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MOSFET開關(guān)特性MOSFET的開啟過(guò)程:1-MOSFET開關(guān)電壓電流波形MOSFET的電壓和電流波形:1、 在t0前，MOSFET工作于截至狀態(tài)，從t0開始，驅(qū)動(dòng)開始開通；2、 在區(qū)間［t0-t1］，柵極電源對(duì)Cgs電容充電，柵源電壓慢慢升高，在t1時(shí)刻，Vgs等于維持電壓Vth，MOSFET開始導(dǎo)通；在區(qū)間［t1-t2］，圖1和圖2的波形，差異很大，圖1中，Vds在t1時(shí)刻就開始下降，在［t1-t2］下降幅度劇烈，在t2時(shí)刻，基本下降結(jié)束；但是在圖2中，Vds在t2時(shí)刻才開始下降，米勒平臺(tái)結(jié)束后，Vds降壓結(jié)束！所以，如果以〈圖2＞為準(zhǔn)，那么，接下來(lái)我們可以對(duì)MillierPlatform做出合理的分析：3、 ［t1-12］區(qū)間，MOSFET未開啟，VDS變化微弱，Cds變化很小，對(duì)GS電容的充電影響不大；4、 ［t2-t3嘔間，至t2時(shí)刻【」，MOSFET的VDS電壓驟衰，此時(shí)Cds放電，導(dǎo)致Cgd的漏極端電壓下降，開始放電，Millier電容大大增加，然后，外部驅(qū)動(dòng)對(duì)Millier電容進(jìn)行充電，結(jié)電容Cgd的電壓不變（有時(shí)會(huì)降一點(diǎn)），Millier電容上電壓最終變?yōu)?V，MOSFET的VDS電壓等于Vgs的電壓；MOSFET的關(guān)斷過(guò)程：MOSFET的關(guān)斷過(guò)程即為逆過(guò)程！備注：密勒電容（MillerCapacitance）就是跨接在放大器（放大工作的器件或者電路）的輸出端與輸入端之間的電容。

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