GB/T 14119-1993半導(dǎo)體集成電路雙極熔絲式可編程只讀存儲器空白詳細(xì)規(guī)范(可供認(rèn)證用)

DDG621.382：681.327.28L56中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T14119-93半導(dǎo)體集成電路雙極熔絲式可編程只讀存儲器空白詳細(xì)規(guī)范Blankdetailspecificationforsemiconductorintegratedcircuitfusible-linkprogrammablebipolarread-onlymemories（可供認(rèn)證用）1993-03-18發(fā)布1993-08-01實(shí)施國家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體集成電路雙極熔絲式可編程只讀存儲器CB/T14119-93日詳細(xì)規(guī)空白Blankdetailspecificationforsemiconductorintegratedcircuitfusible-linkprogrammablebipolarread-onlymemories（可供認(rèn)證用）本規(guī)范規(guī)定了編制半導(dǎo)體集成電路雙極熔絲式可編程只讀存儲器(以下簡稱器件)詳細(xì)規(guī)范的基本原則。本規(guī)范是半導(dǎo)體集成電路一系列空白詳細(xì)規(guī)范中的一個(gè),它應(yīng)與GB4589.1《半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路總規(guī)范》和GB12750《半導(dǎo)體集成電路分規(guī)范(不包括混合電路)》一起使用。要求的資料空白詳細(xì)規(guī)范首頁1～[9J各欄應(yīng)填寫與下列各項(xiàng)相對應(yīng)的內(nèi)容。詳細(xì)規(guī)范的識別C11發(fā)布詳細(xì)規(guī)范的國家標(biāo)準(zhǔn)化機(jī)構(gòu)名稱12詳細(xì)規(guī)范的IECQ編號?！?】總規(guī)范和分規(guī)范編號及版本號?！?詳細(xì)規(guī)范的國家編號，發(fā)布日期及國家標(biāo)準(zhǔn)體系需要的資料器件的識別C5主要的功能和型號。L6】典型結(jié)構(gòu)(材料、主要工藝)和封裝如果器件有多種派生產(chǎn)品，應(yīng)當(dāng)給出相互之間的差別。例如,以對照表的形式列出各自性能的特點(diǎn)詳細(xì)規(guī)范應(yīng)給出包括下述內(nèi)容的簡要說明·工藝(TTL、ECL等);·結(jié)構(gòu)(字×位)；·輸出電路的類型(例如三態(tài)…·)：·主要功能?！?]外形圖、引出端識別、標(biāo)志和(或)外形有關(guān)的參考文件。181質(zhì)量評定類別(按GB4589.1第2.6條)。L9參考數(shù)據(jù)【本規(guī)范中，方括號所列內(nèi)容僅供指導(dǎo)編寫詳細(xì)規(guī)范使用，不必在詳細(xì)規(guī)范中列出。[本規(guī)范中,電特性或額定值表格中的"X"表示在詳細(xì)規(guī)范中必