第一節(jié)晶體管的結(jié)構(gòu)

第一節(jié)

晶體管的結(jié)構(gòu)第二節(jié)

晶體管的放大作用第三節(jié)

晶體管的三種工作狀態(tài)第四節(jié)

晶體管的主要參數(shù)第五節(jié)

晶體管的管型和管腳判斷本章小結(jié)第八章

晶體管第一節(jié)

晶體管的結(jié)構(gòu)

1．結(jié)構(gòu)和符號

（1）結(jié)構(gòu)：

三個區(qū)對應(yīng)引出三個極：

如圖所示

（2）符號發(fā)射極的箭頭表示電流的方向，文字符號用“V”表示。

PNP型如圖（a）所示，NPN型如圖（b）所示。第一節(jié)

晶體管的結(jié)構(gòu)

2．晶體管類型按結(jié)構(gòu)分按材料分按功率分按工作頻率分

3．型號及命名可通過晶體管手冊查閱。第一節(jié)

晶體管的結(jié)構(gòu)第二節(jié)

晶體管的放大作用

1．晶體管的工作電壓晶體管工作在放大狀態(tài)的條件：

如圖所示為NPN型和PNP型晶體管工作在放大狀態(tài)采用的雙電源接線圖。NPN型PNP型

（2）注意：

①電源極性：兩種晶體管外接電源的正、負極相反。

③集射極間反向電壓為幾伏至十幾伏。

②

基、射極之間的正向電壓（偏壓）：

第二節(jié)

晶體管的放大作用

2．晶體管的放大作用實驗電路。第二節(jié)

晶體管的放大作用

操作：調(diào)節(jié)(或改變E1)以改變基極電流IB的大小,記錄每一次測得的數(shù)據(jù)次數(shù)電流12345IB/mA00.010.020.030.04IC/mA0.010.561.141.742.33IE/mA0.010.571.161.772.37

（1）直流電流分配關(guān)系：

由于IB<<IC，則IEIC。第二節(jié)

晶體管的放大作用（2）電流放大作用

可見，基極電流的微小變化可引起集電極電流的較大變化，即為晶體管的放大作用，用表示，即

①交流放大系數(shù)，根據(jù)實驗的數(shù)據(jù)有第二節(jié)

晶體管的放大作用

不同的晶體管，值不同，即電流的放大能力不同，一般為20～

200。

②直流電流放大系數(shù)

通常

晶體管的放大作用的意義：基極電流的微小變化引起集電極電流的較大變化，當基極電路中輸入一個小的信號電流ib，就可以在集電極電路中得到一個與輸入信號規(guī)律相同的放大的電流信號ic?？梢?，晶體管是一個電流控制元件。第二節(jié)

晶體管的放大作用第三節(jié)

晶體管的三種工作狀態(tài)

1．除了放大狀態(tài)（工作在模擬電路中）以外，還有兩種工作狀態(tài)即截止狀態(tài)和飽和狀態(tài)（工作在脈沖數(shù)字電路中）。

（1）截止狀態(tài)故晶體管處于截止狀態(tài)的條件：發(fā)射結(jié)反偏（或零偏），集電結(jié)反偏。

低于發(fā)射結(jié)的死區(qū)電壓時，IB=0，此時IC

0，稱為穿透電流，但很小，可以認為IC=ICEO

0。晶體管處于截止狀態(tài)，c、e間呈現(xiàn)很大電阻，相當于斷開，此時UCE

E2。

判斷方法：用萬用表的直流電壓擋三極點電位，有VC>VB，VB≤VE。第三節(jié)

晶體管的三種工作狀態(tài)

（2）放大狀態(tài)

UBE

大于死區(qū)電壓，IB>0，集電極電流IC

受IB

控制，即

或

晶體管處于放大狀態(tài)的條件是：發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏，即VC>VB>VE。第三節(jié)

晶體管的三種工作狀態(tài)

（3）飽和狀態(tài)基極電流IB

不斷增大，當IB增大到一定數(shù)值時，IC不再隨IB增加而增大，晶體管輸出回路有

當IC隨IB曾加而增大時，UCE逐漸下降，由于UCE的下降有一定的限度，所以IC的增加也是有一定限度的。假設(shè)UCE=0，那么IC達到最大，即，IC不再隨IB

增大了。這就是飽和狀態(tài)，此時IB失去了對IC的控制作用。集電極和發(fā)射極之間相當于短路或認為是一個導(dǎo)通開關(guān)。

晶體管處于飽和狀態(tài)的條件：集電結(jié)、發(fā)射結(jié)處于正偏狀態(tài)，VB>VE，VB>VC。

第三節(jié)

晶體管的三種工作狀態(tài)第四節(jié)

晶體管的主要參數(shù)通常取值在60

～

100之間。

2．穿透電流

ICEO

1．電流放大系數(shù)或。

共發(fā)射極交流和直流放大系數(shù)

（1）定義：基極開路IB=0時，集電極和發(fā)射極之間的反向電流ICEO稱為穿透電流。

（2）特點：①ICEO隨溫度升高而增大。②ICEO越小，管子的性能越好。

（3）應(yīng)用：ICEO越小，管子的性能越好。

3．集電極最大允許電流ICM。

（1）定義：晶體管正常工作時集電極所允許的最大電流稱為集電極最大允許電流ICM

。

（2）特點：IC增大，

開始下降，直到IC超過了ICM

，就下降到不允許的程度了。

（3）應(yīng)用：IC<ICM第四節(jié)

晶體管的主要參數(shù)

4．反向擊穿電壓UCEO

（1）定義：基極開路時，加在集電極和發(fā)射極之間的最大允許電壓。（2）應(yīng)用：UCE<UCEO

，否則三極管擊穿。

5．集電極最大耗散功率PCM（1）定義：晶體管正常工作時，集電結(jié)允許的最大耗散功率為集電極最大耗散功率。小功率管：≤1W；大功率管：

1W。（2）特點：當實際功率超過，晶體管會因工作溫度過高而損壞。大功率管的值是在常溫下并帶有散熱器的數(shù)值。第四節(jié)

晶體管的主要參數(shù)第五節(jié)

晶體管的管型和管腳的判斷利用萬用表來測試晶體管的各個管腳。

1．判定晶體管的基極和管型（1）測試原則：依據(jù)PN結(jié)正向電阻小，反向電阻大的特點。利用萬用表的電阻擋來判斷基極和管型。

①萬用表轉(zhuǎn)換開關(guān)，選擇R100或R1k擋。

②黑表筆（內(nèi)接電池正極）接晶體管假想的基極，用紅表筆接其余兩只管腳，若兩次測量阻值都很小，則黑表筆接的是基極，且管型為NPN型；紅表筆重復(fù)上述步驟，有相同結(jié)果，則管型為PNP型。（2）測試方法如圖所示：第五節(jié)

晶體管的管型和管腳的判斷

2．判定集電極和發(fā)射極

（1）測試方法如圖所示

①測定基極后，假設(shè)其余兩只管腳中的一只為集電極c，在b、c之間接入一個電阻Rb（10～100k），或用手捏兩極以代替。

②用手指捏住基極b和假定的集電極c（兩極不能接觸），用黑表筆接觸c極，紅表筆接觸e極，測出一個數(shù)值。

以NPN型管為例第五節(jié)

晶體管的管型和管腳的判斷

③將假定兩極對調(diào)，以同樣方法再次測出一個數(shù)值。

④比較兩次讀數(shù)大小，讀數(shù)較小的即電流較大的一次假設(shè)為正確。第五節(jié)

晶體管的管型和管腳的判斷本章小結(jié)

1．晶體管結(jié)構(gòu)概括為：三區(qū)