微波有源電路課件

微波有源電路微波有源電路主要有：控制電路（開關(guān)，電調(diào)衰減器，移相器）頻率變換電路（混頻器，倍頻器)放大電路（低噪聲放大器，功率放大器）振蕩電路（VCO，DRO）有源放大電路場效應(yīng)晶體管特性小信號放大器設(shè)計(jì)非線性特性放大器與收發(fā)單元實(shí)例MMIC電路的實(shí)際應(yīng)用場效應(yīng)晶體管特性

MESFET與MOSFET比較類似，只是MOS管調(diào)制的是溝道電流，MESFET是通過電壓調(diào)制柵下耗盡層的形狀和厚度達(dá)到對源漏電流動控制。場效應(yīng)晶體管特性

場效應(yīng)晶體管特性

導(dǎo)電溝道通過設(shè)置在半導(dǎo)體上且相隔一段距離的兩個歐姆接觸（稱做源極和漏極）與外電路相連接。柵極由放在這兩個歐姆接觸之間的一個整流（肖特基）接觸構(gòu)成。導(dǎo)電溝道是很薄的，一般約為0.1～0.3μm，因此，肖特基接觸（柵極）下面形成的耗盡區(qū)可以有效地控制該薄層內(nèi)電流的流動。這種器件作用如同一個壓按開關(guān)，有極高的調(diào)制速率。無柵極器件當(dāng)漏極電位增大時，就有電流流通如A區(qū)所示。該電流電壓特性是線性的，且直接遵循制造該器件用的半導(dǎo)體的速度-電場特性。當(dāng)漏極-源極電壓增到內(nèi)部電場達(dá)到飽和時，就出現(xiàn)性能偏離線性范圍（B區(qū)）。場效應(yīng)晶體管特性

場效應(yīng)晶體管特性

場效應(yīng)晶體管特性

場效應(yīng)晶體管特性

場效應(yīng)晶體管特性

場效應(yīng)晶體管特性

場效應(yīng)晶體管特性

場效應(yīng)晶體管特性

晶體管的非線性特性GaAs大信號模型晶體管的非線性特性晶體管的非線性特性小信號放大器設(shè)計(jì)小信號放大器設(shè)計(jì)小信號放大器設(shè)計(jì)小信號放大器設(shè)計(jì)小信號放大器設(shè)計(jì)FLL107ME小信號放大器設(shè)計(jì)FHC40LG小信號放大器設(shè)計(jì)小信號放大器設(shè)計(jì)設(shè)計(jì)過程(1)確定目標(biāo)函數(shù)(2)選擇合適的管芯和拓?fù)?3)進(jìn)行小信號分析(4)制版(5)測試小信號放大器設(shè)計(jì)MMIC放大器GaAs由于電子遷移率較高、工作溫度范圍大、微波傳輸性能好，所以使得MMIC具有電路損耗小、噪聲低、頻帶寬、動態(tài)范圍大、功率大、附加效率高、抗電磁輻射能力強(qiáng)等特點(diǎn)。得到了廣泛的應(yīng)用。是目前使用的最廣泛的微波半導(dǎo)體材料。GaAsGaAs由于電子遷移率較高、工作溫度范圍大、微波傳輸性能好，所以使得MMIC具有電路損耗小、噪聲低、頻帶寬、動態(tài)范圍大、功率大、附加效率高、抗電磁輻射能力強(qiáng)等特點(diǎn)。得到了廣泛的應(yīng)用。是目前使用的最廣泛的微波半導(dǎo)體材料。GaNGaN是一種寬帶隙的半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的物理和化學(xué)性質(zhì)，如大的熱導(dǎo)率和介電常數(shù)，高的電子飽和速率和化學(xué)穩(wěn)定性，因此有望制成在高溫、高輻射等惡劣條件下工作的半導(dǎo)體器件。近年來由于半導(dǎo)體薄膜生長技術(shù)的發(fā)展，已經(jīng)能在藍(lán)寶石、SiC及Si上生長出高質(zhì)量的GaN薄膜，并用于制備大功率微波器件、高溫電子器件、探測器件和發(fā)光器件。InPInP與GaAs相比，擊穿電場、熱導(dǎo)率、電子平均速度更高，而且在異質(zhì)結(jié)InAlAs/InGaAs界面處存在較大的導(dǎo)帶不連續(xù)性、二維電子氣密度大、溝道中電子遷移率高等優(yōu)點(diǎn)，決定了InP基器件在化合物半導(dǎo)體器件中的地位。目前InPHEMT已經(jīng)成為毫米波高端應(yīng)用的支柱產(chǎn)品，器件的特征頻率ft達(dá)到340GHz，InPHBT有望在大功率、低電壓等方面開拓應(yīng)用市場。MMIC的設(shè)計(jì)MMIC設(shè)計(jì)周期長、成本高

，精確設(shè)計(jì)十分重要，也具有一定的難度從成本分析，設(shè)計(jì)成本是MMIC產(chǎn)品開發(fā)中最昂貴的部分。因?yàn)镸MIC研制過程中一輪的成本至少包括：電路設(shè)計(jì)費(fèi)、版圖設(shè)計(jì)費(fèi)、光刻版加工費(fèi)、實(shí)驗(yàn)投片流程費(fèi)和芯片測試費(fèi)等五部分。MMIC電路精確設(shè)計(jì)的難度

（1）GaAs襯底的相對非理想性；（2）化合物半導(dǎo)體工藝的相對獨(dú)立性。MMIC放大器的設(shè)計(jì)(1)確定目標(biāo)函數(shù)(2)選擇合適的管芯和拓?fù)?3)進(jìn)行小信號分析(4)大信號分析(5)電磁場分析(6)成品率分析(7)繪制版圖(8)DRC(9)流片(10)測試版圖設(shè)計(jì)（1）根據(jù)模型元器件結(jié)構(gòu)采用相應(yīng)的版圖結(jié)構(gòu)；（2）在版圖中要用寬松的工藝容差；（3）考慮最小芯片面積原則和抑制RF寄生耦合相結(jié)合（4）可靠性設(shè)計(jì)原則。MMIC放大器的設(shè)計(jì)TGA1171-SCC版圖MMIC放大器的設(shè)計(jì)TGA1171-SCC芯片放大器與收發(fā)單元實(shí)例放大器與收發(fā)單元實(shí)例38GTX放大器與收發(fā)單元實(shí)例38GRX放大器與收發(fā)單元實(shí)例KuBandPower放大器與收發(fā)單元實(shí)例PowerModule放大器與收發(fā)單元實(shí)例CBandInterFETMMIC電路的實(shí)際應(yīng)用相控陣?yán)走_(dá)WiMAXBaseStation雷達(dá)功放模塊方框圖至控制面板11Pout高功率環(huán)行器定向耦合器驅(qū)動放大器放大器放大器放大器放大器功率及故障檢測功率放大器組件過熱保護(hù)裝置2233441/4功率分配器1/4功率合成器Pinoo雷達(dá)發(fā)射機(jī)框圖發(fā)射機(jī)框圖Pout脈沖保護(hù)電路前級放大器定向耦合器高功率環(huán)行器功率放大器組件NO.1