模擬電路學(xué)習(xí)筆記

模擬電路學(xué)習(xí)筆記1、同相放大電路加在兩輸入端的電壓大小接近相等2、反相放大電路的重要特征是“虛地”的概念3、PN結(jié)具有一種很好的數(shù)學(xué)模型：開關(guān)模型G二極管誕生了d再來一個(gè)PN結(jié)，三極管誕生了4、高頻電路中，必須考慮PN結(jié)電容的影響（正向偏置為擴(kuò)散電容，反相偏置為勢(shì)壘電容）5、點(diǎn)接觸型二極管適用于整流，面接觸型二極管適用于高頻電路6、硅管正向?qū)▔航?.7V,錯(cuò)管為0.2V7、齊納二極管（穩(wěn)壓管）工作于反向擊穿狀態(tài)8、肖特基二極管（Schottky,SBD）適用于高頻開關(guān)電路,正向壓降和反相壓降都很低（0.2V）但是反向擊穿電壓較低，漏電流也較大9、光電二極管（將光信號(hào)轉(zhuǎn)為電信號(hào)）10、二極管的主要參數(shù)：最大整流電流，最大反相電壓，漏電流11、三極管有發(fā)射極（濃度最高），集電極，基極（濃度最低）。箭頭寫在發(fā)射極上面其中P型襯底一般與柵極g相連21、增強(qiáng)型FET必須依靠柵源電壓Vgs才能起作用（開啟電壓Vt）,耗盡型FET則不需要柵源電壓，在正的Vds作用下，就有較大的漏極電流流向源極（如果加負(fù)的Vgs,那么可能出現(xiàn)夾斷，此時(shí)的電壓成為夾斷電壓Vp***重要特性***：可以在正負(fù)的柵源電壓下工作）22、N溝道的MOS管需要正的Vds（相當(dāng)于三極管加在集電極的Vcc）和正的Vt（相當(dāng)于三極管基極和發(fā)射極的Vbe）,而P溝道的MOS管需要負(fù)的Vds和負(fù)的Vt23、MOSFET主要參數(shù)：開啟電壓Vt,夾斷電壓Vp。極限參數(shù)：最大漏極電流1dm,最大耗散功率Pdm24、MOSFET三種放大電路：共源極放大電路（共射極），共漏極放大電路（共集電極），共柵極放大電路（共基極）25、差分式放大電路：差模信號(hào)：兩輸入信號(hào)之差。共模信號(hào)：兩輸入信號(hào)之和除以2O由此：用差模與共模的定義表示兩輸入信號(hào)可得到一個(gè)重要的數(shù)學(xué)模型：任意一個(gè)輸入信號(hào)二共模信號(hào)土差模信號(hào)/226、差分式放大電路只放大差模信號(hào)，抑制共模信號(hào)。利用這個(gè)特性，可以很好的抑制溫度等外界因素的變化對(duì)電路性能的影響。具體的性能指標(biāo)：共模抑制比Kcmr27、集成運(yùn)放的溫度漂移是漂移的主要來源28、集成運(yùn)放的參數(shù)：最大輸出電流，最大輸出電壓29、VCC是電路的供電電壓，VDD是芯片的工作電壓30、放大電路的干擾：1、將電源遠(yuǎn)離放大電路2、輸入級(jí)屏蔽3、直流電源電壓波動(dòng)（采用穩(wěn)壓電源，輸入和輸出加上濾波電容）31、負(fù)反應(yīng)放大電路的四種組態(tài)：電壓串聯(lián)負(fù)反應(yīng)（穩(wěn)定輸出電壓），電壓并聯(lián)負(fù)反應(yīng)，電流串聯(lián)負(fù)反應(yīng)（穩(wěn)定輸出電流），電流并聯(lián)負(fù)反應(yīng)32、電壓、電流反應(yīng)判定方法：輸出短路法，設(shè)RL=O,如果反應(yīng)信號(hào)不存在，為電壓反應(yīng)，反之，則為電流反應(yīng)。33、串聯(lián)、并聯(lián)反應(yīng)的判定方法：反應(yīng)信號(hào)與輸入信號(hào)的求和方式，若為電壓形式，則為串聯(lián)反應(yīng)，若為電流形式，則為并聯(lián)反應(yīng)34、功率放大電路的類別：甲類（全部）、甲乙類（50%以上）、乙類（50%）（按照輸入信號(hào)在整個(gè)周期流經(jīng)器件大于0的百分比）35、RC振蕩電路適用于低頻，LC振蕩電路適用于高頻電路36、電壓比較器，時(shí)滯比較器，集成電壓比較器，方波產(chǎn)生電路，鋸齒波產(chǎn)生電路37、直流穩(wěn)壓電源：電源變壓器d整流電路4濾波電路a穩(wěn)壓電路38、濾波電路：利用電抗元件的儲(chǔ)能作用，可以起到很好的濾波作用。電感（串聯(lián)，大功率）和電容（并聯(lián)，小功率）均可以起到平波的作用。39、開關(guān)穩(wěn)壓電源與線性電源：線性電源，效率低、發(fā)熱強(qiáng)、但是輸出很穩(wěn)定。開關(guān)