半 體特性及二極管

封面半導(dǎo)體器件特性及二極管返回四川稻城沖古寺景區(qū)引言

半導(dǎo)體器件是現(xiàn)代電子技術(shù)的重要組成部分，由于它具有體積小、重量輕、使用壽命長、輸入功率小和功率轉(zhuǎn)換效率高等優(yōu)點(diǎn)而得到廣泛的應(yīng)用。集成電路特別是大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路不斷更新?lián)Q代，致使電子設(shè)備在微型化、可靠性和電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)的靈活性等方面有了重大的進(jìn)步，因而電子技術(shù)成為當(dāng)代高新技術(shù)的龍頭。本頁完

常用的半導(dǎo)體的材料有硅、鍺（均為四價(jià)元素）、硼、銦（均為三價(jià)元素）和磷、砷、銻（均為五價(jià)元素）。返回半導(dǎo)體器件特性及二極管學(xué)習(xí)要點(diǎn)本節(jié)學(xué)習(xí)要點(diǎn)和要求半導(dǎo)體器件特性及二極管半導(dǎo)體的導(dǎo)電作用PN結(jié)的形成及特性半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu)和V-I特性二極管基本電路及其分析方法幾種特殊二極管的作用返回半導(dǎo)體二極管及其基本電路學(xué)習(xí)主頁半導(dǎo)體器件特性及二極管主頁使用說明：要學(xué)習(xí)哪部分內(nèi)容，只需把鼠標(biāo)移到相應(yīng)的目錄上單擊鼠標(biāo)左鍵即可。半導(dǎo)體的基本知識PN結(jié)的形成及特性半導(dǎo)體二極管參考資料:二極管的參數(shù)結(jié)束二極管基本電路及其分析方法特殊二極管貴州興義馬嶺河大峽谷返回半導(dǎo)體基本知識

一、半導(dǎo)體的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)

1.硅元素的簡化原子模型一、半導(dǎo)體的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)

1、硅（鍺）元素的簡化原子模型半導(dǎo)體的基本知識Si+14硅原子模型原子核Si+4價(jià)電子硅原子的簡化模型硅元素最外層有4個(gè)價(jià)電子在簡化模型中只畫出最外層的4個(gè)價(jià)電子，因?yàn)樵映手行?，所以簡化模型中的原子核用帶圈?4符號表示。最外層的電子稱為價(jià)電子繼續(xù)慣性核

1、硅（鍺）元素的簡化原子模型2.半導(dǎo)體的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)一、半導(dǎo)體的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體的基本知識

2、半導(dǎo)體的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)繼續(xù)每個(gè)硅原子都與其它原子共用價(jià)電子(其作用稱為共價(jià)鍵)，形成一個(gè)較為穩(wěn)定的具有8個(gè)電子的原子外圍結(jié)構(gòu)，但由于是共用價(jià)電子，所以穩(wěn)定性較差。不含雜質(zhì)的硅半導(dǎo)體稱為硅本征半導(dǎo)體繼續(xù)

1、硅（鍺）元素的簡化原子模型2.半導(dǎo)體的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)一、半導(dǎo)體的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體的基本知識

2、半導(dǎo)體的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)繼續(xù)本頁完共用價(jià)電子示意圖實(shí)際上半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)是三維的。繼續(xù)二、本征半導(dǎo)體中的空穴及導(dǎo)電作用

二、本征半導(dǎo)體中的空穴及導(dǎo)電作用一、半導(dǎo)體的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體的基本知識繼續(xù)本頁完

1、本征半導(dǎo)體中的本征激發(fā)

2、空穴的移動本征激發(fā)及空穴移動動畫當(dāng)半導(dǎo)體接受外界足夠的能量后,價(jià)電子掙脫共價(jià)鍵的束縛,成為自由電子,稱為本征激發(fā)。

二、本征半導(dǎo)體中的空穴及導(dǎo)電作用二、本征半導(dǎo)體中的空穴及導(dǎo)電作用一、半導(dǎo)體的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體的基本知識

1、本征半導(dǎo)體中的本征激發(fā)

2、空穴的移動+4-4中性出現(xiàn)一個(gè)空穴就意味著少了一個(gè)價(jià)電子,伴隨著出現(xiàn)一個(gè)正電荷。繼續(xù)二、本征半導(dǎo)體中的空穴及導(dǎo)電作用

二、本征半導(dǎo)體中的空穴及導(dǎo)電作用一、半導(dǎo)體的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體的基本知識繼續(xù)

1、本征半導(dǎo)體中的本征激發(fā)

2、空穴的移動+4-4-3空穴的移動與正電荷移動的方向是相同的,所以在半導(dǎo)體的導(dǎo)電研究中,空穴被等效地看成是帶正電的載流子。出現(xiàn)一個(gè)空穴原子就帶一個(gè)正電荷+1出現(xiàn)一個(gè)空穴就意味著少了一個(gè)價(jià)電子,伴隨著出現(xiàn)一個(gè)正電荷。

二、本征半導(dǎo)體中的空穴及導(dǎo)電作用二、本征半導(dǎo)體中的空穴及導(dǎo)電作用一、半導(dǎo)體的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體的基本知識

1、本征半導(dǎo)體中的本征激發(fā)

2、空穴的移動3、在半導(dǎo)體中,參與導(dǎo)電的有電子和空穴兩種載流子。+4-4-3空穴自由電子很顯然,本征半導(dǎo)體中的空穴與自由電子總是成對出現(xiàn)的。空穴與自由電子越多,本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力越強(qiáng)。當(dāng)溫度升高時(shí),掙脫束縛的電子顯著增多,半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力會顯著增強(qiáng)。繼續(xù)本頁完

二、本征半導(dǎo)體中的空穴及導(dǎo)電作用三、雜質(zhì)半導(dǎo)體一、半導(dǎo)體的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體的基本知識三、雜質(zhì)半導(dǎo)體繼續(xù)在本征半導(dǎo)體中摻入微量的雜質(zhì)，就會使半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能發(fā)生顯著的改變。

二、本征半導(dǎo)體中的空穴及導(dǎo)電作用1、P型半導(dǎo)體一、半導(dǎo)體的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體的基本知識繼續(xù)本頁完三、雜質(zhì)半導(dǎo)體1、P型半導(dǎo)體(空穴導(dǎo)電)產(chǎn)生一個(gè)空位摻入3價(jià)元素鄰近電子受激發(fā)填補(bǔ)空位形成空穴每摻入一個(gè)3價(jià)元素,可產(chǎn)生一個(gè)空穴,P型半導(dǎo)體的導(dǎo)電主要靠空穴,所以空穴稱為多子?？刂茡饺?價(jià)元素的量可以控制半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力。受溫度等影響,半導(dǎo)體仍有少量電子受激形成自由電子,但數(shù)量很少,稱為少子。

二、本征半導(dǎo)體中的空穴及導(dǎo)電作用1、P型半導(dǎo)體一、半導(dǎo)體的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體的基本知識繼續(xù)本頁完三、雜質(zhì)半導(dǎo)體1、P型半導(dǎo)體(空穴導(dǎo)電)P型半導(dǎo)體的圖示每摻入一個(gè)3價(jià)元素,可產(chǎn)生一個(gè)空穴,P型半導(dǎo)體的導(dǎo)電主要靠空穴,所以空穴稱為多子。控制摻入3價(jià)元素的量可以控制半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力。2、N型半導(dǎo)體

二、本征半導(dǎo)體中的空穴及導(dǎo)電作用一、半導(dǎo)體的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體的基本知識繼續(xù)本頁完三、雜質(zhì)半導(dǎo)體1、P型半導(dǎo)體(空穴導(dǎo)電)多余一個(gè)電子很容易受激發(fā)形成自由電子。摻入5價(jià)元素每摻入一個(gè)5價(jià)元素,可產(chǎn)生一個(gè)自由電子,N型半導(dǎo)體的導(dǎo)電主要靠自由電子,所以自由電子稱為多子?？刂茡饺?價(jià)元素的量可以控制半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力。受溫度等影響,半導(dǎo)體仍有少量電子受激掙脫束縛,形成空穴,但數(shù)量很少,稱為少子。2、N型半導(dǎo)體(電子導(dǎo)電)2、N型半導(dǎo)體

二、本征半導(dǎo)體中的空穴及導(dǎo)電作用一、半導(dǎo)體的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體的基本知識繼續(xù)本頁完三、雜質(zhì)半導(dǎo)體1、P型半導(dǎo)體(空穴導(dǎo)電)+2、N型半導(dǎo)體(電子導(dǎo)電)半導(dǎo)體基本知識學(xué)習(xí)完畢,單擊返回,返回學(xué)習(xí)主頁，單擊繼續(xù),繼續(xù)往下學(xué)習(xí)《PN結(jié)的形成及特性》。繼續(xù)返回N型半導(dǎo)體的圖示每摻入一個(gè)5價(jià)元素,可產(chǎn)生一個(gè)自由電子,N型半導(dǎo)體的導(dǎo)電主要靠自由電子,所以自由電子稱為多子?？刂茡饺?價(jià)元素的量可以控制半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力。PN結(jié)的形成及特性

一、PN結(jié)的形成一、PN結(jié)的形成PN結(jié)的形成及特性繼續(xù)本頁完把一塊P型半導(dǎo)體與一塊N型半導(dǎo)體結(jié)合起來。PN在交界面處由于空穴和自由電子濃度不同,各自向濃度低的地方擴(kuò)散,即空穴向N區(qū)擴(kuò)散,電子向P區(qū)擴(kuò)散。擴(kuò)散的結(jié)果在交界面處形成一個(gè)很薄的帶電層,帶電層產(chǎn)生的內(nèi)電場方向是阻礙多數(shù)載流子繼續(xù)擴(kuò)散。但內(nèi)電場的方向卻有利于使各自的少子進(jìn)入對方區(qū)域(稱為漂移)。PN結(jié)形成動畫顯示擴(kuò)散和漂移最終會達(dá)到動態(tài)平衡,PN結(jié)的厚度不再變化。

PN結(jié)上的電荷是不可移動的,所以電阻率很高。擴(kuò)散越強(qiáng),PN結(jié)越厚,PN結(jié)的電阻率越高。二、PN結(jié)的單向?qū)щ?/p>

1、PN結(jié)的正向連接一、PN結(jié)的形成PN結(jié)的形成及特性繼續(xù)二、PN結(jié)的單向?qū)щ娦酝怆妶鱿魅鮾?nèi)電場,PN結(jié)變薄,擴(kuò)散加強(qiáng),形成電流。即PN結(jié)可產(chǎn)生正向連接時(shí)可產(chǎn)生正向電流IF。1、PN結(jié)的正向連接

電源的正極接P區(qū),負(fù)極接N區(qū)稱為正向連接。

PN結(jié)正向連接時(shí)可產(chǎn)生正向電流IF。PN結(jié)的正向連接動畫顯示2、PN結(jié)的反向連接一、PN結(jié)的形成PN結(jié)的形成及特性二、PN結(jié)的單向?qū)щ娦酝怆妶雠c內(nèi)電場同向,PN結(jié)更厚,擴(kuò)散基本不能進(jìn)行,只有少數(shù)載流子的漂移形成電流很小的反向電流IR(正常時(shí)只達(dá)到微安級)。2、PN結(jié)的反向連接電源的正極接N區(qū),負(fù)極接P區(qū)稱為反向連接。繼續(xù)

PN結(jié)反向連接時(shí)只能產(chǎn)生很小的反向電流IR。PN結(jié)的反向連接動畫顯示1、PN結(jié)的正向連接

電源的正極接P區(qū),負(fù)極接N區(qū)稱為正向連接。

PN結(jié)正向連接時(shí)可產(chǎn)生正向電流IF。過度頁一、PN結(jié)的形成PN結(jié)的形成及特性二、PN結(jié)的單向?qū)щ娦岳^續(xù)2、PN結(jié)的反向連接

PN結(jié)反向連接時(shí)只能產(chǎn)生很小的反向電流IR。1、PN結(jié)的正向連接

PN結(jié)正向連接時(shí)可產(chǎn)生正向電流IF。PN結(jié)單向?qū)щ娍偨Y(jié)一、PN結(jié)的形成PN結(jié)的形成及特性二、PN結(jié)的單向?qū)щ娦?/p>

PN結(jié)正向連接時(shí)可產(chǎn)生正向電流IF。2、PN結(jié)的反向連接繼續(xù)本頁完總結(jié)：PN結(jié)的正向電阻很小,反向電阻很大,這就是它的單向?qū)щ娦浴?/p>

PN結(jié)反向連接時(shí)只能產(chǎn)生很小的反向電流IR。1、PN結(jié)的正向連接PN結(jié)的單向?qū)щ娦詣赢嬶@示三、PN結(jié)的V-I特性曲線和表達(dá)式

PN結(jié)的V-I正向特性曲線

PN結(jié)一、PN結(jié)的形成PN結(jié)的形成及特性二、PN結(jié)的單向?qū)щ娦匀N結(jié)的V-I特性曲線和表達(dá)式繼續(xù)本頁完繪出PN結(jié)正向連接時(shí)的V-I特性曲線當(dāng)PN結(jié)的正向連接電壓從0開始增加時(shí),正向電流IF并不立即出現(xiàn).當(dāng)正向電壓達(dá)到某一數(shù)值后Vth后,正向電流才IF開始出現(xiàn)。硅PN結(jié)正向電流IF隨正向電壓的增加而迅速增加。VthPN結(jié)的V-I反向特性曲線

PN結(jié)一、PN結(jié)的形成PN結(jié)的形成及特性二、PN結(jié)的單向?qū)щ娦匀N結(jié)的V-I特性曲線和表達(dá)式繼續(xù)本頁完在此范圍內(nèi),PN結(jié)的伏安特性近似符合此關(guān)系式。硅PN結(jié)當(dāng)PN結(jié)反向連接時(shí),電壓在很大的一段變化范圍內(nèi),反向電流IR都很小且?guī)缀醪蛔?iD=IS(e-1)vD

/VTVth繪出PN結(jié)反向連接時(shí)的V-I特性曲線PN結(jié)的V-I關(guān)系表達(dá)式一、PN結(jié)的形成PN結(jié)的形成及特性二、PN結(jié)的單向?qū)щ娦匀?、PN結(jié)的V-I特性曲線和表達(dá)式繼續(xù)本頁完iD=IS(e-1)vD

/VT

PN結(jié)硅PN結(jié)iD——通過二極管的電流IS——二極管的反向飽電流即IRvD——加在二極管兩端的電壓VT——溫度電壓當(dāng)量(26mV)Vth四、PN結(jié)的反向擊穿

PN結(jié)硅PN結(jié)一、PN結(jié)的形成PN結(jié)的形成及特性二、PN結(jié)的單向?qū)щ娦匀?、PN結(jié)的V-I特性曲線和表達(dá)式繼續(xù)本頁完四、PN結(jié)的反向擊穿當(dāng)PN結(jié)反向偏置電壓增大至某一數(shù)值時(shí),反向電流IR突然增大,稱為反向擊穿。熱擊穿：一般二極管反向擊穿后，在PN結(jié)上產(chǎn)生的熱量很大，通常會把PN結(jié)燒毀。所以一般二極管不允許工作在反向擊穿區(qū)間。齊納擊穿:另外一種可以使二極管恢復(fù)原狀的反向擊穿稱為齊納擊穿(原理請自行參閱課本)?！禤N結(jié)的形成及特性》學(xué)習(xí)完畢,單擊返回,返回學(xué)習(xí)主頁，單擊繼續(xù),繼續(xù)往下學(xué)習(xí)《半導(dǎo)體二極管》。繼續(xù)返回Vth半導(dǎo)體二極管

一、半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu)一、半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體二極管繼續(xù)本頁完三價(jià)鋁絲在觸點(diǎn)上產(chǎn)生極小的PN結(jié),只能通過很小的電流。點(diǎn)接觸型二極管一般用在頻率很高、電流很小的電路中。面結(jié)型二極管的PN結(jié)接觸面較大,可通過較大的電流。面結(jié)型二極管一般工作在電流較大的電路中,適用低頻電路。平面型二極管的PN

結(jié)接觸面很大,可用在大電流電路中作整流用,只適用于低頻電路。半導(dǎo)體二極管外型圖一、半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體二極管面結(jié)型二極管一般工作在電流較大的電路中,適用低頻電路。幾種半導(dǎo)體二極管的外型圖平面型二極管的PN結(jié)接觸面很大,可用在大電流電路中作整流用,只適用于低頻電路。繼續(xù)本頁完硅高頻檢波二極管型號：2CP符號：整流二極管符號：型號：2CZ鍺高頻檢波二極管型號：2AP點(diǎn)接觸型二極管一般用在頻率很高、電流很小的電路中。二、半導(dǎo)體二極管的伏安特性曲線I(mA)U(V)二極管的伏安特性(A)0-4-2-5-105101520250.20.40.60.8鍺管硅管正向特性反向特性VBIS一、半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體二極管繼續(xù)本頁完二、半導(dǎo)體二極管的符號和伏安特性曲線鍺管的門坎電壓Vth較小,約為0.1V左右。硅管的正向電壓超過0.5V后才產(chǎn)生正向電流,此電壓一般稱為門坎電電壓,也可以用Vth表示。VD、D+-半導(dǎo)體二極管電路符號PNVth0.6V(Si)Vth0.1V(Ge)Vth三、半導(dǎo)體二極管的幾個(gè)主要參數(shù)簡介

1.最大整流電流IF

2.反向擊穿電壓VBR

3.反向電流IR一、半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體二極管繼續(xù)二、半導(dǎo)體二極管的符號和伏安特性曲線三、半導(dǎo)體二極管的幾個(gè)主要參數(shù)簡介1.最大整流電流IFM管子長期運(yùn)行時(shí)，允許通過的最大正向平均電流。2.反向擊穿電壓VBR指管子反向擊穿時(shí)的電壓值3.反向電流IR(sat)管子未擊穿時(shí)的反向直流電流

IR(sat)的數(shù)值愈小，管子的單向?qū)щ娦阅苡谩＿^度一、半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體二極管繼續(xù)二、半導(dǎo)體二極管的符號和伏安特性曲線三、半導(dǎo)體二極管的幾個(gè)主要參數(shù)簡介2.反向擊穿電壓VBR1.最大整流電流IFM3.反向電流IR(sat)4.極間電容一、半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體二極管二、半導(dǎo)體二極管的符號和伏安特性曲線三、半導(dǎo)體二極管的幾個(gè)主要參數(shù)簡介2.反向擊穿電壓VBR3.反向電流IR(sat)4.最高工作頻率fM二極管具有單向?qū)щ娦缘淖罡吖ぷ黝l率。繼續(xù)1.最大整流電流IFM

fM的數(shù)值主要由管子的極間電容的大小決定。二極管極間電容的形成可參考康華光編《電子技術(shù)基礎(chǔ)》模擬部分(第四版)有關(guān)章節(jié)。考慮極間電容的等效電路一、半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體二極管二、半導(dǎo)體二極管的符號和伏安特性曲線三、半導(dǎo)體二極管的幾個(gè)主要參數(shù)簡介考慮了極間電容后,二極管的等效電路如右圖所示。繼續(xù)本頁完rC

PN

結(jié)電阻,正向偏置時(shí)為正向電阻,反向偏置時(shí)為反向電阻。

PN結(jié)的極間電容很顯然,若C較大而電路的工作頻率又較高,由電容器的特性知二極管將失去單向?qū)щ娦缘墓δ堋６O管的其它參數(shù)可返回學(xué)習(xí)主頁后進(jìn)入《二極管的參數(shù)》部分瀏覽。單擊返回,返回學(xué)習(xí)主頁，單擊繼續(xù),繼續(xù)往下學(xué)習(xí)。繼續(xù)返回2.反向擊穿電壓VBR1.最大整流電流IFM3.反向電流IR(sat)4.最高工作頻率fM二極管基本電路及其分析方法

一、半導(dǎo)體二極管正向V-I特性建模

1.理想模型一、半導(dǎo)體二極管正向V-I特性建模二極管基本電路及其分析方法1.理想模型二極管處于正向偏置而導(dǎo)通時(shí)其壓降為0,可認(rèn)為二極管處于短接狀態(tài)；二極管處于反向偏置時(shí)電阻為無窮大,電流為0,可認(rèn)為二極管處于斷路狀態(tài)。繼續(xù)本頁完正向?qū)〞r(shí)的理想模型－ＶD=0+－PN+－PN－++反向截止時(shí)的理想模型當(dāng)電源電壓遠(yuǎn)大于二極管的管壓降(一般是0.7V左右)時(shí),可使用理想模型分析電路。2.恒壓降模型一、半導(dǎo)體二極管正向V-I特性建模二極管基本電路及其分析方法2.恒壓降模型當(dāng)二極管處于正向偏置后,可認(rèn)為管壓降為一恒量(通常取值為0.7V)。恒壓降模型：一個(gè)理想二極管串接一個(gè)0.7V的電源。－+－PN+iD0.7V0.7V繼續(xù)本頁完恒壓降模型伏安特性曲線一般當(dāng)二極管的正向電流IF≥1mA時(shí)可使用本模型。1.理想模型I(mA)U(V)二極管的伏安特性(A)0-4-2-5-105101520250.20.40.60.83.折線模型一、半導(dǎo)體二極管正向V-I特性建模二極管基本電路及其分析方法當(dāng)二極管處于正向偏置后,二極管兩端的電壓隨通過二極管的電流的變化而作線性變化3.折線模型rD繼續(xù)本頁完二極管實(shí)際伏安特性曲線折線模型伏安特性曲線iD0.5V－+－PN+iD2.恒壓降模型1.理想模型折線模型：一個(gè)理想二極管串接一個(gè)0.5V的電源和一個(gè)相當(dāng)于二極管正向偏置時(shí)的電阻rD。I(mA)U(V)二極管的伏安特性(A)0-4-2-5-105101520250.20.40.60.8Vth0.6V(Si)Vth0.1V(Ge)Vth4.小信號模型一、半導(dǎo)體二極管正向V-I特性建模二極管基本電路及其分析方法當(dāng)二極管工作在小信號范圍內(nèi)時(shí),由伏安特性曲線可知,其工作范圍可看成是一條直線當(dāng)二極管工作在小信號狀態(tài)時(shí)可用此法求出其正向?qū)〞r(shí)的交流電阻。繼續(xù)本頁完此時(shí)二極管的正向電阻rD(亦稱交流電阻)可用直角三角形求出。4.小信號模型vDiD小信號交流電阻rD=vD

/iD－+－PN+iD沿工作點(diǎn)作一切線單擊資料，可觀看二極管交直流電阻圖解；單擊返回,返回學(xué)習(xí)主頁，單擊繼續(xù),繼續(xù)往下學(xué)習(xí)。繼續(xù)返回資料3.折線模型2.恒壓降模型1.理想模型I(mA)U(V)二極管的伏安特性(A)0-4-2-5-105101520250.20.40.60.8Vth0.6V(Si)Vth0.1V(Ge)Vth特殊二極管

一.穩(wěn)壓二極管

穩(wěn)壓二極管實(shí)物圖特殊二極管繼續(xù)一、穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓二極管型號：

2CW14符號：主要參數(shù)：

250mW6V實(shí)物圖穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)壓原理VZIZVZI/mA8400.40.81.2V-4-8特殊二極管繼續(xù)本頁完一、穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓二極管是一種比較特殊的二極管，正常工作時(shí)是加上反向電壓的，它工作在反向擊穿的區(qū)域。