標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 14015-1992 硅-藍寶石外延片》作為一項技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，規(guī)定了硅-藍寶石外延片的分類、技術(shù)要求、試驗方法、檢驗規(guī)則以及標(biāo)志、包裝、運輸和儲存要求。然而，您提供的對比對象不完整，無法直接進行詳細(xì)的變更對比分析。為了提供有用的信息，我將概述一般情況下技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)更新時可能涉及的幾個常見變更方向，盡管這并不特指與《GB/T 14015-1992》相比的具體另一個標(biāo)準(zhǔn)：

  1. 技術(shù)指標(biāo)提升：新標(biāo)準(zhǔn)可能會對硅-藍寶石外延片的物理、化學(xué)性能提出更嚴(yán)格的要求，如提高材料純度、降低缺陷密度、改進晶格匹配度等，以適應(yīng)技術(shù)進步和應(yīng)用需求的增加。

  2. 生產(chǎn)工藝規(guī)范：隨著生產(chǎn)技術(shù)和工藝的進步，新標(biāo)準(zhǔn)可能會引入新的制備方法或優(yōu)化現(xiàn)有工藝流程，以提高生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量，同時減少環(huán)境污染。

  3. 測試與檢驗方法：更新的標(biāo)準(zhǔn)可能會采用更先進、精確的測試手段和儀器設(shè)備來評估外延片的質(zhì)量，包括但不限于表面形貌、晶體結(jié)構(gòu)、電學(xué)特性等方面的檢測方法。

  4. 環(huán)保與安全要求：考慮到環(huán)境保護和生產(chǎn)安全的重要性日益增強，新標(biāo)準(zhǔn)可能會增設(shè)或加強對外延片生產(chǎn)過程中環(huán)保材料使用、廢棄物處理及安全生產(chǎn)的操作規(guī)范。

  5. 分類與標(biāo)識系統(tǒng)：為便于管理和應(yīng)用，新標(biāo)準(zhǔn)可能會調(diào)整產(chǎn)品的分類體系，并對產(chǎn)品標(biāo)識、包裝、運輸和儲存要求進行細(xì)化或標(biāo)準(zhǔn)化，以提高供應(yīng)鏈的效率和透明度。

  6. 國際標(biāo)準(zhǔn)接軌：隨著全球化貿(mào)易的發(fā)展，新標(biāo)準(zhǔn)可能會參考或等同采用國際標(biāo)準(zhǔn)，以促進國內(nèi)外市場的互認(rèn)與交流，增強產(chǎn)品的國際競爭力。


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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 1992-12-28 頒布
  • 1993-08-01 實施
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GB/T 14015-1992硅-藍寶石外延片_第1頁
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UDC621.382.032.9L.90中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T14015-92硅一藍寶石外延片Silicononsapphireepitaxialwafers1992-12-28發(fā)布1993-08-01實施國家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

(京)新登字023號中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)一藍寶石外延片GB/T14015-92中國標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行北京西城區(qū)復(fù)興門外三里河北街16號郵政編碼：100045電話：63787337、637874471993年8月第一版2004年12月電子版制作書號：155066·1-9656版權(quán)專有侵權(quán)必究舉報電話：（010）68533533

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T14015-92硅一藍寶石外延片Silicononsapphireepitaxialwafers主題內(nèi)容與適用范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了藍寶石襯底上生長的單品硅外延片的技術(shù)要求、測試方法、檢驗規(guī)則本標(biāo)準(zhǔn)適用于半導(dǎo)體器件用藍寶石襯底上生長的單品硅外延片。2引用標(biāo)準(zhǔn)GB6624硅單品地光表面質(zhì)量目測檢驗方法（B2828逐批檢查計數(shù)抽樣程序及抽樣表（適用于連續(xù)批的檢查)GB/T13843藍寶石單品拋光襯底片SJ2446非本征半導(dǎo)體單晶蛋爾遷移率的測試方法硅外延層厚度，層錯密度，硅片上的缺陷和治污觀察標(biāo)準(zhǔn)和規(guī)程術(shù)語。。見附錄A。3技術(shù)要求3.1襯底藍寶石拋光襯底片的技術(shù)要求應(yīng)符合GB'T138433.2摻雜劑及導(dǎo)電類型3.2.1摻雜劑為鋁、硼或磷。3.2.2導(dǎo)電類型為P型或N型。3.3外延層厚度3.3.1外延層厚度為0.4～5um.3.3.2徑向厚度不均勾性：<±6%。3.4電阻率電阻率為0.05~2000cm。3.5遷移率數(shù)值：>40cm2/V·s。3.66載流子濃度范圍：10*～10"at/cm。3.7表面缺陷的最大允許值應(yīng)符合表1的要業(yè)。最大允許值層錯蜜度25個/r

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