RENA前后清洗工藝培訓(xùn)課件

ConfidentialRENA前后清洗工藝培訓(xùn)ConfidentialRENA前后清洗工藝培訓(xùn)Highlight1.太陽電池基本知識(shí)2.清洗制絨的目的3.前清洗RENA機(jī)臺(tái)及工藝介紹4.后清洗工藝介紹5.RENA機(jī)臺(tái)常見報(bào)警信息6.碎片改善7.十項(xiàng)影響因素8.異常圖片及簡(jiǎn)單分析9.異常處理流程Highlight1.太陽電池基本知識(shí)一、什么是太陽能電池一、什么是太陽能電池太陽電池是利用光生伏特效應(yīng)，把光能直接轉(zhuǎn)換成電能的一種器件。

它的工作原理可以概括成下面幾個(gè)主要過程：第一，必須有光的照射，可以是單色光，太陽光或我們測(cè)試用的模擬太陽光源。第二，光子注入到半導(dǎo)體后，激發(fā)出電子—空穴對(duì)。這些電子空穴對(duì)必須有足夠的壽命保證不會(huì)在分離前被附和。第三，必須有個(gè)靜電場(chǎng)（PN結(jié)），起分離電子空穴的作用。第四，被分離的電子空穴，經(jīng)電極收集輸出到電池體外，形成電流。1.太陽能電池的原理太陽電池是利用光生伏特效應(yīng)，把光能直接轉(zhuǎn)換成電能的一前清洗（制絨）擴(kuò)散PECVDSiNx后清洗（刻邊/去PSG）絲網(wǎng)印刷/燒結(jié)/測(cè)試2.制造太陽能電池的基本工藝流程前清洗（制絨）擴(kuò)散PECVDSiNx后清洗（刻邊/去PS二、前清洗（制絨）二、前清洗（制絨）制絨按工藝不同可分為堿制絨和酸制絨：利用堿溶液對(duì)單晶硅不同晶面有不同的腐蝕速率（各向異性腐蝕），對(duì)（100）面腐蝕快，對(duì)（111）面腐蝕慢。如果將(100)作為電池的表面，經(jīng)過腐蝕、在表面會(huì)出現(xiàn)以(111)面形成的錐體密布表面（金字塔狀），稱為表面織構(gòu)化。但是對(duì)于多晶硅，由于晶體排列方式雜亂，如果利用堿液，無法進(jìn)行腐蝕得到良好的金字塔織構(gòu)化表面，此時(shí)只能用酸溶液進(jìn)行各向同性腐蝕，獲得表面存在許多凹坑的表面結(jié)構(gòu)，也能起到良好的陷光作用。1.制絨工藝的分類：制絨按工藝不同可分為堿制絨和酸制絨：1.制絨工藝的分類：?jiǎn)尉Ч杵瑝A制絨絨面形狀多晶硅片酸制絨絨面形狀單晶硅片堿制絨絨面形狀多晶硅片酸制絨絨面形狀2.陷光原理：光在光滑半導(dǎo)體薄片表面上的反射、折射和透射陷光原理圖當(dāng)入射光入射到一定角度的斜面，光會(huì)反射到另一角度的斜面形成二次吸收或者多次吸收，從而增加吸收率。2.陷光原理：光在光滑半導(dǎo)體薄片表面上的陷光原理圖

腐蝕深度在4.4±0.4μm時(shí)，制絨后的硅片表面反射率要一般在20%~25%之間，此時(shí)得到的電性能較好。

腐蝕深度與電性能間的關(guān)系腐蝕深度在4.4±0.4μm時(shí)，制絨后的在絨面硅片上制成PN結(jié)太陽電池，它有以下特點(diǎn):(l)絨面電池比光面電池的反射損失小，如果再加減反射膜，其反射率可進(jìn)一步降低。(2)入射光在光錐表面多次折射，改變了入射光在硅中的前進(jìn)方向，不僅延長(zhǎng)了光程，增加了對(duì)紅外光子的吸收，而且有較多的光子在靠近PN結(jié)附近產(chǎn)生光生載流子，從而增加了光生載流子的收集幾率。(3)在同樣尺寸的基片上，絨面電池的PN結(jié)面積比光面大得多，因而可以提高短路電流，轉(zhuǎn)換效率也有相應(yīng)提高。(4)絨面也帶來了一些缺點(diǎn):一是工藝要求提高了；二是由于它減反射的無選擇性，不能產(chǎn)生電子空穴對(duì)的有害紅外輻射也被有效地耦合入電池，使電池發(fā)熱；三是易造成金屬接觸電極與硅片表面的點(diǎn)接觸，使接觸電阻損耗增加。在絨面硅片上制成PN結(jié)太陽電池，它有以下特點(diǎn):三、RENAIntex前清洗（酸制絨）工藝三、RENAIntex前清洗（酸制絨）工藝RENA清洗設(shè)備注：前、后清洗設(shè)備外觀相同，內(nèi)部構(gòu)造和作用原理稍有不同RENA清洗設(shè)備1.RENA前清洗工序的目的：去除硅片表面的機(jī)械損傷層（來自硅棒切割的物理損傷）清除表面油污（利用HF）和金屬雜質(zhì)（利用HCl）形成起伏不平的絨面，增加對(duì)太陽光的吸收，增加PN結(jié)面積，提高短路電流（Isc），最終提高電池光電轉(zhuǎn)換效率。1.RENA前清洗工序的目的：去除硅片表面的機(jī)械損傷層（來自前清洗工藝步驟：制絨→堿洗→酸洗→吹干EtchbathDryer1Rinse1AlkalineRinseRinse2AcidicRinseRinse3Dryer2RENAIntex前清洗設(shè)備的主體分為以下八個(gè)槽，此外還有滾輪、排風(fēng)系統(tǒng)、自動(dòng)及手動(dòng)補(bǔ)液系統(tǒng)、循環(huán)系統(tǒng)和溫度控制系統(tǒng)等。2.設(shè)備構(gòu)造前清洗工藝步驟：制絨→堿洗→酸洗→吹干EtchbatEtchbath：刻蝕槽，用于制絨。所用溶液為HF+HNO3

，作用：1.去除硅片表面的機(jī)械損傷層；2.形成無規(guī)則絨面。AlkalineRinse：堿洗槽。所用溶液為KOH，作用：1.

對(duì)形成的多孔硅表面進(jìn)行清洗；2.中和前道刻蝕后殘留在硅片表面的酸液。AcidicRinse：酸洗槽。所用溶液為HCl+HF，作用：1.中和前道堿洗后殘留在硅片表面的堿液；2.HF可去除硅片表面氧化層（SiO2），形成疏水表面，便于吹干；3.HCl中的Cl-有攜帶金屬離子的能力，可以用于去除硅片表面金屬離子。

Etchbath：刻蝕槽，用于制絨。所用溶液為HF+HNRENA前后清洗工藝培訓(xùn)課件

HNO3+Si=SiO2+NOx↑+H2OSiO2+4HF=SiF4+2H2OSiF4+2HF=H2[SiF6]Si+2KOH+H2O→K2SiO3+2H2NO2+H2O=HNO3+HNO2Si+HNO2=SiO2+NO+H2OHNO3+NO+H2O=HNO23.酸制絨工藝涉及的反應(yīng)方程式:3.酸制絨工藝涉及的反應(yīng)方程式:主操作界面主操作界面RENA前后清洗工藝培訓(xùn)課件Manual界面Manual界面RENA前后清洗工藝培訓(xùn)課件23A1.換藥時(shí)酸液流動(dòng)方向A2.補(bǔ)藥時(shí)酸液流動(dòng)方向B.循環(huán)時(shí)液體流動(dòng)方向C.DI

Water流動(dòng)方向D.Cool

water流動(dòng)方向E.Exhaust(acidicgas)A2BCDEV/VandSensorsa-c:liquidlevelsensor,a:underthelevel,notenoughb:liquidisfullc:liquidoverfilld:liquidwilloverfallf:V/Vopenwhileliquidcirculationg/G:MFC1h:thermometeri:conductivitymeterj:MFC2(EtchBathairknife)k:MFC3l:pumpabcdfghijkhhG刻蝕槽管路圖A1l23A1.換藥時(shí)酸液流動(dòng)方向A2BCDEV/VandSRENA前后清洗工藝培訓(xùn)課件Rinse3DIwater流入方向循環(huán)水流向溢流向Rinse2，Rinse1BV/VandSensorsa.壓力泵-將液體送入Rinse槽b.流量計(jì)c.濾芯bCAaCcRinse3DIwater流入方向BV/VandSenRENA前后清洗工藝培訓(xùn)課件換藥時(shí)堿液流動(dòng)方向循環(huán)時(shí)液體流動(dòng)方向DI

Water流動(dòng)方向Cool

water流動(dòng)方向Drain的方向ABCD堿槽管路圖E換藥時(shí)堿液流動(dòng)方向ABCD堿槽管路圖EAABcDAABcDRENA前后清洗工藝培訓(xùn)課件RENA前后清洗工藝培訓(xùn)課件Recipe界面Recipe界面RENA前后清洗工藝培訓(xùn)課件RENA前后清洗工藝培訓(xùn)課件RENA前后清洗工藝培訓(xùn)課件RENA前后清洗工藝培訓(xùn)課件RENA前后清洗工藝培訓(xùn)課件Replenish界面Replenish界面RENA前后清洗工藝培訓(xùn)課件RENA前后清洗工藝培訓(xùn)課件RENA前后清洗工藝培訓(xùn)課件Trend界面Trend界面RENA前后清洗工藝培訓(xùn)課件RENA前后清洗工藝培訓(xùn)課件4.前清洗換藥規(guī)程4.前清洗換藥規(guī)程5.前清洗工序工藝要求片子表面5S控制

不容許用手摸片子的表片，要勤換手套，避免擴(kuò)散后出現(xiàn)臟片。稱重

1.每批片子的腐蝕深度都要檢測(cè)，不允許編造數(shù)據(jù)，搞混批次等。2.要求每批測(cè)量4片。3.放測(cè)量片時(shí)，把握均衡原則。如第一批放在1.3.5.7道，下一批則放在2.4.6.8道，便于檢測(cè)設(shè)備穩(wěn)定性以及溶液的均勻性?？涛g槽液面的注意事項(xiàng)：正常情況下液面均處于綠色，如果一旦在流片過程中顏色改變，立即通知工藝人員。5.前清洗工序工藝要求片子表面5S控制產(chǎn)線上沒有充足的片源時(shí)，工藝要求:

1.停機(jī)1小時(shí)以上，要將刻蝕槽的藥液排到tank，減少藥液的揮發(fā)。2.停機(jī)15分鐘以上要用水槍沖洗堿槽噴淋及風(fēng)刀，以防酸堿形成的結(jié)晶鹽堵塞噴淋口及風(fēng)刀。3.停機(jī)1h以上，要跑假片，至少一批（400片）且要在生產(chǎn)前半小時(shí)用水槍沖洗風(fēng)刀處的滾輪，杜絕制絨后的片子有滾輪印。前清洗到擴(kuò)散的產(chǎn)品時(shí)間:最長(zhǎng)不能超過4小時(shí),時(shí)間過長(zhǎng)硅片會(huì)污染氧化，到擴(kuò)散污染爐管,從而影響后面的電性能及效率

產(chǎn)線上沒有充足的片源時(shí)，工藝要求:四、RENAInOxSide后清洗工藝培訓(xùn)四、RENAInOxSide后清洗工藝培訓(xùn)

擴(kuò)散過程中，雖然采用背靠背擴(kuò)散，硅片的邊緣將不可避免地?cái)U(kuò)散上磷。PN結(jié)的正面所收集到的光生電子會(huì)沿著邊緣擴(kuò)散有磷的區(qū)域流到PN結(jié)的背面，而造成短路。此短路通道等效于降低并聯(lián)電阻。

同時(shí)，由于在擴(kuò)散過程中氧的通入，在硅片表面形成一層二氧化硅，在高溫下POCl3與O2形成的P2O5，部分P原子進(jìn)入Si取代部分晶格上的Si原子形成n型半導(dǎo)體，部分則留在了SiO2中形成PSG。

后清洗的目的就是進(jìn)行濕法刻蝕和去除PSG。1.后清洗的目與原理擴(kuò)散過程中，雖然采用背靠背擴(kuò)散，硅片的邊緣將不2.濕法刻蝕原理:利用HNO3和HF的混合液體對(duì)擴(kuò)散后硅片下表面和邊緣進(jìn)行腐蝕,去除邊緣的N型硅,使得硅片的上下表面相互絕緣。邊緣刻蝕原理反應(yīng)方程式：3Si+4HNO3+18HF=3H2[SiF6]+4NO2+8H2O2.濕法刻蝕原理:邊緣刻蝕原理反應(yīng)方程式：3.刻蝕中容易產(chǎn)生的問題及檢測(cè)方法：

1.刻蝕不足：邊緣漏電，Rsh下降，嚴(yán)重可導(dǎo)致失效

檢測(cè)方法：測(cè)絕緣電阻

2.過刻：正面金屬柵線與P型硅接觸，造成短路

檢測(cè)方法：稱重及目測(cè)

SPC控制：當(dāng)硅片從設(shè)備中流轉(zhuǎn)出來時(shí)，工藝需檢查硅片表面狀態(tài)，絨面無明顯斑跡，無藥液殘留。125單晶該工序產(chǎn)品單要求面腐蝕深度控制在0.8～1.6μm范圍之內(nèi),且硅片表面刻蝕寬度不超過2mm,

同時(shí)需要保證刻蝕邊緣絕緣電阻大于1K歐姆。3.刻蝕中容易產(chǎn)生的問題及檢測(cè)方法：SPC控制：4.去除磷硅玻璃的目的：

1)磷硅玻璃的存在使得硅片在空氣中表面容易受潮，導(dǎo)致電流的降低和功率的衰減。

2)死層的存在大大增加了發(fā)射區(qū)電子的復(fù)合，會(huì)導(dǎo)致少子壽命的降低，進(jìn)而降低了Voc和Isc。3)磷硅玻璃的存在使得PECVD后產(chǎn)生色差。4.去除磷硅玻璃的目的：去PSG原理方程式：

SiO2+4HF=SiF4+2H2OSiF4+2HF=H2[SiF6]SiO2+6HF=H2[SiF6]+2H2O去PSG工序檢驗(yàn)方法：當(dāng)硅片從HF槽出來時(shí)，觀察其表面是否脫水，如果脫水，則表明磷硅玻璃已去除干凈；如果表面還沾有水珠，則表明磷硅玻璃未被去除干凈，可在HF槽中適當(dāng)補(bǔ)些HF。去PSG原理方程式：后清洗工藝步驟：邊緣刻蝕→堿洗→酸洗→吹干RENAInOxSide后清洗設(shè)備的主體分為以下七個(gè)槽，此外還有滾輪、排風(fēng)系統(tǒng)、自動(dòng)及手動(dòng)補(bǔ)液系統(tǒng)、循環(huán)系統(tǒng)和溫度控制系統(tǒng)等。EtchbathRinse1AlkalineRinseRinse2HFbathRinse3Dryer25.后清洗設(shè)備構(gòu)造后清洗工藝步驟：邊緣刻蝕→堿洗→酸洗→吹干Etchbath：刻蝕槽，用于邊緣刻蝕。所用溶液為HF+HNO3+H2SO4，作用：邊緣刻蝕，除去邊緣PN結(jié)，使電流朝同一方向流動(dòng)。

注意擴(kuò)散面須向上放置，H2SO4的作用主要是增大液體浮力，使硅片很好的浮于反應(yīng)液上（僅上邊緣2mm左右和下表面與液體接觸）。AlkalineRinse：堿洗槽。所用溶液為KOH，作用：中和前道刻蝕后殘留在硅片表面的酸液。HFBath：HF酸槽。所用溶液為HF，作用：中和前道堿洗后殘留在硅片表面的堿液；去PSGEtchbath：刻蝕槽，用于邊緣刻蝕。所用溶液為HF+后清洗機(jī)臺(tái)的操作界面，基本的工藝要求，換藥規(guī)程等、基本都都同于前清洗設(shè)備，在此不再累述。

需要注意的是：后清洗刻蝕槽處的排風(fēng)很重要后清洗機(jī)臺(tái)的操作界面，基本的工藝要求，換藥規(guī)程五、RENA設(shè)備常見報(bào)警信息五、RENA設(shè)備常見報(bào)警信息1關(guān)于waferjam（疊片）報(bào)警出現(xiàn)此類報(bào)警時(shí)，工藝人請(qǐng)?jiān)O(shè)備人員調(diào)整滾輪并取出碎片。如果是滾輪原因造成上述報(bào)警，同時(shí)上級(jí)決定暫時(shí)不能停機(jī)，可選擇不在報(bào)警道投片，待工藝換藥或設(shè)備PM時(shí)要求設(shè)備人員進(jìn)行相應(yīng)調(diào)整。此外可要求生產(chǎn)人員可適當(dāng)增大放員需檢查各段滾輪是否正常工作，設(shè)備中是否出現(xiàn)卡片、碎片。如果出現(xiàn)上述異常，需及時(shí)片間距，減少疊片的發(fā)生。2關(guān)于temperature（溫度）報(bào)警出現(xiàn)此類報(bào)警時(shí)，工藝人員需確認(rèn)coolingunit在工作，確認(rèn)有循環(huán)流量，然后等待并觀察溫度是否降低。如果溫度沒有下降趨勢(shì)，通知設(shè)備人員進(jìn)行檢查。3關(guān)于pump（泵）報(bào)警

出現(xiàn)此類報(bào)警時(shí)，工藝人員需確認(rèn)報(bào)警槽的溶液量是否達(dá)到液位要求，循環(huán)是否正常。如有異常，補(bǔ)加藥液并手動(dòng)打開槽體循環(huán)。同時(shí)要求設(shè)備人員檢查該槽噴淋濾芯是否正常。4關(guān)于dry（風(fēng)刀）報(bào)警

出現(xiàn)此類報(bào)警時(shí)，工藝人員需檢查外圍供氣壓力是否正常，風(fēng)刀有無被堵。并及時(shí)通知外圍人員或設(shè)備人員作出相應(yīng)調(diào)整。1關(guān)于waferjam（疊片）報(bào)警5關(guān)于刻蝕槽flow（流量）報(bào)警出現(xiàn)此類報(bào)警時(shí)，工藝人員需檢查是否有碎片堵住藥液入口。如有碎片需取出后，將藥液打入tank混勻溶液后重新將藥液打入bath中。如果流量不穩(wěn)定報(bào)警，需要求設(shè)備人員檢查相應(yīng)傳感器6關(guān)于overfilled（溶液過滿）報(bào)警出現(xiàn)此類報(bào)警時(shí)，工藝人員需要求設(shè)備檢查液位傳感器是否正常工作。如果確實(shí)過滿，則需要手動(dòng)排掉部分藥液，直到達(dá)到生產(chǎn)液位要求。7關(guān)于tankempty（儲(chǔ)藥罐空）報(bào)警出現(xiàn)此類報(bào)警時(shí)，說明外圍相應(yīng)儲(chǔ)藥罐中的藥品已空，需及時(shí)通知外圍人員添加藥液。8關(guān)于valveblocked（閥門被堵）報(bào)警出現(xiàn)此類報(bào)警時(shí)，則有閥門被堵，必須立即通知設(shè)備人員處理。9顏色突出指示的意義出現(xiàn)報(bào)警信息時(shí)，各種顏色突出所指示的相關(guān)意義如下圖所示5關(guān)于刻蝕槽flow（流量）報(bào)警六、如何減小RENA設(shè)備的碎片率六、如何減小RENA設(shè)備的碎片率60

正確位置錯(cuò)誤的位置放片方法應(yīng)嚴(yán)格按照作業(yè)指導(dǎo)書，輕拿輕放在正確位置。多晶156的硅片由于面積較大，如果放置的位置不正確，很容易造成疊片卡片等，致使硅片在機(jī)器中碎裂。60正確位置錯(cuò)誤的位置放片方61提高擋板的高度使得片子能夠順利的通過.滾輪能夠碰到擋板的地方，可以選擇將擋板切掉一部分.蓋子容易碰到滾輪61提高擋板的高度使得片子能夠順利的通過.62減少CDA的壓力，調(diào)節(jié)上下風(fēng)刀的壓力，使得上下壓力到達(dá)均衡．調(diào)整風(fēng)管的方向，確保O-ring沒有碰到風(fēng)管．調(diào)節(jié)擋板和滾輪之間的距離62減少CDA的壓力，調(diào)節(jié)上下風(fēng)刀的壓力，使得上下63調(diào)整噴淋管的位置，至滾輪能夠光滑的運(yùn)行．調(diào)整風(fēng)管和水管的位置，使得片子在通過的時(shí)候，不會(huì)影響片子的運(yùn)行．63調(diào)整噴淋管的位置，至滾輪能夠光滑的運(yùn)行．64檢查所有滾輪和O-ring的位置是正確的，確保上下滾輪在同一條線上．調(diào)節(jié)滾輪的高度和水洗管的位置保證片子在傳送過程中無偏移．如果發(fā)生偏移會(huì)產(chǎn)生碎片．64檢查所有滾輪和O-ring65調(diào)節(jié)滾輪１的速度小于滾輪２的速度，如果生產(chǎn)不趕產(chǎn)量，則盡量讓生產(chǎn)人員放片子不要太急，拉大片間距，這樣片子進(jìn)出設(shè)備較均勻，不易產(chǎn)生疊片等現(xiàn)象．片子之間距離2cm65調(diào)節(jié)滾輪１的速度小于滾輪２的速度，如果生產(chǎn)不66工藝人員在日常正常生產(chǎn)過程中，如果發(fā)現(xiàn)機(jī)器碎片，一方面應(yīng)該提醒產(chǎn)線員工注意放片規(guī)范，減少疊片和歪片；另一方面，應(yīng)巡查上述主要地方，及時(shí)找到并清理在設(shè)備中殘留的碎片，杜絕更多碎片的產(chǎn)生。66工藝人員在日常正常生產(chǎn)過程中，如果發(fā)現(xiàn)機(jī)器碎片，七、前后清洗十項(xiàng)影響效率、良率(或特定電參數(shù))的原因七、前后清洗十項(xiàng)影響效率、A.片源不同

這里提到的片源差異包括多晶硅料的不同（鍋底料、邊皮料、金屬硅、復(fù)拉料、重?fù)诫s等等）以及晶體大小不同（微晶片等），對(duì)于前清洗，片源不同，腐蝕量、腐蝕速率和形成的絨面結(jié)構(gòu)都會(huì)不同，短路電流將受到重大影響，其他電性能也會(huì)受到一定程度的影響。后清洗雙向切割片的線痕過大會(huì)造成過刻等。

預(yù)防措施：1集中投片配合工藝對(duì)藥液的調(diào)節(jié)2每批產(chǎn)品測(cè)量刻蝕重量是有超規(guī)范A.片源不同B.藥液濃度的穩(wěn)定性

包括藥液補(bǔ)加量的準(zhǔn)確程度，藥液的揮發(fā)，工藝參數(shù)的設(shè)置等。

預(yù)防措施：1.設(shè)備帶料不生產(chǎn)時(shí)把藥液排到TANK槽中2.控制穩(wěn)定的溫度3.測(cè)量硅片反射率是否超規(guī)范4.每批產(chǎn)品測(cè)量刻蝕重量是有超規(guī)范5.希望設(shè)備端給設(shè)備安裝實(shí)際測(cè)量藥液補(bǔ)加的測(cè)量器B.藥液濃度的穩(wěn)定性C.溫度的波動(dòng)

溫度直接影響片子與藥液反應(yīng)的程度，其波動(dòng)的大小和波動(dòng)的周期直接影響批內(nèi)和批次間腐蝕量和刻蝕量的不同，進(jìn)而導(dǎo)致電性能的波動(dòng)。

預(yù)防措施：1.設(shè)備定期檢查cool是否正常2.設(shè)備端進(jìn)行溫度SPC監(jiān)控3.工藝每天檢查溫度趨勢(shì)4.測(cè)量硅片反射率是否超規(guī)范5.每批產(chǎn)品測(cè)量刻蝕重量是有超規(guī)范C.溫度的波動(dòng)D.設(shè)備噴淋的異常

噴淋的異常會(huì)導(dǎo)致藥液殘留和一些反應(yīng)不能正常進(jìn)行，進(jìn)而出現(xiàn)臟片。

預(yù)防措施：1.設(shè)備每次做完P(guān)M時(shí)調(diào)整好噴淋角度，并用假片檢查硅

片是否有臟片。2.生產(chǎn)每?jī)尚r(shí)檢查設(shè)備是否有碎片卡在滾輪中，堵住噴

淋口3.蓋擋板時(shí)須輕放，避面擋板打偏噴淋口4.對(duì)于堿槽，當(dāng)設(shè)備待料超過15分鐘時(shí)必須沖洗噴淋及風(fēng)刀D.設(shè)備噴淋的異常E.過刻的異常

后清洗造成過刻，鍍膜后黑邊，且造成短路，從而影響效率及良率

預(yù)防措施：1.調(diào)節(jié)排風(fēng)或降低流量或提高速度2.設(shè)備端安裝排風(fēng)監(jiān)控表，并每天檢查3.滾輪或槽體擋板變形，需調(diào)整滾輪或擋板4.藥液濃度異常，需調(diào)節(jié)濃度5.希望設(shè)備端給設(shè)備安裝實(shí)際測(cè)量藥液補(bǔ)加的測(cè)量器E.過刻的異常F.設(shè)備滾輪的變形異常

導(dǎo)致碎片、腐蝕不均、過刻、硅片沾不到液等，最終影響效率

預(yù)防措施：1.設(shè)備PM時(shí)定期檢查2.工藝及時(shí)反饋刻蝕狀況F.設(shè)備滾輪的變形異常G.設(shè)備PM徹底性和細(xì)化PM進(jìn)行的徹底到位可以保證生產(chǎn)的正常進(jìn)行，如濾芯的清洗，清洗不好，可能導(dǎo)致水不干凈，造成水痕臟片等；碎片清理不徹底可能導(dǎo)致碎片流入藥液管道造成藥液流量降低，滴定閥堵塞漏酸，造成臟片等。

預(yù)防措施：1.要求設(shè)備PM之前必須沖洗各個(gè)槽滾輪，且在PM后工藝端檢查是否做到位，看碎片是否清洗干凈，滾輪是否安裝好等G.設(shè)備PM徹底性和細(xì)化H.測(cè)量?jī)x器的短缺

測(cè)量?jī)x器的短缺會(huì)造成測(cè)量不能及時(shí)進(jìn)行，產(chǎn)品質(zhì)量不能保證，甚至導(dǎo)致生產(chǎn)大量不良片后才發(fā)現(xiàn)。至少保證每?jī)膳_(tái)機(jī)器有一臺(tái)測(cè)量?jī)x器（電子天平和絕緣電阻測(cè)試儀）。

預(yù)防措施：1.設(shè)備定期檢查測(cè)量?jī)x器是否完好，準(zhǔn)確2.校正部門應(yīng)定期校正測(cè)量?jī)x器3.應(yīng)給每臺(tái)設(shè)備配備測(cè)量?jī)x器H.測(cè)量?jī)x器的短缺I.工藝規(guī)定和要求執(zhí)行的不徹底1.主要包括新?lián)Q藥液后和待機(jī)一段時(shí)間后跑假片，假片跑不夠，就會(huì)出現(xiàn)滾輪影或刻蝕量不夠；2.片源不足時(shí)集中投放，不然前清洗容易出現(xiàn)刻蝕量不均勻，后清洗容易出現(xiàn)過刻；3.清洗后的片子放置時(shí)間控制，硅片表面氧化，影響后面效率良率；4.待料時(shí)滾輪不及時(shí)沖洗，容易出現(xiàn)堿槽噴淋風(fēng)刀鹽結(jié)晶堵塞，導(dǎo)致出現(xiàn)臟片和水洗1槽濾芯鹽結(jié)晶堵塞，出現(xiàn)流量低，從而出現(xiàn)臟片等。

預(yù)防措施：1.培訓(xùn)員工了解工藝規(guī)范2.建立考核制度3.工藝設(shè)備加強(qiáng)檢查生產(chǎn)的執(zhí)行情況I.工藝規(guī)定和要求執(zhí)行的不徹底J.員工的操作不當(dāng)、質(zhì)量意識(shí)欠缺以及作業(yè)區(qū)5S執(zhí)行狀況

主要表現(xiàn)為片子放反，出現(xiàn)不良時(shí)不能及時(shí)發(fā)現(xiàn)隔離并通知工藝和設(shè)備，減少不良產(chǎn)生等。手套，片盒，桌面，機(jī)臺(tái)等衛(wèi)生狀況都會(huì)影響產(chǎn)品質(zhì)量。預(yù)防措施：1.培訓(xùn)員工了解工藝規(guī)范及5S規(guī)范2.建立考核制度3.5S、工藝、設(shè)備加強(qiáng)檢查生產(chǎn)的執(zhí)行情況J.員工的操作不當(dāng)、質(zhì)量意識(shí)欠缺以及作業(yè)區(qū)5S執(zhí)行狀況八、前后清洗常見異常圖片分析八、前后清洗常見異常圖片分析九、前后清洗常見異常處理流程九、前后清洗常見異常處理流程Thanksforyourattention!Thanksforyourattention!演講完畢，謝謝觀看！演講完畢，謝謝觀看！ConfidentialRENA前后清洗工藝培訓(xùn)ConfidentialRENA前后清洗工藝培訓(xùn)Highlight1.太陽電池基本知識(shí)2.清洗制絨的目的3.前清洗RENA機(jī)臺(tái)及工藝介紹4.后清洗工藝介紹5.RENA機(jī)臺(tái)常見報(bào)警信息6.碎片改善7.十項(xiàng)影響因素8.異常圖片及簡(jiǎn)單分析9.異常處理流程Highlight1.太陽電池基本知識(shí)一、什么是太陽能電池一、什么是太陽能電池太陽電池是利用光生伏特效應(yīng)，把光能直接轉(zhuǎn)換成電能的一種器件。

它的工作原理可以概括成下面幾個(gè)主要過程：第一，必須有光的照射，可以是單色光，太陽光或我們測(cè)試用的模擬太陽光源。第二，光子注入到半導(dǎo)體后，激發(fā)出電子—空穴對(duì)。這些電子空穴對(duì)必須有足夠的壽命保證不會(huì)在分離前被附和。第三，必須有個(gè)靜電場(chǎng)（PN結(jié)），起分離電子空穴的作用。第四，被分離的電子空穴，經(jīng)電極收集輸出到電池體外，形成電流。1.太陽能電池的原理太陽電池是利用光生伏特效應(yīng)，把光能直接轉(zhuǎn)換成電能的一前清洗（制絨）擴(kuò)散PECVDSiNx后清洗（刻邊/去PSG）絲網(wǎng)印刷/燒結(jié)/測(cè)試2.制造太陽能電池的基本工藝流程前清洗（制絨）擴(kuò)散PECVDSiNx后清洗（刻邊/去PS二、前清洗（制絨）二、前清洗（制絨）制絨按工藝不同可分為堿制絨和酸制絨：利用堿溶液對(duì)單晶硅不同晶面有不同的腐蝕速率（各向異性腐蝕），對(duì)（100）面腐蝕快，對(duì)（111）面腐蝕慢。如果將(100)作為電池的表面，經(jīng)過腐蝕、在表面會(huì)出現(xiàn)以(111)面形成的錐體密布表面（金字塔狀），稱為表面織構(gòu)化。但是對(duì)于多晶硅，由于晶體排列方式雜亂，如果利用堿液，無法進(jìn)行腐蝕得到良好的金字塔織構(gòu)化表面，此時(shí)只能用酸溶液進(jìn)行各向同性腐蝕，獲得表面存在許多凹坑的表面結(jié)構(gòu)，也能起到良好的陷光作用。1.制絨工藝的分類：制絨按工藝不同可分為堿制絨和酸制絨：1.制絨工藝的分類：?jiǎn)尉Ч杵瑝A制絨絨面形狀多晶硅片酸制絨絨面形狀單晶硅片堿制絨絨面形狀多晶硅片酸制絨絨面形狀2.陷光原理：光在光滑半導(dǎo)體薄片表面上的反射、折射和透射陷光原理圖當(dāng)入射光入射到一定角度的斜面，光會(huì)反射到另一角度的斜面形成二次吸收或者多次吸收，從而增加吸收率。2.陷光原理：光在光滑半導(dǎo)體薄片表面上的陷光原理圖

腐蝕深度在4.4±0.4μm時(shí)，制絨后的硅片表面反射率要一般在20%~25%之間，此時(shí)得到的電性能較好。

腐蝕深度與電性能間的關(guān)系腐蝕深度在4.4±0.4μm時(shí)，制絨后的在絨面硅片上制成PN結(jié)太陽電池，它有以下特點(diǎn):(l)絨面電池比光面電池的反射損失小，如果再加減反射膜，其反射率可進(jìn)一步降低。(2)入射光在光錐表面多次折射，改變了入射光在硅中的前進(jìn)方向，不僅延長(zhǎng)了光程，增加了對(duì)紅外光子的吸收，而且有較多的光子在靠近PN結(jié)附近產(chǎn)生光生載流子，從而增加了光生載流子的收集幾率。(3)在同樣尺寸的基片上，絨面電池的PN結(jié)面積比光面大得多，因而可以提高短路電流，轉(zhuǎn)換效率也有相應(yīng)提高。(4)絨面也帶來了一些缺點(diǎn):一是工藝要求提高了；二是由于它減反射的無選擇性，不能產(chǎn)生電子空穴對(duì)的有害紅外輻射也被有效地耦合入電池，使電池發(fā)熱；三是易造成金屬接觸電極與硅片表面的點(diǎn)接觸，使接觸電阻損耗增加。在絨面硅片上制成PN結(jié)太陽電池，它有以下特點(diǎn):三、RENAIntex前清洗（酸制絨）工藝三、RENAIntex前清洗（酸制絨）工藝RENA清洗設(shè)備注：前、后清洗設(shè)備外觀相同，內(nèi)部構(gòu)造和作用原理稍有不同RENA清洗設(shè)備1.RENA前清洗工序的目的：去除硅片表面的機(jī)械損傷層（來自硅棒切割的物理損傷）清除表面油污（利用HF）和金屬雜質(zhì)（利用HCl）形成起伏不平的絨面，增加對(duì)太陽光的吸收，增加PN結(jié)面積，提高短路電流（Isc），最終提高電池光電轉(zhuǎn)換效率。1.RENA前清洗工序的目的：去除硅片表面的機(jī)械損傷層（來自前清洗工藝步驟：制絨→堿洗→酸洗→吹干EtchbathDryer1Rinse1AlkalineRinseRinse2AcidicRinseRinse3Dryer2RENAIntex前清洗設(shè)備的主體分為以下八個(gè)槽，此外還有滾輪、排風(fēng)系統(tǒng)、自動(dòng)及手動(dòng)補(bǔ)液系統(tǒng)、循環(huán)系統(tǒng)和溫度控制系統(tǒng)等。2.設(shè)備構(gòu)造前清洗工藝步驟：制絨→堿洗→酸洗→吹干EtchbatEtchbath：刻蝕槽，用于制絨。所用溶液為HF+HNO3

，作用：1.去除硅片表面的機(jī)械損傷層；2.形成無規(guī)則絨面。AlkalineRinse：堿洗槽。所用溶液為KOH，作用：1.

對(duì)形成的多孔硅表面進(jìn)行清洗；2.中和前道刻蝕后殘留在硅片表面的酸液。AcidicRinse：酸洗槽。所用溶液為HCl+HF，作用：1.中和前道堿洗后殘留在硅片表面的堿液；2.HF可去除硅片表面氧化層（SiO2），形成疏水表面，便于吹干；3.HCl中的Cl-有攜帶金屬離子的能力，可以用于去除硅片表面金屬離子。

Etchbath：刻蝕槽，用于制絨。所用溶液為HF+HNRENA前后清洗工藝培訓(xùn)課件

HNO3+Si=SiO2+NOx↑+H2OSiO2+4HF=SiF4+2H2OSiF4+2HF=H2[SiF6]Si+2KOH+H2O→K2SiO3+2H2NO2+H2O=HNO3+HNO2Si+HNO2=SiO2+NO+H2OHNO3+NO+H2O=HNO23.酸制絨工藝涉及的反應(yīng)方程式:3.酸制絨工藝涉及的反應(yīng)方程式:主操作界面主操作界面RENA前后清洗工藝培訓(xùn)課件Manual界面Manual界面RENA前后清洗工藝培訓(xùn)課件104A1.換藥時(shí)酸液流動(dòng)方向A2.補(bǔ)藥時(shí)酸液流動(dòng)方向B.循環(huán)時(shí)液體流動(dòng)方向C.DI

Water流動(dòng)方向D.Cool

water流動(dòng)方向E.Exhaust(acidicgas)A2BCDEV/VandSensorsa-c:liquidlevelsensor,a:underthelevel,notenoughb:liquidisfullc:liquidoverfilld:liquidwilloverfallf:V/Vopenwhileliquidcirculationg/G:MFC1h:thermometeri:conductivitymeterj:MFC2(EtchBathairknife)k:MFC3l:pumpabcdfghijkhhG刻蝕槽管路圖A1l23A1.換藥時(shí)酸液流動(dòng)方向A2BCDEV/VandSRENA前后清洗工藝培訓(xùn)課件Rinse3DIwater流入方向循環(huán)水流向溢流向Rinse2，Rinse1BV/VandSensorsa.壓力泵-將液體送入Rinse槽b.流量計(jì)c.濾芯bCAaCcRinse3DIwater流入方向BV/VandSenRENA前后清洗工藝培訓(xùn)課件換藥時(shí)堿液流動(dòng)方向循環(huán)時(shí)液體流動(dòng)方向DI

Water流動(dòng)方向Cool

water流動(dòng)方向Drain的方向ABCD堿槽管路圖E換藥時(shí)堿液流動(dòng)方向ABCD堿槽管路圖EAABcDAABcDRENA前后清洗工藝培訓(xùn)課件RENA前后清洗工藝培訓(xùn)課件Recipe界面Recipe界面RENA前后清洗工藝培訓(xùn)課件RENA前后清洗工藝培訓(xùn)課件RENA前后清洗工藝培訓(xùn)課件RENA前后清洗工藝培訓(xùn)課件RENA前后清洗工藝培訓(xùn)課件Replenish界面Replenish界面RENA前后清洗工藝培訓(xùn)課件RENA前后清洗工藝培訓(xùn)課件RENA前后清洗工藝培訓(xùn)課件Trend界面Trend界面RENA前后清洗工藝培訓(xùn)課件RENA前后清洗工藝培訓(xùn)課件4.前清洗換藥規(guī)程4.前清洗換藥規(guī)程5.前清洗工序工藝要求片子表面5S控制

不容許用手摸片子的表片，要勤換手套，避免擴(kuò)散后出現(xiàn)臟片。稱重

1.每批片子的腐蝕深度都要檢測(cè)，不允許編造數(shù)據(jù)，搞混批次等。2.要求每批測(cè)量4片。3.放測(cè)量片時(shí)，把握均衡原則。如第一批放在1.3.5.7道，下一批則放在2.4.6.8道，便于檢測(cè)設(shè)備穩(wěn)定性以及溶液的均勻性?？涛g槽液面的注意事項(xiàng)：正常情況下液面均處于綠色，如果一旦在流片過程中顏色改變，立即通知工藝人員。5.前清洗工序工藝要求片子表面5S控制產(chǎn)線上沒有充足的片源時(shí)，工藝要求:

1.停機(jī)1小時(shí)以上，要將刻蝕槽的藥液排到tank，減少藥液的揮發(fā)。2.停機(jī)15分鐘以上要用水槍沖洗堿槽噴淋及風(fēng)刀，以防酸堿形成的結(jié)晶鹽堵塞噴淋口及風(fēng)刀。3.停機(jī)1h以上，要跑假片，至少一批（400片）且要在生產(chǎn)前半小時(shí)用水槍沖洗風(fēng)刀處的滾輪，杜絕制絨后的片子有滾輪印。前清洗到擴(kuò)散的產(chǎn)品時(shí)間:最長(zhǎng)不能超過4小時(shí),時(shí)間過長(zhǎng)硅片會(huì)污染氧化，到擴(kuò)散污染爐管,從而影響后面的電性能及效率

產(chǎn)線上沒有充足的片源時(shí)，工藝要求:四、RENAInOxSide后清洗工藝培訓(xùn)四、RENAInOxSide后清洗工藝培訓(xùn)

擴(kuò)散過程中，雖然采用背靠背擴(kuò)散，硅片的邊緣將不可避免地?cái)U(kuò)散上磷。PN結(jié)的正面所收集到的光生電子會(huì)沿著邊緣擴(kuò)散有磷的區(qū)域流到PN結(jié)的背面，而造成短路。此短路通道等效于降低并聯(lián)電阻。

同時(shí)，由于在擴(kuò)散過程中氧的通入，在硅片表面形成一層二氧化硅，在高溫下POCl3與O2形成的P2O5，部分P原子進(jìn)入Si取代部分晶格上的Si原子形成n型半導(dǎo)體，部分則留在了SiO2中形成PSG。

后清洗的目的就是進(jìn)行濕法刻蝕和去除PSG。1.后清洗的目與原理擴(kuò)散過程中，雖然采用背靠背擴(kuò)散，硅片的邊緣將不2.濕法刻蝕原理:利用HNO3和HF的混合液體對(duì)擴(kuò)散后硅片下表面和邊緣進(jìn)行腐蝕,去除邊緣的N型硅,使得硅片的上下表面相互絕緣。邊緣刻蝕原理反應(yīng)方程式：3Si+4HNO3+18HF=3H2[SiF6]+4NO2+8H2O2.濕法刻蝕原理:邊緣刻蝕原理反應(yīng)方程式：3.刻蝕中容易產(chǎn)生的問題及檢測(cè)方法：

1.刻蝕不足：邊緣漏電，Rsh下降，嚴(yán)重可導(dǎo)致失效

檢測(cè)方法：測(cè)絕緣電阻

2.過刻：正面金屬柵線與P型硅接觸，造成短路

檢測(cè)方法：稱重及目測(cè)

SPC控制：當(dāng)硅片從設(shè)備中流轉(zhuǎn)出來時(shí)，工藝需檢查硅片表面狀態(tài)，絨面無明顯斑跡，無藥液殘留。125單晶該工序產(chǎn)品單要求面腐蝕深度控制在0.8～1.6μm范圍之內(nèi),且硅片表面刻蝕寬度不超過2mm,

同時(shí)需要保證刻蝕邊緣絕緣電阻大于1K歐姆。3.刻蝕中容易產(chǎn)生的問題及檢測(cè)方法：SPC控制：4.去除磷硅玻璃的目的：

1)磷硅玻璃的存在使得硅片在空氣中表面容易受潮，導(dǎo)致電流的降低和功率的衰減。

2)死層的存在大大增加了發(fā)射區(qū)電子的復(fù)合，會(huì)導(dǎo)致少子壽命的降低，進(jìn)而降低了Voc和Isc。3)磷硅玻璃的存在使得PECVD后產(chǎn)生色差。4.去除磷硅玻璃的目的：去PSG原理方程式：

SiO2+4HF=SiF4+2H2OSiF4+2HF=H2[SiF6]SiO2+6HF=H2[SiF6]+2H2O去PSG工序檢驗(yàn)方法：當(dāng)硅片從HF槽出來時(shí)，觀察其表面是否脫水，如果脫水，則表明磷硅玻璃已去除干凈；如果表面還沾有水珠，則表明磷硅玻璃未被去除干凈，可在HF槽中適當(dāng)補(bǔ)些HF。去PSG原理方程式：后清洗工藝步驟：邊緣刻蝕→堿洗→酸洗→吹干RENAInOxSide后清洗設(shè)備的主體分為以下七個(gè)槽，此外還有滾輪、排風(fēng)系統(tǒng)、自動(dòng)及手動(dòng)補(bǔ)液系統(tǒng)、循環(huán)系統(tǒng)和溫度控制系統(tǒng)等。EtchbathRinse1AlkalineRinseRinse2HFbathRinse3Dryer25.后清洗設(shè)備構(gòu)造后清洗工藝步驟：邊緣刻蝕→堿洗→酸洗→吹干Etchbath：刻蝕槽，用于邊緣刻蝕。所用溶液為HF+HNO3+H2SO4，作用：邊緣刻蝕，除去邊緣PN結(jié)，使電流朝同一方向流動(dòng)。

注意擴(kuò)散面須向上放置，H2SO4的作用主要是增大液體浮力，使硅片很好的浮于反應(yīng)液上（僅上邊緣2mm左右和下表面與液體接觸）。AlkalineRinse：堿洗槽。所用溶液為KOH，作用：中和前道刻蝕后殘留在硅片表面的酸液。HFBath：HF酸槽。所用溶液為HF，作用：中和前道堿洗后殘留在硅片表面的堿液；去PSGEtchbath：刻蝕槽，用于邊緣刻蝕。所用溶液為HF+后清洗機(jī)臺(tái)的操作界面，基本的工藝要求，換藥規(guī)程等、基本都都同于前清洗設(shè)備，在此不再累述。

需要注意的是：后清洗刻蝕槽處的排風(fēng)很重要后清洗機(jī)臺(tái)的操作界面，基本的工藝要求，換藥規(guī)程五、RENA設(shè)備常見報(bào)警信息五、RENA設(shè)備常見報(bào)警信息1關(guān)于waferjam（疊片）報(bào)警出現(xiàn)此類報(bào)警時(shí)，工藝人請(qǐng)?jiān)O(shè)備人員調(diào)整滾輪并取出碎片。如果是滾輪原因造成上述報(bào)警，同時(shí)上級(jí)決定暫時(shí)不能停機(jī)，可選擇不在報(bào)警道投片，待工藝換藥或設(shè)備PM時(shí)要求設(shè)備人員進(jìn)行相應(yīng)調(diào)整。此外可要求生產(chǎn)人員可適當(dāng)增大放員需檢查各段滾輪是否正常工作，設(shè)備中是否出現(xiàn)卡片、碎片。如果出現(xiàn)上述異常，需及時(shí)片間距，減少疊片的發(fā)生。2關(guān)于temperature（溫度）報(bào)警出現(xiàn)此類報(bào)警時(shí)，工藝人員需確認(rèn)coolingunit在工作，確認(rèn)有循環(huán)流量，然后等待并觀察溫度是否降低。如果溫度沒有下降趨勢(shì)，通知設(shè)備人員進(jìn)行檢查。3關(guān)于pump（泵）報(bào)警

出現(xiàn)此類報(bào)警時(shí)，工藝人員需確認(rèn)報(bào)警槽的溶液量是否達(dá)到液位要求，循環(huán)是否正常。如有異常，補(bǔ)加藥液并手動(dòng)打開槽體循環(huán)。同時(shí)要求設(shè)備人員檢查該槽噴淋濾芯是否正常。4關(guān)于dry（風(fēng)刀）報(bào)警

出現(xiàn)此類報(bào)警時(shí)，工藝人員需檢查外圍供氣壓力是否正常，風(fēng)刀有無被堵。并及時(shí)通知外圍人員或設(shè)備人員作出相應(yīng)調(diào)整。1關(guān)于waferjam（疊片）報(bào)警5關(guān)于刻蝕槽flow（流量）報(bào)警出現(xiàn)此類報(bào)警時(shí)，工藝人員需檢查是否有碎片堵住藥液入口。如有碎片需取出后，將藥液打入tank混勻溶液后重新將藥液打入bath中。如果流量不穩(wěn)定報(bào)警，需要求設(shè)備人員檢查相應(yīng)傳感器6關(guān)于overfilled（溶液過滿）報(bào)警出現(xiàn)此類報(bào)警時(shí)，工藝人員需要求設(shè)備檢查液位傳感器是否正常工作。如果確實(shí)過滿，則需要手動(dòng)排掉部分藥液，直到達(dá)到生產(chǎn)液位要求。7關(guān)于tankempty（儲(chǔ)藥罐空）報(bào)警出現(xiàn)此類報(bào)警時(shí)，說明外圍相應(yīng)儲(chǔ)藥罐中的藥品已空，需及時(shí)通知外圍人員添加藥液。8關(guān)于valveblocked（閥門被堵）報(bào)警出現(xiàn)此類報(bào)警時(shí)，則有閥門被堵，必須立即通知設(shè)備人員處理。9顏色突出指示的意義出現(xiàn)報(bào)警信息時(shí)，各種顏色突出所指示的相關(guān)意義如下圖所示5關(guān)于刻蝕槽flow（流量）報(bào)警六、如何減小RENA設(shè)備的碎片率六、如何減小RENA設(shè)備的碎片率141

正確位置錯(cuò)誤的位置放片方法應(yīng)嚴(yán)格按照作業(yè)指導(dǎo)書，輕拿輕放在正確位置。多晶156的硅片由于面積較大，如果放置的位置不正確，很容易造成疊片卡片等，致使硅片在機(jī)器中碎裂。60正確位置錯(cuò)誤的位置放片方142提高擋板的高度使得片子能夠順利的通過.滾輪能夠碰到擋板的地方，可以選擇將擋板切掉一部分.蓋子容易碰到滾輪61提高擋板的高度使得片子能夠順利的通過.143減少CDA的壓力，調(diào)節(jié)上下風(fēng)刀的壓力，使得上下壓力到達(dá)均衡．調(diào)整風(fēng)管的方向，確保O-ring沒有碰到風(fēng)管．調(diào)節(jié)擋板和滾輪之間的距離62減少CDA的壓力，調(diào)節(jié)上下風(fēng)刀的壓力，使得上下144調(diào)整噴淋管的位置，至滾輪能夠光滑的運(yùn)行．調(diào)整風(fēng)管和水管的位置，使得片子在通過的時(shí)候，不會(huì)影響片子的運(yùn)行．63調(diào)整噴淋管的位置，至滾輪能夠光滑的運(yùn)行．145檢查所有滾輪和O-ring的位置是正確的，確保上下滾輪在同一條線上．調(diào)節(jié)滾輪的高度和水洗管的位置保證片子在傳送過程中無偏移．如果發(fā)生偏移會(huì)產(chǎn)生碎片．64檢查所有滾輪和O-ring146調(diào)節(jié)滾輪１的速度小于滾輪２的速度，如果生產(chǎn)不趕產(chǎn)量，則盡量讓生產(chǎn)人員放片子不要太急，拉大片間距，這樣片子進(jìn)出設(shè)備較均勻，不易產(chǎn)生疊片等現(xiàn)象．片子之間距離2cm65調(diào)節(jié)滾輪１的速度小于滾輪２的速度，如果生產(chǎn)不147工藝人員在日常正常生產(chǎn)過程中，如果發(fā)現(xiàn)機(jī)器碎片，一方面應(yīng)該提醒產(chǎn)線員工注意放片規(guī)范，減少疊片和歪片；另一方面，應(yīng)巡查上述主要地方，及時(shí)找到并清理在設(shè)備中殘留的碎片，杜絕更多碎片的產(chǎn)生。66工藝人員在日常正常生產(chǎn)過程中，如果發(fā)現(xiàn)機(jī)器碎片，七、前后清洗十項(xiàng)影響效率、良率(或特定電參數(shù))的原因七、前后清洗十項(xiàng)影響效率、A.片源不同