材料的導(dǎo)電性能_第1頁
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材料的導(dǎo)電性能_第5頁
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會計(jì)學(xué)1材料的導(dǎo)電性能25.2材料的導(dǎo)電性能5.2.1能帶結(jié)構(gòu)5.2.3導(dǎo)電材料與電阻材料5.2.4其他材料的導(dǎo)電性能第1頁/共21頁3根據(jù)原子結(jié)構(gòu)理論,每個電子都占有一個分立的能級。泡利(Pauli)不相容原理指出,每個能級只能容納2個電子。第2頁/共21頁4當(dāng)N個原子相互靠近形成一個固體時,泡利不相容原理仍然成立,即在整個固體中,也只能有2個電子占據(jù)相同的能級。當(dāng)這兩個原子的距離足夠近時,它們的2s軌道的電子就會相互作用,以致不能再維持在相同的能級。當(dāng)固體中有N個原子,這N個原子的2s軌道的電子都會相互影響。這時就必須出現(xiàn)N個不同的分立能級來安排所有這些2s軌道的電子(這些電子共有2N個)。2s軌道的N個分立的能級組合在一起,成為2s的能帶。第3頁/共21頁5圖5.1電子數(shù)量增加時能級擴(kuò)展成能帶第4頁/共21頁6圖5.2鈉的能帶結(jié)構(gòu)導(dǎo)帶禁帶第5頁/共21頁7由于鈉只有1個3s電子,所以在3s價帶上,只有一半的能級被電子所占據(jù)。自然,這些被電子占據(jù)的能級應(yīng)該是能量較低的能級,而3s價帶中能量較高的處于上方的能級很少有電子占據(jù)。當(dāng)溫度為絕對零度時,只有下面一半的能級被電子占據(jù),上面一半的能級沒有電子占據(jù)。能帶中有一半的能級被電子占據(jù)的能級稱為費(fèi)密能級。而當(dāng)溫度大于絕對零度時,有一些電子獲得了能量,跳到價帶里的較高能級,而在相對應(yīng)的較低的能級上失去了電子,產(chǎn)生了相同數(shù)量的空穴。第6頁/共21頁8圖5.3能帶中電子隨溫度升高而進(jìn)行能級躍遷絕對零度時,所有外層電子占據(jù)低的能級;溫度升高,部分電子被激發(fā)到原未被填充的能級第7頁/共21頁9鎂原子的核外電子結(jié)構(gòu)為1s22s22p63s2。像鎂這樣的周期表ⅡA族元素的最外層3s軌道有2個電子,所以按理說它的3s能帶就會被電子全部占滿。但是,由于固體鎂的3p能帶與3s能帶有重疊,這種重疊使得電子能夠激發(fā)到3s和3p的重疊能帶里的高能級,所以鎂具有導(dǎo)電性。第8頁/共21頁10能帶重疊現(xiàn)象圖5.4鎂的能帶結(jié)構(gòu)第9頁/共21頁11從鈧到鎳的過渡族金屬中,未被電子充滿的3d能帶和4s能帶發(fā)生重疊。這種重疊使得電子能夠被激發(fā)到高能量的能級。能帶之間的復(fù)雜的相互作用使得這些金屬的導(dǎo)電性不夠理想。但銅是一個例外。銅中的內(nèi)層3d能帶已經(jīng)被電子充滿,這些電子被原子緊緊束縛,不能與4s能帶相互作用。由于銅中的3d能帶和4s能帶之間基本沒有相互作用,所以銅的導(dǎo)電性非常好。銀和金的情況與銅類似。第10頁/共21頁12周期表ⅣA族元素,如碳、硅、鍺、錫,在最外層p軌道有2個電子,化合價為4。根據(jù)前面的討論,因?yàn)檫@些元素的p能帶沒有被電子充滿,似乎應(yīng)該具有良好的導(dǎo)電性。但實(shí)際情況卻不是這樣。這些元素都是以共價鍵結(jié)合的,最外層的s能帶電子和p能帶電子都被原子緊緊束縛。共價鍵使能帶結(jié)構(gòu)發(fā)生比較復(fù)雜的變化,即雜化現(xiàn)象。第11頁/共21頁13圖5.5金剛石中碳的能帶結(jié)構(gòu)第12頁/共21頁14在金剛石的價帶和導(dǎo)帶之間有一個較大的禁帶Eg。很少有電子具有足夠的能量,能夠從價帶躍遷到導(dǎo)帶去。所以金剛石的電導(dǎo)率很低。提高溫度或者施加高電壓,可以使價帶的電子獲得能量,躍遷到導(dǎo)帶。例如,氮化硼的室溫的電導(dǎo)率為10-13Ω-1·cm-1,溫度升到800℃時則為10-4Ω-1·cm-1。第13頁/共21頁15雖然鍺、硅和錫的能帶結(jié)構(gòu)與金剛石相似,但這些材料的禁帶寬度Eg

較小。實(shí)際上,錫的禁帶寬度小得使它具有類似導(dǎo)體的導(dǎo)電性。而禁帶寬度Eg稍大一點(diǎn)的鍺和硅成了典型的半導(dǎo)體。絕緣體的能帶結(jié)構(gòu)與半導(dǎo)體相似,價帶上都排滿了電子,而導(dǎo)帶上則沒有電子。不同之處在于,許多半導(dǎo)體的禁帶寬度為0.4~0.5eV,而絕緣體的禁帶寬度則為4~5eV。不過,并沒有一個嚴(yán)格的禁帶寬度數(shù)值以截然區(qū)別半導(dǎo)體和絕緣體。第14頁/共21頁16表5.2一些材料的禁帶寬度Eg(eV)材料禁帶寬度EgC(金剛石)5.48Si1.12Ge0.67Sn(灰錫)0.08GaAs1.35InAs0.36TiO2(銳鈦礦)3.2ZnO3.2In2O32.5SrTiO33.2ZrO25.0第15頁/共21頁175.2.3導(dǎo)電材料與電阻材料導(dǎo)電材料是以傳送電流為主要目的的材料。對于像電力工業(yè)這樣的強(qiáng)電應(yīng)用的導(dǎo)電材料,主要有銅、鋁及其合金。而像電子工業(yè)這樣的弱電應(yīng)用的導(dǎo)電材料則除了銅、鋁之外,還常用金、銀等。第16頁/共21頁18電阻材料的主要目的是給電路提供一定的電阻。作為精密電阻材料的以銅鎳合金為代表,如康銅(Cu-40%Ni-1.5%Mn)。銅鎳合金的電阻率隨著成分的變化而連續(xù)變化,在含鎳為40wt%左右具有最大的電阻率、最小的溫度系數(shù)、最大的熱電勢。第17頁/共21頁19電熱合金的使用溫度非常高。對于使用溫度為900~1350℃的電熱合金,常用鎳鉻合金。當(dāng)使用溫度更高時,一般的電熱合金不是會發(fā)生熔化,就是會發(fā)生氧化。此時需要采用陶瓷電熱材料。常見的陶瓷電熱材料有碳化硅(SiC)、二硅化鉬(MoSi2)、鉻酸鑭(LaCrO3)和二氧化錫(SnO2)等。第18頁/共21頁205.2.4其他材料的導(dǎo)電性能離子材料中的導(dǎo)電性往往需要通過離子的遷移來實(shí)現(xiàn),因?yàn)檫@類材料中的禁帶寬度較大,電子難以躍遷到導(dǎo)帶。所以大多數(shù)的離子材料是絕緣體。如果在離子材料中引入雜質(zhì)或空位,能夠促進(jìn)離子的擴(kuò)散,改善材料的導(dǎo)電性。當(dāng)然,高溫也能促進(jìn)離子擴(kuò)散,進(jìn)而改善導(dǎo)電性。第19頁/共21頁21高分子材料中的電子

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