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模擬電路學(xué)習(xí)筆記1、同相放大電路加在兩輸入端的電壓大小接近相等2、反相放大電路的重要特征是“虛地”的概念3、PN結(jié)具有一種很好的數(shù)學(xué)模型:開關(guān)模型G二極管誕生了d再來一個(gè)PN結(jié),三極管誕生了4、高頻電路中,必須考慮PN結(jié)電容的影響(正向偏置為擴(kuò)散電容,反相偏置為勢(shì)壘電容)5、點(diǎn)接觸型二極管適用于整流,面接觸型二極管適用于高頻電路6、硅管正向?qū)▔航?.7V,錯(cuò)管為0.2V7、齊納二極管(穩(wěn)壓管)工作于反向擊穿狀態(tài)8、肖特基二極管(Schottky,SBD)適用于高頻開關(guān)電路,正向壓降和反相壓降都很低(0.2V)但是反向擊穿電壓較低,漏電流也較大9、光電二極管(將光信號(hào)轉(zhuǎn)為電信號(hào))10、二極管的主要參數(shù):最大整流電流,最大反相電壓,漏電流11、三極管有發(fā)射極(濃度最高),集電極,基極(濃度最低)。箭頭寫在發(fā)射極上面其中P型襯底一般與柵極g相連21、增強(qiáng)型FET必須依靠柵源電壓Vgs才能起作用(開啟電壓Vt),耗盡型FET則不需要柵源電壓,在正的Vds作用下,就有較大的漏極電流流向源極(如果加負(fù)的Vgs,那么可能出現(xiàn)夾斷,此時(shí)的電壓成為夾斷電壓Vp***重要特性***:可以在正負(fù)的柵源電壓下工作)22、N溝道的MOS管需要正的Vds(相當(dāng)于三極管加在集電極的Vcc)和正的Vt(相當(dāng)于三極管基極和發(fā)射極的Vbe),而P溝道的MOS管需要負(fù)的Vds和負(fù)的Vt23、MOSFET主要參數(shù):開啟電壓Vt,夾斷電壓Vp。極限參數(shù):最大漏極電流1dm,最大耗散功率Pdm24、MOSFET三種放大電路:共源極放大電路(共射極),共漏極放大電路(共集電極),共柵極放大電路(共基極)25、差分式放大電路:差模信號(hào):兩輸入信號(hào)之差。共模信號(hào):兩輸入信號(hào)之和除以2O由此:用差模與共模的定義表示兩輸入信號(hào)可得到一個(gè)重要的數(shù)學(xué)模型:任意一個(gè)輸入信號(hào)二共模信號(hào)土差模信號(hào)/226、差分式放大電路只放大差模信號(hào),抑制共模信號(hào)。利用這個(gè)特性,可以很好的抑制溫度等外界因素的變化對(duì)電路性能的影響。具體的性能指標(biāo):共模抑制比Kcmr27、集成運(yùn)放的溫度漂移是漂移的主要來源28、集成運(yùn)放的參數(shù):最大輸出電流,最大輸出電壓29、VCC是電路的供電電壓,VDD是芯片的工作電壓30、放大電路的干擾:1、將電源遠(yuǎn)離放大電路2、輸入級(jí)屏蔽3、直流電源電壓波動(dòng)(采用穩(wěn)壓電源,輸入和輸出加上濾波電容)31、負(fù)反應(yīng)放大電路的四種組態(tài):電壓串聯(lián)負(fù)反應(yīng)(穩(wěn)定輸出電壓),電壓并聯(lián)負(fù)反應(yīng),電流串聯(lián)負(fù)反應(yīng)(穩(wěn)定輸出電流),電流并聯(lián)負(fù)反應(yīng)32、電壓、電流反應(yīng)判定方法:輸出短路法,設(shè)RL=O,如果反應(yīng)信號(hào)不存在,為電壓反應(yīng),反之,則為電流反應(yīng)。33、串聯(lián)、并聯(lián)反應(yīng)的判定方法:反應(yīng)信號(hào)與輸入信號(hào)的求和方式,若為電壓形式,則為串聯(lián)反應(yīng),若為電流形式,則為并聯(lián)反應(yīng)34、功率放大電路的類別:甲類(全部)、甲乙類(50%以上)、乙類(50%)(按照輸入信號(hào)在整個(gè)周期流經(jīng)器件大于0的百分比)35、RC振蕩電路適用于低頻,LC振蕩電路適用于高頻電路36、電壓比較器,時(shí)滯比較器,集成電壓比較器,方波產(chǎn)生電路,鋸齒波產(chǎn)生電路37、直流穩(wěn)壓電源:電源變壓器d整流電路4濾波電路a穩(wěn)壓電路38、濾波電路:利用電抗元件的儲(chǔ)能作用,可以起到很好的濾波作用。電感(串聯(lián),大功率)和電容(并聯(lián),小功率)均可以起到平波的作用。39、開關(guān)穩(wěn)壓電源與線性電源:線性電源,效率低、發(fā)熱強(qiáng)、但是輸出很穩(wěn)定。開關(guān)
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