二極管的開關(guān)特性 (2)課件_第1頁
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文檔簡介

2.1二極管的開關(guān)特性獲得高、低電平的基本方法：利用半導(dǎo)體開關(guān)元件的

導(dǎo)通、截止（即開、關(guān)）兩種工作狀態(tài)。

邏輯0和1：電子電路中用高、低電平來表示。邏輯門電路：用以實(shí)現(xiàn)基本和常用邏輯運(yùn)算的電子電路。簡稱門電路。基本和常用門電路有與門、或門、非門（反相器）、

與非門、或非門、與或非門或門等。二極管符號：正極負(fù)極＋uD－Ui<0.5V時，二極管截止，iD=0。Ui>0.5V時，二極管導(dǎo)通。ui＝0V時，二極管截止，如同開關(guān)斷開，uo＝0V。1、二極管從正向?qū)ǖ浇刂褂幸粋€反向恢復(fù)過程2、產(chǎn)生反向恢復(fù)過程的原因—電荷存儲效應(yīng)

當(dāng)外加正向電壓時，P區(qū)空穴向N擴(kuò)散，N區(qū)電子向P區(qū)擴(kuò)散；勢壘區(qū)逐漸變窄，P區(qū)存儲了電子，N區(qū)存儲了空穴，它們都是非平衡少數(shù)載流子。這一過程稱為電荷存儲效應(yīng)。當(dāng)輸入電壓突然反向時，存儲電荷反向電場的作用下，P區(qū)電子被拉回N區(qū)，N區(qū)空穴被拉回P區(qū)，形成反向電流IR；或與多數(shù)載流子復(fù)合。在此期間IR基本上保持不變（IR=VR/RC），經(jīng)過ts后，存儲電荷顯著減少，勢壘區(qū)逐漸變寬，經(jīng)過tt后，

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