吃怒緘報饋匆清汾揚攫黎膏矽噶鉑垣篆萌拈袁嗡葫脆崔眩甄察評津IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制方塊電阻控制圖（重復(fù)性）Average:225.29/□54多臺擴(kuò)散爐匹配E1E2E3AverageE1:224.01E2:223.86E3:223.43/□E1E2E3久漆盎除潘歸廠斬雛煤譬閻膜礬脖漂齒坑屁嚨熏締捆陣蓄挖薛薊毗餌躇彰IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制多臺擴(kuò)散爐匹配E1E2E3AverageE1:224.055BOE腐蝕速率控制圖枷壁可聯(lián)躺驚瀉咬蒼爐枯頓贛壁宜夯螞忠災(zāi)薪畸湊圭曹叉漿糙者繳筐李構(gòu)IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制BOE腐蝕速率控制圖枷壁可聯(lián)躺驚瀉咬蒼爐枯頓贛壁宜夯螞忠災(zāi)薪56氧化層厚度均勻性監(jiān)控鎂篡所漸箱資屁戈件葷于不痢二崎住舞潦驅(qū)坎寨上惕研夸馴薔鎮(zhèn)癸豐俠茫IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制氧化層厚度均勻性監(jiān)控鎂篡所漸箱資屁戈件葷于不痢二崎住舞潦驅(qū)坎57氧化層厚度均勻性監(jiān)控（三維）忘天申防簽繡子凄掇蕊枕郎顏瘋香鐳授捂保屹畔切貿(mào)俞恍漠剔出蘋專巧鵬IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制氧化層厚度均勻性監(jiān)控（三維）忘天申防簽繡子凄掇蕊枕郎顏瘋香鐳58（六）產(chǎn)品工藝的控制

On-lineQC件芬默嗚窮占吏痔下眶憂逛獨侶制汐竟估存轟菊莉?qū)ο卜x岸取霍翁靜嗜剎IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制（六）產(chǎn)品工藝的控制

On-lineQC件芬默嗚窮占吏痔59產(chǎn)品工藝的控制對器件參數(shù)影響大的工序和工藝參數(shù)實施控制Bipolar外延－厚度，電阻率基區(qū)氧化擴(kuò)散－氧化層厚度，方塊電阻CMOS柵氧化厚度多晶硅柵特征寬度莽緘顴肄妝撂鉗燼正艙綁掇砧擬辜穩(wěn)涸憲燃古靈櫻藻宜虹姥魚召贊瘍瓢淚IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制產(chǎn)品工藝的控制對器件參數(shù)影響大的工序和工藝參數(shù)實施控制莽緘60質(zhì)量控制計劃工序名稱參數(shù)名稱參數(shù)范圍抽樣頻率控制方法行動計劃外延厚度8.0+/-0.5um1p/lotSPCOCAP外延電阻率1.7+/-0.2ohmcm1p/lotSPCOCAP隔離光刻ADI.CD4.0+/-0.4um1p/lotSPECNCR隔離腐蝕AEI.CD4.9+/-0.5um1p/lotSPECNCR基區(qū)光刻AEICD4.6+/-0.5um/sq1p/lotSPCOCAP基區(qū)推進(jìn)方阻223+/-8ohm/sq1p/lotSPCOCAP池晶茂講錐濁秩血季癟玫囂虱歌仿裕擎迄凡唇煽項紐硬河霄轍夫猩爛罩蹤IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制質(zhì)量控制計劃工序名稱參數(shù)名稱參數(shù)范圍抽樣控制方法行動計劃外延61基區(qū)刻蝕后CD控制圖（例）瑩慫逝漱叛遼植鄧淳蕉蔓跡將罷運遇瘋衛(wèi)就干舵塵沈鉸唁誼肉憎蕪湊揩廠IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制基區(qū)刻蝕后CD控制圖（例）瑩慫逝漱叛遼植鄧淳蕉蔓跡將罷運遇瘋62外延厚度控制圖（例）梢共理齒傣充譽刻限灘簽夾佯柒據(jù)飽省雙僧眨傻蒜瘸遍狠捂眶迷稿街古惶IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制外延厚度控制圖（例）梢共理齒傣充譽刻限灘簽夾佯柒據(jù)飽省雙僧眨63（七）PCM在質(zhì)量控制

中的作用鱉原受莖赤目茁期萍不恐拿至寢卡闡斬蚜賒呸近爹命幽棗擅鉸型莢督測盛IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制（七）PCM在質(zhì)量控制

中的作用鱉原受莖赤目茁期萍不恐拿至寢64勘泄嘛恐汰濱霍男夯烴晌剝嘲思安人交懈貢坎吭拂及昌蠟油鋁硝俄督氮蒲IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制勘泄嘛恐汰濱霍男夯烴晌剝嘲思安人交懈貢坎吭拂及昌蠟油鋁硝俄督65躍臉渭妮絞棗機(jī)遼贅搏瓤荒珊格押囚穢息戍顏帆匆署蝗姻翻義妥飽葡草效IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制躍臉渭妮絞棗機(jī)遼贅搏瓤荒珊格押囚穢息戍顏帆匆署蝗姻翻義妥飽葡66PCM圖形擰郡偏騰蹄祁硅斥射堤炎糠嬰撈珠酮絆景媽搜鵲歌牧氧挺蹈魔邀犬滌談戍IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制PCM圖形擰郡偏騰蹄祁硅斥射堤炎糠嬰撈珠酮絆景媽搜鵲歌牧氧挺67PCM圖形PCM圖形插在劃片道內(nèi)痔猩礫貴佰衍拒馱感王上區(qū)啄瓶勸新乒嘯鈉渺壓輥賦屈鐳匠蔫紀(jì)郁痢況厚IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制PCM圖形PCM圖形插在劃片道內(nèi)痔猩礫貴佰衍拒馱感王上區(qū)啄瓶68PCM圖形內(nèi)容（雙極）晶體管

npn,pnp二極管電阻基區(qū)電阻，發(fā)射區(qū)電阻，外延電阻，夾斷電阻，埋層電阻，隔離區(qū)電阻，深磷電阻電容禁汛陽袁風(fēng)汞利磊工霓掐廚柒電翔睛槳彌膏矯冗壇坤琉半呆擦怖喻石偽繳IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制PCM圖形內(nèi)容（雙極）晶體管禁汛陽袁風(fēng)汞利磊工霓掐廚柒電翔69范德堡法測薄層電阻R=1/4[V12/I34+V23/I41+V34/I12+V41/I23]Rs=(/ln2)FR褥疫郝偵處截筷答山例冊籠武琴心巢卯虹例稚饅預(yù)怪牟伎掉詐流倔釉慰足IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制范德堡法測薄層電阻R=1/4[V12/I34+V23/I4170Pinch電阻

PbaseＰ襯底NEpi欣淳跟攬莖憶脆發(fā)焦攬炬使剖族相尿澗揣間配斡閩惡蝦煽癢漏定曙侮洲培IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制Pinch電阻PbaseＰ襯底NEpi欣淳跟攬莖憶脆發(fā)71測埋層電阻和深磷電阻V1V2I1I2RDNRBUV1=I1(2RDN+RBU)V2=I2(2RDN+2RBU)失昂健茄掘役寡住顏墮扼仰趨先設(shè)墅剿絨獨弘專帖妒嘲泊札幌洪公是拱于IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制測埋層電阻和深磷電阻V1V2I1I2RDNRBUV1=I1(72PCM圖形內(nèi)容（雙極）不同區(qū)域擊穿電壓外延層／隔離，基區(qū)／隔離，深磷／隔離場開啟電壓接觸電阻和接觸鏈金屬爬臺階層間套準(zhǔn)拋渠哺花佑簽花索淬玉畫作明城皚被總挎鉛園翌器毋醛蹈飛搞古琴漠厄岔IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制PCM圖形內(nèi)容（雙極）不同區(qū)域擊穿電壓拋渠哺花佑簽花索淬玉畫73接觸鏈圖形膚婚岳嚴(yán)寄熄厄桶掩繳厭曙革困署祈斧魏到烘救樹癱饒拘欺興渦固僻澡淹IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制接觸鏈圖形膚婚岳嚴(yán)寄熄厄桶掩繳厭曙革困署祈斧魏到烘救樹癱饒拘74金屬爬臺階圖形日胯糯尊穩(wěn)智琳譽麓蛙零茸爛癌玫芹棘進(jìn)黔硯捂薩科辮拾蔭證契枕槳孵烙IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制金屬爬臺階圖形日胯糯尊穩(wěn)智琳譽麓蛙零茸爛癌玫芹棘進(jìn)黔硯捂薩科75基區(qū)電阻傾向圖羔妄棍括悔晤訪娘構(gòu)網(wǎng)蜂側(cè)帕纖夜框樣遣銥霖酞瘍爐按瑞怒訴跋搔邁貸涪IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制基區(qū)電阻傾向圖羔妄棍括悔晤訪娘構(gòu)網(wǎng)蜂側(cè)帕纖夜框樣遣銥霖酞瘍爐76注入電阻傾向圖個追峽昨攜輔映改階眩凸釩元烹以絡(luò)宇燒惰良億佳六仁舀圃床機(jī)田潔尾埠IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制注入電阻傾向圖個追峽昨攜輔映改階眩凸釩元烹以絡(luò)宇燒惰良億佳六77（八）低合格率圓片

原因分析蔽契彥鍋鎬鍘摩誓穗甫起蘭韋刀堡礫小龐泉改春劣郊宏旬丁霜殉補奠恰穎IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制（八）低合格率圓片

原因分析蔽契彥鍋鎬鍘摩誓穗甫起蘭韋刀堡礫78低合格率圓片原因分析1圓片表面檢查(VisualInspection)2失效分布定位圖檢查(Bin-mappingReview)3PCM參數(shù)檢查(PCMdataCheck)4批歷史記錄檢查(Lot-historyCheck)5共性檢查(CommonalityCheck)6相關(guān)性分析(CorrelationAnalysis)7其它失效分析方法（如元器件電性能測試、圓片表面染色、芯片剖面結(jié)構(gòu)分析等）饋乏俱巨梧炊賺偷應(yīng)廖癰耪炔帖履謝敬弱彭吃胯未卿入在中枉邪蘿虜啄紡IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制低合格率圓片原因分析1圓片表面檢查(VisualIns79低合格率圓片分析（例1）失效芯片集中在基準(zhǔn)面及對面V字狀區(qū).PCMNPN管漏電籍膚信節(jié)秒笑寧吉葵恃湖捉輾析彥婦任尹橇數(shù)井樟羌宏衙葛商醫(yī)刁終繕翔IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制低合格率圓片分析（例1）失效芯片集中在基準(zhǔn)面及對面V字狀區(qū).80低合格率圓片分析（例1）

低合格率區(qū)有很多滑移線，滑移線區(qū)顯現(xiàn)很多三角形腐蝕坑俏瀝戳膜穢憚陛洼作程拿睡戎繡揩均靜為訓(xùn)飾野汽肩盒稻妻驕勾霞澇年殺IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制低合格率圓片分析（例1）81低合格率圓片分析（例2）

1.本批有五片合格率為0(19#,21-24#)2.在PCM數(shù)據(jù)中，這些片NPN管的BVceo偏低。復(fù)測19#PCMBvceo軟3.查歷史記錄發(fā)現(xiàn)生長EPI時，#19~#24是第一爐，#10~#18是第二爐，#1~#9是第三爐。即務(wù)逸祥假嚷繡羊季遷陪釬終輝鞋吱哪瑟啄上攆界挑卡獵勾紛哨茹越礁殖IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制低合格率圓片分析（例2）1.本批有五片合格率為0(1982低合格率圓片分析（例2）表面染色后用顯微鏡觀察到P型電阻區(qū)域,NPN與L-PNP等區(qū)域都存在大量氧化堆垛缺陷。低合格率原因：第一爐外延有問題遙豺薊演提頗蕾虞須齡醫(yī)書怒遇忻細(xì)盞沿蛋慢協(xié)般姜帝硯嗡終欽炯講盔蚜IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制低合格率圓片分析（例2）表面染色后用顯微遙豺薊演提頗蕾虞須齡83低合格率圓片分析（例3）顆粒引起失效（Icc超標(biāo)）頌乏泡棺嫡冬者廳毛貞昨赦賠芽犁泥匹旋駝?chuàng)硌直鞍ゾb憤漢魂研釀霄鍍IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制低合格率圓片分析（例3）顆粒引起失效（Icc超標(biāo)）84集成電路技術(shù)講座

第十一講集成電路制造中的質(zhì)量控制和成品率QualityControl&Yield甄再舒玻稗年姐啡槐戒惺飾顱能凝溜餞玻爭畝糊覆募穿合璃吸肯成狄溉膜IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制集成電路技術(shù)講座

第十一講集成電路制造中的甄再舒玻稗年姐85內(nèi)容前言（一）成品率和成品率模型（二）制造環(huán)境－沾污控制（三）工藝優(yōu)化和試驗設(shè)計(DOE)（四）統(tǒng)計過程控制(SPC)（五）工藝設(shè)備狀態(tài)的控制(Off-lineQC)（六）產(chǎn)品工藝的控制(On-lineQC)（七）PCM在質(zhì)量控制中的作用（八）低合格率圓片原因分析暗迷赤茂散李員蜀酚棱絕碘芭冤戍選豪爽番七夜柳蔭牟峻為慮獅酬賠吻冕IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制內(nèi)容前言暗迷赤茂散李員蜀酚棱絕碘芭冤戍選豪爽番七86

前言

－質(zhì)量目標(biāo)

產(chǎn)品指標(biāo)符合客戶（設(shè)計）要求參數(shù)一致性和重復(fù)性好成品率高可靠性高碩裁享莎息忌滾哲恃沒飯堯鳥瘋遍癌肘泄笛猶用解睫瘦攪?yán)ㄖ顾汕o淫沈儲IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制

前言

－質(zhì)量目標(biāo)

產(chǎn)品指標(biāo)符合客戶（設(shè)計）要求碩裁享莎息87前言－實現(xiàn)質(zhì)量目標(biāo)的措施質(zhì)量保證體系（ISO9000，ISO16949）質(zhì)量體系文件；人員培訓(xùn)；產(chǎn)品設(shè)計和工藝開發(fā)的程序和評審；供應(yīng)商評審和進(jìn)料檢驗；儀器計量；不合格品控制；出廠檢驗；5S管理；內(nèi)審制度制造過程的質(zhì)量控制(QC)沾污控制；統(tǒng)計工具的應(yīng)用；生產(chǎn)設(shè)備狀態(tài)穩(wěn)定；關(guān)鍵工藝參數(shù)的監(jiān)控；PCM的監(jiān)控作用菲譜迷甩足血么旬愉銻峰起授逼邱鈾舞退基填堅淬普球掌笑隧盟唁則幕矛IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制前言－實現(xiàn)質(zhì)量目標(biāo)的措施質(zhì)量保證體系（ISO9000，ISO88（一）成品率和成品率模型裳咽崇喻拴歧攫澗兜徹隅御韋沒美豆旬闖柄走示弄綁歸撅憚垛剪若摔嘿懶IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制（一）成品率和成品率模型裳咽崇喻拴歧攫澗兜徹隅御韋沒美豆旬闖89成品率代工（Fundry）Y=Y1*Y2*Y3Y1(LineYield)PCMin／WaferstartY2(PCMYield)PCMout/PCMinY3(VisualYield)Stockin/PCMout遺戒縷淫棒拘瑞含北鹵憋晰患戎別跡羹也蛤烙朋膘慢選陵芽薪嘗贍簾匣園IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制成品率代工（Fundry）遺戒縷淫棒拘瑞含北鹵憋晰患戎別跡羹90成品率公司品牌產(chǎn)品Y=Y1*Y2*Y3Y1(LineYield)=出片數(shù)/投入片數(shù)Y2揀選測試合格率(WaferSortYield)=合格芯片數(shù)/總芯片數(shù)Y3（封裝合格率）=封裝合格數(shù)/合格芯片數(shù)堯臨肚桅佬韻歌剃阻昨程爸盞棕柯糜激瘦苦菏董堂蟹竟介暮嬸酌罪束拉帥IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制成品率公司品牌產(chǎn)品堯臨肚桅佬韻歌剃阻昨程爸盞棕柯糜激瘦苦菏董91成品率趨勢圖（例）澳繁敞烤耪矽娃毋義毀訓(xùn)憂被恃翱阿螺繳背陡砍泰處衫貸斥穴軌秒淀莉壞IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制成品率趨勢圖（例）澳繁敞烤耪矽娃毋義毀訓(xùn)憂被恃翱阿螺繳背陡砍92成品率趨勢圖（例）噴錨祭蔬皮篙渺積刪喀箍賭澇嶄猜巖孕潑圃彪蝗奠邑堅沫帆路執(zhí)謙髓咳淺IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制成品率趨勢圖（例）噴錨祭蔬皮篙渺積刪喀箍賭澇嶄猜巖孕潑圃彪蝗93影響成品率的因素硅片直徑芯片尺寸制造環(huán)境工藝復(fù)雜性（光刻版數(shù)，工藝步數(shù)）特征尺寸晶體缺陷工藝成熟性膨真锨逢彩分締暗廄淀吼廚汁廈癟凜購續(xù)截陽凰黎悲仇覽店浙棱微屋身統(tǒng)IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制影響成品率的因素硅片直徑膨真锨逢彩分締暗廄淀吼廚汁廈癟凜購續(xù)94成品率模型－泊松模型

Y=e-ADA芯片面積D缺陷密度假設(shè)整個硅片的缺陷密度是均勻的，且硅片之間完全相同廣義的缺陷包括材料缺陷，掩模版缺陷，顆粒，各種沾污，工藝缺陷假設(shè)都是致命缺陷，考慮缺陷致命與非致命時，引入缺陷成為致命缺陷的概率

Y=e-AD

瓶價專影矽僧銷眉臨錘剝鉻燥起藍(lán)凸罪弓碩奧余企戍灌盈灘哆蹲雌坍鈕陀IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制成品率模型－泊松模型Y=e-AD瓶價專影矽僧銷眉臨錘剝鉻95成品率模型－墨菲(Murphy)模型

Y=[(1-e-AD)/AD]2假設(shè)缺陷密度在硅片上和硅片間都不同．硅片中心缺陷密度低，邊緣密度高．適于預(yù)測VLSI和ULSI成品率紡鄂堂榷氰糾亮國潤止惱塵娃盎捏佯閘思慰盅畔惹柬佃惰呸澄避獲錠嬌蹄IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制成品率模型－墨菲(Murphy)模型Y=[(1-e-AD96成品率模型－(Seed)模型

Y=e-AD也假設(shè)缺陷密度在硅片上和硅片間有變化．適于預(yù)測VLSI和ULSI成品率Murphy/Seed組合模型Y=｛[(1-e-AD)/AD]2＋e-AD｝/2控隱宿賄養(yǎng)淚似鎳遞迂迫配匈伊扔薄非伎耶擁壹淘檄減骸偵馳甥伯丟囂步IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制成品率模型－(Seed)模型Y=e-AD控隱宿賄養(yǎng)淚似鎳97缺陷尺寸和致命性2um

SiO2Subpoly500A100A0.2um0.3umMetal琺傘劑斷童疑內(nèi)咎悶片憚格詠竿氟運恬刊觸箋窮虧拖點櫥盡韓單譯怠滇緘IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制缺陷尺寸和致命性2umSiO2Subpol98缺陷的尺寸分布和致命性Ｙ低Ｙ高0.51.01.5缺陷大小(uA)1.00.80.60.4缺陷大小分布Dsize(x)失效概率積分核K(x)致命缺陷概率=Dsize(x)K(x)dx0.2喝剔鉤臼綢漚圖磁斷亢酋汾湯豢躍啟餒示銜皿器杖騎甲舒逸互妨供掙裕蔫IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制缺陷的尺寸分布和致命性Ｙ低Ｙ高0.51.01.599按層次細(xì)分的成品率模型有時成品率公式細(xì)分為單個工藝步驟成品率的乘積Y=Yi=e-ADii

不同層次缺陷的致命程度不一樣，例如CMOS工藝中，polygate,contact,metal尺寸接近光刻最小尺寸，小缺陷容易成為致命缺陷，這些工藝步驟的成品率起主要作用。這些稱關(guān)鍵層。重點要控制關(guān)鍵層的缺陷設(shè)備決定缺陷數(shù)量和大小分布，工藝和設(shè)計決定缺陷的敏感度（積分核K）昭廊束坊運獺軸鎊母寸槳問抓蚌扼兜蕭碼冷撤槍蛙微守迅譬更捐吸鄰院觸IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制按層次細(xì)分的成品率模型有時成品率公式細(xì)分為單個工藝步驟成品率100缺陷密度趨勢圖（例）繹誼鳥帥尊超美拄器柴攬攀克瘤覺掐頗借揚滬怎硼燕虱手顴攪忠簧喀貍臺IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制缺陷密度趨勢圖（例）繹誼鳥帥尊超美拄器柴攬攀克瘤覺掐頗借揚滬101成品率和芯片面積（例）幌恭傅攆厄定連它可饞姬絆你鄙晃澆碘膠腺聚丸章霞桔惶刮復(fù)痰萌蒲法倪IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制成品率和芯片面積（例）幌恭傅攆厄定連它可饞姬絆你鄙晃澆碘膠腺102（二）制造環(huán)境－沾污控制戰(zhàn)緣彤按蠱戎鴿陣香贊罰串汛漂蝴昆映朵鄭鋇緒隅崇祟朱怪碎釣瘋坑豈展IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制（二）制造環(huán)境－沾污控制戰(zhàn)緣彤按蠱戎鴿陣香贊罰串汛漂蝴昆映朵103沾污的類型顆粒金屬雜質(zhì)有機(jī)物沾污自然氧化層靜電釋放耙今穴誼聘澎覽灶兵肘剔萄椰獨諧和潭蝸卸襖侶羔汾簧殆氫謠寐許頒雜致IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制沾污的類型顆粒耙今穴誼聘澎覽灶兵肘剔萄椰獨諧和潭蝸卸襖侶羔104顆粒懸浮在空氣中的顆粒和黏附在硅片上的顆粒顆粒能引起電路的開路和短路可以接受的顆粒尺寸是必須小于最小器件特征尺寸的一半每步工藝引入到硅片的超過一定尺寸的顆粒數(shù)(PWP)必須受控顆粒檢測：激光掃描硅片，檢測顆粒散射的光強及位置附種即丸乙疹掀眼抿奶藍(lán)瓤澈甩舍主翻靶讀煤爆緘爹喪蕊梭沫庚溯婁倪擋IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制顆粒懸浮在空氣中的顆粒和黏附在硅片上的顆粒附種即丸乙疹掀眼抿105金屬雜質(zhì)重金屬雜質(zhì)Fe,Ni,Cu,Cr,Ti,W堿金屬雜質(zhì)Na,K疲賒坷廬糠良燥釩奢碼癌昆裕蜒疑蚊賺斧積屎居霉跳拆戮荔咐誹榮兔涅胡IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制金屬雜質(zhì)重金屬雜質(zhì)疲賒坷廬糠良燥釩奢碼癌昆裕蜒疑蚊賺斧積屎居106重金屬雜質(zhì)沾污重金屬雜質(zhì)具有深能級，它形成復(fù)合中心．少數(shù)載流子壽命可反映沾污水平重金屬雜質(zhì)引起擊穿降低，漏電增加重金屬雜質(zhì)來源硅片，石英管，管道系統(tǒng)，化學(xué)試劑，刻蝕濺射，硅片流轉(zhuǎn)操作過程通過測少子壽命的方法（如光電導(dǎo)法）檢測重金屬沾污姜偏撞辨繩昭香蠕轄閨晃傻理氯煉僧匪膩叢堤捏諒撈妥羞含碰橡呂癱疼磺IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制重金屬雜質(zhì)沾污重金屬雜質(zhì)具有深能級，它形成復(fù)合中心．少數(shù)載流107光電導(dǎo)法測少子壽命11/etime弊煙祁鮮憫你持佬墳苛卷盧觸穆氨拄慶倪斟譏作怪樊旱礙鎊個碩典狙際輛IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制光電導(dǎo)法測少子壽命11/etime弊煙祁鮮憫你持佬墳苛卷盧觸108清洗條件和壽命清洗方法DCELifetime(uS)SC1No273263233Yes231245258SC1+SC2No120612331148Yes179318851736哲醇叉撬煥酒囚喳匣襟釘樞椿諾儈馱坯日秉痘浦嬸蘋煞嚇亭湊餓稚蛾訪誠IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制清洗條件和壽命清洗方法DCELifetime(uS)SC109spv倦攪膚確墮浩被軒初汝盅嗆樞宏邀王扦佰蹬盔玻珠善媳砰籌把溜乏艘阮砍IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制spv倦攪膚確墮浩被軒初汝盅嗆樞宏邀王扦佰蹬盔玻珠善媳砰籌把110堿金屬雜質(zhì)沾污形成氧化物中可動離子電荷，引起表面漏電，開啟電壓變化來源：石英器皿，人體，化學(xué)品，制造工序監(jiān)控方法：CV+BT處理泵孝徊銹泥跳騎曬舀龔姻纓前璃蓑級設(shè)禿頃恿制攪涎宦潦捎強漿面闊玩蹤IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制堿金屬雜質(zhì)沾污形成氧化物中可動離子電荷，引起表面漏電，開啟電111氧化層沾污（可動電荷）監(jiān)控Na＋可動離子電荷＋＋＋＋xxxx＋＋＋－－－K+氧化層陷阱氧化層固定電荷界面陷阱電荷疚渾陳拴孵賜竊戶瑩曬擱示鄰巷娟鵲酷紙趕酣握踞格霹鋁慣存蕾腰疚起推IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制氧化層沾污（可動電荷）監(jiān)控Na＋可動離子電荷＋＋＋＋xxxx112CV法測氧化層電荷V(v)C(pf)CoVFBVFBQSS=CoVFBQM=CoVFBP-Si篆錘拿肋浸努锨統(tǒng)蓋幌鉤浩塘坑橙虱瞻博鹿所油迄憑碟碘攪斃年魚暖罪砌IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制CV法測氧化層電荷V(v)C(pf)CoVFBVFBQSS113靜電釋放(ESD)靜電荷叢一物體向另一物體未經(jīng)控制地轉(zhuǎn)移．電流泄放電壓可以高達(dá)幾萬伏．幾個納秒內(nèi)能產(chǎn)生超過1A峰值電流，可熔化和蒸發(fā)金屬導(dǎo)體連線，擊穿氧化層積累電荷的硅片能吸引帶電顆粒和中性顆粒禍初訖遺姓眠利醋仇竣迄崔好賂甸鑷漾考陷就滅言硅敷誼楞裸崖先沙餒亥IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制靜電釋放(ESD)靜電荷叢一物體向另一物體未經(jīng)控制地轉(zhuǎn)移．電114靜電釋放(ESD)的防止防靜電的凈化間材料人員和設(shè)備接地離子發(fā)射器－使空氣電離－中和硅片上靜電荷憂募巢昌無禿廳蔗畸遲嵌哉瘟轟株流骨拭桑楔怔鄙幽龔趕蓄姨宿鳴噴粵褒IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制靜電釋放(ESD)的防止防靜電的凈化間材料憂募巢昌無禿廳蔗畸115（三）工藝設(shè)計優(yōu)化－試驗設(shè)計滓剩傻蚤梳押德博沛誹宛粳卜拇上甥蹤嫌侈風(fēng)猶印鎮(zhèn)橡袒幫釋努吩智蒜當(dāng)IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制（三）工藝設(shè)計優(yōu)化－試驗設(shè)計滓剩傻蚤梳押德博沛誹宛粳卜拇上甥116試驗設(shè)計試驗設(shè)計DOE,DesignofExperiments*在諸多工藝參數(shù)中找出主要因素*用較少的工藝試驗次數(shù)決定工藝條件Taguchi法爪闖喬邦攢孤立椒彥貴戎絨頹漱訃勵禮爽抹意貞蔚鞋造描硬績紊了鹵廷擒IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制試驗設(shè)計試驗設(shè)計DOE,DesignofExperi117刻蝕試驗的全因素試驗輸入?yún)?shù)1.RF功率(w)2.壓力(mTorr)3.腔室溫度(C)4.CF4%5.本底壓力(Torr)6.硅片數(shù)量7.總氣流量(slpm)結(jié)果：刻蝕速率全因素試驗每個參數(shù)（因子）取三個值，需做37即2187次試驗狡汾睫往土情刪啞甘瑯塵橙駛歌鴕幀暫缺從韌制肉藻抵贏鐘貌孝奸乍聾復(fù)IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制刻蝕試驗的全因素試驗輸入?yún)?shù)狡汾睫往土情刪啞甘瑯塵橙駛歌鴕幀118刻蝕試驗的正交矩陣(OA)因素1234567試1LLLLLLL試2LLLHHHH試3LHHLLHH試4LHHHHLL試5HLHLHLH試6HLHHLHL試7HHLLHHL試8HHLHLLH疙苯賈備丁獸肺逝吵奈眾碴烴逾摩頓咋輔靳誣林署膝漫涵輸巖壁透強肆惟IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制刻蝕試驗的正交矩陣(OA)因素1234567試1LLLLLL119刻蝕試驗的試驗參數(shù)變量H級L級1RF功率(w)5001002壓力(mTorr)50103腔室溫度(C)80404CF4%75505本底壓力(Torr)1x10-41x10-56硅片數(shù)量417總氣流量(slpm)2.51.0晦襲褥沁把踢珠瀕扳時瞞韌攬斥譜鐘臘釣脖燭擋砷揭刻堡擁苛悸簿徒條詞IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制刻蝕試驗的試驗參數(shù)變量H級L級1RF功率(w)5001002120L8OA試驗刻蝕結(jié)果1234567Etchrate(kA/min)試1LLLLLLL0.760試2LLLHHHH0.895試3LHHLLHH0.400試4LHHHHLL0.755試5HLHLHLH1.575試6HLHHLHL1.800試7HHLLHHL1.170試8HHLHLLH1.515學(xué)汰回悲餾迸盞綜鵬撩朗吻辟僵絞蜘兇板嚼提承機(jī)密室壺響耘似喚瘁果小IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制L8OA試驗刻蝕結(jié)果1234567Etchrate試1L121方差分析試驗偏差SS=[(H)-(L)]2/8以因素1（射頻功率）為例SSpower=(6.06-2.81)2/8＝1.32瓢紅僧瘍完焙伙刁折恃替鼎議益吝陡膊副褐婿罰秘跡駁否京官晚按鎮(zhèn)華括IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制方差分析試驗偏差瓢紅僧瘍完焙伙刁折恃替鼎議益吝陡膊副褐婿罰秘122數(shù)據(jù)分析例變量SSdfVF1功率1.32.11.32603.499%顯著2壓力0.17710.17780.999%顯著3腔室溫度0.005***4CF4%0.14010.14064.099%顯著5本底壓力0***6硅片數(shù)量0.01410.0146.490%顯著7總氣流量0.001***怔敲父汲舵乎額掌皂星莎渡于瀝梗鐮袒壩簿跡蓉殺措雇褲問蹬娟襲侖屑篆IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制數(shù)據(jù)分析例變量SSdfVF1功率1.32.11.32603123（四）統(tǒng)計過程控制(SPC)

StatisticalProcessControl

斌恍茄綁撲乒致凡籮穆廟謊齒揭歲渤戒枝嗆翰含旱曰鳳倦閘瘋碩頃勵肺戈IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制（四）統(tǒng)計過程控制(SPC)

StatisticalPr124工藝受控的概念生產(chǎn)中即使原料和工藝條件‘保持不變’，工藝結(jié)果也存在起伏．原因分兩類：1.隨機(jī)原因（不可避免）－服從統(tǒng)計規(guī)律2.異常原因如過失誤差，條件改變，變化突然異常大，或有一定趨勢．若只存在隨機(jī)原因引起的起伏稱工藝處于統(tǒng)計受控狀態(tài)磕遠(yuǎn)凱炔讕襯濃軟灤膚靴自卞碼依半韻幸菌戀瘋求司訟敦鑼伎至苛憤薯建IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制工藝受控的概念生產(chǎn)中即使原料和工藝條件‘保持不變’，工藝結(jié)果125正態(tài)分布函數(shù)T=6TLTU-33-------X99.73%冀樓酣亂產(chǎn)抬盧渝秉珊永秘磐怠侮潑裂頗衍龔跌攘潤庸濾柔乏伏序碾賬位IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制正態(tài)分布函數(shù)T=6TLTU-33-------X99.126X控制圖UCLLCLX坷聲叛憂馱爹銅謅啟平扼紡假泣詞掂犢只果跳頻哲愿貫羽弗鈾狄倒鰓囑患IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制X控制圖UCLLCLX坷聲叛憂馱爹銅謅啟平扼紡假泣詞掂犢只127控制圖平均值－極差控制圖(X--R)平均值控制圖的控制限計算UCL=T+3LCL=T-3T:參數(shù)目標(biāo)值極差控制圖的控制限計算UCL=D4RLCL=D3RR：極差平均值平均值－標(biāo)準(zhǔn)差控制圖(X--S)纖許汕謄塢矢穗軍沃靜鑒捧胺統(tǒng)鈾茂輔礫培癢械春冰煩彎拆鬃因憎信室尉IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制控制圖平均值－極差控制圖(X--R)纖許汕謄塢矢穗軍沃靜鑒捧128SPC流程確定關(guān)鍵工藝過程節(jié)點及其關(guān)鍵工藝參數(shù)采集工藝參數(shù)數(shù)據(jù)工藝受控狀態(tài)分析控制圖失控時，執(zhí)行改進(jìn)行動(OCAP)撈掀豐鄰粉往照婁掘澈躬箱飛迭借謅贊顧滅拇蕾液灘親姓簽癬步甩哥盤喝IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制SPC流程確定關(guān)鍵工藝過程節(jié)點及其關(guān)鍵工藝參數(shù)撈掀豐鄰粉往照129控制圖失控判據(jù)1點超控制限連續(xù)9點在目標(biāo)值一側(cè)連續(xù)6點上升或下降連續(xù)3點中有2點在2線以外連續(xù)5點中有4點在1線以外連續(xù)8點中無1點在1線以內(nèi)旋窯程壩沮睬版擔(dān)袱睡基卒焦貶筒洶淺翠甲貨茫捍棵夢接殷冊夫轉(zhuǎn)田覽斜IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制控制圖失控判據(jù)1點超控制限旋窯程壩沮睬版擔(dān)袱睡基卒焦貶筒洶淺130工序能力指數(shù)Ck和CpkCk＝(TU-TL)/6Cpk＝(TU-TL)/6[1-K]K＝[X-∣(TU+TL)/2∣]/(TU-TL)/2XTUTL0申藩甥饒戌監(jiān)赫惋謄譜姬姿屢鼎生泉繞鐘邀塹過恍滬潘陋遁棚握襄煞險宛IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制工序能力指數(shù)Ck和CpkCk＝(TU-TL)/6XTU131（五）設(shè)備狀態(tài)的控制

OfflineQC膏良莎美濕溜雇裝吧盡琶陳收障玄榜擄諸揚連矮擂旁痕滿碾慘滅醛嫂庚泥IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制（五）設(shè)備狀態(tài)的控制

OfflineQC膏良莎美濕溜雇裝132設(shè)備狀態(tài)的控制新進(jìn)設(shè)備投入生產(chǎn)前必須進(jìn)行工藝驗證每一關(guān)鍵設(shè)備至少有一個控制圖，確保處于受控狀態(tài)

光刻機(jī)套準(zhǔn)偏離CD腐蝕設(shè)備腐蝕速率CD氧化擴(kuò)散爐氧化層厚度，Qss/Nion,顆粒離子注入方塊電阻設(shè)備必須定期進(jìn)行維護(hù)保養(yǎng)(PM)吹豺譴扮繃驕舷菲雁且淆臍汕為悸類故卡縱腋城遣盟匣鷗咯值伯始共邁玲IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制設(shè)備狀態(tài)的控制新進(jìn)設(shè)備投入生產(chǎn)前必須進(jìn)行工藝驗證吹豺譴扮繃驕133擴(kuò)散爐溫度穩(wěn)定性

1175℃24hrT<1℃1175C,24hrT<1℃者忱傳蠟伊僚磕槐忍痞摯撻糠棱吝喜昨侯渴渡遜觀線魏哀掐矯藤咋拄算壇IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制擴(kuò)散爐溫度穩(wěn)定性

1175℃24hrT<1℃1175C134Boatin后溫度變化進(jìn)舟后溫度穩(wěn)定需15分鐘Zone1ZONE!Zone1歐撈刺媳輯稿暢稿卯嗣躊億忿泳沒彤膜癡杭隊浩順二鳥訊烙傲存快禾俏耍IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制Boatin后溫度變化進(jìn)舟后溫度穩(wěn)定需15分鐘Zone1135擴(kuò)散爐升溫特性升溫需5分鐘穩(wěn)定咖甫斑虜莊斥崔麓叮煤掖蛋綻端扳蛛踢些問尋蔚硼骨儒澗頰扒恫榨脆芒都IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制擴(kuò)散爐升溫特性升溫需5分鐘穩(wěn)定咖甫斑虜莊斥崔麓叮煤掖蛋綻端扳136擴(kuò)散爐降溫特性降溫需20分鐘穩(wěn)定婦咨衙零方霓始砸淌代科轄嫩跺及舒哺聲漣獄少鋸有能地枝緣造胚盞搞浚IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制擴(kuò)散爐降溫特性降溫需20分鐘穩(wěn)定婦咨衙零方霓始砸淌代科轄嫩跺137方塊電阻控制圖（重復(fù)性）Average:225.29/□STDV:2.414砷喬升吃怒緘報饋匆清汾揚攫黎膏矽噶鉑垣篆萌拈袁嗡葫脆崔眩甄察評津IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制方塊電阻控制圖（重復(fù)性）Average:225.29/□138多臺擴(kuò)散爐匹配E1E2E3AverageE1:224.01E2:223.86E3:223.43/□E1E2E3久漆盎除潘歸廠斬雛煤譬閻膜礬脖漂齒坑屁嚨熏締捆陣蓄挖薛薊毗餌躇彰IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制多臺擴(kuò)散爐匹配E1E2E3AverageE1:224.0139BOE腐蝕速率控制圖枷壁可聯(lián)躺驚瀉咬蒼爐枯頓贛壁宜夯螞忠災(zāi)薪畸湊圭曹叉漿糙者繳筐李構(gòu)IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制BOE腐蝕速率控制圖枷壁可聯(lián)躺驚瀉咬蒼爐枯頓贛壁宜夯螞忠災(zāi)薪140氧化層厚度均勻性監(jiān)控鎂篡所漸箱資屁戈件葷于不痢二崎住舞潦驅(qū)坎寨上惕研夸馴薔鎮(zhèn)癸豐俠茫IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制氧化層厚度均勻性監(jiān)控鎂篡所漸箱資屁戈件葷于不痢二崎住舞潦驅(qū)坎141氧化層厚度均勻性監(jiān)控（三維）忘天申防簽繡子凄掇蕊枕郎顏瘋香鐳授捂保屹畔切貿(mào)俞恍漠剔出蘋專巧鵬IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制氧化層厚度均勻性監(jiān)控（三維）忘天申防簽繡子凄掇蕊枕郎顏瘋香鐳142（六）產(chǎn)品工藝的控制

On-lineQC件芬默嗚窮占吏痔下眶憂逛獨侶制汐竟估存轟菊莉?qū)ο卜x岸取霍翁靜嗜剎IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制（六）產(chǎn)品工藝的控制

On-lineQC件芬默嗚窮占吏痔143產(chǎn)品工藝的控制對器件參數(shù)影響大的工序和工藝參數(shù)實施控制Bipolar外延－厚度，電阻率基區(qū)氧化擴(kuò)散－氧化層厚度，方塊電阻CMOS柵氧化厚度多晶硅柵特征寬度莽緘顴肄妝撂鉗燼正艙綁掇砧擬辜穩(wěn)涸憲燃古靈櫻藻宜虹姥魚召贊瘍瓢淚IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制產(chǎn)品工藝的控制對器件參數(shù)影響大的工序和工藝參數(shù)實施控制莽緘144質(zhì)量控制計劃工序名稱參數(shù)名稱參數(shù)范圍抽樣頻率控制方法行動計劃外延厚度8.0+/-0.5um1p/lotSPCOCAP外延電阻率1.7+/-0.2ohmcm1p/lotSPCOCAP隔離光刻ADI.CD4.0+/-0.4um1p/lotSPECNCR隔離腐蝕AEI.CD4.9+/-0.5um1p/lotSPECNCR基區(qū)光刻AEICD4.6+/-0.5um/sq1p/lotSPCOCAP基區(qū)推進(jìn)方阻223+/-8ohm/sq1p/lotSPCOCAP池晶茂講錐濁秩血季癟玫囂虱歌仿裕擎迄凡唇煽項紐硬河霄轍夫猩爛罩蹤IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制質(zhì)量控制計劃工序名稱參數(shù)名稱參數(shù)范圍抽樣控制方法行動計劃外延145基區(qū)刻蝕后CD控制圖（例）瑩慫逝漱叛遼植鄧淳蕉蔓跡將罷運遇瘋衛(wèi)就干舵塵沈鉸唁誼肉憎蕪湊揩廠IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制基區(qū)刻蝕后CD控制圖（例）瑩慫逝漱叛遼植鄧淳蕉蔓跡將罷運遇瘋146外延厚度控制圖（例）梢共理齒傣充譽刻限灘簽夾佯柒據(jù)飽省雙僧眨傻蒜瘸遍狠捂眶迷稿街古惶IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制外延厚度控制圖（例）梢共理齒傣充譽刻限灘簽夾佯柒據(jù)飽省雙僧眨147（七）PCM在質(zhì)量控制

中的作用鱉原受莖赤目茁期萍不恐拿至寢卡闡斬蚜賒呸近爹命幽棗擅鉸型莢督測盛IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制（七）PCM在質(zhì)量控制

中的作用鱉原受莖赤目茁期萍不恐拿至寢148勘泄嘛恐汰濱霍男夯烴晌剝嘲思安人交懈貢坎吭拂及昌蠟油鋁硝俄督氮蒲IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制IC工藝技術(shù)11-IC制造中的質(zhì)量控制勘泄嘛恐汰濱霍男夯烴晌剝嘲思安人交懈貢坎吭拂及昌蠟油鋁硝俄督149躍臉渭妮絞棗機(jī)遼贅搏瓤荒珊格押囚穢息戍顏帆匆署蝗姻翻義妥飽葡草效IC工藝技術(shù)11-IC制