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第四節(jié)離子晶體第三章晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)第四節(jié)離子晶體第三章1學(xué)習(xí)目標(biāo):1、理解離子晶體的結(jié)構(gòu)模型及其性質(zhì)的一般特點(diǎn)。2、了解離子晶體中離子晶體配位數(shù)及其影響因素。
3、了解決定離子晶體結(jié)構(gòu)的重要因素。重點(diǎn)、難點(diǎn):離子晶體配位數(shù)及其影響因素學(xué)習(xí)目標(biāo):1、理解離子晶體的結(jié)構(gòu)模型及其性質(zhì)的一般特點(diǎn)。2知識回顧:離子鍵1.定義:2.構(gòu)成離子鍵的粒子:3.作用力:4.形成條件:5.離子鍵特征:6.離子化合物:陰、陽離子靜電作用帶相反電荷離子之間的相互作用稱為離子鍵通常由活潑金屬和活潑非金屬形成由離子鍵構(gòu)成的化合物無方向性、無飽和性知識回顧:離子鍵1.定義:陰、陽離子靜電作用帶相反電荷離子3環(huán)節(jié)一:感知離子晶體的魅力
瑩石CaF2
膽礬CuSO4·5H2O
明礬KAl(SO4)2·12H2O氯化鈉環(huán)節(jié)一:感知離子晶體的魅力瑩石CaF2膽礬Cu4環(huán)節(jié)一:感知離子晶體的魅力環(huán)節(jié)一:感知離子晶體的魅力5強(qiáng)堿、活潑金屬氧化物、大部分的鹽類。1、定義:由陽離子和陰離子通過離子鍵結(jié)合而成的晶體。2、成鍵粒子:陰、陽離子3、相互作用力:離子鍵4、常見的離子晶體:一、離子晶體環(huán)節(jié)二:
認(rèn)識離子晶體強(qiáng)堿、活潑金屬氧化物、大部分的鹽類。1、定義:由陽離子和陰離6(2)硬度
。5.離子晶體物理性質(zhì)的特點(diǎn):(1)熔沸點(diǎn)
,難揮發(fā)難壓縮。較高較大(3)水溶性(4)導(dǎo)電性離子電荷越多,核間距離越小,熔沸點(diǎn)升高。一般易溶于水,而難溶于非極性溶劑。固態(tài)不導(dǎo)電,水溶液或者熔融狀態(tài)下能導(dǎo)電。(2)硬度。5.離子晶體7NaCl型CsCl型CaF2型環(huán)節(jié)三:
探究晶胞結(jié)構(gòu)二、晶胞類型NaCl型CsCl型CaF2型環(huán)節(jié)三:探究晶胞結(jié)構(gòu)二、晶胞81.粒子位置:2.晶胞粒子數(shù):3.正負(fù)離子配位數(shù)比:4.Na+周圍最近的Na+數(shù):Cl-周圍最近的Cl-數(shù):5.負(fù)離子堆積方式:6.正離子所占空隙:觀察1:氯化鈉晶胞結(jié)構(gòu)1.粒子位置:觀察1:氯化鈉晶胞結(jié)構(gòu)91.粒子位置:2.晶胞粒子數(shù):3.正負(fù)離子配位數(shù)比:4.Na+周圍最近的Na+數(shù):Cl-周圍最近的Cl-數(shù):5.負(fù)離子堆積方式:6.正離子所占空隙:6:6面心立方最密堆積NaCl型4個(gè)Cl-,4個(gè)Na+Cl-位于頂點(diǎn)和面心Na+位于棱心和體心1212正八面體觀察1:氯化鈉晶胞結(jié)構(gòu)1.粒子位置:6:6面心立方最密堆積NaCl型4個(gè)Cl-,101.粒子位置:2.晶胞粒子數(shù):3.正負(fù)離子配位數(shù)比:4.Cs+周圍最近的Cs+數(shù):Cl-周圍最近的Cl-數(shù):5.負(fù)離子堆積方式:6.正離子所占空隙:8:8簡單立方CsCl型1個(gè)Cl-,1個(gè)Cs+Cl-位于頂點(diǎn)Cs+位于體心66正方體觀察2:氯化銫晶胞結(jié)構(gòu)1.粒子位置:8:8簡單立方CsCl型1個(gè)Cl-,1個(gè)C11CsCl晶體的結(jié)構(gòu)模型展示小組探究CsCl晶體的結(jié)構(gòu)模型展示12觀察3:CaF2型晶胞2°Ca2+的配位數(shù):F-的配位數(shù):1°一個(gè)CaF2晶胞中含:4個(gè)Ca2+和8個(gè)Fˉ84Ca2+F-3°負(fù)離子堆積方式:
簡單立方觀察3:CaF2型晶胞2°Ca2+的配位數(shù):F-的配位數(shù):113科學(xué)探究1:找出NaCl、CsCl兩種離子晶體中陽離子和陰離子的配位數(shù),它們是否相等?離子晶體陰離子的配位數(shù)陽離子的配位數(shù)NaClCsCl6688科學(xué)探究1:找出NaCl、CsCl兩種離子晶體中陽離子和陰離14科學(xué)探究2:你認(rèn)為是什么因素決定了離子晶體中離子的配位數(shù)?根據(jù)表3—5、表3—6分析影響離子晶體中離子配位數(shù)的因素。配位數(shù)468半徑比0.2~0.40.4~0.70.7~1.0空間構(gòu)型ZnSNaClCsCl科學(xué)探究2:你認(rèn)為是什么因素決定了離子晶體中離子的配位數(shù)?根15陰、陽粒子的半徑比探究1半徑比與晶體結(jié)構(gòu)的關(guān)系?結(jié)論:AB型離子晶體:正負(fù)離子的半徑比越大,離子的配位數(shù)越高陰、陽粒子的半徑比探究1半徑比與晶體結(jié)構(gòu)的關(guān)系?結(jié)論:AB型16陰、陽粒子的半徑比探究1半徑比與晶體結(jié)構(gòu)的關(guān)系?探究2決定晶體結(jié)構(gòu)的其他因素?陰、陽粒子的半徑比探究1半徑比與晶體結(jié)構(gòu)的關(guān)系?探究2決定晶17Ca2+F-Ca2+配位數(shù):8配位多面體:立方體Ca2+F-Ca2+配位數(shù):818Ca2+F-F-配位數(shù):4配位多面體:正四面體Ca2+F-F-配位數(shù):419決定晶體結(jié)構(gòu)的因素幾何因素、電荷因素、鍵性因素陰、陽粒子的半徑比陰、陽粒子的電荷比離子鍵的純粹因素決定晶體結(jié)構(gòu)的因素幾何因素、電荷因素、鍵性因素陰、陽粒子的半20三.決定離子晶體配位數(shù)的因素(1)幾何因素:(3)鍵性因素(2)電荷因素:晶體中正負(fù)離子的半徑比晶體中正負(fù)離子的電荷比離子鍵的純粹因素AB型離子晶體:正負(fù)離子的半徑比越大,離子的配位數(shù)越高正負(fù)離子電荷比=配位數(shù)之比=正負(fù)離子數(shù)目的反比三.決定離子晶體配位數(shù)的因素(1)幾何因素:(3)鍵性因素21基礎(chǔ)性1、下列含有極性鍵的離子晶體是()①醋酸鈉②氫氧化鉀③金剛石④乙醇⑤氯化鈣
A、①②⑤B、①②C、①④⑤D、①⑤2、下列說法正確的是()
A、一種金屬元素和一種非金屬元素一定能形成離子化合物
B、離子鍵只存在于離子化合物中
C、共價(jià)鍵只存在于共價(jià)化合物中
D、離子化合物中必定含有金屬元素3、CsCl晶體中Cs+的C.N.是____Cl-的C.N.是_____.CaF2晶體中Ca2+的C.N.是____F-的C.N.是___
已知KCl的晶體結(jié)構(gòu)與NaCl的相似,則KCl晶體中K+的C.N.是____Cl-的C.N.是___.BBB888466基礎(chǔ)性1、下列含有極性鍵的離子晶體是()BBB8221.完成校本教材效果自測2.推測烯烴的性質(zhì)1.完成校本教材效果自測2.總結(jié)四類晶體的性質(zhì)1.完成校本教材效果自測1.完成校本教材效果自測23謝謝觀看!謝謝觀看!24再見!再見!25第四節(jié)離子晶體第三章晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)第四節(jié)離子晶體第三章26學(xué)習(xí)目標(biāo):1、理解離子晶體的結(jié)構(gòu)模型及其性質(zhì)的一般特點(diǎn)。2、了解離子晶體中離子晶體配位數(shù)及其影響因素。
3、了解決定離子晶體結(jié)構(gòu)的重要因素。重點(diǎn)、難點(diǎn):離子晶體配位數(shù)及其影響因素學(xué)習(xí)目標(biāo):1、理解離子晶體的結(jié)構(gòu)模型及其性質(zhì)的一般特點(diǎn)。27知識回顧:離子鍵1.定義:2.構(gòu)成離子鍵的粒子:3.作用力:4.形成條件:5.離子鍵特征:6.離子化合物:陰、陽離子靜電作用帶相反電荷離子之間的相互作用稱為離子鍵通常由活潑金屬和活潑非金屬形成由離子鍵構(gòu)成的化合物無方向性、無飽和性知識回顧:離子鍵1.定義:陰、陽離子靜電作用帶相反電荷離子28環(huán)節(jié)一:感知離子晶體的魅力
瑩石CaF2
膽礬CuSO4·5H2O
明礬KAl(SO4)2·12H2O氯化鈉環(huán)節(jié)一:感知離子晶體的魅力瑩石CaF2膽礬Cu29環(huán)節(jié)一:感知離子晶體的魅力環(huán)節(jié)一:感知離子晶體的魅力30強(qiáng)堿、活潑金屬氧化物、大部分的鹽類。1、定義:由陽離子和陰離子通過離子鍵結(jié)合而成的晶體。2、成鍵粒子:陰、陽離子3、相互作用力:離子鍵4、常見的離子晶體:一、離子晶體環(huán)節(jié)二:
認(rèn)識離子晶體強(qiáng)堿、活潑金屬氧化物、大部分的鹽類。1、定義:由陽離子和陰離31(2)硬度
。5.離子晶體物理性質(zhì)的特點(diǎn):(1)熔沸點(diǎn)
,難揮發(fā)難壓縮。較高較大(3)水溶性(4)導(dǎo)電性離子電荷越多,核間距離越小,熔沸點(diǎn)升高。一般易溶于水,而難溶于非極性溶劑。固態(tài)不導(dǎo)電,水溶液或者熔融狀態(tài)下能導(dǎo)電。(2)硬度。5.離子晶體32NaCl型CsCl型CaF2型環(huán)節(jié)三:
探究晶胞結(jié)構(gòu)二、晶胞類型NaCl型CsCl型CaF2型環(huán)節(jié)三:探究晶胞結(jié)構(gòu)二、晶胞331.粒子位置:2.晶胞粒子數(shù):3.正負(fù)離子配位數(shù)比:4.Na+周圍最近的Na+數(shù):Cl-周圍最近的Cl-數(shù):5.負(fù)離子堆積方式:6.正離子所占空隙:觀察1:氯化鈉晶胞結(jié)構(gòu)1.粒子位置:觀察1:氯化鈉晶胞結(jié)構(gòu)341.粒子位置:2.晶胞粒子數(shù):3.正負(fù)離子配位數(shù)比:4.Na+周圍最近的Na+數(shù):Cl-周圍最近的Cl-數(shù):5.負(fù)離子堆積方式:6.正離子所占空隙:6:6面心立方最密堆積NaCl型4個(gè)Cl-,4個(gè)Na+Cl-位于頂點(diǎn)和面心Na+位于棱心和體心1212正八面體觀察1:氯化鈉晶胞結(jié)構(gòu)1.粒子位置:6:6面心立方最密堆積NaCl型4個(gè)Cl-,351.粒子位置:2.晶胞粒子數(shù):3.正負(fù)離子配位數(shù)比:4.Cs+周圍最近的Cs+數(shù):Cl-周圍最近的Cl-數(shù):5.負(fù)離子堆積方式:6.正離子所占空隙:8:8簡單立方CsCl型1個(gè)Cl-,1個(gè)Cs+Cl-位于頂點(diǎn)Cs+位于體心66正方體觀察2:氯化銫晶胞結(jié)構(gòu)1.粒子位置:8:8簡單立方CsCl型1個(gè)Cl-,1個(gè)C36CsCl晶體的結(jié)構(gòu)模型展示小組探究CsCl晶體的結(jié)構(gòu)模型展示37觀察3:CaF2型晶胞2°Ca2+的配位數(shù):F-的配位數(shù):1°一個(gè)CaF2晶胞中含:4個(gè)Ca2+和8個(gè)Fˉ84Ca2+F-3°負(fù)離子堆積方式:
簡單立方觀察3:CaF2型晶胞2°Ca2+的配位數(shù):F-的配位數(shù):138科學(xué)探究1:找出NaCl、CsCl兩種離子晶體中陽離子和陰離子的配位數(shù),它們是否相等?離子晶體陰離子的配位數(shù)陽離子的配位數(shù)NaClCsCl6688科學(xué)探究1:找出NaCl、CsCl兩種離子晶體中陽離子和陰離39科學(xué)探究2:你認(rèn)為是什么因素決定了離子晶體中離子的配位數(shù)?根據(jù)表3—5、表3—6分析影響離子晶體中離子配位數(shù)的因素。配位數(shù)468半徑比0.2~0.40.4~0.70.7~1.0空間構(gòu)型ZnSNaClCsCl科學(xué)探究2:你認(rèn)為是什么因素決定了離子晶體中離子的配位數(shù)?根40陰、陽粒子的半徑比探究1半徑比與晶體結(jié)構(gòu)的關(guān)系?結(jié)論:AB型離子晶體:正負(fù)離子的半徑比越大,離子的配位數(shù)越高陰、陽粒子的半徑比探究1半徑比與晶體結(jié)構(gòu)的關(guān)系?結(jié)論:AB型41陰、陽粒子的半徑比探究1半徑比與晶體結(jié)構(gòu)的關(guān)系?探究2決定晶體結(jié)構(gòu)的其他因素?陰、陽粒子的半徑比探究1半徑比與晶體結(jié)構(gòu)的關(guān)系?探究2決定晶42Ca2+F-Ca2+配位數(shù):8配位多面體:立方體Ca2+F-Ca2+配位數(shù):843Ca2+F-F-配位數(shù):4配位多面體:正四面體Ca2+F-F-配位數(shù):444決定晶體結(jié)構(gòu)的因素幾何因素、電荷因素、鍵性因素陰、陽粒子的半徑比陰、陽粒子的電荷比離子鍵的純粹因素決定晶體結(jié)構(gòu)的因素幾何因素、電荷因素、鍵性因素陰、陽粒子的半45三.決定離子晶體配位數(shù)的因素(1)幾何因素:(3)鍵性因素(2)電荷因素:晶體中正負(fù)離子的半徑比晶體中正負(fù)離子的電荷比離子鍵的純粹因素AB型離子晶體:正負(fù)離子的半徑比越大,離子的配位數(shù)越高正負(fù)離子電荷比=配位數(shù)之比=正負(fù)離子數(shù)目的反比三.決定離子晶體配位數(shù)
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