常用電子元器件符號

249常用電子元器件參考資料第一節(jié)局部電氣圖形符號圖形符號

一．電阻器、電容器、電感器和變壓器名稱與說明 圖形符號 名稱與說明電感器、線圈、繞組或扼電阻器一般符號 流圖。注：符號中半圓數(shù)不得少于3個可變電阻器或可調電阻器滑動觸點電位器

帶磁芯、鐵芯的電感器帶磁芯連續(xù)可調的電感器極性電容

雙繞組變壓器注：可增加繞組數(shù)目可變電容器或可調電容器

繞組間有屏蔽的雙繞組變壓器注：可增加繞組數(shù)目雙聯(lián)同調可變電容器。

在一個繞組上有抽頭的變壓器微調電容器二．半導體管圖形符號圖形符號名稱與說明圖形符號(1)二極管的符號(2)發(fā)光二極管名稱與說明JFET結型場效應管N溝道P溝道PNP型晶體三極管光電二極管穩(wěn)壓二極管NPN型晶體三極管全波橋式整流器變容二極管三．其它電氣圖形符號圖形符號圖形符號名稱與說明具有兩個電極注：電極數(shù)目可增加cry圖形符號名稱與說明或接機殼或底板熔斷器導線的連接指示燈及信號燈導線的不連接揚聲器動合(常開)觸點開關蜂鳴器動斷(常閉)觸點開關接大地手動開關其次節(jié)常用電子元器件型號命名法及主要技術參數(shù)一．電阻器和電位器電阻器和電位器的型號命名方法第一局部：主稱其次局部：材料符符第三局部：特征分類第一局部：主稱其次局部：材料符符第三局部：特征分類意義第四局部：序號符對主稱、材料一樣，僅性能指標、尺寸大小有差異，但根本不影響互換使用的產品，賜予同一序號；假設性能指標、尺寸大小時，則在序號后面用大寫字母作為區(qū)分代號。號 意義 號 意義 號 電阻器 電位器R電阻器T碳膜1一般一般W電位器H合成膜2一般一般S有機實芯3超高頻――N無機實芯4高阻――J金屬膜5高溫――Y氧化膜6――――C沉積膜7周密周密I玻璃釉膜8高壓特別函數(shù)P硼碳膜9特別特別U硅碳膜G高功率――X線繞T可調――M壓敏W――微調G光敏D――多圈R熱敏B溫度補償用――C溫度測量用――P旁熱式――W穩(wěn)壓式――Z正溫度系數(shù)――例如：周密金屬膜電阻器R J 7 3多圈線繞電位器W X D 3

第四局部：序號第三局部：類別〔周密〕其次局部：材料〔金屬膜〕第一局部：主稱〔電阻器〕第四局部：序號第三局部：類別〔多圈〕其次局部：材料〔線繞〕第一局部：主稱〔電位器〕電阻器的主要技術指標額定功率為電阻器的額定功率。電阻器的額定功率并不是電阻器在電路中工作時肯定要消耗的功率，而是電阻器在電路工作中所允許消耗的最大功率。不同類型的電阻具有不同系列的額定功2所示。名稱額定功率〔W〕表名稱額定功率〔W〕實芯電阻器0.250.5125－0.51261015線繞電阻器253550751001500.0250.050.1250.250.51薄膜電阻器25102550100標稱阻值阻值是電阻的主要參數(shù)之一，不同類型的電阻，阻值范圍不同，不同精度的電阻其阻值系列亦不同。依據(jù)國家標準，常用的標稱電阻值系列如表3所示。E24、E12E6系列也適用于電位器和電容器。標稱值系列精度電阻器標稱值系列精度電阻器、電位器、電容器標稱值P〕1.01.11.21.31.51.61.82.0E245%2.22.42.73.03.33.63.94.34.75.15.66.26.87.58.29.11.01.21.51.82.22.7E1210%3.33.94.75.66.88.2－－E620%1.01.52.23.34.76.88.2－10nn為正整數(shù)或負整數(shù)。允許誤差等級表4 電阻的精度等級允許誤差(%) 0.001EXYHUEXYHUWB0.20.51251020CDFGJ〔I〕K〔II〕M〔III〕

0.002 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1電阻器的標志內容及方法文字符號直標法：用阿拉伯數(shù)字和文字符號兩者有規(guī)律的組合來表示標稱阻值，額定功率、允許誤差等級等。符號前面的數(shù)字表示整數(shù)阻值，后面的數(shù)字依次表示第一位小數(shù)51R51.5，2K7表2.7k，表５文字符號文字符號R表示單位 歐姆()K M G T千歐姆(103) 兆歐姆(106) 千兆歐姆(109) 兆兆歐姆(1012)例如：

RJ71－0.125－5k1－II

允許誤差10%標稱阻值(5.1k)額定功率1/8W型號1/8W5.1k，允許誤差為10%。色標法：色標法是將電阻器的類別及主要技術參數(shù)的數(shù)值用顏色〔色環(huán)或色點〕標注在它的外外表上。色標電阻〔色環(huán)電阻〕器可分為三環(huán)、四環(huán)、五環(huán)三種標法。其含義12所示。標稱值第一位有效數(shù)字標稱值其次位有效數(shù)字顏色第一位有效值其次位有效值倍率允許偏差顏色第一位有效值其次位有效值倍率允許偏差100101102103104105106107108109101102―20%~+50%5%10%20%黑00棕11紅22橙33黃44綠55藍66紫77灰88白金銀無色99圖1 兩位有效數(shù)字阻值的色環(huán)表示法三色環(huán)電阻器的色環(huán)表示標稱電阻值〔2010102＝1.0k20%的電阻器。四色環(huán)電阻器的色環(huán)表示標稱值〔二位有效數(shù)字〕及精度。例如，色環(huán)為棕綠橙金表示15103＝15k5%的電阻器。五色環(huán)電阻器的色環(huán)表示標稱值〔三位有效數(shù)字〕及精度。例如，色環(huán)為紅紫綠黃棕表275104＝2.75M1%的電阻器。標準的表示應是表示允許誤差的色環(huán)的寬度是其它色環(huán)的〔1.5~2〕倍。有些色環(huán)電阻器由于廠家生產不標準，無法用上面的特征推斷，這時只能借助萬用表推斷。標稱值第一位有效數(shù)字標稱值其次位有效數(shù)字標稱值第三位有效數(shù)字倍率允許偏差100倍率允許偏差1001021031041051061071081091011021%2%0.5%0.250.1%顏色第一位有效值其次位有效值第三位有效值黑000棕111紅222橙333黃444綠555藍666紫777灰888白999金銀圖2 三位有效數(shù)字阻值的色環(huán)表示法電位器的主要技術指標額定功率率不等于中心抽頭與固定端的功率。標稱阻值標在產品上的名義阻值，其系列與電阻的系列類似。允許誤差等級20%10%5%2%1%的誤差。周密電位器的精度可達0.1%。阻值變化規(guī)律指阻值隨滑動片觸點旋轉角度〔或滑動行程〕之間的變化關系，這種變化關系可以是任何函數(shù)形式，常用的有直線式、對數(shù)式和反轉對數(shù)式〔指數(shù)式。在使用中，直線式電位器適合于作分壓器；反轉對數(shù)式〔指數(shù)式〕電位器適合于作收音機、錄音機、電唱機、電視機中的音量掌握器。修理時假設找不到同類品，可用直線式代替，但不宜用對數(shù)式代替。對數(shù)式電位器只適合于作音調掌握等。電位器的一般標志方法WT－2 3.3k 10%允許誤差10%3.3k額定功率2W碳膜電位器WX－1 510 J

允許誤差5%510額定功率1W線繞電位器二．電容器電容器型號命名法稱符號 意義其次局部：稱符號 意義其次局部：材料符意義符第三局部：特征、分類意義第四局部：序號電容器對主稱、材料一樣，僅尺寸、性能指標略有不同，但根本不影響互使用的產品，賜予同一序號；假設尺寸性能指標的差異明顯；影響互換使用時，則在序號后面用大寫字母作為區(qū)別代號。號號瓷介云母玻璃電解其他C瓷介1圓片非密封－箔式非密封Y云母2管形非密封－箔式非密封I玻璃釉3迭片密封－燒結粉固體密封O玻璃膜4獨石密封－燒結粉固體密封Z紙介5穿心－－－穿心J金屬化紙6支柱－－－－B聚苯乙烯7－－－無極性－L滌綸8高壓高壓－－高壓Q漆膜9－－－特別特別S聚碳酸脂J金屬膜H復合介質W微調D鋁A鉭N鈮G合金T鈦E其他例如：鋁電解電容器C D 1 1圓片形瓷介電容器C C 1－1紙介金屬膜電容器C Z J X電容器的主要技術指標

第四局部：序號第三局部：特征分類〔箔式〕其次局部：材料〔鋁〕第一局部：主稱〔電容器〕第四局部：序號第三局部：特征分類〔圓片〕其次局部：材料〔瓷介質〕第一局部：主稱〔電容器〕第四局部：序號第三局部：特征分類〔金屬膜〕其次局部：材料〔紙介〕第一局部：主稱〔電容器〕電容器的耐壓：常用固定式電容的直流工作電壓系列為：6.3V，10V，16V，25V，40V，63V，100V，160V，250V，400V。電容器容許誤差等級：常見的有七個等級如表7所示。7+20%+50%+100%容許誤差 2%5%10%20%-30%-20%-10%級別 0.2IIIIIIIVVVI標稱電容量：表8 固定式電容器標稱容量系列和容許誤差系列代號系列代號容許誤差標稱容量對應值E245%〔I〕或〔J〕10,11,12,13,15,16,18,20,22,24,27,30,33,36,39,43,47,51,56,62,68,75,82,90E12E610%〔II〕或〔K〕20%〔III〕〔m〕10,12,15,18,22,27,33,39,47,56,68,8210,15,22,23,47,6810nnpF。電容器的標志方法直標法容量單位：F〔法拉、F〔微法、nF〔納法、pF〔皮法或微微法。1法拉=106微法=1012微微法，1微法=103納法=106微微法1納法=103微微法例如：4n7 表示4.7nF或4700pF，0.22 表示0.22F，51 表示51pF。1的兩位以上的數(shù)字表示單位為pF101100pF；用小于1的數(shù)字表示單位為F0.10.1F。數(shù)碼表示法一般用三位數(shù)字來表示容量的大小，單位為pF。前兩位為有效數(shù)字，1i910-223J代表2103pF＝22023pF＝0.22F，允許誤差為5%479K4710-1pF，允許誤差為5%的電容。這種表示方法最為常見。色碼表示法這種表示法與電阻器的色環(huán)表示法類似，顏色涂于電容器的一端或從頂端向引線排列。色碼一般只有三種顏色，前兩環(huán)為有效數(shù)字，第三環(huán)為位率，單位為pF。有時色環(huán)較寬，如紅紅橙，兩個紅色環(huán)涂成一個寬的，表示22023pF。三．電感器電感器的分類偏轉線圈、天線線圈、中周、繼電器以及延遲線和磁頭等，都屬電感器種類。電感器的主要技術指標電感量:在沒有非線性導磁物質存在的條件下，一個載流線圈的磁通量與線圈中的電流成正比其比例常數(shù)稱為自感系數(shù)，用L表示，簡稱為電感。即：LI式中：＝磁通量 I＝電流強度固有電容：線圈各層、各匝之間、繞組與底板之間都存在著分布電容。統(tǒng)稱為電感器的固有電容。品質因數(shù)：電感線圈的品質因數(shù)定義為：QLR式中：－工作角頻率，L－線圈電感量，R－線圈的總損耗電阻額定電流：線圈中允許通過的最大電流。線圈的損耗電阻：線圈的直流損耗電阻。2．電感器電感量的標志方法直標法。單位H〔亨利、mH〔毫亨、H〔微亨、數(shù)碼表示法。方法與電容器的表示方法一樣。色碼表示法。這種表示法也與電阻器的色標法相像，色碼一般有四種顏色，前兩種顏色為有效數(shù)字，第三種顏色為倍率，單位為H，第四種顏色是誤差位。四．半導體分立器件半導體分立器件的命名方法我國半導體分立器件的命名法第一局部其次局部第三局部表第一局部其次局部第三局部第四局部第五局部用數(shù)字表示器用漢語拼音字母表示器用漢語拼音字母用數(shù)字件電極的數(shù)目件的材料和極性表示器件的類型表示器件符 意義符 意義符意義 符意義序號號號號號代號2 二極管A N型，鍺材料P一般管 D低頻大功率管B P型，鍺材料V微波管〔f＜3MHz,C N型，硅材料W穩(wěn)壓管P1W)CD P型，硅材料C參量管 A高頻大功率管Z整流管〔f3MHz3 三極管A PNP型，鍺材料L整流堆P1W〕CB NPN型，鍺材料S隧道管 T半導體閘流管C PNP型，硅材料N阻尼管)D NPN型，硅材料U光電器件 Y體效應器件E 化合物材料K開關管 B雪崩管X低頻小功率管 J階躍恢復管〔f＜3MHz,CS場效應器件P<1W〕CBT半導體特別器件G 高頻小功率管FH復合管〔f3MHzPINPIN型管P<1W〕CJG激光器件例：鍺材料PNP型低頻大功率三極管： 2)硅材料NPN型高頻小功率三極管：3 A D 50 C規(guī)格號3DG201B規(guī)格號序號序號低頻大功率PNP型、鍺材料三極管低頻大功率PNP型、鍺材料三極管3)N型硅材料穩(wěn)壓二極管： 4)單結晶體管：2 C W 51 B T 3 3 E序號 規(guī)格號穩(wěn)壓管 耗散功率N型、硅材料 三個電極二極管 特種管半導體國際電子聯(lián)合會半導體器件命名法表10 國際電子聯(lián)合會半導體器件型號命名法第一局部用的材料

其次局部

第三局部

第四局部型號者分檔符號 意義 符號符號 意義 符號意義檢波、開關和符號M意義封閉磁路中的符號意義符號意義A 鍺材料 ABP三通用半導體器件低頻小功率三 位 的登記序C 極管 Q 發(fā)光器件 數(shù) 號〔同一 同一硅材料 低頻大功率三 字 類型器件 A 型號器極管 R 小功率可控硅 使用同一 B 件按某隧道二極管 S 小功率開關管 登記號〕 C 一參數(shù)砷化鎵 高頻小功率三 一 D 進行分F 極管 T 大功率可控硅 個 專用半 E 檔的標復合器件 字 導體器件 志D 銻化銦 G 及其它器件 U 大功率開關管 母 的登記序H 磁敏二極管 X 倍增二極管 加 開放磁路中的 兩 復合材 K 霍爾元件 Y 整流二極管 位 使用同一R 料 高頻大功率三 穩(wěn)壓二極管即 數(shù) 登記號〕L 極管 Z 齊納二極管 字例如〔命名：A F 239 SAF239型某一參數(shù)的S檔一般用登記序號高頻小功率三極管鍺材料國際電子聯(lián)合會晶體管型號命名法的特點：這種命名法被歐洲很多國家承受。因此，凡型號以兩個字母開頭，并且第一個字母是A，B，C，DR的晶體管，大都是歐洲制造的產品，或是按歐洲某一廠家專利生產的產品。第一個字母表示材料AB表示硅管，但不表示極性NPN型或PNP型。率管，F(xiàn)表示高頻小功率管，L表示高頻大功率管等等。假設記住了這些字母的意義，不查手冊也可以推斷出類別。例如，BL49型，一見便知是硅大功率專用三極管。第三局部表示登記挨次號。三位數(shù)字者為通用品；一個字母加兩位數(shù)字者為專用品，AC184為PNPAC185則為NPN型。第四局部字母表示同一型號的某一參數(shù)〔如h 或N〕進展分檔。FE F型號中的符號均不反映器件的極性〔指NPN或PN量。(3)美國半導體器件型號命名法3)其次個字母表示器件的類別和主要特點。如C表示低頻小功率管，D表示低頻大功命名法，即美國電子工業(yè)協(xié)會〔EIA〕規(guī)定的晶體管分立器件型號的命名法。如表11所示。第一局部其次局部用數(shù)字表示第一局部其次局部用數(shù)字表示PN結的數(shù)目第三局部(EIA)注冊標志第四局部登記挨次號第五局部器件分檔J軍用品23三極管三個PN結器件n個PN結器件N無非軍用品nABCD別符號意義符號意義符號意義符號意義符號意義JAN1二極管多該器件在位美國電子工數(shù)業(yè)協(xié)會登記登記字的挨次號例：1)JAN2N2904 2)1N4001JAN 2 N 29041N4001EIA登記序號EIA登記序號EIA注冊標志三極管EIA注冊標志二極管軍用品美國晶體管型號命名法的特點：型號命名法規(guī)定較早，又未作過改進，型號內容很不完備。例如，對于材料、極性、主要特性和類型，在型號中不能反映出來。例如，2N開頭的既可能是一般晶體管，也可能是場效應管。因此，仍有一些廠家按自己規(guī)定的型號命名法命名。組成型號的第一局部是前綴，第五局部是后綴，中間的三局部為型號的根本局部。1N、2N3N開頭的晶體管分立器件，大都是美國制造的，或按美國專利在其它國家制造的產品。第四局部數(shù)字只表示登記序號，而不含其它意義。因此，序號相鄰的兩器件可能特性相差很大。例如，2N3464為硅NPN2N3465為N溝道場效應管。不同廠家生產的性能根本全都的器件，都使用同一個登記號。同一型號中某些參數(shù)的差特別用后綴字母表示。因此，型號一樣的器件可以通用。登記序號數(shù)大的通常是近期產品。日本半導體器件型號命名法日本半導體分立器件〔包括晶體管〕或其它國家按日本專利生產的這類器件，都是按日本工業(yè)標準〔JIS〕規(guī)定的命名法〔JIS－C－702〕命名的。日本半導體分立器件的型號，由五至七局部組成。通常只用到前五局部。前五局部符號及意義如表12所示。第六、七局部的符號及意義通常是各公司自行規(guī)定的。第六局部的符號表示特別的用途及特性，其常用的符號有：M－松下公司用來表示該器件符合日本防衛(wèi)廳海上防衛(wèi)隊參謀部有關標準登記的產品。N－松下公司用來表示該器件符合日本播送協(xié)會〔NHK〕有關標準的登記產品。Z－松下公司用來表示專用通信用的牢靠性高的器件。H－日立公司用來表示專為通信用的牢靠性高的器件。K－日立公司用來表示專為通信用的塑料外殼的牢靠性高的器件。T－日立公司用來表示收發(fā)報機用的推舉產品。G－東芝公司用來表示專為通信用的設備制造的器件。S－三洋公司用來表示專為通信設備制造的器件。R，G，012四位以上的數(shù)字3始，表示在近期產品BCDEF012四位以上的數(shù)字3始，表示在近期產品BCDEF表示對原n-1管及其組合管S本電子工業(yè)協(xié)會(EIAJ)注冊BCDPNP型低頻管NPN型高頻管NPN型低頻管二極管分立器件FP掌握極可控硅第一局部其次局部第三局部第四局部第五局部用數(shù)字表示類型S表示日本電子工用字母表示器件用數(shù)字表示在日用字母表示或有效電極數(shù)的極性及類型本電子工業(yè)協(xié)會對原來型號注冊產品登記的挨次號的改進產品符符符符符號意義號意義號意義號意義號意義光電(即光敏)表示已在日APNP型高頻管從11開A用字母GN掌握極可控硅兩個以上PNHN基極單結晶體管結的其他晶JP溝道場效應管體管KN溝道場效應管具有四個有M雙向可控硅效電極或具PN結的晶體管具有n個有效電極或具有n-1PN結的晶體管例如：1〕2SC502A〔日本收音機中常用的中頻放大管〕2 S C 502 A2SC502型的改進產品日本電子工業(yè)協(xié)會登記挨次號NPN型高頻三極管日本電子工業(yè)協(xié)會注冊產品三極管〔兩個PN結〕2〕2SA495〔日本夏普公司GF－9494收錄機用小功率管〕2 S A 495日本電子工業(yè)協(xié)會登記挨次號PNP高頻管日本電子工業(yè)協(xié)會注冊產品三極管〔兩個PN結〕日本半導體器件型號命名法有如下特點：型號中的第一局部是數(shù)字，表示器件的類型和有效電極數(shù)。例如，用“1”表示二極管，用“2”表示三極管。而屏蔽用的接地電極不是有效電極。其次局部均為字母S，表示日本電子工業(yè)協(xié)會注冊產品，而不表示材料和極性。第三局部表示極性和類型。例如用A表示PNP型高頻管，用J表示P溝道場效應三極管。但是，第三局部既不表示材料，也不表示功率的大小。第四局部只表示在日本工業(yè)協(xié)會〔EIAJ〕注冊登記的挨次號，并不反映器件的性能，挨次號相鄰的兩個器件的某一性能可能相差很遠。例如，2SC2680型的最大額定耗散功率為200mW2SC2681100W。但是，登記挨次號能反映產品時間的先后。登記挨次號的數(shù)字越大，越是近期產品。第六、七兩局部的符號和意義各公司不完全一樣。日本有些半導體分立器件的外殼上標記的型號，常承受簡化標記的方法，即把2S省略。例如，2SD764，簡化為D764，2SC502A簡化為C502A。在低頻管〔2SB2SD型〕中，也有工作頻率很高的管子。例如，2SD355的特征頻f100MHz，所以，它們也可當高頻管用。T日本通常把P

1W的管子，稱做大功率管。cm常用半導體二極管的主要參數(shù)f(MHz)1H50f(MHz)1H50二極管2AP11251010f(MHz)4H0鍺開關二極管200150150參最大正向壓反向最高反反向反向恢復類數(shù)整流降(在左擊穿向工作電流時間/ns型型電流/mA欄電流電壓電壓/V/A容號/mA值下)/V/V/pF一般2AP92.54020檢波2AP7165115010025012AP171510110025012AK130102AK21501402032AK52000.9604022AK1010170502AK13604022AK142500.77050硅2CK70A~E10 3開2CK71A~E200.8A30A201.54關二極管2CK72A~E2CK73A~E2CK74A~D2CK75A~D30501001501B45C60D75E90B30C40E60152CK76A~D200參最大正向壓反向最高反反向反向恢復時類數(shù)整流降(在左擊穿向工作電流間/ns型型電流/mA欄電流電壓電壓/V/A容號/mA值下)/V/V/pF整整流二極管2CZ52B H2CZ53B M2CZ54B M2CZ55B M2CZ56B B1N4001 40071N539120.1160.31100.5120112560050100050100050100025同2AP管6530.83011.1 53991000501000501000505501.51.4101N5400 540820031.2101000常用整流橋的主要參數(shù)QL460.310QL460.31050，100，200，400，130參數(shù)型號不重復正向浪涌電流/A整流電流/A正向電壓降/V反向漏電/A/V最高工作結溫/oCQL110.05QL220.125，QL5100.5 1.2500，600，700，800，QL6201900，1000QL7402QL8603 15常用穩(wěn)壓二極管的主要參數(shù)2CW534~5.84112CW534~5.841150-6~40.251110.2測試條件工作電流為穩(wěn)定電環(huán)境溫度穩(wěn)定電穩(wěn)定電流下環(huán)境溫度參穩(wěn)定電流壓下<50oC流下＜10oC型 數(shù)穩(wěn)定電壓穩(wěn)定電最大穩(wěn)定反向漏電動態(tài)電電壓溫度系最大耗散號/V流/mA電流/mA流阻/數(shù)/10-4/oC功率/W2CW512.5~3.571560-92CW523.2~4.555270-82CW545.5~6.510 3830-3~52CW56 7~8.8 27 1572CW578.5~9.8260.52082CW5910~11.8203092CW6011.5~12.55194092CW1034~5.850165120-6~42CW11011.5~12.520760.52092CW11316~1910520.540112CW1A530240202CW6C15307082CW7C6.0~6.51030100.05常用半導體三極管的主要參數(shù)(1)3AX51(3AX31)型PNP型鍺低頻小功率三極管原型號型號3AX31P (mW)極原型號型號3AX31P (mW)極限參數(shù)直流參數(shù)CMCBOFE3AX51A100100753012125001240~150500－3AX51B100100753012125001240~15050083AX51C100100753018123001230~100500－3AX51D100100753024123001225~70500－T＝25oCI (mA)aT (oC)CMBV (V)jMI＝1mABV (V)CI (A)CEOI＝1mACV ＝-10VI (A)CBOCBI (A)CEOV ＝-6VCEEBOhV ＝-6VEBV ＝-1V I＝50mA交流參數(shù)f(kHz)CECV ＝-6VN(dB)CBI＝1mAEV ＝-2V I＝0.5mA f＝1kHzh(k)FCBEV ＝-6V I＝1mAh(ie10)CBEf＝1kHzh(s)reoehfehFE色標分檔(紅)25~60；(綠)50~100；(藍)90~150B管腳EC0.6~4.50.6~4.50.6~4.50.6~4.52.22.22.22.280808080－－－－〔2〕3AX81型PNP型鍺低頻小功率三極管表17 3AX81型PNP型鍺低頻小功率三極管的參數(shù)型號型號極限參數(shù)I (mA)T (oC)CMBV (V)jMCBOBV (V)CEOV (V)EBOA)3AX81A20020075-20-10-7301000300.60.6540~27063AX81B20020075-30-15-1015700150.60.6540~2708測試條件PCM(mW)I＝4mACI＝4mABV (V)CI＝4mAI (A)EBOE直流參數(shù)I (A)CBOV ＝-6VCBV ＝-6VI (CEOCEV ＝-6VEBBESV ＝-1V I＝175mAV (V)CECCESV ＝VhCE BEVCB＝0I＝200mACFEV ＝-1V I＝175mACE溝通參數(shù)f(kHz)色標分檔CV ＝-6VCBI＝10mAEhFE(黃)40~55綠)55~80藍)80~120紫)120~180灰)180~270白)270~400B管腳EC〔3〕3BX31型NPN型鍺低頻小功率三極管型號極限參數(shù)I (mA)CMCBOI (CEO3BX31M 3BX31A型號極限參數(shù)I (mA)CMCBOI (CEO3BX31M 3BX31A125 125125 12575 75-15 -20-6 -12-6 -1025 201000 80025 200.6 0.60.65 0.6580~400 40~1803BX31B12512575-30-18-1012600120.60.6540~1803BX31C12512575-40-24-10640060.60.6540~180測試條件P(mW)T=25oCaT (oC)CMBV (V)jMI＝1mABV (V)CCEOI＝2mABV (V)CI (A)EBO I＝1mAE直流參數(shù)I (A)CBOV ＝6VCBV ＝6VCEV ＝6VV (V)EBOA)EBBESV ＝6V I＝100mAV (V)CECCESV ＝VV ＝0 I＝125mAhCE BECBCFEV ＝1V I＝100mACEChFE色標分檔(黃)40~55(綠)55~80(藍)80~120(紫)120~180(灰)180~270(白)270~400B管腳EC溝通f(kHz)－－8f465V ＝-6V I＝10mACB E參數(shù)3DG100(3DG6)型NPN型硅高頻小功率三極管表19 3DG100(3DG6)型NPN型硅高頻小功率三極管的參數(shù)原 型原 型 型號號3DG6P (mW)極限參數(shù)I (mA)CMBV)BV)BV)CMCBO3DG100A10020(V 303DG100B 3DG100C100 10020 2040 303DG100D1002040測試條件I＝100μACCEO(V 20302030I＝100μACEBO(V 4444I＝100AEI (A)直流參數(shù)I (A)CBOI (A)0.010.10.011130150740.010.10.011130150740.010.10.011130300740.010.10.01113030074VCB＝10VCEOV ＝10VCEV ＝1.5VV (V)EBOEBBESV (V)I＝10mACESCII＝1mA＝10mABI＝1mAhCBFEV ＝10V I＝3mAf(MHz)CEC交流參數(shù)K(dB)TV＝10VI＝3mAf＝100MHzR＝5CBELPC(pF)V＝-6V I＝3mA f＝100MHzCBobV ＝CBE10V I＝0EhFE色標分檔(紅)30~60 (綠)50~110管腳(藍)90~160BE(白)>150C3DG130(3DG12)NPN型硅高頻小功率三極管3DG12P極限參數(shù)I (mA)CM(mW)BV (VCMCBO3DG12P極限參數(shù)I (mA)CM(mW)BV (VCMCBO3DG130A700300403DG130B700300603DG130C700300403DG130D70030060測試條件I＝100μA)CBVCEO(V30453045I＝100μA)CBVEBO(V4444I＝100A)EI (A)直流參數(shù)I (A)CBOI (A)CEO0.510.510.6301506100.5 0.51 10.5 0.51 10.6 0.630 30150 3006 610 10(紅)30~60 (綠)50~1100.510.510.630300610(藍)90~160BVCB＝10VV ＝10VCEV (V)EBOV ＝1.5VEBBESV (V)I＝100mA I＝10mACESCI＝100mA ＝BI10mAhCBFEV ＝10VCEI＝50mAC交流參數(shù)f(MHz)TV＝10VI＝50mAf＝100MHzR＝CBE5LK(dB)PV＝10V I50mA ＝100MHzCBEC(pF)obVCB＝10VI＝0Eh 色標分檔FE(白)>150管腳EC原型號型號(5)9011~9018塑封硅三極管CMCM參數(shù)BV (V)BV (V)CBOCMCM參數(shù)BV (V)BV (V)CBOBV (V)CEOI (A)EBO直流參數(shù)I (A)CBOI (A)CEOV (V)EBO0.010.10.010.5V (V)CESBESh0.510.50.51300,510,50.5130交流參數(shù)f(MHz)FETC(pF)ob301003.50.050.50.050.5130802.50.050.50.050.51308040.050.50.050.51305001.6K(dB)P0.050.50.050.35130600410hFE色標分檔(紅)30~60 (綠)50~110 (藍)90~160 (白)>150管腳EBC(3DG)(3CX)(3DX)(3DG)(3CG)(3DG)(3DG)型號9011901290139014901590169018極P (mW)200300300300300200200限I (mA)20300300100100252020202025252530181818202020205554444常用場效應管主要參數(shù)N溝道結型MOSN溝道結型MOSN溝道耗盡型mGS參數(shù)名稱3DJ2D~H3DJ4D~H3DJ6D~H3DJ7D~H3D01D~H3D02D~H3D04D~H飽和漏源電流I (mA)DSS0.3~100.3~100.3~100.35~1.80.35~100.35~250.35~10.5夾斷電壓V (V)GS<1~9<1~9<1~9<1~91~91~91~9g(V)>2023>2023>1000>3000100040002023最大漏源電壓BV (V)DS>20>20>20>20>20>12~20>20最大耗散功率P (mW)DNI10010010010010025~100100柵源絕緣電阻r ()108108108108108108~101009GD管腳SD或SG五．模擬集成電路模擬集成電路命名方法〔國產〕第0局部 第一局部 其次局部第0局部 第一局部 其次局部用字母表示器件 用字母表示器件的類型 數(shù)符合國家標準 件第三局部第四局部符號意義符號意義的系列和品種代號符號意義符號意義C中國制造TTTLC0~70oCW陶瓷扁平HHTLE-40~85oCB塑料扁平EECLR-55~85oCF全封閉扁平CCMOSM-55~125oCD陶瓷直插F線性放大器P塑料直插D音響、電視電路J黑陶瓷直插W穩(wěn)壓器K金屬菱形J接口電路T金屬圓形例：CF741CT金屬圓形封裝0o~70oC器件代號線性放大器中國國家標準國外局部公司及產品代號表24 國外局部公司及產品代號公司名稱代號公司名稱代號(BCA)CA美國悉克尼特公司(SIC)NE美國國家半導體公司(NSC)LM日本電氣工業(yè)公司(NEC)PC(MOTA)MC日本日立公司(HIT)RA(PSC)A日本東芝公司(TOS)TA(TII)TL日本三洋公司(SANYO)LA，LB美國模擬器件公司(ANA)AD日本松下公司AN(INL)IC日本三菱公司M局部模擬集成電路引腳排列(1)運算放大器，如圖3所示： (2)音頻功率放大器，如下圖：抑 抑正輸調 電自制 制輸電出零 源舉紋空紋入空8 7 6 5141312 1110 9 8源端端 端端波腳8 7 6 5141312 1110 9 8LM741LA410012 341