單晶薄膜生長18學時-專業(yè)物理實驗課

管 薄膜材料的應表面改耐磨及表面防護涂能量變換薄膜與器傳感集成光學器磁記錄薄膜和光薄基礎物理上的應分子(MolecularBeam分子束外延在真空腔內料溫、蒸在納米甚至原子尺度上精確設計和控制量子GrowthModesin生長溫度Frank-vande

2D

3Dislandmode

MBE結構示意 MBE蒸發(fā)熱蒸(KnudsenDiffusionCell,K-cell)，熱罩一般由Ta或者Mo做成。(PBN)(Al2O3)或石墨做成。 MBE蒸發(fā) MBE生長過 SurfaceReciprocalRealspacelatticevectors:a1&Reciprocallattice a2*(forthea1.a2*=a1*.a2= .a1*=a2.a2*= .a1*=| .a1*DiffractionPatternsof5Plane真真空的定真空的基本特氣體分子或帶電粒子的平均自 ： 例如：RT,氦氣的平均自由程 109Torr50 （大氣中：7真空度的單位與區(qū)域劃1Torr≈133Pa≈1.33mbar真空超

1atm~110110 ~11031103~11081108~1101211012真空的獲密閉空間的營造—真空氣體分子的抽取—真空氣體搬運RotaryvaneDiaphragmScrew

氣體吸附SublimationvaporizationIongetterCryoNon-evaporablegetterRotaryvaneRVP103TorrScoll102Torr1~1010TorrHiPace300DN100CF-Cryo

10-

~1011Torr Iongetter10-

~1011TorrSublimationvaporizationTi小真空的測Direct,gas-independentpressurePiezo-diaphragmvacuumCapacitivediaphragmvacuum（4）真空的測Indirect,gas-dependentpressurePirani(thermaltransfer)vacuum（4）真空的測Indirect,gas-dependentpressureColdcathodeionizationvacuum（4）真空的測Indirect,gas-dependentpressureHotcathodeionizationvacuum（4）真空的測當STM針尖與樣品表面距離 STM工恒流模 恒高模zxzx通過改變樣品和針尖之間的電壓記錄IARPES的基本原德國物理學家RudolfHertz

解釋（1905年 TheNobelPrizeinPhysics“ForhisservicestoTheoreticalPhysics,andespeciallyforhisdiscoveryofthelawofThePhotoelectric-Z-ZeYXPhotoemittedPhotoemittedelectronsinVacuumalongdifferentanglesEkin,EnergyMomentumEnergyMomentumConservation:K||=k||+EB=h固體中電子的狀態(tài)(E,k,E—能量；k—動量;s—自旋e.g.XXe.g.XXLL p2/2mh2k2 測量材料電子結構的最直接有效質有效質E-k散射速散射速EDC超導能EDC贗能EDCEDC載流子濃載流子濃FermisurfaceFermi決定材料宏觀性質的重要微觀參Electron

eldetectorHemisphericalDetector2nd

3rdgeneration Spatial StateoftheE=10A=.1AngularBand andFermiSk||- SGS光源（Light氣體放電ConventionalUVsource:gasdischargelampDischargepressure:~1torrDoubledifferentialpummaintainspressuregradient(~1torr-10-9torr)ofUVlinesHeI:transition(2p1s)fromneutralatomHeII:transitionfromsinglyionizedHe+HeI：21.2eVHeII：40.8光源（Light同步輻射Byusinginsertiondevices,brillianceofsynchrotronradiationcanbefurtherincreasedby2–3ordersofmagnitudeormore.光源（Li