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———TopCon電池知識大全后PERC時代,畢竟是TOPCon還是HJT?業(yè)界尚無定論。本文匯合了關(guān)于TOPCon的相關(guān)學(xué)問,供大家參閱。
本文包括以下內(nèi)容:
1.TOPCon技術(shù)的歷史與基礎(chǔ)學(xué)問
2.TOPCon工藝優(yōu)化
3.SE+TOPCon的技術(shù)路線
4.TOPCon+IBC技術(shù)路線
5.TOPCon設(shè)備與國產(chǎn)化進(jìn)展
TOPCon技術(shù)的歷史與基礎(chǔ)學(xué)問
在晶體硅太陽能電池中,金屬-半導(dǎo)體接觸區(qū)域存在嚴(yán)峻的復(fù)合,成為制約晶體硅太陽能電池效率進(jìn)展的重要因素。隧穿氧化層鈍化金屬接觸結(jié)構(gòu)由一層超薄的隧穿氧化層和摻雜多晶硅層組成,可以顯著降低金屬接觸區(qū)域的復(fù)合,同時兼具良好的接觸性能,可以極大地提升太陽能電池的效率。為了評估目前商業(yè)化高效電池的效率潛能,如PERC、HIT、鈍化接觸電池等,德國知名太陽能討論所(ISFH)在2022年SiliconPV的報告會上基于載流子選擇性的概念從理論上對不同結(jié)構(gòu)太陽能電池的理論效率極限做了細(xì)致的分析,結(jié)論是鈍化接觸電池(例如TOPCon電池)具有更加高的效率極限(28.2%~28.7%),高于HIT的27.5%極限效率,同時也遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于PERC電池(24.5%),最接近晶體硅太陽能電池理論極限效率(29.43%)。
隨著太陽能電池討論的不斷進(jìn)步與深化,多種不同結(jié)構(gòu)的高效太陽能電池被開發(fā),如PERC、IBC、HIT、TOPCon等,同時太陽能電池轉(zhuǎn)換效率越來越接近其理論極限??v觀單晶硅太陽能電池世界效率紀(jì)錄的提升歷史,會發(fā)覺效率提升有三個比較快速的時期。前兩個分別是1954-1960年晶硅太陽能電池剛研發(fā)出來的幾年內(nèi)以及1985-2000年前后。前者放射極沒有鈍化(un-passivatedemitter),效率提升(從5%到15%)更多得益于光學(xué)方面的改善;后者則對放射極進(jìn)行了鈍化(passivatedemitter),同時在背面引入金屬局域接觸對背面也進(jìn)行了鈍化,該時期的效率提升(從20%到25%)更多來自于電學(xué)(復(fù)合)方面的增益。第三個時期就是在最近幾年,效率提升(>25%)得益于對金屬接觸進(jìn)行了全區(qū)域的鈍化(passivatingcontacts)。
1.鈍化接觸電池背景介紹
目前商業(yè)化的晶體硅太陽能電池中,前表面一般采納淺結(jié)高方阻設(shè)計,對于p型電池,前表面為磷摻雜的n+放射極結(jié)構(gòu),經(jīng)過絲網(wǎng)印刷、燒結(jié)之后金屬接觸區(qū)域的暗飽和電流密度(J0,metal)為800~1000fA/cm2;對于n型電池,前表面具有相同方阻的p+放射極經(jīng)過絲網(wǎng)印刷、燒結(jié)之后,金屬接觸區(qū)域的暗飽和電流密度(J0,metal)為1000~2000fA/cm2。隨著市場對高效電池和高功率組件的需求急劇增加,降低金屬-半導(dǎo)體接觸區(qū)域的復(fù)合顯得尤為重要。
1.1何為鈍化接觸太陽能電池
隧穿氧化層鈍化接觸(TunnelOxidePassivatingContacts)電池的概念由德國夫瑯禾費太陽能系統(tǒng)討論所(Fraunhofer-ISE)于2022年提出,下圖為該N型鈍化接觸太陽能電池的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖1.鈍化接觸太陽能電池結(jié)構(gòu)示意圖[1]
前表面與常規(guī)N型太陽能電池或N-PERT太陽能電池沒有本質(zhì)區(qū)分,主要區(qū)分在于背面。硅片背面采納硝酸濕法氧化出一層1.4nm左右的極薄氧化硅層,并利用PECVD在氧化層表面沉積一層20nm厚的磷摻雜的微晶非晶混合Si薄膜。鈍化性能需通過后續(xù)退火過程激活,Si薄膜在該退火過程中結(jié)晶性發(fā)生變化,由微晶非晶混合相轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑АT?50°C的退火溫度下退火,iVoc>710mV,J0在9-13fA/cm2,顯示了鈍化接觸結(jié)構(gòu)優(yōu)異的鈍化性能。所制備的電池效率超過23%,其余電性能參數(shù)如Voc,Jsc和FF在表1中列出。下圖2和圖3分別為Fraunhofer-ISE的單晶鈍化接觸太陽能電池的效率提升及鈍化性能改善曲線,從中可以看到鈍化接觸技術(shù)對于效率提升的潛力。目前N型前結(jié)鈍化接觸太陽能電池世界紀(jì)錄(25.8%)由該討論所保持(其余電性能參數(shù)見表1)。
圖2.Fraunhofer-ISE的N型單晶鈍化接觸太陽能電池效率進(jìn)展
圖3.Fraunhofer-ISE的N型單晶鈍化接觸太陽能電池鈍化性能進(jìn)展
1.2鈍化接觸太陽能電池的優(yōu)勢
為什么高效太陽能電池效率提升到25%之后的技術(shù)路線是鈍化接觸電池,而非其他結(jié)構(gòu)的太陽能電池;為什么是N型鈍化接觸電池,而非P型鈍化接觸電池,這是個值得思索的問題。
常規(guī)Al-BSF太陽能電池由于背面金屬電極直接與Si接觸,載流子復(fù)合嚴(yán)峻,導(dǎo)致J0偏高,Voc難以超過685mV。PERC太陽能電池在背面金屬與Si之間沉積Al2O3/SiNx疊層鈍化膜,利用場鈍化和化學(xué)鈍化對背表面實現(xiàn)了優(yōu)異的鈍化效果,提高了電池Voc。目前PERC太陽能電池的Voc可以接近690mV,但仍難以超過700mV。由于Al2O3/SiNx均為介質(zhì)絕緣膜,為實現(xiàn)電學(xué)接觸,需對介質(zhì)膜進(jìn)行局域開孔,由此造成載流子需通過二維輸運才能被金屬電極收集,造成橫向電阻輸運損耗,F(xiàn)F隨著金屬接觸間距的增加而削減。同時金屬與Si局域接觸仍舊在該區(qū)域存在較高的復(fù)合,即J0,metal比較高。
更高效的太陽能電池要求在具有良好的界面鈍化狀況下,盡可能實現(xiàn)一維縱向輸運,使Voc和FF最大化。而鈍化接觸便是實現(xiàn)該功能的途徑之一。鈍化接觸電池的Poly-Si與Si基底界面間的氧化硅對鈍化起著特別關(guān)鍵的作用,氧化硅通過化學(xué)鈍化降低Si基底與Poly-Si之間的界面態(tài)密度。多數(shù)載流子通過隧穿原理實現(xiàn)輸運,少數(shù)載流子則由于勢壘以及Poly-Si場效應(yīng)的存在難以隧穿通過該氧化層。在重?fù)絇oly-Si中,多數(shù)載流子濃度遠(yuǎn)高于少數(shù)載流子,降低電子空穴復(fù)合幾率的同時,也增加了電導(dǎo)率形成多數(shù)載流子的選擇性接觸。在選擇性接觸區(qū)域,多子傳輸導(dǎo)致電阻損失,同時少量少子向金屬接觸區(qū)域遷移導(dǎo)致復(fù)合損失。前者對應(yīng)接觸電阻ρc,而后者則對應(yīng)界面復(fù)合J0。目前國際報道了J0低至2fA/cm2,ρc低至3mΩ/cm2的n+Poly鈍化接觸,iVoc高達(dá)733mV[2],而電池Voc也可輕松突破700mV。
HIT也采納了類似接觸鈍化的技術(shù)。HIT采納非晶硅作為鈍化材料,非晶硅存在較嚴(yán)峻的寄生汲取,同時由于非晶硅的鈍化性能對溫度敏感,所以HIT電池要求制備溫度低于200°C,配套地要求使用低溫銀漿、透亮?????導(dǎo)電層(TCO),而TCO存在較強的自由載流子汲取。此外僅靠單層TCO作為減反射層,減反效果較差。綜合這些因素可以認(rèn)為鈍化接觸電池是目前更具有量產(chǎn)前景的鈍化接觸技術(shù)。
圖4.n+Poly,p+Poly和a-Si:H三者的鈍化接觸性能[3]
圖4顯示了n+Poly,p+Poly和a-Si:H三者的鈍化接觸性能[3]??梢钥闯鰊+Poly和a-Si:H的鈍化性能接近,均優(yōu)于p+Poly鈍化性能。但是,a-Si:H接觸電阻率(ρc)比n+Poly大,p+Poly無論鈍化性能還是接觸電阻率都不如n+Poly。目前PERC太陽能電池背面采納Al2O3/SiNx疊層鈍化,J0低于10fA/cm2,鈍化性能甚至優(yōu)于p+Poly,使p+Poly在p型太陽能電池中丟失優(yōu)勢;而n+Poly用作P型太陽能電池前表面的放射極,則又會存在多晶硅寄生汲取的問題,導(dǎo)致短路電流低。因此P型鈍化接觸電池相對N型鈍化接觸電池更沒有優(yōu)勢,這也是幾乎全部企業(yè)都將目光聚焦在N型鈍化接觸電池的緣由。
1.3鈍化接觸太陽能電池的潛力
從宏觀上講,SiOx/(n+或p+)Poly與a-Si:H(i)/a-Si:H(n+或p+)均屬于載流子選擇性接觸結(jié)構(gòu),即滿意以下兩方面的條件:1)抑制少數(shù)載流子的傳輸,避開其達(dá)到界面與多數(shù)載流子發(fā)生復(fù)合(低的J0);2)促進(jìn)多數(shù)載流子的有效傳輸,降低電阻損失(低的ρc)。德國哈梅林太陽能討論所(ISFH)所長R.Brendel、R.Peibst及J.Scht為了定量比較不同材料的電學(xué)性能,將鈍化性能參數(shù)(J0)和接觸性能參數(shù)(ρc)結(jié)合在一起,定義了材料載流子選擇性(Selectivity)的概念,用S10表示[4]。其中,S10=log[Vth/(J0?ρc)],Vth為25°C時的熱電壓。不同的載流子選擇性材料與硅基底結(jié)合構(gòu)成載流子選擇性電池,材料的載流子選擇性打算電池極限效率的上限。R.Brendel、R.Peibst及J.Scht在2022年SiliconPV的報告會上基于載流子選擇性S10的概念從理論上對不同結(jié)構(gòu)太陽能電池的理論效率極限做了細(xì)致的分析[5],如圖5所示。
圖5.不同電子/空穴選擇性接觸材料組成電池的極限效率[5]
圖5為不同電子/空穴選擇性材料結(jié)合組成的太陽能電池的極限效率計算,電子選擇性材料SiOx/n+Poly-Si與空穴選擇性材料SiOx/p+Poly-Si結(jié)合的電池的選擇性可以達(dá)到13.8~14.2,高于電子選擇性材料a-Si:H(i)/a-Si:H(n+)與空穴選擇性材料a-Si:H(i)/a-Si:H(p+)結(jié)合的電池,即HIT,因而具有更加高的效率極限(28.2%~28.7%),高于HIT的27.5%極限效率,同時也遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于PERC電池(24.5%),最接近晶體硅太陽能電池理論極限效率(29.43%)[6]。
2.鈍化接觸太陽能電池討論進(jìn)展
目前國內(nèi)學(xué)術(shù)界討論鈍化接觸太陽能電池開展得不多。中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程討論所(NIMTE,CAS,China)制備的小面積(4cm2)的鈍化接觸電池效率為22.15%,156×156mm2尺寸的電池效率為21.37%。此外該討論所在理論模擬方面也做了相關(guān)工作,采納AFORS-HET軟件模擬了氧化硅厚度、界面態(tài)密度以及poly-Si性質(zhì)對鈍化接觸電池性能的影響。上海交通高校沈文忠教授團(tuán)隊制備的大面積(156.75×156.75mm2)的鈍化接觸太陽能電池平均轉(zhuǎn)換效率在20.7%以上,最高效率接近22%。
國外討論鈍化接觸太陽能電池的討論所或高校主要有Fraunhofer-ISE(德國),ISFH(德國),ANU(澳大利亞),SERIS(新加坡)和TU-Delft(荷蘭),ECN(荷蘭)。其中ISFH和TU-Delft主要討論POLO-IBC太陽能電池,即將鈍化接觸技術(shù)應(yīng)用在IBC太陽能電池中。
Fraunhofer-ISE目前保持N型單晶和多晶鈍化接觸電池世界紀(jì)錄效率,命名為TOPCon電池,F(xiàn)eldmann等在2022年首次報道的電池就是雙面TOPCon結(jié)構(gòu),電池具有703mV的Voc和23.7%的效率;2022年,F(xiàn)eldmann等通過改善金屬接觸面積和降低接觸損失,將電池的Voc提升至715.1mV,取得24.4%的轉(zhuǎn)換效率;2022年,F(xiàn)raunhofer-ISE將電池背面TOPCon結(jié)構(gòu)的J0降到7fA/cm2,同時將電池效率提升至25.1%;2022年,Richter和Feldmann等探究不同硅片厚度及電阻率對TOPCon電池效率的影響,在4cm2大小,電阻率為1Ω?cm,厚度為200μm的FZ硅片上取得了25.8%的前結(jié)世界效率記錄,詳細(xì)電性能參數(shù)見表1。
Fraunhofer-ISE也進(jìn)行P型鈍化接觸電池的討論,P型鈍化接觸電池有前表面場(FSF)和沒有FSF的效率分別為24.3%與23.9%。雙面采納鈍化接觸結(jié)構(gòu)的P型Si太陽能電池效率為19.2%。Fraunhofer-ISE的討論表明,鈍化接觸太陽能電池對硅片的電阻率和厚度相比其他技術(shù)的太陽能電池有更寬的容忍率[1]。該討論所制備的大面積(100cm2)的鈍化接觸太陽能電池效率高達(dá)24.5%,Voc為713mV。
ISFH討論的鈍化接觸太陽能電池命名為POLO(PolySionOxide)太陽能電池。該討論所對POLO太陽能電池的鈍化機理,載流子輸運機理以及表征做了特別深化的討論。該討論所的討論表明采納氧化硅作為鈍化層+多晶硅作為載流子選擇性接觸材料,是能取得潛在最高效率的組合。2022年,ISFH制備的N型POLO-IBC太陽能電池效率達(dá)到24.25%,Voc為727.1mV;2022年其制備的P型POLOIBC太陽能電池效率則高達(dá)26.1%,是目前P型太陽能電池的世界紀(jì)錄效率[2]。但該電池不僅需采納光刻技術(shù)掩膜來分別實現(xiàn)硼原子和磷原子的注入,也需要精確掌握激光開膜的能量來削減對poly鈍化性能的損傷,制備流程簡單,不適合產(chǎn)業(yè)化。
ANU也有討論n-Si基底和p-Si基底的鈍化接觸太陽能電池。該討論所目前N型鈍化接觸太陽能電池效率為24.7%,其余性能參數(shù)見表1。ANU首次采納磁控濺射制備p+Poly,其p型鈍化接觸太陽能電池效率為23%,Voc超過700mV,表明磁控濺射也可以制備出性能優(yōu)異的Poly-Si[7]。
SERIS制備的大面積(244.3cm2)雙面N型鈍化接觸太陽能電池,稱之為MonoPolyTM。2022年報道的電池效率為22.8%,J0,Poly85%;2022年SiliconPV上,SERIS報道了將大面積電池的效率提升至23.2%[8]。TU-Delft制備POLO-IBC電池效率超過22%,J0,p+Poly=4.5fA/cm2,J0,n+Poly=11.5fA/cm2。該電池基區(qū)與放射區(qū)之間的gap采納a-Si:H進(jìn)行鈍化,金屬電極與BSF,Emitter之間也有一層a-Si:H[[9]。ECN稱其N型鈍化接觸太陽能電池為PERPoly(PassivatedEmitterandRearPolysilicon),面積達(dá)239cm2,2022年對外公布的效率為21.5%。
表1.不同討論所的鈍化接觸太陽能電池性能參數(shù)
下表2歸納整理了這些討論所目前最佳性能的鈍化接觸太陽能電池的相關(guān)性能參數(shù)以及制備工藝。與大多數(shù)討論所不同,ISFH所制備的氧化硅層厚度超過2nm,并且在后續(xù)工藝中采納1050℃的退火使氧化硅層裂開,形成孔洞(pinhole),從而實現(xiàn)界面鈍化和載流子的輸運。
表2.不同討論所的鈍化接觸太陽能電池鈍化接觸性能
TOPCon工藝優(yōu)化
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后PERC時代,畢竟是TOPCon還是HJT?業(yè)界尚無定論。本文匯合了關(guān)于TOPCon的相關(guān)學(xué)問,供大家參閱。
本文包括以下內(nèi)容:
1.TOPCon技術(shù)的歷史與基礎(chǔ)學(xué)問
2.TOPCon工藝優(yōu)化
3.SE+TOPCon的技術(shù)路線
4.TOPCon+IBC技術(shù)路線
5.TOPCon設(shè)備與國產(chǎn)化進(jìn)展
TOPCon技術(shù)的歷史與基礎(chǔ)學(xué)問
在晶體硅太陽能電池中,金屬-半導(dǎo)體接觸區(qū)域存在嚴(yán)峻的復(fù)合,成為制約晶體硅太陽能電池效率進(jìn)展的重要因素。隧穿氧化層鈍化金屬接觸結(jié)構(gòu)由一層超薄的隧穿氧化層和摻雜多晶硅層組成,可以顯著降低金屬接觸區(qū)域的復(fù)合,同時兼具良好的接觸性能,可以極大地提升太陽能電池的效率。為了評估目前商業(yè)化高效電池的效率潛能,如PERC、HIT、鈍化接觸電池等,德國知名太陽能討論所(ISFH)在2022年SiliconPV的報告會上基于載流子選擇性的概念從理論上對不同結(jié)構(gòu)太陽能電池的理論效率極限做了細(xì)致的分析,結(jié)論是鈍化接觸電池(例如TOPCon電池)具有更加高的效率極限(28.2%~28.7%),高于HIT的27.5%極限效率,同時也遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于PERC電池(24.5%),最接近晶體硅太陽能電池理論極限效率(29.43%)。
隨著太陽能電池討論的不斷進(jìn)步與深化,多種不同結(jié)構(gòu)的高效太陽能電池被開發(fā),如PERC、IBC、HIT、TOPCon等,同時太陽能電池轉(zhuǎn)換效率越來越接近其理論極限。縱觀單晶硅太陽能電池世界效率紀(jì)錄的提升歷史,會發(fā)覺效率提升有三個比較快速的時期。前兩個分別是1954-1960年晶硅太陽能電池剛研發(fā)出來的幾年內(nèi)以及1985-2000年前后。前者放射極沒有鈍化(un-passivatedemitter),效率提升(從5%到15%)更多得益于光學(xué)方面的改善;后者則對放射極進(jìn)行了鈍化(passivatedemitter),同時在背面引入金屬局域接觸對背面也進(jìn)行了鈍化,該時期的效率提升(從20%到25%)更多來自于電學(xué)(復(fù)合)方面的增益。第三個時期就是在最近幾年,效率提升(>25%)得益于對金屬接觸進(jìn)行了全區(qū)域的鈍化(passivatingcontacts)。
1.鈍化接觸電池背景介紹
目前商業(yè)化的晶體硅太陽能電池中,前表面一般采納淺結(jié)高方阻設(shè)計,對于p型電池,前表面為磷摻雜的n+放射極結(jié)構(gòu),經(jīng)過絲網(wǎng)印刷、燒結(jié)之后金屬接觸區(qū)域的暗飽和電流密度(J0,metal)為800~1000fA/cm2;對于n型電池,前表面具有相同方阻的p+放射極經(jīng)過絲網(wǎng)印刷、燒結(jié)之后,金屬接觸區(qū)域的暗飽和電流密度(J0,metal)為1000~2000fA/cm2。隨著市場對高效電池和高功率組件的需求急劇增加,降低金屬-半導(dǎo)體接觸區(qū)域的復(fù)合顯得尤為重要。
1.1何為鈍化接觸太陽能電池
隧穿氧化層鈍化接觸(TunnelOxidePassivatingContacts)電池的概念由德國夫瑯禾費太陽能系統(tǒng)討論所(Fraunhofer-ISE)于2022年提出,下圖為該N型鈍化接觸太陽能電池的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖1.鈍化接觸太陽能電池結(jié)構(gòu)示意圖[1]
前表面與常規(guī)N型太陽能電池或N-PERT太陽能電池沒有本質(zhì)區(qū)分,主要區(qū)分在于背面。硅片背面采納硝酸濕法氧化出一層1.4nm左右的極薄氧化硅層,并利用PECVD在氧化層表面沉積一層20nm厚的磷摻雜的微晶非晶混合Si薄膜。鈍化性能需通過后續(xù)退火過程激活,Si薄膜在該退火過程中結(jié)晶性發(fā)生變化,由微晶非晶混合相轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑?。?50°C的退火溫度下退火,iVoc>710mV,J0在9-13fA/cm2,顯示了鈍化接觸結(jié)構(gòu)優(yōu)異的鈍化性能。所制備的電池效率超過23%,其余電性能參數(shù)如Voc,Jsc和FF在表1中列出。下圖2和圖3分別為Fraunhofer-ISE的單晶鈍化接觸太陽能電池的效率提升及鈍化性能改善曲線,從中可以看到鈍化接觸技術(shù)對于效率提升的潛力。目前N型前結(jié)鈍化接觸太陽能電池世界紀(jì)錄(25.8%)由該討論所保持(其余電性能參數(shù)見表1)。
圖2.Fraunhofer-ISE的N型單晶鈍化接觸太陽能電池效率進(jìn)展
圖3.Fraunhofer-ISE的N型單晶鈍化接觸太陽能電池鈍化性能進(jìn)展
1.2鈍化接觸太陽能電池的優(yōu)勢
為什么高效太陽能電池效率提升到25%之后的技術(shù)路線是鈍化接觸電池,而非其他結(jié)構(gòu)的太陽能電池;為什么是N型鈍化接觸電池,而非P型鈍化接觸電池,這是個值得思索的問題。
常規(guī)Al-BSF太陽能電池由于背面金屬電極直接與Si接觸,載流子復(fù)合嚴(yán)峻,導(dǎo)致J0偏高,Voc難以超過685mV。PERC太陽能電池在背面金屬與Si之間沉積Al2O3/SiNx疊層鈍化膜,利用場鈍化和化學(xué)鈍化對背表面實現(xiàn)了優(yōu)異的鈍化效果,提高了電池Voc。目前PERC太陽能電池的Voc可以接近690mV,但仍難以超過700mV。由于Al2O3/SiNx均為介質(zhì)絕緣膜,為實現(xiàn)電學(xué)接觸,需對介質(zhì)膜進(jìn)行局域開孔,由此造成載流子需通過二維輸運才能被金屬電極收集,造成橫向電阻輸運損耗,F(xiàn)F隨著金屬接觸間距的增加而削減。同時金屬與Si局域接觸仍舊在該區(qū)域存在較高的復(fù)合,即J0,metal比較高。
更高效的太陽能電池要求在具有良好的界面鈍化狀況下,盡可能實現(xiàn)一維縱向輸運,使Voc和FF最大化。而鈍化接觸便是實現(xiàn)該功能的途徑之一。鈍化接觸電池的Poly-Si與Si基底界面間的氧化硅對鈍化起著特別關(guān)鍵的作用,氧化硅通過化學(xué)鈍化降低Si基底與Poly-Si之間的界面態(tài)密度。多數(shù)載流子通過隧穿原理實現(xiàn)輸運,少數(shù)載流子則由于勢壘以及Poly-Si場效應(yīng)的存在難以隧穿通過該氧化層。在重?fù)絇oly-Si中,多數(shù)載流子濃度遠(yuǎn)高于少數(shù)載流子,降低電子空穴復(fù)合幾率的同時,也增加了電導(dǎo)率形成多數(shù)載流子的選擇性接觸。在選擇性接觸區(qū)域,多子傳輸導(dǎo)致電阻損失,同時少量少子向金屬接觸區(qū)域遷移導(dǎo)致復(fù)合損失。前者對應(yīng)接觸電阻ρc,而后者則對應(yīng)界面復(fù)合J0。目前國際報道了J0低至2fA/cm2,ρc低至3mΩ/cm2的n+Poly鈍化接觸,iVoc高達(dá)733mV[2],而電池Voc也可輕松突破700mV。
HIT也采納了類似接觸鈍化的技術(shù)。HIT采納非晶硅作為鈍化材料,非晶硅存在較嚴(yán)峻的寄生汲取,同時由于非晶硅的鈍化性能對溫度敏感,所以HIT電池要求制備溫度低于200°C,配套地要求使用低溫銀漿、透亮?????導(dǎo)電層(TCO),而TCO存在較強的自由載流子汲取。此外僅靠單層TCO作為減反射層,減反效果較差。綜合這些因素可以認(rèn)為鈍化接觸電池是目前更具有量產(chǎn)前景的鈍化接觸技術(shù)。
圖4.n+Poly,p+Poly和a-Si:H三者的鈍化接觸性能[3]
圖4顯示了n+Poly,p+Poly和a-Si:H三者的鈍化接觸性能[3]??梢钥闯鰊+Poly和a-Si:H的鈍化性能接近,均優(yōu)于p+Poly鈍化性能。但是,a-Si:H接觸電阻率(ρc)比n+Poly大,p+Poly無論鈍化性能還是接觸電阻率都不如n+Poly。目前PERC太陽能電池背面采納Al2O3/SiNx疊層鈍化,J0低于10fA/cm2,鈍化性能甚至優(yōu)于p+Poly,使p+Poly在p型太陽能電池中丟失優(yōu)勢;而n+Poly用作P型太陽能電池前表面的放射極,則又會存在多晶硅寄生汲取的問題,導(dǎo)致短路電流低。因此P型鈍化接觸電池相對N型鈍化接觸電池更沒有優(yōu)勢,這也是幾乎全部企業(yè)都將目光聚焦在N型鈍化接觸電池的緣由。
1.3鈍化接觸太陽能電池的潛力
從宏觀上講,SiOx/(n+或p+)Poly與a-Si:H(i)/a-Si:H(n+或p+)均屬于載流子選擇性接觸結(jié)構(gòu),即滿意以下兩方面的條件:1)抑制少數(shù)載流子的傳輸,避開其達(dá)到界面與多數(shù)載流子發(fā)生復(fù)合(低的J0);2)促進(jìn)多數(shù)載流子的有效傳輸,降低電阻損失(低的ρc)。德國哈梅林太陽能討論所(ISFH)所長R.Brendel、R.Peibst及J.Scht為了定量比較不同材料的電學(xué)性能,將鈍化性能參數(shù)(J0)和接觸性能參數(shù)(ρc)結(jié)合在一起,定義了材料載流子選擇性(Selectivity)的概念,用S10表示[4]。其中,S10=log[Vth/(J0?ρc)],Vth為25°C時的熱電壓。不同的載流子選擇性材料與硅基底結(jié)合構(gòu)成載流子選擇性電池,材料的載流子選擇性打算電池極限效率的上限。R.Brendel、R.Peibst及J.Scht在2022年SiliconPV的報告會上基于載流子選擇性S10的概念從理論上對不同結(jié)構(gòu)太陽能電池的理論效率極限做了細(xì)致的分析[5],如圖5所示。
圖5.不同電子/空穴選擇性接觸材料組成電池的極限效率[5]
圖5為不同電子/空穴選擇性材料結(jié)合組成的太陽能電池的極限效率計算,電子選擇性材料SiOx/n+Poly-Si與空穴選擇性材料SiOx/p+Poly-Si結(jié)合的電池的選擇性可以達(dá)到13.8~14.2,高于電子選擇性材料a-Si:H(i)/a-Si:H(n+)與空穴選擇性材料a-Si:H(i)/a-Si:H(p+)結(jié)合的電池,即HIT,因而具有更加高的效率極限(28.2%~28.7%),高于HIT的27.5%極限效率,同時也遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于PERC電池(24.5%),最接近晶體硅太陽能電池理論極限效率(29.43%)[6]。
2.鈍化接觸太陽能電池討論進(jìn)展
目前國內(nèi)學(xué)術(shù)界討論鈍化接觸太陽能電池開展得不多。中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程討論所(NIMTE,CAS,China)制備的小面積(4cm2)的鈍化接觸電池效率為22.15%,156×156mm2尺寸的電池效率為21.37%。此外該討論所在理論模擬方面也做了相關(guān)工作,采納AFORS-HET軟件模擬了氧化硅厚度、界面態(tài)密度以及poly-Si性質(zhì)對鈍化接觸電池性能的影響。上海交通高校沈文忠教授團(tuán)隊制備的大面積(156.75×156.75mm2)的鈍化接觸太陽能電池平均轉(zhuǎn)換效率在20.7%以上,最高效率接近22%。
國外討論鈍化接觸太陽能電池的討論所或高校主要有Fraunhofer-ISE(德國),ISFH(德國),ANU(澳大利亞),SERIS(新加坡)和TU-Delft(荷蘭),ECN(荷蘭)。其中ISFH和TU-Delft主要討論POLO-IBC太陽能電池,即將鈍化接觸技術(shù)應(yīng)用在IBC太陽能電池中。
Fraunhofer-ISE目前保持N型單晶和多晶鈍化接觸電池世界紀(jì)錄效率,命名為TOPCon電池,F(xiàn)eldmann等在2022年首次報道的電池就是雙面TOPCon結(jié)構(gòu),電池具有703mV的Voc和23.7%的效率;2022年,F(xiàn)eldmann等通過改善金屬接觸面積和降低接觸損失,將電池的Voc提升至715.1mV,取得24.4%的轉(zhuǎn)換效率;2022年,F(xiàn)raunhofer-ISE將電池背面TOPCon結(jié)構(gòu)的J0降到7fA/cm2,同時將電池效率提升至25.1%;2022年,Richter和Feldmann等探究不同硅片厚度及電阻率對TOPCon電池效率的影響,在4cm2大小,電阻率為1Ω?cm,厚度為200μm的FZ硅片上取得了25.8%的前結(jié)世界效率記錄,詳細(xì)電性能參數(shù)見表1。
Fraunhofer-ISE也進(jìn)行P型鈍化接觸電池的討論,P型鈍化接觸電池有前表面場(FSF)和沒有FSF的效率分別為24.3%與23.9%。雙面采納鈍化接觸結(jié)構(gòu)的P型
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