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【仿真實驗3】MOS管特征曲線仿真分析MOS管特征曲線仿真分析熟悉使用CADENCE進行IC電路設計與仿真分析的流程12熟練掌握MOS管元件參數的設置方法和繪制電路原理圖3熟悉使用ADE環(huán)境進行spectre仿真分析的操作流程4熟練掌握DC分析的步驟與參數分析方法的設置實驗目的：5掌握MOS管漏極電流方程和仿真其特性曲線并可分析驗證MOS管特征曲線仿真分析這一次實驗，我們來學習MOS管的很重要的參數圖：特征曲線。即當MOS管柵源電壓VGS不同時，漏極電流ID隨著漏源電壓VDS的變化曲線。我們以NMOS管特征曲線為例來分析。通過課程學習，我們知道當MOS管中的導電溝道出現夾斷時，MOS管就工作在飽和區(qū)。即當VDSVGS-VTHN并且VGSVTHN時，有這個公式：

這個公式表示，隨著VGS的增大而增大，MOS漏極電流也隨之增大。這種關系稱為溝道長度調制。稱為溝道長度調制系數，長溝道MOS管的典型值為0.01。

練習&作業(yè)：MOS管特征曲線仿真分析在以自己的名字為庫名的目錄下建一個cell，名為PMOS_ID_VSD，PMOS管L：1um，W：10um。電路圖如下：提示：啟動ADE，使用Spectre仿真，變量VSG初始設置為1V，直流分析VSD從0到5V，每隔0.001V掃描一次，仿真分析。在ADE窗口，點Tools后再點ParametricAnalysis。在彈出的窗口里，VariableName寫入VSG，RangeTypeFrom寫入0，To寫入5，TotalSteps寫入6，之后點Analysis，再點Start，開始運行仿真PMOS管的特性曲線（輸出ID隨輸入VSD的變化

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