射線檢測二級(jí)題庫全

PAGE1PAGE51第一部分射線檢測 共： 690題 其中： 是非題 213題 選擇題 283題 問答題 79題 計(jì)算題 115題

一、是非題1.1 原子序數(shù)Z等于原子核中的質(zhì)子數(shù)量。 （）1.2 為了使原子呈中性，原子核中的質(zhì)子數(shù)必須等于核外的電子數(shù)。 （）1.3 當(dāng)原子核內(nèi)的中子數(shù)改變時(shí)，它就會(huì)變?yōu)榱硪环N元素。 （）1.4 當(dāng)一個(gè)原子增加一個(gè)質(zhì)子時(shí)，仍可保持元素的種類不變。 （）1.5 原子序數(shù)相同而原子量不同的元素，我們稱它為同位素。 （）1.6 不穩(wěn)定同位素在衰變過程中，始終要輻射γ射線。 （）1.7 不同種類的同位素，放射性活度大的總是比放射性活度小的具有更高的輻射劑量。 （）1.8 放射性同位素的半衰期是指放射性元素的能量變?yōu)樵瓉硪话胨枰臅r(shí)間。 （）1.9 各種γ射線源產(chǎn)生的射線均是單能輻射。 （）1.10 α射線和β射線雖然有很強(qiáng)的穿透能力，但由于對(duì)人體輻射傷害太大，所以一般不用于工業(yè)探傷。 （）1.11 將元素放在核反應(yīng)堆中受過量中子轟擊，從而變成人造放射性同位素，這一過程稱為“激活”。 （）1.12 與其他放射性同位素不同，Cs137是原子裂變的產(chǎn)物，在常溫下呈液態(tài)，使用前須防止泄漏污染。 （）1.13 與Ir192相比，Se75放射性同位素的半衰期更短，因此其衰變常數(shù)λ也更小一些。 （）1.14 射線能量越高，傳播速度越快，例如γ射線比X射線傳播快。 （）1.15 X射線或γ射線強(qiáng)度越高，其能量就越大。 （）1.16 X射線或γ射線是以光速傳播的微小的物質(zhì)粒子。 （）1.17 當(dāng)X射線經(jīng)過2個(gè)半價(jià)層后，其能量僅僅剩下最初的1/4。 （）1.18 如果母材的密度比缺陷的密度大一倍，而母材的原子序數(shù)比缺陷的原子序數(shù)小一半時(shí)，缺陷在底片上所成的象是白斑。 （）1.19 標(biāo)識(shí)X射線具有高能量，那是由于高速電子同靶原子核相碰撞的結(jié)果。 （）1.20 連續(xù)X射線是高速電子同靶原子的軌道電子相碰撞的結(jié)果。 （）1.21 X射線的波長與管電壓有關(guān)。 （）1.22 X射線機(jī)產(chǎn)生X射線的效率比較高，大約有95%的電能轉(zhuǎn)化為X射線的能量。 （）1.23 一種同位素相當(dāng)于多少千伏或兆伏能力的X射線機(jī)來做相同的工作，這種關(guān)系叫做同位素的當(dāng)量能。 （）1.24 同能量的γ射線和X射線具有完全相同的性質(zhì)。 （）1.25 X射線的強(qiáng)度不僅取決于X射線機(jī)的管電流而且還取決于X射線機(jī)的管電壓。 （）1.26 與Co60相對(duì)，Cs137發(fā)出的γ射線能量較低，半衰期較短。 （）1.27 光電效應(yīng)中光子被完全吸收，而康普頓效應(yīng)中光子未被完全吸收。 （）1.28 一能量為300KeV的光子與原子相互作用，使一軌道電子脫離50KeV結(jié)合能的軌道，且具有50KeV動(dòng)能飛出，則新光子的能量是200KeV。 （）1.29 光電效應(yīng)的發(fā)生幾率隨原子序數(shù)的增大而增加。 （）1.30 光電子又稱為反沖電子。 （）1.31 隨著入射光子能量的增大，光電吸收系數(shù)迅速減少，康普頓衰減系數(shù)逐漸增大。 （）1.32 當(dāng)射線能量在1.02MeV至10MeV區(qū)間，與物質(zhì)相互作用的主要形式是電子對(duì)效應(yīng)。 （）1.33 連續(xù)X射線穿透物質(zhì)后，強(qiáng)度減弱，線質(zhì)不變。 （）1.34 射線通過材料后，其強(qiáng)度的9/10被吸收，該厚度即稱作1/10價(jià)層。 （）1.35 當(dāng)射線穿過三個(gè)半價(jià)層后，其強(qiáng)度僅剩下最初的1/8。 （）1.36 連續(xù)X射線的有效能量是指穿透物質(zhì)后，未被物質(zhì)吸收的能量。所以穿透厚度越大，有效能量越小。 （）1.37 Co60和Ir192射線源是穩(wěn)定的同位素在核反應(yīng)堆中俘獲中子而得到的，當(dāng)射線源經(jīng)過幾個(gè)半衰期后，將其放在核反應(yīng)堆中激活，可重復(fù)使用。 （）1.38 X射線和γ射線都是電磁輻射，而中子射線不是電磁輻射。 （）1.39 放射性同位素的當(dāng)量能總是高于其平均能。 （）1.40 X射線與可見光本質(zhì)上的區(qū)別僅僅是振動(dòng)頻率不同。 （）1.41 高速電子與靶原子的軌道電子相撞發(fā)出X射線，這一過程稱作韌致輻射。 （）1.42 連續(xù)X射線的能量與管電壓有關(guān)，與管電流無關(guān)。 （）1.43 連續(xù)X射線的強(qiáng)度與管電流有關(guān)，與管電壓無關(guān)。 （）1.44 標(biāo)識(shí)X射線的能量與管電壓、管電流均無關(guān)，僅取決于靶材料。 （）1.45 X射線與γ射線的基本區(qū)別是后者具有高能量，可以穿透較厚物質(zhì)。 （）1.46 采取一定措施可以使射線照射范圍限制在一個(gè)小區(qū)域，這樣的射線稱為窄束射線。 （）1.47 對(duì)鋼、鋁、銅等金屬材料來說，射線的質(zhì)量吸收系數(shù)值總是小于線吸收系數(shù)值。 （）1.48 原子核的穩(wěn)定性與核內(nèi)中子數(shù)有關(guān)，核內(nèi)中子數(shù)越小，核就越穩(wěn)定。 （）1.49 經(jīng)過一次衰變，元素的原子序數(shù)Z增加1，而經(jīng)過一次α衰變，元素的原子序數(shù)Z將減少2。 （）1.50 放射性同位素衰變常數(shù)越小，意味著該同位素半衰期越長。1.51 在管電壓、管電流不變的前提下，將X射線管的靶材料由鉬改為鎢，所發(fā)生的射線強(qiáng)度會(huì)增大。 （）1.52 在工業(yè)射線探傷中，使膠片感光的主要是連續(xù)譜X射線，標(biāo)識(shí)譜X射線不起什么作用。 （）1.53 Ir192射線與物質(zhì)相互作用，肯定不會(huì)發(fā)生電子對(duì)效應(yīng)。 （）1.54 高能X射線與物質(zhì)相互作用的主要形式之一是瑞利散射。 （）1.55 連續(xù)X射線穿透物質(zhì)后，強(qiáng)度減弱，平均波長變短。 （）2.1 X光管的有效焦點(diǎn)總是小于實(shí)際焦點(diǎn)。 （）2.2 X射線機(jī)中的焦點(diǎn)尺寸，應(yīng)盡可能大，這樣發(fā)射的X射線能量大，同時(shí)也可防止靶過份受熱。 （）2.3 X射線管中電子的速度越小，則所發(fā)生的射線能量也就越小。 （）2.4 由于X射線機(jī)的電壓峰值（KVP）容易使人誤解，所以X射線機(jī)所發(fā)出的射線能量用電壓的平均值表示。 （）2.5 全波整流X射線機(jī)所產(chǎn)生射線的平均能比半波整流X射線機(jī)所產(chǎn)生射線的平均能高。 （）2.6 移動(dòng)式X射線機(jī)只能室內(nèi)小范圍移動(dòng)，不能到野外作業(yè)。 （）2.7 移動(dòng)式X射線機(jī)有油冷和氣冷兩種絕緣介質(zhì)冷卻方式。 （）2.8 相同千伏值的金屬陶瓷管和玻璃管，前者體積和尺寸小于后者。 （）2.9 “變頻”是減小X射線機(jī)重量的有效措施之一。 （）2.10 放射性同位素的比活度越大，其輻射強(qiáng)度也就越大。 （）2.11 適宜探測厚度100mm以上鋼試件γ源的是Co60，透宜探測厚度20mm以下鋼試件的γ源是Ir192。 （）2.12 黑度定義為阻光率的常用對(duì)數(shù)值。 （）2.13 底片黑度D＝1，即意味著透射光強(qiáng)為入射光強(qiáng)的十分之一。 （）2.14 ISO感光度100的膠片，達(dá)到凈黑度2.0所需的曝光量為100戈瑞。 （）2.15 能量較低的射線較更容易被膠片吸收，引起感光，因此，射線透照時(shí)防止散射線十分重要。 （）2.16 用來說明管電壓、管電流和穿透厚度關(guān)系的曲線稱為膠片特性曲線。 （）2.17 膠片達(dá)到一定黑度所需的照射量（即倫琴數(shù)）與射線質(zhì)無關(guān)。 （）2.18 同一膠片對(duì)不同能量的射線具有不同的感光度。 （）2.19 比活度越小，即意味著該放射性同位素源的尺寸可以做得更小。 （）2.20 膠片灰霧度包括片基固有密度和化學(xué)灰霧密度兩部分。 （）2.21 非增感型膠片反差系數(shù)隨黑度的增加而增大，而增感型膠片反差系數(shù)隨黑度增加的增大而減小。 （）2.22 在常用的100KV-400KVX射線能量范圍內(nèi)，鉛箔增感屏的增感系數(shù)隨其厚度的增大而減小。 （）2.23 對(duì)X射線，增感系數(shù)隨射線能量的增高而增大。但對(duì)γ射線來說則不是這樣，例如，鉆60的增感系數(shù)比銥192低。 （）2.24 對(duì)X射線機(jī)進(jìn)行“訓(xùn)練”的目的是為了排出絕緣油中的氣泡。 （）2.25 X和射線的本質(zhì)是相同的，但射線來自同位素，而X射線來自于一個(gè)以高壓加速電子的裝置。 （）2.26 在任何情況下，同位素都有優(yōu)于X射線設(shè)備，這是由于使用它能得到更高的對(duì)比度和清晰度。 （）2.27 對(duì)于某一同位素放射源，其活度越大，則所發(fā)出的射線強(qiáng)度也越大。 （）2.28 將一張含有針孔的鉛板放于X射線管和膠片之間的中間位置上，可以用來測量中心射線的強(qiáng)度。 （）2.29 相同標(biāo)稱千伏值和毫安值的X射線機(jī)所產(chǎn)生的射線強(qiáng)度和能量必定相同。 （）2.30 所謂“管電流”就是流過X射線管燈絲的電流。 （）2.31 放射源的比活度越大，其半衰期就越短。 （）2.32 膠片對(duì)比度與射線能量有關(guān)，射線能量越高，膠片對(duì)比度越小。 （）2.33 膠片特性曲線的斜率用來度量膠片的對(duì)比度。 （）2.34 從實(shí)際應(yīng)用的角度來說，射線的能量對(duì)膠片特性曲線形狀基本上不產(chǎn)生影響。 （）2.35 寬容度大的膠片其對(duì)比度必然低。 （）2.36 顯影時(shí)間延長，將會(huì)使特性曲線變陡，且在座標(biāo)上的位置向左移。 （）2.37 膠片特性曲線在座標(biāo)上的位置向左移，意味著膠片感光速度減小。 （）2.38 與一般膠片不同，X射線膠片雙面涂布感光乳劑層，其目的是為了增加感光速度和黑度。 （）2.39 “潛象”是指在沒有強(qiáng)光燈的條件下不能看到的影像。 （）2.40 鉛增感屏除有增感作用外，還有減少散射線的作用，因此在射線能穿透的前提下，應(yīng)盡量選用較厚的鉛屏。 （）2.41 透照不銹鋼焊縫，可以使用碳素鋼絲象質(zhì)計(jì)2.42 透照鈦焊縫，必須使用鈦金屬絲象質(zhì)計(jì)。 （）2.43 透照鎳基合金焊縫時(shí)使用碳素鋼絲象質(zhì)計(jì)，如果底片上顯示的線徑編號(hào)剛剛達(dá)到標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定值，則該底片的實(shí)際靈敏度肯定達(dá)不到標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的要求。 （）2.44 因?yàn)殂U箔增感屏的增感系數(shù)高于熒光增感屏，所以得到廣泛使用。 （）2.45 膠片鹵化銀粒度就是顯影后底片的顆粒度。 （）2.46 梯噪比高的膠片成像質(zhì)量好。 （）2.47 膠片系統(tǒng)分類的主要依據(jù)是膠片感光速度和梯噪比。 （）3.1 影象顆粒度完全取決于膠片乳劑層中鹵化銀微粒尺寸的大小。 （）3.2 象質(zhì)計(jì)靈敏度1.5%，就意味著尺寸大于透照厚度1.5%的缺陷均可被檢出。 （）3.3 使用較低能量的射線可得到較高的主因?qū)Ρ榷取?（）3.4 射線照相時(shí)，若千伏值提高，將會(huì)使膠片對(duì)比度降低。 （）3.5 一般來說，對(duì)厚度差較大的工件，應(yīng)使用較高能量射線透照，其目的是降低對(duì)比度，增大寬容度。 （）3.6 增大曝光量可提高主因?qū)Ρ榷取?（）3.7 當(dāng)射線的有效量增加到大約250KV以上時(shí)，就會(huì)對(duì)底片顆粒度產(chǎn)生明顯影響。 （）3.8 增大最小可見對(duì)比度ΔDmin，有助于識(shí)別小缺陷。 （）3.9 射線照相主因?qū)Ρ榷扰c入射線的能譜有關(guān)，與強(qiáng)度無關(guān)。 （）3.10 用增大射源到膠片距離的辦法可降低射線照相固有不清晰度。 （）3.11 減小幾何不清晰度的途徑之一，就是使膠片盡可能地靠近工件。 （）3.12 利用陽極側(cè)射線照相所得到的底片的幾何不清晰度比陰極側(cè)好。 （）3.13 膠片的顆粒越粗，則引起的幾何不清晰度就越大。 （）3.14 使用γ射線源可以消除幾何不清晰度。 （）3.15 增加源到膠片的距離可以減小幾何清晰度，但同時(shí)會(huì)引起固有不清晰度增大。 （）3.16 膠片成象的顆粒性會(huì)隨著射線能量的提高而變差。 （）3.17 對(duì)比度、清晰度、顆粒度是決定射線照相靈敏度的三個(gè)主要因素。 （）3.18 膠片對(duì)比度和主因?qū)Ρ榷染c工件厚度變化引起的黑度差有關(guān)。 （）3.19 使用較低能量的射線可提高主因?qū)Ρ榷?，但同時(shí)會(huì)降低膠片對(duì)比度。 （）3.20 膠片的粒度越大，固有不清晰度也就越大。 （）3.21 顯影不足或過度，會(huì)影響底片對(duì)比度，但不會(huì)影響顆粒度。 （）3.22 實(shí)際上由射線能量引起的不清晰度和顆粒度是同一效應(yīng)的不同名稱。 （）3.23 當(dāng)缺陷尺寸大大小于幾何不清晰度尺寸時(shí)，影象對(duì)比度會(huì)受照相幾何條件的影響。 （）3.24 可以采取增大焦距的辦法使尺寸較大的源的照相幾何不清晰度與尺寸較小的源完全一樣。 （）3.25 如果信噪比不夠，即使增大膠片襯度，也不可能識(shí)別更小的細(xì)節(jié)影像。 （）3.26 散射線只影響主因?qū)Ρ榷?，不影響膠片對(duì)比度。 （）3.27 底片黑度只影響膠片對(duì)比度，與主因?qū)Ρ榷葻o關(guān)。 （）3.28 射線的能量同時(shí)影響照相的對(duì)比度、清晰度和顆粒度。 （）3.29 透照有余高的焊縫時(shí)，所選擇的“最佳黑度”就是指是能保證焊縫部位和母材部位得到相同角質(zhì)計(jì)靈敏度顯示的黑度值。 （）3.30 由于最小可見對(duì)比度ΔDmin隨黑度的增大而增大，所以底片黑度過大會(huì)對(duì)缺陷識(shí)別產(chǎn)生不利的影響。 （）3.31 底片黑度只影響對(duì)比度，不影響清晰度。 （）3.32 試驗(yàn)證明，平板試件照相，底片最佳黑度值大約在2.5左右。 （）3.33 固有不清晰度是由于使溴化銀感光的電子在乳劑層中有一定穿越行程而造成的。 （）3.34 底片能夠記錄的影象細(xì)節(jié)的最小尺寸取決于顆粒度。 （）3.35 對(duì)有余高的焊縫照相，應(yīng)盡量選擇較低能量的射線，以保證焊縫區(qū)域有較高的對(duì)比度。 （）3.36 對(duì)比度修正系數(shù)σ值與缺陷的截面形狀有關(guān)，例如裂紋的截面形狀與象質(zhì)計(jì)金屬絲不同，兩者的σ值也不同。 （）3.37 由于底片上影象信噪比隨曝光量的增加而增大，所以增加曝光量有利于缺陷影象識(shí)別。 （）3.38 射線照相的信噪比與膠片梯噪比具有不同含義。 （）4.1 按照“高靈敏度法”的要求，300KVX射線可透照鋼的最大厚度大約是40mm。 （）4.2 γ射線照相的優(yōu)點(diǎn)是射源尺寸小，且對(duì)大厚度工件照相曝光時(shí)間短。 （）4.3 選擇較小的射源尺寸df，或者增大焦距值F，都可以使照相Ug值減小。 （）4.4 欲提高球罐內(nèi)壁表面的小裂紋檢出率，采用源在外的透照方式比源在內(nèi)的透照方式好。 （）4.5 環(huán)焊縫的各種透照方式中，以源在內(nèi)中心透照周向曝光法為最佳方式。 （）4.6 無論采用哪一種透照方式，一次透照長度都隨著焦距的增大而增大。 （）4.7 所謂“最佳焦距”是指照相幾何不清晰度Ug與固有不清晰度Ui相等時(shí)的焦距值。 （）4.8 已知銅的等效系數(shù)Ψ銅=1.5，則透照同樣厚度的鋼和銅時(shí)，后者的管電壓應(yīng)為前者的1.5倍。 （）4.9 對(duì)有余高的焊縫進(jìn)行透照，熱影響區(qū)部位的散射比要比焊縫中心部位大得多。 （）4.10 源在內(nèi)透照時(shí)，搭接標(biāo)記必須放在射源側(cè)。 （）4.11 背散射線的存在，會(huì)影響底片的對(duì)比度。通?？稍诠ぜ湍z片之間放置一個(gè)鉛字B來驗(yàn)證背散射線是否存在。 （）4.12 不論采用何種透照布置，為防止漏檢，搭接標(biāo)記均應(yīng)放在射源側(cè)。 （）4.13 由于“互易定律失效”，采用熒光增感時(shí)，根據(jù)曝光因子公式選擇透照參數(shù)可能會(huì)產(chǎn)生較大誤差。 （）4.14 當(dāng)被透工件厚度差較大時(shí)，就會(huì)有“邊蝕散射”發(fā)生。4.15 在源和工件之間放置濾板來減小散射線的措施對(duì)γ射線并不適用。 （）4.16 使用“濾板”可增大照相寬容度，但濾板最好是放在工件和膠片之間。 （）4.17 在源和工件之間放置濾板減小散射線的措施對(duì)于平板工件照相并不適用。 （）4.18 在實(shí)際工作中正常使用的焦距范圍內(nèi)，可以認(rèn)為焦距對(duì)散射比沒有影響。 （）4.19 采用平靶周向X射線機(jī)對(duì)環(huán)縫作內(nèi)透中心法周向曝光時(shí)，有利于檢出橫向裂紋，但不利于檢出縱向裂紋。 （）4.20 采用源在外單壁透照方式，如K值不變，則焦距越大，一次透照長度L3就越大。 （）4.21 采用雙壁單影法透照時(shí)，如保持K值不變，則焦距越大，一次透照長度L3就越小。 （）4.22 用單壁法透照環(huán)焊縫時(shí)，所用搭接標(biāo)記均應(yīng)放在射源側(cè)工件表面，以免端部缺陷漏檢。 （）4.23 對(duì)某一曝光曲線，應(yīng)使用同一類型的膠片，但可更換不同的X射線機(jī)。 （）4.24 使用γ射線曝光曲線時(shí)，首先應(yīng)知道射線源在給定時(shí)間的活度。 （）4.25 如果已知等效系數(shù)，用X射線曝光曲線來代替γ射線曝光曲線，也能求出曝光參數(shù)。 （）4.26 小徑管射線照相采用垂直透照法比傾斜透照法更有利于檢出根部未熔合。 （）4.27 增大透照厚度寬容度最常用的辦法是適當(dāng)提高射線能量。 （）4.28 對(duì)尺寸很小的缺陷，其影象的對(duì)比度不僅與射線能量有關(guān)，而且與焦距有關(guān)。 （）4.29 材料的種類影響散射比，例如給定能量的射線在鋼中的散射比要比在鋁中大得多。 （）4.30 在常規(guī)射線照相檢驗(yàn)中，散射線是無法避免的。 （）4.31 環(huán)縫雙壁單影照相，搭接標(biāo)記應(yīng)放膠片側(cè)，底片的有效評(píng)定長度是底片上兩搭接標(biāo)記之間的長度。 （）4.32 縱焊縫雙壁單影照相，搭接標(biāo)記應(yīng)放膠片側(cè)，底片的有效評(píng)定長度就是兩搭接標(biāo)記之間的長。 （）4.33 小徑管雙壁透照的要點(diǎn)是選用較高管電壓，較低曝光量，其目的是減小底片反差，擴(kuò)大檢出區(qū)域。 （）4.34 射線照相實(shí)際透照時(shí)很少采用標(biāo)準(zhǔn)允許的最小焦距值。 （）5.1 顯影時(shí)膠片上的AgBr被還原成金屬銀，從而使膠片變黑。 （）5.2 對(duì)曝光不足的底片，可采用增加顯影時(shí)間或提高顯影溫度的方法來增加底片黑度，從而獲得符合要求的底片。 （）5.3 膠片在顯影液中顯影時(shí)，如果不進(jìn)行任何攪動(dòng)，則膠片上每一部位都會(huì)影響緊靠在它們下方部位的顯影。 （）5.4 定影液有兩個(gè)作用，溶解未曝光的AgBr和堅(jiān)膜作用。 （）5.5 所謂“通透時(shí)間”就是指膠片從放入定影液到乳劑層變?yōu)橥该鞯倪@段時(shí)間。 （）5.6 減少底片上水跡的方法是溫膠片快速干燥。 （）5.7 膠片表面起網(wǎng)狀皺紋可能是膠片處理溫度變化急劇而引起的。 （）5.8 沖洗膠片時(shí)，只要使用安全燈，膠片上就不會(huì)出現(xiàn)灰霧。 （）5.9 顯影液中如果過量增加碳酸鈉，在底片上會(huì)產(chǎn)生反差降低的不良后果。 （）5.10 使用被劃傷的鉛箔增感屏照相，底片上會(huì)出現(xiàn)與劃傷相應(yīng)的清晰的黑線。 （）5.11 膠片上靜電花紋的產(chǎn)生是由于射線管兩端的電壓過高的原因。 （）5.12 射線底片上產(chǎn)生亮的月牙形痕跡的原因可能是曝光前使膠片彎曲。 （）5.13 射線底片上產(chǎn)生黑的月牙形痕跡的原因可能是曝光后使膠片彎曲。 （）5.14 如果顯影時(shí)間過長，有些未曝光的AgBr也會(huì)被還原，從而增大了底片灰霧。 （）5.15 顯影液中氫離子濃度增大，則顯影速度減慢，故借助于堿使顯影液保持一定pH值。 （）5.16 定影液中的氫離子濃度越高，定影能力就越強(qiáng)。 （）5.17 膠片未曝光部分變?yōu)橥该鲿r(shí)，即說明定影過程已經(jīng)完成。 （）5.18 因?yàn)殍F不耐腐蝕且容易生銹，所以不能用鐵制容器盛放顯影液。 （）5.19 溴化鉀除了抑制灰霧的作用外，還有增大反差的作用。 （）5.20 顯影時(shí)攪動(dòng)不僅能夠使顯影速度加快，還有提高反差的作用。 （）5.21 所謂“超加和性”是指米吐爾和菲尼酮配合使用，顯影速度大大提高的現(xiàn)象。（）6.1 由于射線照相存在影象放大現(xiàn)象，所以底片評(píng)定時(shí)，缺陷定量應(yīng)考慮放大的影響。 （）6.2 各種熱裂紋只發(fā)生在焊縫上，不會(huì)發(fā)生在熱影響區(qū)。 （）6.3 形狀缺陷不屬于無損檢測檢出范疇，但對(duì)于目視檢查無法進(jìn)行的場合和部位，射線照相應(yīng)對(duì)形狀缺陷，例如內(nèi)凹、燒穿、咬邊等，評(píng)級(jí)。 （）7.1 暗室內(nèi)的工作人員在沖洗膠片的過程中，會(huì)受到膠片上的衍生的射線照射，因而白血球也會(huì)降低。 （）7.2 一個(gè)射線工作者懷疑自己處在高輻射區(qū)域，驗(yàn)證的最有效方法是看劑量筆上的讀數(shù)是否也增加。 （）7.3 熱釋光膠片劑量計(jì)和袖珍劑量筆的工作原理均基于電離效應(yīng)。 （）7.4 照射量單位“倫琴”只適用X射線或γ射線，不能用于中子射線。 （）7.5 當(dāng)X或γ射源移去以后工件不再受輻射作用，但工件本身仍殘留極低的輻射。 （）7.7 小劑量,低劑量率輻射不會(huì)發(fā)生隨機(jī)性損害效應(yīng)。 （）7.6 即使劑量相同，不同種類輻射對(duì)人體傷害是不同的。 （）7.8 只要嚴(yán)格遵守輻射防護(hù)標(biāo)準(zhǔn)關(guān)于劑量當(dāng)量限值的規(guī)定，就可以保證不發(fā)生輻射損傷。 （）7.9 從X射線機(jī)和γ射線的防護(hù)角度來說，可以認(rèn)為1戈瑞＝1希沃特。 （）7.10 焦耳/千克是劑量當(dāng)量單位，庫倫/千克是照射量單位。 （）7.11 劑量當(dāng)量的國際單位是希沃特，專用單位是雷姆，兩者的換算關(guān)系是1希沃特＝100雷姆。 （）7.12 X射線比γ射線更容易被人體吸收，所以X射線對(duì)人體的傷害比γ射線大。 （）7.13 當(dāng)照射量相同時(shí)，高能X射線比低能X射線對(duì)人體傷害力更大一些。 （）8.1 與電子回旋加速器相比，直線加速器能量更高，束流更大，焦點(diǎn)更小。 （）8.2 寬容度大是高能X射線照相的優(yōu)點(diǎn)之一。 （）8.3 加速器照相一般選擇較大的焦距，其目的是減小幾何不清晰度，提高靈敏度。 （）8.4 中子幾乎不具有使膠片溴化銀感光的能力。 （）8.5 中子照相的應(yīng)用之一是用來檢查航空材料蜂窩結(jié)構(gòu)的粘接質(zhì)量。 （）8.6 中子對(duì)鋼鐵材料的穿透力很強(qiáng)，因此常用它來檢測厚度超過100mm的對(duì)接焊縫的焊接缺陷。 （）8.7 高能X射線照相的不清晰度主要是固有不清晰度，幾何不清晰度的影響幾乎可以忽略。 （）8.8 射線實(shí)時(shí)成像檢驗(yàn)系統(tǒng)的圖像容易得到較高的對(duì)比度，但不容易得到較好的清晰度。 （）8.9 象素的多少?zèng)Q定了射線實(shí)時(shí)成像系統(tǒng)圖像識(shí)別細(xì)節(jié)的能力。 （）8.10 在高能射線照相中，增感屏的增感作用主要靠前屏。 （）10.1 按ASME規(guī)范要求，透照雙面焊縫的使用孔型象質(zhì)計(jì)，應(yīng)在象質(zhì)計(jì)下放墊板，墊板厚度應(yīng)為上下焊縫余高之和。 （）10.2 在ASME規(guī)范中，100%照相和局部抽查的焊縫中允許的條件夾渣尺寸是不一樣的。 （）

是非題答案1.1 ○ 1.2 ○ 1.3 × 1.4 × 1.5 ○1.6 × 1.7 × 1.8 × 1.9 × 1.10 ×1.11 ○ 1.12 ○ 1.13 × 1.14 × 1.15 ×1.16 × 1.17 × 1.18 × 1.19 × 1.20 ×1.21 ○ 1.22 × 1.23 ○ 1.24 ○ 1.25 ○1.26 × 1.27 ○ 1.28 ○ 1.29 ○ 1.30 ×1.31 × 1.32 × 1.33 × 1.34 ○ 1.35 ○1.36 × 1.37 × 1.38 ○ 1.39 ○ 1.40 ○1.41 × 1.42 ○ 1.43 × 1.44 ○ 1.45 ×1.46 × 1.47 ○ 1.48 × 1.49 ○ 1.50 ○1.51 × 1.52 ○ 1.53 ○ 1.54 × 1.55 ○2.1 ○ 2.2 × 2.3 ○ 2.4 × 2.5 ○2.6 ○ 2.7 × 2.8 ○ 2.9 ○ 2.10 ×2.11 × 2.12 ○ 2.13 ○ 2.14 × 2.15 ○2.16 × 2.17 × 2.18 ○ 2.19 × 2.20 ○2.21 × 2.22 ○ 2.23 ○ 2.24 × 2.25 ○2.26 × 2.27 ○ 2.28 × 2.29 × 2.30 ×2.31 × 2.32 × 2.33 ○ 2.34 ○ 2.35 ○2.36 ○ 2.37 × 2.38 ○ 2.39 × 2.40 ×2.41 ○ 2.42 ○ 2.43 ×2.44 × 2.45 ×2.46 ○2.47 ×3.1 × 3.2 × 3.3 ○ 3.4 × 3.5 ○3.6 × 3.7 ○ 3.8 × 3.9 ○ 3.10 ×3.11 ○ 3.12 ○ 3.13 × 3.14 × 3.15 ×3.16 ○ 3.17 ○ 3.18 × 3.19 × 3.20 ×3.21 × 3.22 × 3.23 ○ 3.24 ○ 3.25 ○3.26 ○ 3.27 ○ 3.28 ○ 3.29 ○ 3.30 ○3.31 ○ 3.32 ○ 3.33 ○ 3.34 ○ 3.35 ×3.36 ○ 3.37 ○ 3.38 ○4.1 ○ 4.2 × 4.3 ○ 4.4 ○ 4.5 ○4.6 × 4.7 ○ 4.8 × 4.9 × 4.10 ×4.11 × 4.12 × 4.13 ○ 4.14 ○ 4.15 ○4.16 × 4.17 ○ 4.18 ○ 4.19 ○ 4.20 ○4.21 ○ 4.22 × 4.23 × 4.24 ○ 4.25 ×4.26 ○ 4.27 ○ 4.28 ○ 4.29 × 4.30 ○4.31 ○ 4.32 × 4.33 ○ 4.34 ○5.1 ○ 5.2 × 5.3 ○ 5.4 ○ 5.5 ○5.6 × 5.7 ○ 5.8 × 5.9 ○ 5.10 ○5.11 × 5.12 ○ 5.13 ○ 5.14 ○ 5.15 ○5.16 × 5.17 × 5.18 × 5.19 × 5.20 ○5.21 ×6.1 × 6.2 × 6.3 ○7.1 × 7.2 × 7.3 × 7.4 ○ 7.5 ×7.6 ○ 7.7 × 7.8 × 7.9 ○ 7.10 ○7.11 ○ 7.12 × 7.13 ○8.1 × 8.2 ○ 8.3 × 8.4 ○ 8.5 ○8.6 × 8.7 ○ 8.8 ○ 8.9 ○ 8.10 ○10.1 ○ 10.2 ○

二、選擇題1.1 原子的主要組成部分是（）。 A.質(zhì)子、電子、光子 B.質(zhì)子、重子、電子 C.光子、電子、X射線 D.質(zhì)子、中子、電子1.2 電磁波的頻率(f)，速度(c)和波長(λ)之間的關(guān)系可用（）表示。 A.f=λ·c B.c=f·λ C.λ=f·c D.λ=f/c1.3 原子核的質(zhì)子數(shù)等于（）。 A.中子數(shù) B.原子序數(shù) C.光子數(shù) D.原子量1.4 質(zhì)子和中子的區(qū)別是中子沒有（）。 A.電荷 B.質(zhì)量 C.自旋 D.半衰期1.5 當(dāng)幾種粒子和射線通過空氣時(shí)，其電離效應(yīng)最高的是（）。 A.α粒子 B.β粒子 C.中子 D.X和γ射線1.6 在射線探傷中應(yīng)用最多的三種射線是（）。 A.X射線，γ射線和中子射線 B.α射線、β射線和γ射線 C.X射線，γ射線和β射線 D.X射線，γ射線和α射線1.7 原子核外電子能級(jí)量高的是（）。 A.外殼層 B.中間殼層 C.內(nèi)殼層 D.以上均不是1.8 同位素是指（）。 A.質(zhì)量數(shù)相同而中子數(shù)不同的元素； B.質(zhì)量數(shù)相同而質(zhì)子數(shù)不同的元素； C.中子數(shù)相同而質(zhì)子數(shù)不同的元素； D.質(zhì)子數(shù)相同而質(zhì)量數(shù)不同的元素。1.9 X射線、γ射線和α粒子有一個(gè)共同點(diǎn)，即它們都是（）。 A.均質(zhì)粒子輻射 B.電磁輻射 C.微波輻射 D.電離輻射1.10 在射線檢驗(yàn)中采用的能量范圍（約100KeVo-10MeV）射線穿過鋼鐵強(qiáng)度衰減的最主要原因是（）。 A.光電效應(yīng) B.湯姆遜效應(yīng) C.康普頓效應(yīng) D.電子對(duì)效應(yīng)1.11 光子能量的數(shù)學(xué)表達(dá)式是（）。 A.E=h/v B.E=λ/hc C.E=hv D.E=hv21.12 ΔI=μIΔX，此式表示下列哪種現(xiàn)象？（） A.光電效應(yīng) B.康普頓散射 C.吸收 D.半價(jià)層厚度1.13 通常所說的200KVX射線指（）。 A.最大能量為0.2MeV的“白色”X射線 B.平均能量為0.2MeV的連續(xù)射線 C.能量為0.2MeV的連續(xù)射線 D.有效能量為0.2MeV的連續(xù)射線1.14 單色射線是指（）。 A.標(biāo)識(shí)X射線 B.工業(yè)探傷γ源產(chǎn)生的射線 C.用來產(chǎn)生高對(duì)比度的窄束射線 D.由單一波長的電磁波組成的射線1.15在一般的工業(yè)探傷中，射線與物質(zhì)相互作用時(shí)，主要產(chǎn)生的二個(gè)效應(yīng)是（）。 A.光電效應(yīng)和電子對(duì)效應(yīng) B.光電效應(yīng)和康普頓散射 C.康普頓散射和電子對(duì)效應(yīng) D.康普頓散射和電離1.16 當(dāng)光子與物質(zhì)相互作用時(shí)，光子將部分能量用于逐出軌道電子，且剩余的能量變?yōu)殡娮拥膭?dòng)能，這就是（）。 A.康普頓散射 B.光電效應(yīng). C.電子對(duì)效應(yīng) D.電離1.17當(dāng)光子與物質(zhì)相互作用時(shí)，光子的波長增加，方向改變，這是由于（）的結(jié)果。 A.光電效應(yīng) B.康普頓散射 C.湯姆遜散射 D.電子對(duì)產(chǎn)生1.18 康普頓散射的特征是（）。 A.產(chǎn)生光電子 B.產(chǎn)生俄歇電子 C.產(chǎn)生反沖電子 D.產(chǎn)生正負(fù)電子對(duì)1.19 光電效應(yīng)的特征是（）。 A.產(chǎn)生光電子 B.發(fā)射標(biāo)識(shí)X射線 C.發(fā)射二次電子 D.以上都是1.20 已知某單能射線在鋼中的半價(jià)層為3mm，則該射線在鋼中的吸收系數(shù)為（）。 A.0.231cm B.2.31cm－1 C.2.079cm D.0.00231mm－11.21 射線通過物質(zhì)時(shí)的衰減取決于（）。 A.物質(zhì)的原子序數(shù)、密度和厚度 B.物質(zhì)的楊氏模量 C.物質(zhì)的泊松比 D.物質(zhì)的晶粒度1.22 窄束和寬束的區(qū)別是（）。 A.窄束是指散射和未散射的射線均到達(dá)檢測器，而寬束是指只有未散射的射線到達(dá)檢測器。 B.窄束是指只有未散射的射線到達(dá)檢測器，而寬束是指散射和未散射的射線均到達(dá)檢測器。 C.窄束和寬束區(qū)別在于源尺寸大小不同。 D.窄束和寬束區(qū)別在于照射場大小不同。1.23散射線的主要成份是低能電磁輻射，它是由光子在哪一過程中減弱而產(chǎn)生的（）。 A.光電過程 B.康普頓過程 C.電子對(duì)過程 D.電離過程1.24 從X射線管中發(fā)射出的射線包括（）。 A.連續(xù)X射線 B.標(biāo)識(shí)X射線 C.射線 D.A和B1.25 連續(xù)X射線穿透厚工件時(shí)，有何特點(diǎn)？（） A.第二半價(jià)層小于第一半價(jià)層； B.第二半價(jià)層等于第一半價(jià)層； C.第二半價(jià)層大于第一半價(jià)層； D.1.26 當(dāng)射線波長一定時(shí)，下列哪種物質(zhì)的最大？（） A.Fe B.Al C.Ti D.Cu1.27 產(chǎn)生X射線的一般方法是在高速電子的運(yùn)動(dòng)方向上設(shè)置一個(gè)障礙物，使高速電子在這個(gè)障礙物上突然減速，這個(gè)障礙物被叫（）。 A.陽極 B.陰極 C.靶 D.燈絲1.28 X射線的穿透能力取決于（）。 A.毫安 B.千伏 C.曝光時(shí)間 D.焦點(diǎn)尺寸1.29 γ射線的穿透能力取決于（）。 A.源的尺寸 B.源的種類 C.曝光時(shí)間 D.焦點(diǎn)尺寸1.30 當(dāng)施加于X射線管兩端的管電壓不變，管電流增加時(shí)，則（）。 A.產(chǎn)生的X射線波長不變，強(qiáng)度不變； B.產(chǎn)生的X射線波長不變，強(qiáng)度增加； C.產(chǎn)生的X射線波長不變，強(qiáng)度減小； D.產(chǎn)生的X射線波長增加，強(qiáng)度不變。1.31 X射線機(jī)的管電流不變，管電壓減小時(shí)，則X射線將會(huì)發(fā)生（）。 A.強(qiáng)度不變，波長減小 B.強(qiáng)度不變，波長增大 C.波長減小，強(qiáng)度減小 D.波長增大，強(qiáng)度減小1.32 X射線管所產(chǎn)生的連續(xù)X射線的強(qiáng)度與管電壓的關(guān)系是（）。 A.強(qiáng)度與管電壓成正比； B.強(qiáng)度與管電壓成反比； C.強(qiáng)度與管電壓平方與正比； D.強(qiáng)度與管電壓平方成反比。1.33 活度為80Ci、平均能量為1.66MeV的同位素源，經(jīng)過3個(gè)半衰期后，其平均能量為（）。 A.0.008MeV B.0.22MeV C.0.33MeV D.1.66MeV1.34 放射性同位素衰變時(shí)，原子核衰變方式通常是（）。 A.粒子發(fā)射 B.K俘獲 C.裂變 D.A和B1.35 韌致輻射是指高速運(yùn)動(dòng)的電子同靶相碰撞時(shí)，與靶的什么相互作用而放也電子的能量，產(chǎn)生連續(xù)X射線的？（） A.自由電子 B.原子核的質(zhì)子或中子 C.殼層電子 D.原子核外庫侖場1.36 放射性元素Co60轉(zhuǎn)變?yōu)镹i60的過程是一次（） A.α衰變 B.β衰變 C.γ衰變 D.K俘獲1.37 以下關(guān)于光電效應(yīng)的敘述，哪一條是錯(cuò)誤的（） A.光電效應(yīng)發(fā)生幾率隨光子能量的增大而減??； B.光電效應(yīng)發(fā)生幾率材料的原子序數(shù)增大而增大； C.在光電效應(yīng)過程中除產(chǎn)生光電子外，有時(shí)還會(huì)產(chǎn)生反沖電子； D.光電效應(yīng)發(fā)射出的電子的能量肯定小于入射光子的能量。1.38 以下關(guān)于康普頓效應(yīng)的敘述，哪一條是錯(cuò)誤的（） A.散射光子的波長肯定小于入射光子； B.反光子與散射光子能沖電子的能量為入射量之差； C.散射角α越大，散射光子能量越?。?D.康普頓效應(yīng)發(fā)生幾率隨入射光子能量增大而減小。1.39 某放射性同位素的衰變常數(shù)為0.005371天-1，則其半衰期為（） A.186天 B.129天 C.53天 D.537天1.40下列幾種材料中，射線衰減系數(shù)較大的是（） A.銅 B.鋁 C.鐵 D.碳1.41 以下關(guān)于瑞利散射的敘述，哪一條是錯(cuò)誤的（） A.瑞利散射是相干散射的一種； B.瑞利散射不改變光子能量，只改變光子的運(yùn)動(dòng)方向； C.瑞利散射的發(fā)生幾率隨原子序數(shù)的增大而減?。?D.瑞利散射的發(fā)生幾率隨光子能量的增大而急劇減小。1.42 射線照相難以檢出的缺陷是（） A.未焊透和裂紋 B.氣孔和未熔合 C.夾渣和咬邊 D.分層和折疊1.43 射線照相法對(duì)哪一種焊接方法不適用。（） A.氣焊、電渣焊 B.氣體保護(hù)焊、埋弧自動(dòng)焊 C.手工電弧焊、系離子弧焊 D.摩擦焊、釬焊1.44 以下哪些材料的熔化焊對(duì)接焊縫適宜使用射線照相法檢測（） A.鋼和不銹鋼 B.鈦和鈦合金 C.鋁及鋁合金 D.以上都適宜1.45 以下關(guān)于射線照相特點(diǎn)的敘述，哪些是錯(cuò)誤的（） A.判定缺陷性質(zhì)、數(shù)量、尺寸比較準(zhǔn)確 B.檢測靈敏度受材料晶粒度的影響較大 C.成本較高，檢測速度不快 D.射線對(duì)人體有傷害2.1 管電壓、管電流不變，將X射線管陽極由銅換成鎢，產(chǎn)生X射線線質(zhì)如何變化？（） A.變硬 B.變軟 C.不變 D.不一定2.2 X射線管的陽極靶最常用的材料是（） A.銅 B.鎢 C.鈹 D.銀2.3 軟射線X射線管的窗口材料一般是（）。 A.銅 B.鎢 C.鈹 D.銀2.4 X射線機(jī)技術(shù)性能指標(biāo)中，焦點(diǎn)尺寸是一項(xiàng)重要指標(biāo)，焦點(diǎn)尺寸是指（）。 A.靶的幾何尺寸 B.電子束的直徑 C.實(shí)際焦點(diǎn)尺寸 D.有效焦點(diǎn)尺寸2.5 在條件允許的情況下，焦點(diǎn)尺寸應(yīng)盡可能的小，其目的是（）。 A.減小設(shè)備體積 B.提高清晰度 C.增加能量密度 D.節(jié)省合金材料2.6 X射線管中轟擊靶產(chǎn)生X射線的高速電子的數(shù)量取決于（）。 A.陽極靶材料的原子序數(shù)； B.陰極靶材料的原子序數(shù)； C.燈絲材料的原子序數(shù)； D.燈絲的加熱溫度2.7 下列哪一特征，不是X射線管的靶材料所要求的（）。 A.高原子序數(shù) B.高熔點(diǎn) C.高熱傳導(dǎo)率 D.高質(zhì)量吸收系數(shù)2.8 當(dāng)兩臺(tái)相同型號(hào)的X射線機(jī)的千伏值和毫安值均相同時(shí)，則（）。 A.產(chǎn)生的X射線的強(qiáng)度和波長一定相同； B.產(chǎn)生的X射線的波長相同，強(qiáng)度不同； C.產(chǎn)生的X射線的強(qiáng)度相同，波長不同； D.產(chǎn)生的X射線的強(qiáng)度和波長不一定相同。2.9 高壓變壓器直接與X射線管相連接的X射線機(jī)叫做（） A.全波整流X射線機(jī) B.自整流X射線機(jī) C.交流X射線機(jī) D.恒電壓X射線機(jī)2.10 X射線管對(duì)真空度要求較高，其原因是（） A.防止電極材料氧化； B.使陰極與陽極之間絕緣； C.使電子束不電離氣體而容易通過； D.以上三者均是。2.11 決定X射線機(jī)工作時(shí)間長短的主要因素是（） A.工作電太KV的大??； B.工作電流mA的大??； C.工件厚度的大??； D.陽極冷卻速度的大小。2.12 X射線機(jī)中循環(huán)油的作用是（） A.吸收散射線 B.濾去一次射線中波長較長的射線； C.散熱； D.增強(qiáng)一次射線2.13 大焦點(diǎn)X射線機(jī)與小焦點(diǎn)X射線機(jī)相比，其特點(diǎn)是（） A.射線的能量低穿透力?。?B.射線不集中，強(qiáng)度小； C.照相黑度不易控制； D.照相清晰度差。2.14 一般X射線機(jī)調(diào)節(jié)管電壓的方法通常是（） A.調(diào)節(jié)燈絲的加熱電壓； B.調(diào)節(jié)陰極和陽極之間的電壓； C.調(diào)節(jié)陰極和陽極之間的距離； D.調(diào)節(jié)燈絲與陰極之間的距離。2.15 X射線管中的陰極最常見的是（） A.冷陰極 B.熱陰極 C.旋轉(zhuǎn)陰極 D.固定陰極2.16 提高燈絲溫度的目的是使（） A.發(fā)射電子的能量增大； B.發(fā)射電子的數(shù)量增多； C.發(fā)出X射線的波長較短； D.發(fā)出X射線的波長較長。2.17 大功率X射線管陽極冷卻的常用方法是（） A.輻射冷卻 B.對(duì)流冷卻 C.傳導(dǎo)冷卻 D.液體強(qiáng)迫循環(huán)冷卻2.18 γ射線探傷機(jī)與X射線探傷機(jī)相比其優(yōu)點(diǎn)是（） A.設(shè)備簡單 B.不需外部電源 C.射源體積小 D.以上三者都是2.19 探傷所用的放射性同位素，都是（） A.天然同位素 B.人造同位素 C.穩(wěn)定同位素 D.以上三者都是2.20 放射性同位素的輻射強(qiáng)度與時(shí)間的關(guān)系是（） A.隨時(shí)間增大 B.與時(shí)間無關(guān) C.隨時(shí)間減小 D.三者都不對(duì)2.21 利用γ射線探傷時(shí)，若要增加射線強(qiáng)度可以采用（） A.增加焦距 B.減小焦距 C.減小曝光時(shí)間 D.三者均可2.22 下列四種放射性元素中，半價(jià)層最厚的是（） A.Co60 B.Cs137 C.Ir192 D.Tm1702.23 下列四種放射性元素中，半衰期最長的為（） A.Co60 B.Cs137 C.Ir192 D.Tm1702.24 Tm170γ源發(fā)出的射線能量為：（） A.0.084和0.052MeV B.0.11和0.15MeV C.1.33和1.17MeV D.0.31和0.47MeV2.25 180mm厚的鋼試件射線照相，可能使用的γ射線源是（） A.鈷60 B.銩170 C.銥192 D.銫1372.26 可使用銥192照相的鋼試件厚度范圍是（） A.100-200mm B.8-60mm C.4-15mm D.30-90mm2.27 決定材料對(duì)X射線吸收量最重要的因素是（） A.材料厚度 B.材料密度 C.材料原子序數(shù) D.材料晶粒度2.28 下面有關(guān)X射線管焦點(diǎn)的敘述，哪一條是錯(cuò)誤的？（） A.有效焦點(diǎn)總是小于實(shí)際焦點(diǎn)； B.焦點(diǎn)越小，照相幾何不清晰度越??； C.管電壓、管電流增加，實(shí)際焦點(diǎn)會(huì)有一定程度的增大； D.焦點(diǎn)越大，散熱越困難。2.29 放射性同位素源的比活度取決于（） A.核反應(yīng)堆中照射的中子流； B.材料在反應(yīng)堆中的停留時(shí)間； C.照射材料的特性（原子量、活化截面） D.以上全是2.30 下列四種放射性同位素中，可用來透照厚度為3-12mm的薄壁管，輻射特性類似100-250KVX射線的是（） A.Ir192 B.Cs137 C.Co60 D.Tm1702.31 一般放射性比活度高的源其自吸收（） A.較高 B.較低 C.兩者無關(guān) D.無自吸收2.32 決定X射線管靶材適用性的兩個(gè)因素是（） A.拉伸強(qiáng)度和屈服強(qiáng)度 B.硬度和磁導(dǎo)率 C.電阻和抗氧化性能 D.原子序數(shù)和熔點(diǎn)2.33 以下關(guān)于便攜式X射線機(jī)操作使用的敘述，哪條是錯(cuò)誤的（） A.X射線機(jī)停用超過3天，才需要訓(xùn)機(jī) B.送高壓前應(yīng)預(yù)熱燈絲 C.機(jī)內(nèi)SF6氣機(jī)過低，將影響絕緣性能 D.應(yīng)保持工作和間歇時(shí)間1:12.34 以下哪一條不是射線探傷設(shè)備優(yōu)點(diǎn)（） A.不需用電和水 B.可連續(xù)操作 C.可進(jìn)行周向曝光和全景曝光 D.曝光時(shí)間短、效率高2.35 X射線管中，電子轟擊靶時(shí)能量轉(zhuǎn)換的主要形式是產(chǎn)生（） A.連續(xù)X射線 B.標(biāo)識(shí)X射線 C.短波長X射線 D.熱2.36 X射線管管電流大小主要取決于（） A.靶材料 B.燈絲電流 C.陽極到陰極的距離 D.以上都是2.37 X射線管中轟擊靶的電子運(yùn)動(dòng)的速度取決于（） A.靶材的原子序數(shù) B.管電壓 C.管電流 D.燈絲電壓2.38 在管電壓、管電流相同的情況下，下列哪種線路產(chǎn)生的射線質(zhì)較硬、照射劑量率較大？（） A.半波整流 B.全波整流 C.穩(wěn)恒直流 D.線路種類與射線的質(zhì)和劑量率無關(guān)2.39 在管電壓、管電流相同的情況下，焦點(diǎn)尺寸越小，其焦點(diǎn)的溫度（） A.越低 B.越高 C.不變 D.不一定2.40 各種膠片成像的粒度（） A.隨千伏值提高而增大 B.隨千伏值提高而減小 C.與千伏值無關(guān) D.變化服從朗伯定律2.41 表示膠片受到一定量X射線照射，顯影后的底片黑度是多少的曲線叫做 （） A.曝光曲線 B.靈敏度曲線 C.特性曲線 D.吸收曲線2.42 X膠片的片基常用的材料是（） A.聚氯乙烯薄膜 B.聚氨脂薄膜 C.滌綸薄膜 D.聚乙烯薄膜2.43 保存射線膠片的環(huán)境相對(duì)濕度應(yīng)為（） A.10-25% B.50-65% C.70-85% D.越干燥越好2.44 膠片特性曲線上，過兩個(gè)特定黑度點(diǎn)的直線的斜率叫做（） A.膠片寬谷度 B.梯度 C.平均梯度 D.感光度2.45 由膠片特性曲線可以得到膠片的技術(shù)參數(shù)是（） A.膠片的反差系數(shù) B.膠片的本底灰霧度 C.正常的曝光范圍 D.三者均是2.46 哪一因素變化，會(huì)使膠片特性曲線形狀明顯改變？（） A.改變管電壓 B.改變管電流 C.改變焦距 D.改變顯影條件2.47 實(shí)際使膠片鹵化銀顆粒感光的因素是（） A.X或γ光量子 B.α粒子 C.電子 D.中子2.48 下面有關(guān)膠片的四種敘述中，唯一正確的是（） A.膠片顆粒度大，感光速度就快，底片圖象清晰； B.膠片顆粒度小，感光速度就快，底片圖象模糊； C.膠片顆粒度大，感光速度快，底片圖象模糊； D.膠片顆粒度小，感光速度快，底片圖象清晰。2.49 底片的黑度范圍限制在膠片特性曲線的直線區(qū)域內(nèi)，這是因?yàn)樵诖藚^(qū)域透照出的底片（） A.黑度大 B.感光度高 C.本底灰霧度小 D.對(duì)比度高2.50 已曝過光的X膠片，不能在高溫高濕的環(huán)境內(nèi)保持時(shí)間過長，否則會(huì)引起 （） A.藥膜自動(dòng)脫落 B.產(chǎn)生白色斑點(diǎn) C.產(chǎn)生靜電感光 D.潛象衰退、黑度下降2.51 膠片分類的依據(jù)主要是（） A.梯度和顆粒度 B.感光度和顆粒度 C.感光度和梯度 D.灰霧度和寬容度2.52 X膠片乳劑中與射線作用產(chǎn)生光化學(xué)作用的成份是（） A.AgBr B.AgO2 C.AgS D.AgBr22.53 用含銻6%的鉛合金代替鉛作增感屏其原因是這種增感屏（） A.清晰度好 B.斑點(diǎn)效應(yīng)好 C.比較耐用 D.增感系數(shù)高2.54 與非增感型膠片配合使用的增感屏是（） A.熒光增感屏 B.鉛箔增感屏 C.熒光鉛箔增感屏 D.稀土熒光增感屏2.55 熒光增感屏與鉛箔增感屏相比，熒光增感屏的主要優(yōu)點(diǎn)（） A.圖象的清晰度高 B.可提高靈敏度 C.可縮短曝光時(shí)間 D.能屏蔽散射線2.56 鉛箔增感屏的主要優(yōu)點(diǎn)是（） A.可加速膠片感光同時(shí)吸收部分散射線 B.可提高照相清晰度 C.可減小照相顆粒度 D.以上都是2.57 使用鉛箔增感屏可以縮短曝光時(shí)間，提高底片的黑度，其原因是鉛箔受X射線或射線照射時(shí)（） A.能發(fā)出熒光從而加速膠片感光； B.能發(fā)出可見光從而使膠片感光； C.能發(fā)出紅外線從而使膠片感光； D.能發(fā)出電子從而使膠片感光。2.58 射線照相中，使用象質(zhì)計(jì)的主要目的是（） A.測量缺陷大小 B.評(píng)價(jià)底片靈敏度 C.測定底片清晰度 D.以上都是2.59 什么是使用象質(zhì)計(jì)的局限性？（） A.不能提供射線照相檢驗(yàn)靈敏度的永久性證據(jù)； B.不能比較兩種不同透照技術(shù)的質(zhì)量高低； C.不能提供可檢出缺陷尺寸的度量指示； D.不能驗(yàn)證所用透照工藝的適當(dāng)性。2.60 平板孔型象質(zhì)計(jì)的象質(zhì)等級(jí)2-1T是指：（） A.象質(zhì)計(jì)厚度為透照厚度2%，孔徑為象質(zhì)計(jì)厚度1倍，等效靈敏度為1.4% B.象質(zhì)計(jì)厚度為透照厚度1%，孔徑為象質(zhì)計(jì)厚度2倍，等效靈敏度為1.4% C.象質(zhì)計(jì)厚度為透照厚度2%，孔徑為象質(zhì)計(jì)厚度1倍，等效靈敏度為1% D.以上都不對(duì)2.61 對(duì)母材厚度為12毫米的雙面焊接的焊縫進(jìn)行射線探傷時(shí)，在底片上能發(fā)現(xiàn)直徑為0.32毫米的鋼絲質(zhì)象質(zhì)計(jì)，其象質(zhì)計(jì)靈敏度為（） A.1% B.1.5% C.2% D.2.5%2.62 平板焊縫照相時(shí)，下面四種關(guān)于象質(zhì)計(jì)擺放的敘述，唯一正確的擺放位置是（） A.近膠片一側(cè)的工件表面，并應(yīng)靠近膠片端頭； B.近射源一側(cè)工件表面，金屬絲垂直焊縫，并位于工件中部； C.近膠片一側(cè)的工件表面，并應(yīng)處在有效照相范圍一端的焊縫上，金屬絲垂直于焊縫，細(xì)絲在外； D.近射源一側(cè)有效照相范圍一端的焊縫上，金屬絲垂直于焊縫，細(xì)絲在外。2.63 鈦對(duì)射線的吸收系數(shù)小于鋼，在透照鈦試件時(shí)采用了鋼絲象質(zhì)計(jì)，如果底片上顯示的象質(zhì)指數(shù)剛好達(dá)到標(biāo)準(zhǔn)要求，則該底片的靈敏度（） A.剛好符合標(biāo)準(zhǔn)要求 B.達(dá)不到標(biāo)準(zhǔn)要求 C.遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過標(biāo)準(zhǔn)要求 D.無法判斷2.64 已知入射光強(qiáng)200cd/m2，則底片黑度為2.3的區(qū)域透過的光強(qiáng)為：（） A.5cd/m2 B.0.56cd/m2 C.1cd/m2 D.0.1cd/m22.65 一個(gè)電壓調(diào)節(jié)器由鐵芯變壓器組成，變壓器只有一個(gè)繞組，繞組上有許多抽頭。這種變壓器叫做：（） A.高壓變壓器； B.燈絲變壓器； C.自耦變壓器； D.脈沖變壓器。2.66 以下關(guān)于周向輻射X射線管陽極靶的敘述，哪一條是錯(cuò)誤的：（）A.周向輻射X射線管的陽極靶有平面靶和錐形靶兩種；B.平面靶多用于300KVX射線管；C.平面靶散熱效果比錐形靶好；D.使用平面靶X射線管的探傷機(jī)照相要注意橫向裂紋漏檢問題。2.67 在其他參數(shù)不變的情況下，若顯影時(shí)間延長，膠片特性曲線會(huì)出現(xiàn)（） A.梯度增大，感光速度提高； B.梯度減小，感光速度提高 C.梯度減小，感光速度降低； D.梯度增大，感光速度降低2.68 Ir192所發(fā)出的主要γ射線能量為（） A.0.66,0.84,0.91MeV B.0.31,0.47,0.60MeV C.0.08,0.05,0.66MeV D.0.15,1.12,0.18MeV2.69 以下哪一條，不是金屬陶瓷管X射線機(jī)的優(yōu)點(diǎn)（） A.體積小 B.重量輕 C.故障小 D.不需要訓(xùn)機(jī)2.70 以下哪一因素，對(duì)膠片對(duì)比度不產(chǎn)生影響（） A.射線能量 B.底片黑度 C.膠片類型 D.顯影條件2.71 使用“真空暗盒”的主要優(yōu)點(diǎn)是（） A.提高主因?qū)Ρ榷?B.減小固有不清晰度 C.減小底片顆粒度 D.以上都是2.72 膠片系統(tǒng)分類中所指的膠片系統(tǒng)包括（） A.膠片、增感屏、暗盒 B.膠片、增感屏、暗盒、背防護(hù)鉛板 C.膠片、增感屏、沖洗條件 D.源、膠片、增感屏、沖洗條件2.73 適宜檢測厚度5-30mm的鋼試件的放射性同位素是（） A.Ir192 B.Tm170 C.Yb169 D.Se753.1 從可檢出最小缺陷的意義上說，射線照相靈敏度取決于（） A.底片成象顆粒度； B.底片上缺陷圖象不清晰度； C.底片上缺陷圖象對(duì)比度； D.以上都是。3.2 射線底片上兩個(gè)不同區(qū)域之間的黑度差叫做（） A.主因反差； B.底片反差； C.清晰度； D.膠片反差。3.3 影響主因?qū)Ρ榷鹊氖牵ǎ?A.射線的波長 B.散射線 C.工件的厚度差 D.以上都是3.4 下面哪個(gè)因素的變化使最小可見對(duì)比度增大（） A.粗粒膠片改用微粒膠片； B.底片黑度從1.5增大以2.5； C.影象寬度從0.2mm增大到0.4mm； D.透過底片光強(qiáng)從30cd/m2增大到100cd/m2。3.5 射線底片上缺陷輪廓鮮明的程度叫做（） A.主因?qū)Ρ榷?B.顆粒度 C.清晰度 D.膠片對(duì)比度3.6 幾何不清晰度也可稱為（） A.固有不清晰度 B.幾何放大 C.照相失真 D.半影3.7 射線透照的幾何不清晰度（） A.與工件厚度成正比，與焦點(diǎn)尺寸成反比； B.與工件厚度成反比，與焦點(diǎn)尺寸成反比； C.與焦點(diǎn)尺寸成正比，與焦距成反比； D.與焦點(diǎn)尺寸成反比，與焦距成正比。3.8 決定細(xì)節(jié)在射線底片上可記錄最小尺寸的是（） A.對(duì)比度 B.不清晰度 C.顆粒度 D.以上都是3.9 射線照相底片的顆粒性是由什么因素造成的？（） A.影象顆?；蝾w粒團(tuán)塊的不均勻分布； B.底片單位面積上顆粒數(shù)的統(tǒng)計(jì)變化； C.顆粒團(tuán)塊的重重疊疊； D.以上都是。3.10 下列四種因素中，不能減小幾何不清晰度的因素是（） A.射源到膠片的距離； B.膠片到工件的距離； C.射源的強(qiáng)度； D.射源的尺寸。3.11 減小幾何不清晰度的方法是（） A.選用焦點(diǎn)較大射源； B.使用感光速度較快的膠片； C.增大射源到膠片的距離； D.增大工件到膠片的距離。3.12 固有不清晰度與下列哪一因素有關(guān)（） A.源尺寸； B.膠片感光度； C.膠片粒度； D.射線能量3.13 為了提高透照底片的清晰度，選擇焦距時(shí)，應(yīng)該考慮的因素是（） A.射源的尺寸，射源的強(qiáng)度，膠片類型； B.工件厚度，膠片類型，射源類型； C.射源強(qiáng)度，膠片類型，增感屏類型； D.射源尺寸，幾何不清晰度，工件厚度。3.14 下列四種因素中對(duì)底片的清晰度無任何影響的是（） A.射源的焦點(diǎn)尺寸 B.增感屏的類型； C.射線的能量 D.底片的黑度3.15 下列哪一種情況對(duì)膠片梯度和底片顆粒度同時(shí)產(chǎn)生影響？（） A.改變KV值 B.改變焦距 C.改變mA值 D.改變底片的黑度3.16 在射線照相中，使缺陷影象發(fā)生畸變最重要的原因是（） A.射源尺寸 B.射源到缺陷的距離 C.缺陷到膠片的距離 D.3.17 下面關(guān)于幾何修正系數(shù)σ的敘述，哪一條是錯(cuò)誤的？（） A.當(dāng)缺陷尺寸小于射源尺寸時(shí)，才需要引入σ對(duì)底片對(duì)比度進(jìn)行修正； B.σ值越小，幾何條件對(duì)底片對(duì)比度的影響越大； C.為提高σ而改變透照布置，常用的方法是增大焦距； D.為提高底片對(duì)比度，應(yīng)盡量采用σ>1的透照布置。3.18 當(dāng)象質(zhì)計(jì)金屬絲影象寬度小于某一特定值時(shí)，其最小可見對(duì)比度ΔDmin值 （） A.隨影象寬度的減小而減??； B.隨影象寬度的減小而增大； C.不隨影象寬度而變化； D.在某一影象寬度處有一極大值。3.19 透照有余高的焊縫時(shí)，為使象質(zhì)計(jì)金屬絲在焊縫和母材部位得到相同顯示，應(yīng)（） A.根據(jù)焊縫的余高選擇合適的射線能量； B.盡量選擇較高能量射線； C.盡量選擇較低能量射線； D.以上都不對(duì)。3.20 以下哪一個(gè)參數(shù)不被認(rèn)為是影響裂紋檢出的關(guān)鍵參數(shù)（） A.長度L B.開口寬度W C.自身高度d D.裂紋與射線角度3.21 透照板厚一定且有余高的焊縫，散射比隨有效能量的提高而（） A.增大 B.減小 C.不變 D.不一定3.22 用單壁外透法透照同一筒體時(shí)，如不考慮焦點(diǎn)投影尺寸的變化，縱縫Ug與環(huán)縫Ug的區(qū)別是：在一張底片的不同部位（） A.縱縫Ug值各處都一樣，而環(huán)縫Ug隨部位而變化； B.環(huán)縫Ug值各處都一樣，而縱縫Ug值隨部位而變化； C.無論縱縫、環(huán)縫，Ug值在任何部位都相同，不發(fā)生變化； D.以上都不是。3.23 用置于透照區(qū)中心附近的鉑——鎢雙絲透度計(jì)可以從射線底片上測出一定管電壓下的（） A.吸收系數(shù)； B.散射因子； C.固有不清晰度； D.形狀修正系數(shù)。3.24 下列哪一因素的變化不會(huì)改變射線照相的主因?qū)Ρ榷龋ǎ?A.試件的材質(zhì)； B.射線的能譜； C.散射線的分布； D.毫安分或居里分。3.25 下列哪一因素對(duì)照相底片顆粒性無明顯影響？（） A.顯影程度； B.使用鉛增感屏； C.射線穿透力； D.使用熒光增感屏。3.26 工件中靠近射源一側(cè)的缺陷圖像，在下列哪種情況下清晰度最差？（） A.焦距增大； B.焦點(diǎn)尺寸減??； C.工件厚度增大； D.膠片與工件距離減小。3.27 如何提高射線底片的信噪比？（） A.增加曝光量； B.提高管電壓； C.增大焦距； D.膠片與工件距離減小。3.28 下列哪一參數(shù)不是影響小缺陷射線照相清晰度和對(duì)比度的共同因素？ （） A.焦點(diǎn)或射源尺寸； B.黑度； C.焦距； D.射線線質(zhì)。3.29 在什么條件下尺寸較大的源攝得的射線底片質(zhì)量可與尺寸較小的源相當(dāng)？ （） A.增大源到膠片距離； B.采用較厚的鉛增感屏； C.使用速度快的膠片； D.縮短曝光時(shí)間。3.30 決定缺陷在射線透照方向上可檢出最小厚度差的因素是（） A.對(duì)比度 B.不清晰度 B.顆粒度 D.以上都是3.31 膠片與增感屏貼合不緊，會(huì)明顯影響射線照相的（） A.對(duì)比度 B.不清晰度 C.顆粒度 D.以上都是3.32 以下有關(guān)d′的敘述，哪一條是錯(cuò)誤的（） A.d′值與df成正比 B.d′值與L1、L2成反比 C.d′小于缺陷寬度W時(shí)，底片上缺陷影象有本影，對(duì)比度根據(jù)缺陷形狀進(jìn)行修正 D.d′大于缺陷寬度W時(shí)，底片上缺陷影象無本影，對(duì)比度急劇下降3.33 以下關(guān)于信息理論在射線照相方面的論述，哪一條是錯(cuò)誤的（） A.所謂“噪聲”即是底片的顆粒度 B.信噪比是指缺陷影象對(duì)比度ΔD與噪聲σD之比 C.只要信噪比大于1，缺陷就能夠識(shí)別 D.信噪比越大，缺陷識(shí)別就越容易3.34 按某種透照幾何條件計(jì)算出直徑0.32mm的象質(zhì)計(jì)金屬絲影象對(duì)比度修正系數(shù)σ=0.5，這意味著（） A.金屬絲影象黑度為0.5； B.金屬絲影象對(duì)比度為0.5； C. D.以上都不對(duì)3.35 以下哪一種措施不能提高射線照相的信噪比（） A.使用速度更慢的膠片 B.增加曝光量 C.提高底片黑度 D.提高射線能量3.36 計(jì)算的不清晰度最常用的計(jì)算公式是（） A.U=Ug+Ui B. C. D.4.1 按照“高靈敏度法”的要求，Ir192射線適宜透照鋼的厚度范圍是（） A.20-80mm； B.30-100mm； C.6-100mm； D.20-120mm。4.2 大約在哪一厚度上，Ir192射線配合微粒膠片照相的靈敏度與X射線配合中粒膠片照相的靈敏度大致相當(dāng)（） A.10-20mm B.20-30mm C.40-50mm D.80-90mm4.3 以下關(guān)于考慮總的不清晰度的焦距最小值Fmin的敘述，哪一條是錯(cuò)誤的（） A.Fmin值隨射源尺寸df的增大而增大； B.Fmin值隨固有不清晰度Ui的增大而增大； C.Fmin值隨工件厚度T的增大而增大； D.應(yīng)用Fmin的同時(shí)應(yīng)考慮限制射線能量不能過高。4.4 GB3323標(biāo)準(zhǔn)中，AB級(jí)照相的Ug值的計(jì)算式是（） A. B. C. D.4.5 雙壁雙影直透法一般用于多大直徑管子的環(huán)焊縫透照（） A.Φ89mm以下； B.Φ76mm以下； C.Φ20mm以下； D.Φ10mm以下；4.6 以相同的條件透照一工件，若焦距縮短20%，曝光時(shí)間可減小多少？（） A.64%； B.36%； C.20%； D.80%4.7 用半衰期為75天的Ir192源在某時(shí)間對(duì)某工件透照時(shí)的曝光時(shí)間為40分鐘；5個(gè)月后，用該源對(duì)同一工件透照，為得到同樣黑度的射線底片，曝光時(shí)間應(yīng)為：（） A.40分鐘； B.2小時(shí)； C.2小時(shí)40分； D.4小時(shí)。4.8 若散射線忽略不計(jì)，當(dāng)透照厚度的增加量相當(dāng)于1/2半價(jià)層時(shí)，則膠片接受的照射量將減少多少？（） A.25%； B.70%； C.41%； D.30%。4.9 射線能量200KV時(shí)，銅相對(duì)鋼的等效系數(shù)為1.4，對(duì)14mm銅板照相，需采用多厚鋼的曝光量（） A.10mm； B.20mm； C.14mm； D.15.4mm。4.10 對(duì)于厚度差較大的工件進(jìn)行透照時(shí)，為了得到黑度和層次比較均勻的底片，一般做法是（） A.提高管電流； B.提高管電壓； C.增加曝光時(shí)間； D.縮短焦距。4.11 在同一個(gè)暗盒中裝兩張不同感光速度的膠片進(jìn)行曝光的主要目的是（） A.為了防止暗室處理不當(dāng)而重新拍片； B.為了防止探傷工藝選擇不當(dāng)而重新拍片； C.為了防止膠片上的偽缺陷而重新拍片； D.4.12 用雙膠片進(jìn)行射線照相，要裝兩張不同感光速度的膠片，其選片原則是：兩種膠片的特性曲線：（） A.應(yīng)在黑度軸上有些重合； B.在黑度軸上無需重合； C.應(yīng)在lgE軸上有些重合； D.在lgE軸上無需重合。4.13 鉛箔增感屏上的深度劃傷會(huì)在射線底片上產(chǎn)生黑線，這是因?yàn)椋海ǎ?A.鉛箔劃傷部位厚度減薄，對(duì)射線吸收減小，從而使該處透射線時(shí)增多； B.劃傷使鉛箔表面增大，因而發(fā)射電子的面積增大，增感作用加強(qiáng)； C.深度劃傷與膠片之間的間隙增大，散射線增加； D.以上都對(duì)。4.14 透照有余高的焊縫，下面哪一條件的變化不會(huì)導(dǎo)致散射比顯著增大？（） A.射線能量從200KeV降低到100KeV； B.照射場范圍從Φ300mm增大到Φ500mm； C.試件厚度從20mm增加到40mm； D.焊縫余高從2mm增加到4mm。4.15 比較大的散射源通常是（） A.鉛箔增感屏； B.暗盒背面鉛板； C.地板和墻壁； D.被檢工件。4.16 由被檢工件引起的散射線是（） A.背散射； B.側(cè)向散射； C.正向散射； D.全都是。4.17 射線探傷中屏蔽散射線的方法是（） A.鉛箔增感屏和鉛罩； B.濾板和光闌； C.暗盒底部鉛板； D.以上全是。4.18 射線探傷時(shí)，在膠片暗盒和底部鉛板之間放一個(gè)一定規(guī)格的B字鉛符號(hào)，如果經(jīng)過處理的底片上出現(xiàn)B的亮圖象，則認(rèn)為（） A.這一張底片對(duì)比度高，象質(zhì)好； B.這一張底片清晰度高，靈敏度高； C.這一張底片受正向散射影響嚴(yán)重，象質(zhì)不符合要求； D.這一張底片受背向散射影響嚴(yán)重，象質(zhì)不符合要求。4.19 在射線機(jī)窗口加濾板，在工件上加補(bǔ)償塊減小厚度差，以及采用多膠片法，都是為了（） A.校正不清晰度； B.校正低密度； C.校正低對(duì)比度； D.校正低寬容度。4.20 置于工件和射源之間的濾板可以減少從工件邊緣進(jìn)入的散射線，其原因是濾板（） A.吸收一次射線束中波長較長的成份； B.吸收一次射線束中波長較短的成份； C.吸收背散射線； D.降低一次射線束的強(qiáng)度。4.21 濾板的作用相當(dāng)于（） A.增加毫安； B.降低毫安； C.增加千伏； D.降低千伏。4.22 已知Co60源的半衰期為5.3年，用一個(gè)新源進(jìn)行射線照相得到滿意的射線底片，兩年后用該源對(duì)同一工件按同樣條件進(jìn)行射線照相，為得到同樣的底片，曝光時(shí)間（） A.不變； B.約延長10% C.約延長30% D.約延長60%4.23 用鉛箔增感，焦距1200mm曝光時(shí)間8分鐘，得底片黑度1.5，現(xiàn)焦距為600mm，底片黑度不變，曝光時(shí)間應(yīng)為（） A.1.6分鐘 B.2分鐘 C.1.25分鐘 D.4分鐘4.24 曝光因子中的管電流、曝光時(shí)間和焦距三者的關(guān)系是（） A.管電流不變，時(shí)間與焦距的平方成反比； B.管電流不變，時(shí)間與焦距的平方成正比； C.焦距不變，管電流與曝光時(shí)間成正比； D.曝光時(shí)間不變，管電流與焦距成正比。4.25 控制透照厚度比K值的主要目的是（） A.提高橫向裂紋檢出率； B.減小幾何不清晰度； C.增大厚度寬容度； D.提高底片對(duì)比度。4.26 對(duì)能量為100KV的射線，鋁的透照等效系數(shù)為0.08，則對(duì)于厚度25mm的鋁試件，應(yīng)選擇多少厚度鋼的曝光量（） A.25mm； B.2mm； C.20mm； D.3mm。4.27 采用雙片曝光和雙片觀察的技術(shù)，可以（） A.增大對(duì)比度； B.減小不清晰度； C.增大寬容度； D.減小顆粒度。4.28 小徑管環(huán)焊縫雙壁雙影透照時(shí)，適合的曝光參數(shù)是（） A.較高電壓、較短時(shí)間； B.較高電壓、較長時(shí)間； C.較低電壓、較短時(shí)間； D.較低電壓、較長時(shí)間。4.29 小徑管橢圓透照的有效透照范圍長度（） A.與焦距的平方成反比； B.與焦距的平方成正比； C.與焦距成正比； D.與焦距無關(guān)。4.30 對(duì)鋼工件，大致在哪一透照厚度值上，使用CO60的照相效果比Ir192更好一些：（） A.40mm B.60mm C.80mm D.120mm4.31 曝光因子表達(dá)了哪幾個(gè)參數(shù)的相互關(guān)系（） A.管電壓、管電流、曝光時(shí)間 B.管電壓、曝光量、焦距 C.管電流、曝光時(shí)間、焦距 D.底片黑度、曝光量、焦距4.32 穿過試件較薄截面的射線會(huì)在相鄰厚截面下產(chǎn)生散射，從而對(duì)厚截面的影象產(chǎn)生影響，這種影響稱為（） A.康普頓散射 B.瑞利散射 C.邊蝕散射 D.固有不清晰度4.33 以下關(guān)于雙壁雙影直透法的敘述，哪一條是錯(cuò)誤的（） A.直透法一般只適用于直徑小于20mm的管子環(huán)焊縫照相； B.直透法比斜透法更易于探傷操作； C.直透法比斜透法更有利于檢出根部未熔合和未焊透； D.直透法比斜透法更有利于判斷缺陷在焊縫中的位置。4.34 透照厚度為150mm的鋼對(duì)接焊縫，可選用的射線源是（） A.300KV攜帶式X射線機(jī) B.420KV移動(dòng)式X射線機(jī) C.Ir192γ射線源 D.Co60γ射線源4.35 對(duì)厚度為15mm，直徑1000mm的筒體的對(duì)接環(huán)縫照相，較理想的選擇是（） A.Ir192γ源，中心透照法 B.錐靶周向X射線機(jī)，中心透照法 C.單向X射線機(jī)，外照法 D.平靶周向X射線機(jī)，中心透照法4.36 在哪一種情況下，底片的有效評(píng)定范圍會(huì)超出搭接標(biāo)記以外（） A.環(huán)縫雙壁單影透照，搭接標(biāo)記放在膠片側(cè)； B.環(huán)縫單壁外透法，搭接標(biāo)記放在膠片側(cè)； C.縱縫單壁外透法，搭接標(biāo)記放在射源側(cè)； D.環(huán)縫中心透照法搭接標(biāo)記放在膠片側(cè)。4.37 小徑管環(huán)焊縫照相的參數(shù)經(jīng)驗(yàn)有效厚度比Ke的用途是（） A.為焦距選擇提供參考依據(jù)； B.為偏移距離選擇提供參考依據(jù)； C.為管電壓選擇提供參考依據(jù)； D.為曝光量選擇提供參考依據(jù)。4.38 鍛件法蘭對(duì)接焊縫射線照相，提高照相質(zhì)量最重要的措施是（） A.提高管電壓增大寬容度 B.使用梯噪比高的膠片 C.使用屏蔽板減少“邊蝕” D.增大焦距提高小裂紋檢出率5.1 顯影的目的是（） A.使曝光的金屬銀轉(zhuǎn)變?yōu)殇寤y； B.使曝光的溴化銀轉(zhuǎn)變?yōu)榻饘巽y； C.去除未曝光的溴化銀； D.去除已曝光的溴化銀。5.2 顯影液的主要成份是（） A.還原劑和促進(jìn)劑； B.保護(hù)劑； C.抑制劑； D.以上全是。5.3 還原劑通常采用（） A.亞硫酸鈉； B.溴化鉀； C.米吐爾和對(duì)苯二酚； D.碳酸鈉。5.4 顯影液中的促進(jìn)劑通常采用（） A.亞硫酸鈉； B.溴化鉀； C.菲尼銅； D.碳酸鈉。5.5 顯影液中的保護(hù)劑通常采用（） A.亞硫酸鈉； B.溴化鉀；1 C.菲尼銅； D.碳酸鈉。5.6 顯影液中的抑制劑通常采用（） A.亞硫酸鈉； B.溴化鉀； C.菲尼銅； D.氫氧化鈉。5.7 顯影操作時(shí)，不斷攪動(dòng)底片的目的是（） A.使未曝光的溴化銀粒子脫落； B.驅(qū)除附在底片表