薦MOS管和IGBT管區(qū)別

MOS管和有81管區(qū)別什么是MOS管？場效應(yīng)管主要有兩種類型，分別是結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場效應(yīng)管（MOS管）。場效應(yīng)管結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）絕緣柵場效應(yīng)管場效應(yīng)管結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）絕緣柵場效應(yīng)管（MOS管）MOS管即MOSFET，中文全稱是金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，由于這種場效應(yīng)管的柵極被絕緣層隔離，所以又叫絕緣柵場效應(yīng)管。MOSFET又可分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型;P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類。有的MOSFET內(nèi)部會有個(gè)二極管，這是體二極管，或者叫寄生二極管、續(xù)流二極管。關(guān)于寄生二極管的作用，有兩種解釋：1、MOSFET的寄生二極管，作用是防止VDD過壓的情況下，燒壞MOS管，因?yàn)樵谶^壓對MOS管造成破壞之前，二極管先反向擊穿，將大電流直接到地，從而避免MOS管被燒壞。2、防止MOS管的源極和漏極反接時(shí)燒壞MOS管，也可以在電路有反向感生電壓時(shí)，為反向感生電壓提供通路，避免反向感生電壓擊穿MOS管。MOSFET具有輸入阻抗高、開關(guān)速度快、熱穩(wěn)定性好、電壓控制電流等特性，在電路中，可以用作放大器、電子開關(guān)等用途。什么是IGBT?IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由晶體三極管和MOS管組成的復(fù)合型半導(dǎo)體器件。IGBT作為新型電子半導(dǎo)體器件，具有輸入阻抗高，電壓控制功耗低，控制電路簡單，耐高壓，承受電流大等特性，在各種電子電路中獲得極廣泛的應(yīng)用。1GBT實(shí)物IGBT的電路符號至今并未統(tǒng)一，畫原理圖時(shí)一般是借用三極管、MOS管的符號，這時(shí)可以從原理圖上標(biāo)注的型號來判斷是IGBT還是MOS管。同時(shí)還要注意IGBT有沒有體二極管，圖上沒有標(biāo)出并不表示一定沒有，除非官方資料有特別說明，否則這個(gè)二極管都是存在的。帶體二極管的IGBTIGBT內(nèi)部的體二極管并非寄生的，而是為了保護(hù)IGBT脆弱的反向耐壓而特別設(shè)置的，又稱為FWD（續(xù)流二極管）。判斷IGBT內(nèi)部是否有體二極管也并不困難，可以用萬用表測量IGBT的C極和E極，如果IGBT是好的，C、E兩極測得電阻值無窮大，則說明IGBT沒有體二極管。IGBT非常適合應(yīng)用于如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。MOS管和IGBT的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)

MOS管和IGBT管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)如下圖所示。IGBT是通過在MOSFET的漏極上追加層而構(gòu)成的。IGBT的理想等效電路如下圖所示，IGBT實(shí)際就是MOSFET和晶體管三極管的組合，MOSFET存在導(dǎo)通電阻高的缺點(diǎn)，但I(xiàn)GBT克服了這一缺點(diǎn)，在高壓時(shí)IGBT仍具有較低的導(dǎo)通電阻。鯉孑巨猿IGBT理想等效電路另外，相似功率容量的IGBT和MOSFET,IGBT的速度可能會慢于MOSFET,因?yàn)镮GBT存在關(guān)斷拖尾時(shí)間，由于IGBT關(guān)斷拖尾時(shí)間長，死區(qū)時(shí)間也要加長，從而會影響開關(guān)頻率。選擇MOS管還是IGBT？在電路中，選用MOS管作為功率開關(guān)管還是選擇IGBT管，這是工程師常遇到的問題，如果從系統(tǒng)的電壓、電流、切換功率等因素作為考慮，可以總結(jié)出以下幾點(diǎn)：^105管和16日T應(yīng)用區(qū)域^105管和16日T應(yīng)用區(qū)域MOS/IBGTA切換頻率大于100kHz；A輸入電壓低于250V；?較小的輸出功率的場合。A切換頻率低于汨出工；＞電流變化較小的負(fù)載;A輸入電壓高于looo*A較大輸出功率的場合口也可從下圖看出兩者使用的條件，陰影部分區(qū)域表示MOSFET和IGBT都可以選用，“？”表示當(dāng)前工藝還無法達(dá)到的水平。電壓(V)1400-1200-1000-800電壓(V)1400-1200-1000-800-600-400-200T總的來說，MOSFET優(yōu)點(diǎn)是高頻特性好，可以工作頻率可以達(dá)到幾百kHz、上MHz，缺點(diǎn)是導(dǎo)通電阻大在高壓大電流場合功耗較大;而IGBT在低頻及較大功率場合下表現(xiàn)卓越，其導(dǎo)通電阻小，耐壓高